6 EL

TRANSISTOR
BIPOLAR O BIT

El transistor bipolar es un dispositivo que posee tres capas semiconductoras con sus
respectivos contactos que se denominan : Colector (C), Base (B) y Emisor(E).

La palabra bipolar se debe al hecho que internamente existe una doble circulacin de
portadores de corriente: electrones y lagunas o agujeros.

CLASIFICACION DE LOS TRANSISTORES BIPOLARES

Los transistores bipolares se clasifican en:

1. POR LA DISPOSICIN DE SUS CAPAS

a.- Transistores PNP.

b.- Transistores NPN.

Figura 1....
2. POR EL MATERIAL SEMICONDUCTOR EMPLEADO

a.- Transistores de Silicio.

b.- Transistores de Germanio.

3. POR LA DISIPACION DE POTENCIA

a.- Transistores de baja potencia (ver figura 2a).

b.- Transistores de Mediana potencia (ver figura 2b).

c.- Transistores de Alta potencia (ver figura 2c) .

Figura 2 a.- TRANSISTORES DE BAJA POTENCIA

Figura 2 b.- TRANSISTORES DE MEDIANA POTENCIA.

Figura 2 c.- TRANSISTORES DE ALTA POTENCIA

4.- POR LA FRECUENCIA DE TRABAJO

a.- Transistores de Baja o Audio Frecuencia (AF).

b.- Transistores de Alta o Radio Frecuencia (RF).

POLARIZACIONES DE LOS TRANSISTORES BIPOLARES

Para que un transistor Bipolar funcione adecuadamente es necesario polarizarlo de tal

forma que:

a.- La juntura BASE EMISOR est polarizada directamente.

b.- La juntura COLECTOR BASE est polarizada inversamente.

Ejemplo: Para un transistor NPN, la base debe de tener un voltaje positivo

con respecto al Emisor y el Colector debe de tener un voltaje tambin positivo pero,
mayor que el de la base. En el caso de un transistor PNP ocurre todo lo contrario.

CODIFICACION DE LOS TRANSISTORES BIPOLARES

Los transistores tienen un cdigo de identificacin que especifica la funcin que

cumple y/o su fabricacin.

Pese a la diversidad de transistores, se distinguen tres grandes grupos: europeos,

japoneses y americanos.

CODIFICACIN EUROPEA

PRIMERA LETRA

A : Germanio

B : Silicio

SEGUNDA LETRA

A : Diodo (excepto los diodos Tnel).

C : Transistores de Baja Frecuencia.

D : Transistores de Baja Frecuencia y Alta Potencia .

E : Diodo Tnel de Alta Potencia.

 F : Transistor de Alta Frecuencia.

L : Transistor de Alta Frecuencia y Alta Potencia.

P : Foto semiconductor.

S : Transistor para conmutacin.

U : Transistor para conmutacin de Alta Potencia.

Y : Diodos de Potencia.

Z : Diodos Zener.

NUMERO DE SERIE

100 999 Para equipos domsticos como grabadoras radio, tv. Etc.

10 99 y la letra X, Y o Z: para aplicaciones especiales.

Ejemplo: AD149 en un transmisor de Germanio, de alta potencia y se usa en baja

frecuencia (audio).

CODIFIVACION JAPONESA

PRIMERO.. 0 (cero) : Fototransistor o Fotodiodo.

1 : Diodo.

2 : Transistor.

SEGUNDO.. S : Semiconductor.

TERCERO.. A : Transistor PNP de RF (Radio Frecuencia).

B : Transistor PNP de AF (Audio Frecuencia).

C : Transistor NPN de RF.

D : Transistor NPN de AF.

F : Tiristor tipo PNPN.

G : Tiristor tipo NPNP.

CUARTO.. Nmero de serie: empieza a partir del nmero 11.

QUINTO.. Indica un transistor mejor que el anterior.

Ejemplo :
 Figura 2.
El transistor 2SA186A es del tipo PNP de RF con mejores caractersticas tcnicas que
el 2SA186.

CODIFICACION AMERICANA

Anteriormente los transistores americanos empezaban su codificacin con el prefijo

2N seguido por un nmero que indica la serie de fabricacin, ejemplo 2N3055, etc.

Actualmente, cada fabricante le antepone su propio prefijo, as tenemos por ejemplo:

TI1411, ECG128, M4701 que corresponde respectivamente a TEXAS
INSTRUMENTS, SYLVANIA Y MOTOROLA.

IDENTIFICACION DEL TRANSISTOR BIPOLAR

En ocasiones, la codificacin de los transistores es borrosa y/o desconocida por lo que

no podemos recurrir al manual de Transistores para conocer sus caractersticas
tcnicas siendo necesario hallarlas del siguiente modo:

IDENTIFICACION DE TERMINALES

Con un Ohmimetro, en la escala de Rx1 y cuidndose los terminales externos del

ohmimetro coincidan con la polaridad de la batera o pilas internas, haga lo siguiente:

a.- Numere las patitas al azar (Ver figura 3a)

FIGURA 3.
b.- Coloque el ohmimetro como indican las figuras 3b. 3c y 3c, hasta obtener dos
lecturas de baja resistencia con un punto comn, tal como sealan las figuras 3b y 3d
en donde el punto comn es el contacto nmero 2.

En casos de no obtener las dos lecturas de baja resistencia, intercambie las puntas de
prueba y repita las mediciones indicadas en la figura 3b, 3c y 3d.

c.- El contacto comn (en este caso la patita 2) viene a ser la base del transistor.
FIGURA 4,,,,,

d.- Para ubicar el contacto de COLECTOR. De las dos lecturas de baja resistencia,
seleccione la menor. La diferencia es de solamente algunos ohmios y en otros casos
son dcimos de ohmios . Supongamos que la figura 3d tenga una resistencia mucho
menor que la figura 3d; en este caso el COLECTOR ser el contacto nmero 1.

e.- El contacto restante (o sea la patita nmero 3) ser la conexin de EMISOR.

f.- Cuando el transistor posee cuatro patitas, mayormente una de ellas hace contacto
con la cubierta metlica del transistor (contacto de masa). Esta patita se descarta y se
consideran las tres restantes.

IDENTIFICACION DEL TIPO DE TRANSISTOR.

Con las mediciones anteriores observamos la polaridad del terminal del ohmimetro
que le correspondi a la BASE. En el ejemplo de la figura 3 notemos que a la BASE
le corresponde el polo positivo luego, el transistor ser tipo NPN. Si le hubiera
correspondido el polo negativo a la BASE, el transistor sera PNP.

Identificado el tipo de transistor, una prueba ms contundente para reconocer

los contactos de Colector y Emisor del transistor, que remplazara a los pasos d y
e anteriores, es la siguiente:

Figura 5......

Conecte el circuito de la figura 4. Escoja la posicin en donde la aguja deol

ohmimetro tenga mayor desplazamiento y, puesto que es un transistor NPN, el polo
positivo del ohmimetro sealar el contacto de Colector. En este caso (viendo la
figura 4 a y 4 b), el mayor desplazamiento corresponde a la figura 4b , luego, el
Colector ser la patita marcada con el nmero uno. La patita restante (marcada con el
nmero 3) ser el emisor.

