DISPOSITIVOS Y APLICACIONES EN ELECTRONICA DE POTENCIA

CARLOS FERRER RIQUETT

INSTITUCIN UNIVERSITARIA ITSA

FACULTAD DE INGENIERAS
TECNICO PROFESIONAL EN ELECTROMECANICA
SOLEDAD
2017

DISPOSITIVOS Y APLICACIONES EN ELECTRONICA DE POTENCIA

DIODOS DE POTENCIA:
Uno de los dispositivos ms importantes de los circuitos de potencia son los diodos, aunque tienen,
entre otras, las siguientes limitaciones: son dispositivos unidireccionales, no pudiendo circular la
corriente en sentido contrario al de conduccin. El nico procedimiento de control es invertir el voltaje
entre nodo y ctodo.
Los diodos de potencia se caracterizan porque en estado de conduccin, deben ser capaces de
soportar una alta intensidad con una pequea cada de tensin. En sentido inverso, deben ser
capaces de soportar una fuerte tensin negativa de nodo con una pequea intensidad de fugas.

Grafica tensin corriente diodo

El diodo responde a la ecuacin:

La curva caracterstica ser la que se puede ver en la parte superior, donde:

VRRM: tensin inversa mxima
VD: tensin de codo.
A continuacin vamos a ir viendo las caractersticas ms importantes del diodo, las cuales podemos
agrupar de la siguiente forma:
1. Caractersticas estticas:
Parmetros en bloqueo (polarizacin inversa).
Parmetros en conduccin.
Modelo esttico.
2. Caractersticas dinmicas:
Tiempo de recuperacin inverso (trr).
Influencia del (trr) en la conmutacin.
Tiempo de recuperacin directo.
3. Potencias:
Potencia mxima disipable.
Potencia media disipada.
Potencia inversa de pico repetitivo.
Potencia inversa de pico no repetitivo.
4. Caractersticas trmicas.
5. Proteccin contra sobreintensidades.
6.
CARACTERSTICAS ESTTICAS:

Caractersticas del diodo

PARMETROS EN BLOQUEO
Tensin inversa de pico de trabajo (VRWM): es la que puede ser soportada por el dispositivo
de forma continuada, sin peligro de entrar en ruptura por avalancha.
Tensin inversa de pico repetitivo (VRRM): es la que puede ser soportada en picos de 1 ms,
repetidos cada 10 ms de forma continuada.
Tensin inversa de pico no repetitiva (VRSM): es aquella que puede ser soportada una sola
vez durante 10ms cada 10 minutos o ms.
Tensin de ruptura (VBR): si se alcanza, aunque sea una sola vez, durante 10 ms el diodo
puede destruirse o degradar las caractersticas del mismo.
Tensin inversa continua (VR): es la tensin continua que soporta el diodo en estado de
bloqueo.
PARMETROS EN CONDUCCIN
intensidad media nominal (if(av)): es el valor medio de la mxima intensidad de impulsos
sinusoidales de 180 que el diodo puede soportar.
intensidad de pico repetitivo (ifrm): es aquella que puede ser soportada cada 20 ms, con una
duracin de pico a 1 ms, a una determinada temperatura de la cpsula (normalmente 25).
intensidad directa de pico no repetitiva (ifsm): es el mximo pico de intensidad aplicable, una
vez cada 10 minutos, con una duracin de 10 ms.
intensidad directa (if): es la corriente que circula por el diodo cuando se encuentra en el
estado de conduccin.
MODELOS ESTTICOS DEL DIODO
Los distintos modelos del diodo en su regin directa (modelos estticos) se representan en la figura
superior. Estos modelos facilitan los clculos a realizar, para lo cual debemos escoger el modelo
adecuado segn el nivel de precisin que necesitemos.
Estos modelos se suelen emplear para clculos a mano, reservando modelos ms complejos para
programas de simulacin como PSPICE. Dichos modelos suelen ser proporcionados por el
fabricante, e incluso pueden venir ya en las libreras del programa.
CARACTERSTICAS DINMICAS
Tiempo de recuperacin inverso