Para un Transistor PNP, la conexin es la siguiente:

FIGURA 6......
Se escoge la posicin en donde la aguja del ohmimetro haya tenido el mayor
desplazamiento y, puesto que es un transistor PNP (previamente verificado), el polo
negativo del ohmimetro sealar el contacto de Colector. El colector, en este caso, es
la patita 1 y el emisor la patita restante, es decir la patita 3.

IDENTIFICACION DEL MATERIAL SEMICONDUCTOR

Con un ohmimetro en la escala de Rx100 medimos entre Colector y Emisor

del transistor para determinar el tipo de material del Transistor para determinar el
tipo de material del transistor.

a. El transistor de SILICIO, marcar alta resistencia en ambos sentidos.

b. El transistor de GERMANIO, marcar alta resistencia en un sentido y baja

resistencia en el opuesto.

DETERMINACION DE LA POTENCIA

Se determina por el tamao del transistor. Para ello compare la forma y

tamao del transistor con las formas fsicas de la figura 2.

IDENTIFICACION DE LA FRECUENCIA DE TRABAJO

Realice el siguiente procedimiento:

FIGURA 7.....
FIGURA 7.....

a.- Conecte el circuito de la figura 6.

b.- Regule RB hasta que el voltmetro indique ms o menos la mitad del voltaje de la
fuente de alimentacin (en este caso 5V).

c.- Mida la cada de tensin en RC y calcule la corriente de de Colector (IC)

aplicando la ley de Ohm.

d.- Calcule la cada de tensin en RB (VRB = VCC 0.6) y la corriente de Base (IB),
aplicando la ley de Ohm.

e.- Calcula el hFE o Beta del transistor dividiendo la IC entre la IB.

f.- Si el Beta calculado es mayor o igual a 80, el transistor es de baja frecuencia (AF)

g.- Si el Beta calculado es inferior a 80, el transistor es de alta frecuencia (RF).

h.- Esta prueba no es valida para transistores de alta potencia en donde es frecuente
obtener valores Beta del rden de 30 aproximadamente, para aplicaciones de baja
frecuencia (AF).

i.- Si el transistor pertenece al tipo PNP, se debe de invertir la batera e intercambiarce

los terminales de voltmetro.

j.- No es necesario que el voltaje, VCC, sea exactamente de 10 Voltios. Puede ser de
cualquier voltaje entre 6 V. y 18 V.

EL TRANSISTOR DARLINGTON

Este transistor es la conexin de dos transistores del mismo tipo encerrado en una
sola cpsula.

FIGURA 8.....
La ventaja de este tipo de transistor es su ganancia de corriente (Beta o hFE)
tpicamente del orden de 1000 a 10000 veces en comparacin con un transistor
simple cuya ganancia de corriente es de 600 como mximo.

Alguna vez el fabricante le conecta, internamente dos resistencias y un Diodo al

transistor Darlington para darle alta estabilidad a su funcionamiento y protegerlo
contra la ruptura por voltaje inverso.

FIGURA 9.....

7 EL TRANSISTOR DE EFECTO DE CAMPO (FET).

En los transistores bipolares, una pequea corriente de entrada (corriente de base)

controla la corriente de salida (corriente de colector).en los FETs, un pequeo voltaje
de entrada controla la corriente de salida.

FIGURA 9.....
La corriente que sircula por la entrada de FET es despreciable (menos de un pico
amperio). Esto es una gran ventaja cuando la seal proviene de dispositivos como un
micrfono de condensador o un transductor piezo electrico, los cuales proporcionen
corriente insignificantes.

Los FETs bsicamente son de dos tipos:

1.- transistor de efecto de campo de juntura o JFET.

2.- transistor de efecto de campo con compuerta aislada o IGFET, tambien conocido
como semiconductor de oxido de metal, MOS o simplemente MOSFET.

EL JFET
El jfet est costituido po un barra de silicio tipo N o canal N, introducido en un anillo
de silicio tipo P tal como se ilustra en la figura N2.

FIGURA 10
Los terminales del canal N son denominados sutidor o fuente (source) y

drenador (drain). El anillo forma el tercer terminal del JFET llamado compuerta

(gate). Asiendo una comparacin con el transistor bipolar decimos que la base,

colector y emisor erquivalen a la compuerta , drenador y surtidor, respectivamente,

del JFET.

FIGURA 11
El control de sta corriente se efectua aplicando un voltage de polarizaci inversor
entre la compuerta y el surtidor (VGS), el cual crea un campo elctrico que limita el
paso de corriente atravez del canal N. Al aumentar el voltage inverso, aplicado ala
compuerta, el campo elctrico aumenta con lo que el flujo de corriente en el canal N
disminuye y viceversa.

FIGURA 12

Corte transversal de JFET canal N mostrando el flujo de corriente para diferentes

voltajes de GATE.

Tambien se construyen JFETs con barras de silicio tipo P y anillos de silicio tipo N,
conocidos como JFET canal P.

FIGURA 13
El voltaje aplicado entre el ordenador y el surtidor (VDS) no debe de sobrepasar el
voltaje de ruptura (tpico son 50V) porque destruiria al dispositivo.
Con polarizaci directa de la compuerta, circular una alta corriente por la compuerta
Valores
que puede destruir al JFET si nocomerciales
est limitada para el resistencia
por una JFET (en serie con la
Voltaje VDC (v)
compuerta). : 25, 30, 40, 50
PppPotencia (W) : 0.15, 0.3, 1.8, 30

Para comprobar un JFET se debe de indicar su cdigo.

PRUEBA DEL JFET

Se prueba con un ohmimetro en la escala de Rx1 o Rx10.

Entre la compuerta y surtidor o compuerta y drenador debe de marcar como si fuera

un Diodo de silicio es decir, alta resistencia en un sentido y baja resistencia en el
sentido opuesto.

Entre drenador y surtidor, el valor ohmico depende exclusivamente del material del
canal. Su valor vara de 2K a 10K siendo el mismo en ambos sentidos.

EL HOSFET

La figura 6 ilustra la estructura bsica de un HOSFET canal N. El drenador (DRAIN)

y el surtyidor(SOURCE) son regiones tipo N formado sobre un barra de silicio tipo P,

Conocido con el nombre de sustrato. La compuerta (GATE) es un electrodo metlico

aislado del sustrato por un a capa de oxido de silicio.

FIGURA 14
Bajo estas condiciones, no existe sirculacin de corriente por que la unin drenador-
sustrato est polarizada inversamente. Si se invierte la polaridad de la fuente (VDD),
tampoco fluir corriente porque ahora la juntura surtido-sustrato estar polarizada
inversamente.

FIGURA 15
Figura 7.-con el GATE positivo, se induce un canal tipo N en el sustrato.
En la figura 7, la polaridad positiva de la compuerta repele los huecos o lagunas en
el sustrato tipo P retirandolos de la capa aisladora y dejando en su lugar un estrecho
canal de silicio tipo N. Este estrecho canal proporciona un camino de conduccin
desde el surtidor al drenador. As, un determinado voltaje positivo en la compuerta
del MOSFET, produce la circulacin de corriente del surtidor al drenador y cuya
intensidad es controlada por el voltaje de la compuerta.