El paso del estado de conduccin al de bloqueo en el diodo no se efecta instantneamente. Si un

diodo se encuentra conduciendo una intensidad IF, la zona central de la unin P-N est saturada de
portadores mayoritarios con tanta mayor densidad de stos cuanto mayor sea IF. Si mediante la
aplicacin de una tensin inversa forzamos la anulacin de la corriente con cierta velocidad di/dt,
resultar que despus del paso por cero de la corriente existe cierta cantidad de portadores que
cambian su sentido de movimiento y permiten que el diodo conduzca en sentido contrario durante un
instante. La tensin inversa entre nodo y ctodo no se establece hasta despus del tiempo ta
llamado tiempo de almacenamiento, en el que los portadores empiezan a escasear y aparece en la
unin la zona de carga espacial. La intensidad todava tarda un tiempo tb (llamado tiempo de cada)
en pasar de un valor de pico negativo (IRRM) a un valor despreciable mientras van desapareciendo
el exceso de portadores.
ta (tiempo de almacenamiento): es el tiempo que transcurre desde el paso por cero de la
intensidad hasta llegar al pico negativo.
 tb (tiempo de cada): es el tiempo transcurrido desde el pico negativo de intensidad hasta que
sta se anula, y es debido a la descarga de la capacidad de la unin polarizada en inverso. En
la prctica se suele medir desde el valor de pico negativo de la intensidad hasta el 10 % de
ste.
trr (tiempo de recuperacin inversa): es la suma de ta y tb.

Qrr: se define como la carga elctrica desplazada, y representa el rea negativa de la

caracterstica de recuperacin inversa del diodo.
di/dt: es el pico negativo de la intensidad.
Irr: es el pico negativo de la intensidad.
La relacin entre tb/ta es conocida como factor de suavizado "SF".
Si observamos la grfica podemos considerar Qrr por el rea de un tringulo:

De donde:

Para el clculo de los parmetros IRRM y Qrr podemos suponer uno de los dos siguientes casos:
Para ta = tb trr = 2ta
Para ta = trr tb = 0
En el primer caso obtenemos:

Y en el segundo caso:

Influencia del trr en la conmutacin

Si el tiempo que tarda el diodo en conmutar no es despreciable:
Se limita la frecuencia de funcionamiento.
Existe una disipacin de potencia durante el tiempo de recuperacin inversa.
Para altas frecuencias, por tanto, debemos usar diodos de recuperacin rpida.
Factores de los que depende trr:
A mayor IRRM menor trr.
 Cuanta mayor sea la intensidad principal que atraviesa el diodo mayor ser la capacidad
almacenada, y por tanto mayor ser trr.
TIEMPO DE RECUPERACIN DIRECTO

tfr (tiempo de recuperacin directo): es el tiempo que transcurre entre el instante en que la tensin
nodo-ctodo se hace positiva y el instante en que dicha tensin se estabiliza en el valor VF.
Este tiempo es bastante menor que el de recuperacin inversa y no suele producir prdidas de
potencia apreciables.
DISIPACIN DE POTENCIA
Potencia mxima disipable (Pmx): Es un valor de potencia que el dispositivo puede disipar, pero no
debemos confundirlo con la potencia que disipa el diodo durante el funcionamiento, llamada sta
potencia de trabajo.
Potencia media disipada (PAV): Es la disipacin de potencia resultante cuando el dispositivo se
encuentra en estado de conduccin, si se desprecia la potencia disipada debida a la corriente de
fugas.
Se define la potencia media (PAV) que puede disipar el dispositivo, como:

Si incluimos en esta expresin el modelo esttico, resulta:

Y como:

Es la intensidad media nominal

Es la intensidad eficaz al cuadrado

Nos queda finalmente:

Generalmente el fabricante integra en las hojas de caractersticas tablas que indican la potencia
disipada por el elemento para una intensidad conocida.
Otro dato que puede dar el fabricante es curvas que relacionen la potencia media con la intensidad
media y el factor de forma (ya que el factor de forma es la intensidad eficaz dividida entre la
intensidad media).

Potencia inversa de pico repetitiva (PRRM): Es la mxima potencia que puede disipar el dispositivo
en estado de bloqueo.

Potencia inversa de pico no repeptitiva (PRSM)

Similar a la anterior, pero dada para un pulso nico.

CARACTERSTICAS TRMICAS

Temperatura de la unin (Tjmx): Es el lmite superior de temperatura que nunca debemos hacer
sobrepasar a la unin del dispositivo si queremos evitar su inmediata destruccin.
En ocasiones, en lugar de la temperatura de la unin se nos da la "operating temperature range"
(margen de temperatura de funcionamiento), que significa que el dispositivo se ha fabricado para
funcionar en un intervalo de temperaturas comprendidas entre dos valores, uno mnimo y otro
mximo.