Esta caracteristica es muy similar al JFET excepto que el JFET conduce con voltaje 0
en la compuerta y requiere un cierto voltaje negativo, en la compuerta, para bloquear
el canal.

Para distinguir estos dos modos de funcionamiento, el MOSFET es descrito como

dispositivo de ENRIQUECIMIENTO.(ENHANCEMENT = Ensanchamiento) y al
JFET como dispositivo de VACIO (DEPLETION). Sin embargo el MOSFET
tambien puede trabajar en la regin de VACIO.

EL MOSFET del canal N tipo vacio , se fabrica considerando un canal residual tipo
N entre el Drenador y Surtidor, cuando no exista polarizacin en la compuerta.

FIGURA 16
Con el MOSFET tipo VACIO puede aplicarse voltajes positivos o negativos en la
compuerta por que sta nunca se polarizar inversamente. Al aplicar un voltaje
positivo en la compuerta producen un aumento de la corriente del Drenador al
ensancharce el canal N inducido.

El MOSFET Canal N tipo VACIO es, por lo tanto un dispositivo verstil que puede
ser operado en ambos modos: Vaco o Enriquecimiento siendo el ms comn el
MOSFET.

MOSFET DE CANAL P

Tambin se fabrican MOSFET de canal P pero solamente del tipo

ENRIQUECIMIENTO. En tales dispositivos, el sustrato es del tipo N en donde el
drenador se polariza negativamente respecto al surtidor.

La corriente del drenador es cero hasta que el gate o compuerta sze haga negativa
con respecto al surtidor.
La conexin del sustrato (frecuente mente marcado con la letra b) muestra la
polaridad de canal.

El sustrato normalmente se conecta al surtidor. Esta conexin, algunas veces se

encuentra internamente.

EL MOSFET tine la ventaja de poder fabricase en grandes cantidades y a bajo costo

pero, es muy sensible a la electricidad esttica. La resistencia de la compuerta es tan
alta (10 E+13 ohmios) que acumula estticos y su descarga puede perforar el
aislamiento por lo que se hace necesario manejo especial de estos dispositivos.

Los MOSFET, normalmente, vienen con sus terminales cortocircultados con un

alambre el cual se retira luego que el MOSFET haya sido soldado en el circuito.

Actualmente, los MOSFET estn protegidos internamente con diodos zener para
evitar que el voltaje entre surtidor y compuerta sea superior al que puede soportar.

FIGURA 17

OBSEVACIONES :

1.-En el FET la circulacin de corriente del surtidor al drenador es de un solo tipo de

portador de corrientes: electrones para el FET canal N y lagunas o huecos para el FET
canal P. Por sta razn, a los FED se les conoce como TRANSISTORE
UNIPOLARES.

2.-El MOSFET de potencia, bsicamente es una resistencia variable, comandada por

tencin.

El MOSFET presenta mltiples ventajas con respecto al transistor Bipolar, tales

como:

a.- Simplificacin del circuito de control gracias a su elevada impedancia de entrada

permitiendo su gobierno con un mnimo de corriente.

b.- La velocidad de conmutacin es 10 veces ms veloz que el transistor Bipolar

porque la energa disipada es pequea y puede trabajar a 500 Mhz sin problema.
c.- Para elevadas magnitudes de tensin. La corriente se mantiene aproximadamente
constante.

La desventajas de MOSFET con respecto al transistor Bipolar sn:

a.- En aplicaciones de altas intensidades, el MOSFET presenta perdidas apreciables

de tensin y requiere una mayor superficie de silicio redundando en alto costo.

b.- Otras caractersticas que lo apartan de se un switch ideal sn: La maxima corriente
de drenador, la tensin maxima de drenador surtidor, las corrientes de fuga, la
capacidad de entrada (aproximadamente 1500 PF), la tensin de humbral (voltaje
minimo aplicado a la compuerta para que el MOSFET empiece a conducir) y la
transconductancia en directo.

PRUEVA DE MOSFET TIPO ENRIQUESIDO.-

Se coprueva con un ohmimetro en la escala de Rx1K o mayor, si el ohmimetro

ltuviera.

a.- entre drenador y surtidor debe de marcar resistencia alta (mayor de 10 Megolmios)
en ambos sentidos .

b.- Entre compuerta y drenador (o surtidor) debe marcar una resistencia

extremaedamente alta (superior a 100 megolmios), en ambos sentidos.

PRUEBA DE MOSFET TIPO VACIO.

Se comprueba con un olmimetro en la escala de rek o mayor, 31 el olmimetro lo

tuviera.

a.- entre orenador y surtidor daba de marcar resistencia alta (mayor de 10 megolmios)
en ambos centidos.

b.- entre conpuerta y orenador (o surtidor ) debe marcar una resistencia

extrenadamente alta ( superior a 100 megoimios) en ambos centidos

PRUEBA DEL MOSFET TIPO VACIO

a.- entre orenador y surtidor debe dar a marcar resistencia moderada, entre 2k a10k en
ambos centidos

b.- Entre conpuerta y surtidor debe dar a marcar resistencia extrenadamente alta
(mayor de 1000 megolmios) en ambos sentidos
EL CIRCUITO INTEGRADO

El circuito integrado conocido como IC. CI o chip: es un diminuto, dispositivo

electronico que contiene una asombrosa cantidad de elementos electronicos.
Todos estos elementos estn integrados o fabricados al mismo tiempo sobre una
pieza de material semiconductor por lo general de silicio, que tiene 1/20 a 1/10de
pulgada cuadrada.

La invencion del CI resolvio numeros problemas como alambres

sueltos, conexiones cruzadas, etc. El CI elimina la necesidad de masa para
transistores separados y una multitud de conexiones mecanicas en un sistema
electronico

CLASIFICACION DE LOS CIRCUITOS INTEGRADOS

1.- DE ACUERDO A SU CONSTRUCCIN

A.- CI MONOLITICO

Como su nombre lo indica es un pequeomonocristal de cilicio (material

semiconductor ) normalmente de 50x50 milsimas de milimetro (1270 x 1270
micras) dentro del cualse han fabricado los conponentes electrnicos activos y
pasivos (excepto las bobinas ) estando addems conectados entre si formando un
circuit.

b.- CI HIBRIDO

Se llama as a la convinacion de dos o mas CI monoliticos o bien a un CI monoltico

con elementos discretos (bobinas, condensadores, resistencias, etc).

Los CI hdridos son fabricados en pelcula gruesa y pilicula delgada siendo ambos
muy semilares pero difieren en muchos aspectos en relacion al CI monoltico.

Mediante la tecnica de la pelicula gruesa y delgada solamente se pueden construir

elementos pasivos (resistencias condensadores ).los elementos activos
(transistores diodos) son incorporados como elementos discretos ala superficie de
la estructura despues que los elementos pasivos han cido formados. Obviamente el
uso de elementos discretos incrementa la flexivilidad de diseo resultando en un
circuito ms grande y costoso que un CI monoltico.