Temperatura de almacenamiento (Tstg): Es la temperatura a la que se encuentra el dispositivo

cuando no se le aplica ninguna potencia. El fabricante suele dar un margen de valores para esta
temperatura.
Volver

Resistencia trmica unin-contenedor (Rjc): Es la resistencia entre la unin del semiconductor y el

encapsulado del dispositivo. En caso de no dar este dato el fabricante se puede calcular mediante la
frmula:
Rjc = (Tjmx - Tc) / Pmx

Siendo Tc la temperatura del contenedor y Pmx la potencia mxima disipable.

Resistencia trmica contenedor-disipador (Rcd): Es la resistencia existente entre el contenedor del

dispositivo y el disipador (aleta refrigeradora). Se supone que la propagacin se efecta
directamente sin pasar por otro medio (como mica aislante, etc).

PROTECCIN CONTRA SOBREINTENSIDADES

Principales causas de sobreintensidades
La causa principal de sobreintensidad es, naturalmente, la presencia de un cortocircuito en la carga,
debido a cualquier causa. De todos modos, pueden aparecer picos de corriente en el caso de
alimentacin de motores, carga de condensadores, utilizacin en rgimen de soldadura, etc.
Estas sobrecargas se traducen en una elevacin de temperatura enorme en la unin, que es incapaz
de evacuar las caloras generadas, pasando de forma casi instantnea al estado de cortocircuito
(avalancha trmica).
rganos de proteccin
Los dispositivos de proteccin que aseguran una eficacia elevada o total son poco numerosos y por
eso los ms empleados actualmente siguen siendo los fusibles, del tipo "ultrarrpidos" en la mayora
de los casos.
Los fusibles, como su nombre indica, actan por la fusin del metal de que estn compuestos y
tienen sus caractersticas indicadas en funcin de la potencia que pueden manejar; por esto el
calibre de un fusible no se da slo con su valor eficaz de corriente, sino incluso con su I2t y su
tensin.
Parmetro I2t
La I2t de un fusible es la caracterstica de fusin del cartucho; el intervalo de tiempo t se indica en
segundos y la corriente I en amperios.
Debemos escoger un fusible de valor I2t inferior al del diodo, ya que as ser el fusible el que se
destruya y no el diodo.
TIPOS DE DIODOS DE POTENCIA

Diodos rectificadores para baja frecuencia

Caractersticas
IF(AV): 1A 6000 A
VRRM: 400 3600 V
VFmax: 1,2V (a IF(AV)max)
trr: 10 s
Aplicaciones
Rectificadores de Red.
Baja frecuencia (50Hz).
Diodos rpidos (fast) y ultrarrpidos (ultrafast)
Caractersticas
IF(AV): 30A 200 A
VRRM: 400 1500 V
VFmax: 1,2V (a IF(AV)max)
trr: 0,1 - 10 s
Aplicaciones
Conmutacin a alta frecuencia (>20kHz).
Inversores.
UPS (Sistema de alimentacin ininterrumpida).
Accionamiento de motores CA.

Diodos Schotkky

Caractersticas
IF(AV): 1A 120 A
VRRM: 15 150 V
VFmax: 0,7V (a IF(AV)max)
trr: 5 ns
Aplicaciones
Fuentes conmutadas.
Convertidores.
Diodos de libre circulacin.
Cargadores de bateras.
Diodos para aplicaciones especiales (alta tensin)
Caractersticas
IF(AV): 0,45A 2 A
VR: 7,5kV 18kV
VRRM: 20V 100V
trr: 150 ns
Aplicaciones
Aplicaciones de alta tensin.
Diodos para aplicaciones especiales (alta corriente)