2.- DE ACUERDO A SU ENCARSULADO

Dependiendo de su encapsulado o sea la cubierta que encirre al CI se divide en :

a.- tipo to-3, to-5, to-220)

b.- tipo plano.

c.- tipo en linea doble o dip.

Dibujo 18

El tipo no tiene la forma y tamaode un trensistor de potencia generalmente los tipos

to-3 y to-220 son reguladores de voltaje.

Exsten reguladores de voltaje positivos y negativos entre los cuales encontramos:

LM 309K :+5V -1 A LM 340 24 :+24V -1 A

LM 340 12 :+5V -1 A LM 320 12 :-12V -1 A

LM 340 15 :+15V -1 A LM 320 15 :-15V -1 A

LM 340 18 :+18V 1 A LM 320 18 :-18V -1 A

El diseo de fuentes CD, con estos Chip se simplifica enormemente. Las figuras 2 y3
muestan el circuito tipico.

FIGURA 19

EL CI LM3009k de la fugura 2, de acuerdo ala manual de semiconductores, para que

funcione normalmente debe de tener en la entrada (VIN) un voltaje comprendodo
entre 8VDC a 35VDC es decir :

8VDC <= VIN <=35 VDC.

Si desae un voltaje de salida regulado y variable, bastara con aadirle dos resistencias
(ver fig. 3).

FIGURA 20

El circuito de la figura 3 entrega un voltaje minimo de 5 V i el voltaje mximo

depende de la relacin entre R1 y R2 expresada por la ecuacin siguiente.

Vmax = 5V +(5V /R1 +0.01)R2 Para R1=Potenciometro lineal de 1K

 Para R2 = 1 K-1/4w

Aplicando la ecuacion anterior, tendremos, Vmax = 20V luego, la fuente de

alimentacion de la figura 3 con los valores de recistencia indicados, nos entregara un
voltaje regulado i variable desde 5V hasta 20V con una corriente Max de 1 A. El
transformador de entrada debera serde 220V, 20V y 1 A.

El chip tipo plano es anterior al chip de plastico moldeado o de DIP. El chip de doble
linea o DIP es moderno y de reducido tamao; existen dos versiones: el mini DIP con
solamente 8 pines y el DIP que posee mas de 8 pines.

3.- DE ACUERDO A SU MODO DE TRABAJO

a) CI lineales

b) CI digitales

Los CI lineales se ejecutan en funciones analogicas. Ellos amplifican, regulan o

comparan seales electronicas i pueden ser {utilizados como: amplificadores de AF,
amplificadores de video, amplificadores de FI, reguladores de voltaje etc.

Los CI digitales ejecutan funcines de tipo lgico o matemtico; Ellos cuentan ,

dividen ,suman , almacenan, decodifican o ejecutan algun tipo de funcion finita. Las
entradas de unCI digital reciven impulsos electricos que se expresan con los cdigos
uno y cero para denotar la existencia o ausencia respectivamente de impulsos
elctricos. Los CI digitales se agrupan con familias denominadas : TTL

(lgica transistor transistor),DTL(lgica diodo transistor),RTL(lgica resistor

transistor),ICMOS(semi conductor de xido de metal).

4.- DE ACUERDO A SU COMPLEJIDAD

La complejidad es la cantidad de conponentes y dispositivos electronicos que tiene un

chip por milmetro cuadrado. Por la complejidad los chip se clasifican en:

SSI: Small Scale Integration, integracion en pequea escala.

MSI: Mediun Sacle Intagration, Integracin en mediana escal.

LSI: Large Scale Intagartion, Integracin en gran escala.

VLSI: Very Large Scale Intagration, Integracion en gran escala.

FORMA DE CONTAR LOS CONTACTOS DEL CI

Los chip tipo planos i de doble linea o DIP tienen una muesca, un agujero a un lado
ligeramente aplanado que indica el inicio de la numeracin de los pines, tal como
nuestra la figura 4.

FIGURA 21

CODIFICACION DE LOS CI

Las nomenclaturas de los CI consta de letras seguidas de numeros. Las latras indican
la marca del fabricante y los dgitos indican la serie, asi tenemos:

LM741: National(Fabricante)

SN7400: Texas Instruments (Fabricante)

CA555: RCA (Fabricante).

DISIPACION DE POTENCIA DE LOS CI

El problema de todo dispositivo semiconductor, CI o de transistor en funcionamiento,

es el limite de disipacin de potencia Max o desbocamiento termico. Cuando la
corriente transita por la junta de un transistor, se genera calor i si este no es disipado
por la cubierta o encapsulado, la temperatura de la junta se incrementa hasta un nivel
las que destruye al semiconductor.

La mayora de los de los CI estan diseados para prevenir el desbocamiento termico

pero, aun si la temperatura en un CI no debe de exceder los 200grados centagrados.

A continuacion se lista las caracteristicas tipicas de temperatura para cada tipode

emcapsulado.

TIPO PLANO DE CERAMICA

Resistencia trmica : 140 grados por vatio.

Temperatura Max de almacenamiento: 175 grados centgrados

Temperatura Max de ambiente: 125 grados centgrados.

TIPO TO 5

Resistencia trmica : 140 grados por vatio.

Temperatura Max de almacenamiento: 200 grados centgrados

 Temperatura Max de ambiente: 125 grados centgrados.

TIPO DOBLE LINEA O DIP DE CERAMICA

Resistencia trmica : 70 grados por vatio.

Temperatura Max de almacenamiento: 175 grados centgrados

Temperatura Max de ambiente: 125 grados centgrados.

TIPO DOBLE LINEA O DIP DE PLASTICO

Resistencia trmica : 150 grados por vatio.

Temperatura Max de almacenamiento: 85 grados centgrados

Temperatura Max de ambiente: 75 grados centgrados.

CIRCUITOS INTEGRADOS DE POTENCIA

Los primeros CI eran de baja potencia (menores de 1W) pero con el avance de la
ciencia y la tecnologia, hoy en dia encontramos circuitos completos de audio en un
solo CI capaces de proporcionar 100W de salida en estereo inclusive. El encapsulado
por lo genaral se de metal el cual se une mecnicamente, con un disipador externo de
calor.

FIGURA 22

SIMBOLO DEL CIRCUITO INTEGRADO

El smbolo del circuito integral depende del modo de trabajo

Figura 23

PRUEBA DEL CIRCUITO INTEGRADO

Los CI digitales son los unicos chip que pueden ser probados con una punta de
prueba logica.

Los CI lineales no pueden ser probados con la misma facilidad que los chip digitales
debido a la falta de estandarizacin en sus circuiteria interna. Para berificar los chip
lineales es necesario montar un circuito tipico por cada chip de acuerdo a las
indicaciones del fabricante i obserbar su funcionamiento en forma dinamica.
9.- TIRISTORES

comprende todos aquelos dispositivos que poseen 4 capas en su estructura interna

(familia PNPN)y adems un mecanismo de control.

En esta clasificacin es encuentran: el SCR, TRIAC, la LASCR, SCS, PUT,

QUADRAC, DARLISTOR, SUS, SBS, GTO, etc.

El diodo SCHOCKLEY, DIAC, DISPARADOR ASIMETRICO, son parte de la

familia PNPN pero, se emplea como elementos de disparo para los tiristores , asi
mismo el transistor Unijuntura o UJP que sin ser un dispositivo PNPN tambin es
utilizado como elenento de disparo aparte de emplearse como temporizador divisor de
fracuencia, oscilador, etc.

RECTIFICADOR DE CILICIO CONTROLADO (SCR)

Es un interuptor de estado slido unidireccional que puede funcionar con corriemte

continua o alterna. El SCR como su nombre lo indica es un rectificador de cilicio que
posee un tercer terminal llamado compuerta o GATE para propsitos de control

Figura 24

Cuando no se le aplica corriente a la compuerta, el SCR se comporta como un

interuptor abierto en cualquier direccin.

Para que el SCR conduzca, entre anodo y ctodo, se requiere de un cierto nivel de
corriente (pulso positivo), aplicado entre las compuerta i el ctodo dicho nivel de
corriente depende de la sensibilidad de la compuerta o GATE del SCR.

Una vez actibado el SCR (el voltaje entre anodo i ctodo se reduce a 1V), esta seguir
conduciendo aun con la corriente de la compuerta suprimida. Para que el SCR deje de
conducie es necesario que la corriente del nodo se reduzca a un valor inferior IH (I
Hold) o se invierta la polarizacin entre anodo i ctodo del SCR.

Segn la curva caracterstica de SCR encontramos los siguientes puntos importantes:

IH: Corriente de mantenimiento (valor mnimo necesario para que el SCR

permanezca activado)

VH: voltaje de mantenimiento

VFM: Voltaje mximo de ruptura directa (voltage de ensendido del SCR) cuando
gate=0.

VRM :Voltaje mximo de ruptura inversa (cuando se aplica voltaje mayor que
VRM, en SCR de destruye).

FIGURA 25

VALORES COMERCIALES DEL SCR

Voltaje (v): 25,30, 50 ,60 , 100 150 ,200, 250, 300, 400, 500, 600, 800
Corriente (A): 0, 8, 4, 5, 6, 8, 10, 16, 20, 25, 35

Un SCR se compra indicando en codigo o el voltage i corriente del dispositivo.

PRUEVA DEL SCR

Se comprueba con con un ohmimetro:

Entre anodo i ctodo devera marcar un resistencia superior a los 100K en ambos
sentidos.

Entre compuerta y ctodo debe de marcar como un diodo convencional: alta

resistencia en un sentido i desistencia baja en el sentido opuesto (usar rango R x 1).

Entre compuerta i anodo deber marcar una resistencia mayor de un de un megohmio

en ambos sentidos.

FIGURA 26

EL SCR ACTIVADO POR LUZ (LASCR)

Es un SCR controlado por la luz que incide sobre una superficie fotosecible de
dispositivo.

El LASCR tambien est diseado para ser activado con los mtodos tipicos de SCR
comn.

FIGURA 27

PRUEVA DEL LASCR

a) Prueba estadstica .- Se cubre la superficie fotosencible con un papel de color
negro y con un ohmimetro en la escala de Rx1 o Rx10 se mide como si fese un
SCR comn.

b) Prueba dinmica.- Se coloca el ohmimetro (escala de Rx1) entre nodo y ctodo

del LASCR. En segruida se le aplica un fuente de luz sobre la superficie
fotosencible del LASCR. La aguja del ohmimetro, dependiendo de la intensidad
de la luz, se acercar al valor de cero ohmios.

EL INTERRUPTOR DE SILICIO CONTROLADO (SCS)

La caracteristicas del SCS son esencialmente iguales al rectificador de silicio

controlado o SCR.

FIGURA 28

El SCS posee una cuarta conexin llamada ANODO GAT que permite activar o
desactivar el dispositivo. Pa ra activar el SCS se utiliza el CATODO GATE o el
ANODO GATE. La diferencia de emplear uno otro contacto radica en que el primero
necesita un impulso negativo de 1.5Ma y el segundo requiere de un impulso positivo
de un microamperio como mnimo. Para desactivar el SCS se debe aplicar un pulso
positivo al ANODO GATE.

La ventaja de SCS sobre el SCR es el reducido tiempo de bloqueo que varia de 1 10

microsegundos para el SCS y de 5 a 30 microsegundos para el SCR.

PRUEVA DEL SCS

Se prueba con un ohmimetro en la escala de Rx1 o Rx10.

Entre ctodo y ctodo gate o entre nodo y nodo gate debe de marcar como si fuera
un diodo convencional (alta y baja resistencia).

Entre nodo y ctodo la resistencia debe superar los 100K en ambos sentidos.

EL TRIAC

Es un switch bidireccional que trabaja principalmente con corriente alterna. La

compuerta est diseada de tal modo que una tensin positiva o negativa, respecto al
nodo 1, hace conducir al TRIAC, cualquiera sea la polaridad de la tencin que haya
entre los nodos 1y 2 .

FIGURA 29

Las abreviaturas de la curva caracterstica indica lo siguiente:

IH: Corriente de mantenimiento o enganche

VH: Voltaje de mantenimiento enganche

VFM: Voltaje de ruptura directa (voltaje de encendido)

VRM: Voltaje de ruptura inverso (voltaje de destruccin del TRIAC)

FIGURA 30

FORMAS DE DISPARO DEL SCR Y DE TRIAC

1.- Tensin nodo ctodo.- Al aumentar la tensin entre nodo ctodo (con la
compuerta en circuito abierto) llega un momento en que la corriente de fuga es
suficiente para producir un aumento brusco en la corriente del nodo, producindose
el disparo.

2.- Derivada de la tensin.- La unin PN presenta una determinada capacidad. Si se

hace crecer bruscamente la tensin anodo ctodo, sta capacidad se carga con un
corriente igual a :

q=c (dv/dt) y si es suficientemente elevada provocara un disparo.

3.-Temperatura.- La corriente inversa de fuga de un tiristor aumenta al doble por

cada 10grados centgrados de temperatura. Cuando sta corriente alcanza un ciento
valor se produce el disparo.

4.- Efecto transistor.- Es la forma ms comn del disparo del tiristor. En la base de
transistor equivalente se inyectan portadores suplementarios que provocan el
fenmeno del disparo.

5.-Defecto fotoelctrico.- Utiliza en los fototiristores (LASCR, etc.) en los cuales se

emplea la luz como elemento disparo.
Al igual que el SCR una vez< activado el TRIAC, la compuerta ya no ejerce ningn
control, el triac permanece desactivado hasta que la compuerta de control y la tensin
de nodo 1 y el nodo2 sea inferior al voltaje del mantenimiento (VH).

VALORES COMERCIALES DEL TRIAC

Voltaje (V): 25, 50, 100, 200, 300, 400, 600, 800
Corriente (A): 2.5, 4, 6, 8, 10, 15, 25, 40

Un TRIAC se compra indicando el cdigo o el voltaje y corriente de dispositivo.