Caractersticas
IF(AV): 50A 7000 A
VRRM: 400V 2500V
VF: 2V
trr:10 s
Aplicaciones
Aplicaciones de alta corriente.
TIRISTORES:
Los tiristores son una familia de dispositivos semiconductores de cuatro capas (pnpn), que se utilizan
para controlar grandes cantidades de corriente mediante circuitos electrnicos de bajo consumo de
potencia.
La palabra tiristor, procedente del griego, significa puerta. El nombre es fiel reflejo de la funcin que
efecta este componente: una puerta que permite o impide el paso de la corriente a travs de ella.
As como los transistores pueden operar en cualquier punto entre corte y saturacin, los tiristores en
cambio slo conmutan entre dos estados: corte y conduccin.
Dentro de la familia de los tiristores los tipos ms significativos: Diodo Shockley, SCR (Silicon
Controlled Rectifier), GCS (Gate Controlled Switch), SCS (Silicon Controlled Switch), Diac y Triac.
EL DIODO SHOCKLEY
El diodo Shockley es un tiristor con dos terminales: nodo y ctodo. Est constituido por cuatro
capas semiconductoras que forman una estructura pnpn. Acta como un interruptor: est abierto
hasta que la tensin directa aplicada alcanza un cierto valor, entonces se cierra y permite la
conduccin. La conduccin contina hasta que la corriente se reduce por debajo de un valor
especfico (IH).

Smbolo diodo shockley

CARACTERISTICA TENSION-INTENSIDAD
Para valores negativos del voltaje aplicado, como en un diodo, slo habr una corriente muy
pequea hasta que se alcance la tensin de ruptura (VRB).

Caracterstica I-V del diodo Shockley

En polarizacin positiva, se impide el paso de corriente hasta que se alcanza un valor de tensin
VB0. Una vez alcanzado este punto, el diodo entra en conduccin, su tensin disminuye hasta
menos de un voltio y la corriente que pasa es limitada, en la prctica, por los componentes externos.
La conduccin continuar hasta que de algn modo la corriente se reduzca por debajo de la corriente
de mantenimiento IH.
La corriente que puede atravesar el dispositivo en polarizacin directa tiene un lmite impuesto por el
propio componente (IMAX), que si se supera llevar a la destruccin del mismo. Por esta razn, ser
necesario disear el circuito en el que se instale este componente de tal modo que no se supere este
valor de corriente. Otro parmetro que al superarse puede provocar la ruptura del dispositivo es
VRB, ya que provocara un fenmeno de avalancha similar al de un diodo convencional.
EJEMPLO DE APLICACION: DETECTOR DE SOBRETENSION
En esta aplicacin, se ha seleccionado un diodo Shockley con una tensin de conduccin de 10 V.
Por tanto, si la tensin de la fuente es correcta, es decir, de 9 V, el diodo est abierto, no circula
corriente por l y la lmpara estar apagada. Pero si la tensin de la fuente supera, por una falla en
su funcionamiento una tensin de 10 V, el diodo entra en saturacin y la lmpara se enciende.
Permanecer encendida (y el diodo cerrado) aunque la tensin vuelva a 9V, mostrando de esta
manera que ha habido una falla. La nica forma de apagar la lmpara sera desconectar la
alimentacin.

Detector de sobretensin

SCR (SILICON CONTROLLED RECTIFIER)

El SCR es un dispositivo de cuatro capas muy similar al diodo Shockley, con la diferencia de poseer
tres terminales: nodo, ctodo y puerta (gate). Al igual que el diodo Shockley, presenta dos estados
de operacin: abierto y cerrado, como si se tratase de un interruptor.

Construccin bsica y smbolo del SCR

CARACTERISTICA TENSION INTENSIDAD

Tal y como se aprecia en la Figura, la parte de polarizacin inversa de la curva es anloga a la del
diodo Shockley.

Caracterstica del SCR

En cuanto a la parte de polarizacin positiva, el diodo no conduce hasta que se recibe un pulso de
tensin en el terminal de puerta (gate). Una vez recibido, la tensin entre nodo y ctodo cae hasta
ser menor que un voltio y la corriente aumenta rpidamente, quedando limitada en la prctica por
componentes externos.
Podemos ver en la curva cuatro valores importantes. Dos de ellos provocarn la destruccin del SCR
si se superan: VRB e IMAX. VRB (Reverse Breakdown Voltage) es, al igual que en el diodo
Shockley, la tensin a partir de la cual se produce el fenmeno de avalancha. IMAX es la corriente
mxima que puede soportar el SCR sin sufrir dao. Los otros dos valores importantes son la tensin
de cebado VBO (Forward Breakover Voltage) y la corriente de mantenimiento IH, magnitudes
anlogas a las explicadas para el diodo Shockley.
METODOS DE CONMUTACION
Para que el dispositivo interrumpa la conduccin de la corriente que circula a travs del mismo, sta
debe disminuir por debajo del valor IH (corriente de mantenimiento). Hay dos mtodos bsicos para
provocar la apertura el dispositivo: interrupcin de corriente andica y conmutacin forzada. Ambos
mtodos se presentan en las figuras.