PRUEVA DE TRIAC

Se comprueba con un ohmimetro:

Entre nodo 1 y nodo 2 debe marcar resistencia alta (mayor que un megohmio) en
ambos sentidos. En TRIAC de muy alta potencia la resistencia en menor que un
megohmio.

Entre compuerta y nodo 1 debe de marcar resistencia baja, en ambos sentidos.

Entre compuerta y nodo 2 debe marcar resistencia alta ambos sentidos

EL TRANSISTOR UNIJUNTURA PROGRAMABLE(PUT)

El PUT es un tiristor (SCR) de baja potencia. Con intensidades inferiores de 150 mA

voltajes menores de40Vialta sensibilidad.

figura 31

la denominacion de transistor unijuntura programable se debe a su semejanza con el

UJP en algunas aplicaciones que el son comunes antes que su tecnologia mientras que
en el UJT el diseador de circuitos esta a expensas de las caracteristicas tecnicas del
fabricante en el caso del PUT el diseador puede programar dichas caracteristicas por
medio de compomentes pasivos externos.

El PUT mas utilizado tiene una disipacion de potencia de 300mW

PRUEBA DEL PUT

Se prueba con un ohmimitro en la escala Rx100 o Rx1K.

Entre nodo i ctodo debe de marcar alta resistencia (mayor que un megohmio) en
ambos sentidos.
Entre nodo i compuerta se comporta como un diodo combencional es decir alta
resistencia en un sentido i vaja resistencia en otro.

Entre compuerta i ctodo debe de marcar resistencia alta en ambos sentidos

EL DIODO SCHOCKLEY

Este diodo es un dispositivo uni direccional tipo PNPN con dos terminales i es
utilizado como elemento de disparo del SCR

FUGURA 32

Como ilustra la curba caracteristica, el dispositivo se activa cuando el voltaje entre

sus extremos es superior al voltaje de ensendido (UVFM) quedando en este estado
mientras subsista una corriente igual o superior a la corriente de mantenimiento (IH),
en estas condiciones el voltaje entre sus extremos es de un voltio si eel diodo es de
germanbio i de 1.3V a 1.7V cuando es de cilicio.

FIGURA 33

Para desactivar al dispositivo es necesario reducir la corriente de mantenimiento (IH)

o el voltaje de mantenimiento (VH). El voltaje de disparo (VFM) varia entre 20V a
100V i la corriente de mantenimiento (IH) varia entre 1mA a 50 mA.

PRUEBA DEL DIODO SCHOCKLEY

Se prueba con un ohmimetro en la escala de R x 1 o R x 10 debiendo de marcar alta

resistencia en ambos sentidos.

EL DIAC

El DIAC, bsicamente es una combinacin inversa pralela de capas semiconductoras

que permite el disparo en cualquier direccin. La figura 11 muestra la forma fisica i
estructura del DIAC.

FIGURA 34

La figura 12 ilustra el smbolo del DIAC asi como su curva caracterstica en donde se
nota la existencia de un voltaje de ruptura (VBR), en ambas dierecciones que lo
combierte en un elemento de disparo del TRIAC para aplicaciones de corriente
alterna.
 FIGURA 35

Para comprar un DIAC se debe de indicar su codigo o el voltaje de ruptura y la

disopacion de potencia. El voltaje de ruptura es aproximadamente de 30V.

PRUEBA DEL DIAC

La resistencia entre los dos terminales debera marcar mas de un megohmio en ambos
sentidos.

EL TRANSISTOR UNIJUNTURA (UJT)

El UJT esta constituida por una tableta de cilicio tipo N llamado base al cual se le han
adicionado dos contactos externos denominados BASE 1 (B1) y BASE 2 (B2) en
cada extremo de una superficie .

FIGURA 36

La junta PN del dispositivo esta formada por la barra de aluminio i de cilicio tipo N.

Originalmente fue llamada diodo de doble base debido a la presencia de los

contactos de doble base pare la simple unin PN dio origen ala terminologia de
unijuntura.

FIGURA 37

Al terminal superior de base (B2) se le aplica un voltaje positivo respecto al terminal

de referencia (B1). El terminal de emisor (E) es la entrada del UJT.

Cuando un voltaje positivo es aplicado a la entrada, circulara una pequeacorriente en

la juntura de emisor. Cuando este voltaje supera el valor de conduccin (punto
mximo Vp) la corriente de emisor (IE) aumenta rapidamente disminuyendo el
voltaje de emisor .

FIGURA 38

Esta accin representa la resistencia negativa que es caracteristica de los tiristores i

otros dispositivos. La IE continua aumentando hasta llegar al punto de valle en
donde el voltaje del emisor se incrementa ligeramente, con esta alta IE, el dispositivo
se estabiliza.
Los valores comerciales de disipacin de potencia del UJT son del orden de 300mW a
400mW.

PRUEBA DEL UJT

Se prueba con un ohmimetro en ala escala de R x 1 o R x 10.

Entre emisor i base 1 debe de marcar alta resistencia en un sentido i baja resistencia
en otro, igual entre emisor y base 2.

Entre base 1 y base 2 la resistencia varia entre 4K y 10K en ambos sentidos.

COMMUTADOR UNILATERAL DE CILICIO (SUS)

El SUS es un dispositivo de tres terminales similar al SCR excepto por el agragado de

un diodo zener en la juntura catodo gate. La figura 16 muestra la estructura interna ,
el simbolo i el circuito equivalente del del SUS.

FIGURA 39

PRUEBA DEL SUS

Entre anodo i ctodo marca alta resistencia (mayor de 1 megohmio) en ambos

sentidos pero, en uno de los sentidos la resistencia sera tan alta que no podra ser
medida con algunos ohmimetros.

Entre compuerta i ctodo marcara alta resistencia en un sentido i baja resistencia en

sentido opuesto.

FIGURA 40

COMMUTADOR BILATERAL DE CILICIO (SBS)

El SBS actua como un doble SUS conectados en forma inversa paralela. El SBS
puede ser commutado con voltajes positivos o negativos aplicados a la compuerta.

Como el SBS es commutable en ambas direcciones, se le emplea para el control de

TRIACs.

FIGURA 41

PRUEBA DEL SBS

Entre anodo 1 i anodo2 marcara alta resistencia, mas de 1 megohmio en ambos

sentidos.
Entre compuerta i anodo1 (o anodo2) marcara alta resistencia, mayor de un
megohmio en ambos sentidos.

TIRISTORES DE DESCONEXION POR COMPUERTA (GTO)

Es un conector biestable de tres uniones, usado para el control de corriente

unidireccional. La estructura de un GTO es mas patecida a un transistor que a un
tiristor.

Su modo de funcionamiento es similar al de un SCS con la diferencia que posee una

sola compuerta que activa o desactiva el dispositivo al aplicar u pulso positivo o
negativo respectivamente.

La cantidad de corriente que circula por su estructura es muy pequea. Generalmente

se le usa como elemento de disparo del SCR, en combertidores, control de motores o
de cargas alimentadas con corriente continua.

FIGURA 42.

CUADRAC

Es La unuin de dos dispositivos: el TRIAC y el DIAC es un sola envoltura. La

forma fsica es idntica a un TRIAC.

FIGURA 43

DARLISTOR

Es lla unn de dos SCR en configuracin Darlinstong en una sola cpsula. El SCR
del GATE es muy sensible y con alta velocidad de conmutacin. El SCR PRINCIPAL
es menos sensible, es lento es conmutar y conduce ms corriente que el SCR del
GATE.

FIGURA 44
El disparo del Darlistor se realiza del mismo modo que un SCR convencional. Su
forma fsica es similar a SCR.

DISPARADOR ASIMETRICO (ASCR)

Su funcionamiento es similar al DIAC con la diferencia de su asimetra en los

sentidos directos (14V a 18V) e inverso (7V a 9V).

FIGURA 45

El rango de conmutacin es de 1 microsegundo para el disparo y de 30

microsegundos para la apertura. Su disipacin de potencia es de 350mW
aproximadamente.

La ventaja principal es de dispositivo con relacin al DIAC, radica en la

simplificacin de los circuitos de disparo por su insensibilidad al fenmeno de
histresis (defecto caracterstico delDIAC).

OTROS COMPONENTES ELECTRONICOS

INTERRUPTOR O SWITCH

Bsicamente, abren o cierran el conexionado de un circuito. Se les utiliza como

selectores de banda o para encender o apagar los equipos, etc.

FIGURA 46

En cuanto a las formas fsicas, los hay en una gran variedad de modelos y tamaos
.entre los cuales tenemos:

FIGURA 47
PORTAFUSIBLES

Los PORTAFUSIBLES so elementos de soporte para los fusible y a los FUSIBLES

(fuse) protjen al circuito de sobrecargas. Los portafusibles se caracterizan en:

a.- Portafusibles con montaje interno.

b.- Portafusibles con montaje en chassis .

c.- Portafusibles con montaje en lnea.

FIGURA 48

MINICOCODRILOS

Son componentes, que soldados a un trozo de alambre o cable, se les utiliza como
conectores provisionales entre un circuito y otro pa efectos de comprobacin,
medicin calibracin, etc.

FIGURA 49

Los minicocodrilos pueden ser con aislamiento (fig.3) o sin aislamiento (fig.4).

FIGURA 49

CONECTORES

So componentes que enlazan o interconectan, por la parte exterior equpos diferentes

tales como: grabadora radio, micrfono con un amplificador, etc.

FIGURA 50

MICROFONOS

Son transductores que convierten la energa sonora en energa elctrica. Los

microfonos se clasifican en:
POR SU CAPACITACION

A1.-OMNIDIRECCIONALES.- Captan los sonidos provinientes de cualquer

direccion .

FIGURA 51-1

A2.- UNIDIRECCIONALES .-Captan los sonidos de una sola direccin.

FIGURA 51-2

A3.- BIDIRECCIONALES .- Captan los sonidos providentes de dos direcciones.

FIGURA 51-3

A4.- CARDIOIDE.- Recoge los sonidos mucho mejor cuando proviene defrente
regular en los laterales y muy poco del lado posterior.

FIGURA 51-4

B.-POR SU CONSTITUCION INTERNA

B1.-MICROFONOS DE CARBN

Respuestas de frecuencia : 60Hz a 6KHz.

Sensibilidad : -40dB 0.5V

Impedancia : 100 ohms a 500 ahms

B2.- MICROFONO DE CRISTAL

Respuesta de frecuncia : 80Hz a 8KHz

Sensibilidad : -78 dB 10mV a 20mV

Impedancia : 200K a 300K

B3.- MICROFONO DE CONDENSADOR

Respuesta de frecuencia : 40Hz a 12 KHz

Sensibilidad : -100 dB

Impedancia : muy elevada.

B4.-MICROFONO DE CINTA DE VELOCIDAD

Respuesta de frecuencia : 40Hz a 8KHz

 Sensibilidad : -100dB

Impedancia : 5 ohmios

B5.- MICROFONO DINAMICO

Respuesta de frecuencia : 50Hz a 10Hz.

Sensibilidad : -85dB

Impedancia : 20ohms a 100ohms

Para propsitos de tipo profesional, existe micrfonos cuya respuesta de frecuencia

alcanzan los 20KHz.

FIGURA 52

PARLANTES O ALTAVOCES

Son transductores que realiza la funcin opuesta al micrfono es decir, convierten la

energia elctrica en energia sonora.Los parlantes se clasifican en:

A.- POR SU RESPUESTA DE FRECUENCIA

1.-Altos o TWEETER(ver figura 7 y 9).

2.-Medios o MIDRANGE(ver figura 9).

3.-Bajjos oBASS (ver figura 10).

4.-De rango completo o aplicaciones generales (fig 11).

Los parlantes BASS se diferencian de los parlantes WOOFER en que estos

ltimos tienen un dimetro aproximado de 10 pulgadas e cambio. Los parlantes
BASS tienen dimetro superior a las 10 pulgadas.

B.- POR SU POTENCIA

1.-.Baja potencia : 0.1w a 2w

2.-mediana potencia : 2.1w a 20w

3.-Alta potencia : mayor de 20w

FIGURA 53 FORMAS DE PARLANTES

PILAS

Son componentes que trasforman la energa qumica en energa electrica de corriente

continua y se emplean en equipos electronicos del tipo portatil .

Las pilas se clasifican en :

1.-Pilas no recargables

2.-pilas recargables

PILAS NO RECARGABLES

A las pilas no reco| | se les denomina pilas primarias .Su principio de

funcionamiento por conversion de energia electrica conlleva ala destruccion de los
componentes quimicos internosde la pila. Entre las pilas no recargables
encontramos las pilas secas y las pilas de mercurio.

PILAS SECAS

Tanbien llamadas pilas de carbn zinc o de la clanche se conponen de las siguientes

partes:

FIGURA 53

PILAS SECAS .

El elctrolito reacciona con el zinc produciendo la ionizacion de sus tomos. Los iones
positivos (atomos con mas protones que electrones) son inpulsados a la varilla de
carbn formando el polo positivo y los iones negativos que quedan en el mismo zinc
creandose el polo negativo.

Este traslado de iones produce una diferencia de tension o voltaje de 1.5 voltios entre
la varilla de carbon y el envase de zinc.

Cuando conectamos una carga, por ejemplo un foquito se produce una circulacion de
corriente (ver figura 2 ).

Los lectrones parten del polo negativo (envase de zinc) pasan por el foquito y se
dirigen hacia el polo positivo (varilla de carbon).

FIGURA 54
En el interior de la pila los electrones se desplazan de la barra de carbon al envase de
zinc. Este flujo de electrones al atravesar el despolarizante y el electrolito encuentran
una oposicion conocida con el nombre de resisitencia interna de la pila.