Apertura del SCR mediante interrupcin de la corriente andica

En la Figura de la izquierda se observa cmo la corriente andica puede ser cortada mediante un
interruptor bien en serie (figura izquierda), o bien en paralelo (figura derecha). El interruptor en serie
simplemente reduce la corriente a cero y hace que el SCR deje de conducir. El interruptor en paralelo
desva parte de la corriente del SCR, reducindola a un valor menor que IH.
En el mtodo de conmutacin forzada, que aparece en la Figura de la derecha, se introduce una
corriente opuesta a la conduccin en el SCR. Esto se realiza cerrando un interruptor que conecta
una batera en paralelo al circuito.

Circuitos de conmutacin
APLICACIONES DEL SCR
Una aplicacin muy frecuente de los SCR es el control de potencia en alterna en reguladores
(dimmer) de lmparas, calentadores elctricos y motores elctricos.
En la Figura siguiente se muestra un circuito de control de fase de media onda y resistencia variable.
Entre los terminales A y B se aplican 120 V (AC). RL representa la resistencia de la carga (por
ejemplo un elemento calefactor o el filamento de una lmpara). R1 es una resistencia limitadora de la
corriente y R2 es un potencimetro que ajusta el nivel de disparo para el SCR. Mediante el ajuste del
mismo, el SCR se puede disparar en cualquier punto del ciclo positivo de la onda en alterna entre 0 y
180, como se aprecia en la Figura.

Figura a Figura b

Cuando el SCR se dispara cerca del principio del ciclo (aproximadamente a 0), como en la Figura
(a), conduce durante aproximadamente 180 y se transmite mxima potencia a la carga. Cuando se
dispara cerca del pico positivo de la onda, como en la Figura (b), el SCR conduce durante
aproximadamente 90 y se transmite menos potencia a la carga. Mediante el ajuste de RX, el disparo
puede retardarse, transmitiendo as una cantidad variable de potencia a la carga.
Cuando la entrada en AC es negativa, el SCR se apaga y no conduce otra vez hasta el siguiente
disparo durante el ciclo positivo. Es necesario repetir el disparo en cada ciclo como se ilustra en la
Figura siguiente. El diodo se coloca para evitar que voltaje negativo en AC sea aplicado a la gate del
SCR.

Disparos cclicos para control de potencia

GCS (GATE CONTROLLED SWITCH)

Este dispositivo es similar al SCR, con la diferencia de que el GCS puede interrumpir el paso de
corriente con una seal en el terminal de gate.
Igual que el SCR, no permitir el paso de corriente hasta que un pulso positivo se reciba en el
terminal de puerta. La diferencia se encuentra en que el GCS puede pasar al estado de corte
mediante un pulso negativo 10 20 veces mayor que el pulso positivo aplicado para entrar en
conduccin.
 Smbolo del GCS

Los GCS estn diseados para cargas relativamente pequeas y pueden soportar slo unas pocas
decenas de amperios.

SCS (SILICON CONTROLLED SWITCH)

Es similar en cuanto a construccin al SCR. La diferencia est en que posee dos terminales de
puerta, uno para entrar en conduccin y otro para corte. El SCS se suele utilizar en rangos de
potencia menores que el SCR.

Smbolo del SCS

El SCS tiene aplicaciones muy similares a las de SCR. Este ltimo tiene la ventaja de poder abrirse
ms rpido mediante pulsos en cada uno de los terminales de gate, pero el inconveniente que
presenta respecto al SCR es que se encuentra ms limitado en cuanto a valores de tensin y
corriente. Tambin se utiliza en aplicaciones digitales como contadores y circuitos temporizadores.

EL DIAC

Es un tipo de tiristor que puede conducir en los dos sentidos. Es un dispositivo de dos terminales que
funciona bsicamente como dos diodos Shockley que conducen en sentidos opuestos.
 Construccin bsica y smbolo del diac

La curva de funcionamiento refleja claramente el comportamiento del diac, que funciona como un
diodo Shockley tanto en polarizacin directa como en inversa.
Cualquiera que sea la polarizacin del dispositivo, para que cese la conduccin hay que hacer
disminuir la corriente por debajo de la corriente de mantenimiento IH. Las partes izquierda y derecha
de la curva, a pesar de tener una forma anloga, no tienen por qu ser simtricas.