Por otra parte los electrones al llegar a la barra de la carbon (polo positivo) se
combinan con los iones positivos de hidrogeno formando burbujas de hidrogeno
alrededor de la barra de carbon. Puesto que el hidrogeno es un aislante electrico, este
contirbuye a aumentar la resistencia interna de la pila haciendo que disminuya la
circulacion de corriente y el encendido del foquito.

El despolarizante, que contienen muchos atomos del oxigeno, se combina con los
atomos dse hidrogeno formandose agua eliminando de este modo las burbujas de
hidrogeno en la barra de carbon.

A medida que se usa las pilas, el agua va aumentando y corroyendo el metal

formando acido. Este acido sale del envase pudiendo malograr los aparatos y equipos.

CLASIFICACION DE LAS PILAS SECAS

Por el tamao, las pilas secas se clasifican en:

1.- Pilas tipo lapicero o pequeo

2.- Pilas medianas

3.- Pilas grandes

FIGURA 55

El voltaje que entregan las pilas secas es de 1.5 V. cualquiera sea su tamao, en
cambio la corriente esta en relacion directa con la cantidad de sustancias quimicas
(despolarizante y electrolito) luego, las pilas grandes proporcionan mayor corriente
(intensidad) o duran mas con relacion a las pilas tipo lapicero y/o medianas.

PRUEBA DE LAS PILAS SECAS

Laspilas secas se comprueban con un foquito para linterna de 1.5 V. Cunado la pila
esta en buen estado, el foquito proporcionara una luz intensa y viceversa.

Una pila seca se compra indicando su tamao solamente.

PILAS DE MERCURIO
Las pilas de mercurio poseen un envase de zinc, en lugar de la barra de carbon
encontramos una mezcla de carbon con oxido de mercurio. El electrolito empleado es
el hidroxido de potasio que invierta la polaridad, es decir, el envase de zinc es el polo
positivo y el electrodo central es el polo negativo.

FIGURA 56

El voltaje que entregan es de 1.34 V. Por su reducido tamao y alta eficiencia, se le

emplea en audifonos para sordos, relojes digitales, calculadoras, etc.

PILAS RECARGABLES

Emplean el principio de convension de energia quimica en energia electrica.

Igual que las pilas secas, pero con la diferencia que se pueden volver a cargar una y
otra vez.

En este tipo de pilas los componentes quimicos sufren cambios pero no se destruyen
facilmente.

A las pilas recargables se les conoce como pilas secundarias . Entre las pilas
recargables encontramos.

1.- Pilas de alcalino-magnesio.

2.- Pilas de niquel cadmio.

Las pilas alcalino manganeso pueden ser recargables un nmero menor de veces en
comparacin con las pilas de niquel cadmio.

Bajo condiciones de almacenamiento adecuado (20 grados C), las pilas secas
mantienen el 95% de su carga inicial despus de 12 meses de almacenados. Las pilas
alkalinas mantienen el 90% de su carga inicial despus de 2 aos de almacenamiento
en cambio. Las pilas de niquel cadmio retienen el 50% de su carga inicial despus de
8 a 9 semanas de guardadas pero recuperan su energa total despus de recargarlas.

El tamao y formas fsicas de las pilas recargable3s son idnticas a las pilas secas.
Las pilas recargables se identifican solamente por la inscripcin ALKALINE o
NICAD en la envoltura de las pilas.

La verificacin y compra de las pilas recargables es igual que las pilas secas. El
voltaje que entregan las pilas recargables es de 1.2 V.
12 DISIPADORES (Head Sinks)

En circuitos de pequea seal , los transistores raramente disipan ms all de los

100mW de potencia. La conduccin del calor a lo largo de las patitas y la conveccin
es suficiente para prevenir el recalentamiento de la juntura.

Los transistores que manejan altas potencias, con los seguidores de emisor en las
fuentes de alimentacion y las etapas de salida de los amplificadores de potencia
requieren especial cuidado en la disipacion de calor. Para ello los transistores se
montan sobre un trozo de aluminio o directamente al chasis para disipar el calor. En
ambos casos debemos recordar que la cubierta metalica del transistor (casco o case)
esta normalmente conectada a la patita de colector y es necesario aislarlo
electricamente sin reducir la conduccion del calor. Una arandela de mica o mylar
proporciona el suficiente aislamiento electrico.

Aplicando grasa silicona en ambos lados de la arandela, lograremos un buen contacto

termico.

ANALOGIA TERMICA DEL TRANSISTOR DE POTENCIA

La figura 2 muestra el circuito equivalente de las condiciones termicas de un

transistor y el medio ambiente.

FIGURA 57

Los terminos de la figura 2 se definen como:

P : Potencia termica liberada en el transistor. Se considera como un generador de

corriente termica que produce caida de temperatura (equivalente a las caidas de
tension en un circuito electrico en las diferentes resistencias termicas del sistema.

8JC : Resistencia termica del transistor (de la juntura al casco o envase metlico)

8CS : Resistencia trmica de la mica aislante (del casco de el transistor al disipador

de aluminio).
8SA : Resistencia trmica del disipador de aluminio al medio ambiente.

La temperatura mxima permitida, en la juntura del transistor es de :

100 a 110 grados C. para transistores de Germanio (1.1).

150 a 200 grados C. para transistores de Silicio (1.2).

Muchos fabricantes de transistores, por seguridad, seleccionan los valores de 100 y

150 grados C. para los transistores de Germanio y Silicio respectivamente, como
temperatura mxima para el casco del transistor (Tcase); en este caso el factor 8JC es
eliminado. Por otro lado, considerando que la conductividad del casco del transsitor
al disipador es muy buena por la calidad y de la grasa silicosa, tendremos:

8SA >> 8CS (1.3)

Entonces, quedara el valor 8SA como el factor dominante para los clculos prcticos.

Conociendo la potencia (P) disipada por el transistor (ver manual de

semiconductores) y la temperatura ambiente de 25 grados C., podamos caluclar la
resistencia trmica del disipador aplicando la ley de Kirchoff del sgte. Modo:

Tcase = 25+ (Px8SA) (1.4)

Despejando el factor de la resistencia trmica del disipador partiendo de la ecuacin

(1.4), tendremos:

8SA = Tcase 25 (1.5)

P (P) es la potencia en vatios

En le manual de semiconductores SCG, la resistencia trmica se representa por R8.

Empleando esta denominacin y reemplazando el valor de Tcase por lo indicado en
(1.1) y (1.2), encontramos que:

R8 = 150 25 = 125 para transistores de Silicio (1.6).

P P

R8 = 100 25 = 75 para transistores de Germanio (1.7)

P P

El valor de R8 nos permite seleccionar el tipo de disipador adecuado.

EJEMPLO: Seleccionar el tipo de disipador adecuado para el transistor 2N3055.

SOLUCION: De acuerdo con el manual de semiconductores el transistor 2N3055 es
de Silicio y con disipacin de 115 W.

Calcularemos el valor de R8usando la ecuacin 1.6.

R8 = 125 C = 1.0 C/W Luego R8 = 1.0 C/W

115W

El disipador de Aluminio adecuado corresponde al de la figura AH14 (ubquela en las

figuras que se muestran a continuacin).

FIGURA 58