Caracterstica V-I del diac

EL TRIAC

Este dispositivo es simular al diac pero con un nico terminal de puerta (gate). Se puede disparar
mediante un pulso de corriente de gate y no requiere alcanzar el voltaje VBO como el diac.

Construccin bsica y smbolo del TRIAC.

En la curva caracterstica se indica que para diferentes disparos, es decir, para distintas corrientes
aplicadas en gate, el valor de VBO es distinto. En la parte de polarizacin positiva, la curva de ms a
la izquierda es la que presenta un valor de VBO ms bajo, y es la que mayor corriente
de gate precisa en el disparo. Para que este dispositivo deje de conducir, como en el resto de los
casos, hay que hacer bajar la corriente por debajo del valor IH.

Caracterstica V-I del triac

Al igual que el SCR, se emplean para controlar la potencia suministrada a una carga. El triac puede
dispararse de tal modo que la potencia en alterna sea suministrada a la carga durante un tiempo
determinado de cada ciclo. La diferencia con el SCR es que se puede disparar tanto en la parte
positiva que en la negativa del ciclo, de tal manera que la corriente en la carga puede circular en los
dos sentidos.

Control bsico de potencia con un Triac

RESUMEN
Como resumen final del tema se reflejan en una tabla las caractersticas ms importantes de los
tiristores que se han presentado.

Tabla de Tiristores
TIRISTORES DE DESACTIVACIN POR COMPUERTA (GTO):
Entre las mejoras ms recientes que se le han hecho al tiristor est el apagado por compuerta
(GTO). Un tiristor GTO es un SCR que puede apagarse por una pulsacin suficientemente grande en
su compuerta de entrada, aun si la corriente iD excede IH. Aunque los tiristores GTO se han venido
usando desde 1960, solamente se volvieron prcticos para las aplicaciones de control de motores, al
final de los aos setenta. Estos dispositivos se han vuelto ms y ms comunes en las unidades de
control de motores, puesto que ellos eliminaron la necesidad de componentes externos para apagar
los SCR en circuitos de cc.

Smbolo del GTO.

Un tiristor GTO requiere una mayor corriente de compuerta para encendido que un SCR comn.
Para grandes aparatos de alta potencia se necesitan corrientes de compuerta del orden de 10 A o
ms. Para apagarlos se necesita una gran pulsacin de corriente negativa de entre 20 y 30m s de
duracin. La magnitud de la pulsacin de corriente negativa debe ser de un cuarto a un sexto de la
corriente que pasa por el aparato.

TIRISTORES DE CONDUCCIN INVERSA (RTC):

En muchos circuitos pulsadores e inversores, se conecta un diodo antiparalelo a travs de un SCR,
con la finalidad de permitir un flujo de corriente inversa debido a una carga inductiva, y para mejorar
el requisito de desactivacin de un circuito de conmutacin. El diodo fija el voltaje de bloqueo inverso
del SCR a 1 2v por debajo de las condiciones de rgimen permanente. Sin embargo, bajo
condiciones transitorias, el voltaje inverso puede elevarse hasta 30v debido al voltaje inducido en la
inductancia dispersa del circuito dentro del dispositivo.

Un RCT es un intercambio entre caractersticas del dispositivo y requisitos del circuito; puede
considerarse como un tiristor con un diodo antiparalelo incorporado, tal y como se muestra en la
figura siguiente. Un RCT se conoce tambin como tiristor asimtrico (ASCR). El voltaje de bloqueo
directo vara de 400 a 2000v y la especificacin de corriente llega hasta 500 A. El voltaje de bloqueo
inverso es tpicamente 30 a 40v. Dado que para un dispositivo determinado est preestablecida la
relacin entre la corriente directa a travs de un tiristor y la corriente inversa del diodo, sus
aplicaciones se limitarn a diseos de circuitos especficos.
 Tiristor de conduccin inversa.

TIRISTORES DE INDUCCIN ESTTICA (SITH):

Por lo general, un SITH es activado al aplicrsele un voltaje positivo de compuerta, como los
tiristores normales, y desactivado al aplicrsele un voltaje negativo a su compuerta. Un SITH es un
dispositivo de portadores minoritarios. Como consecuencia, el SITH tiene una baja resistencia en
estado activo as como una baja cada de potencial, y se puede fabricar con especificaciones de
voltaje y corriente ms altas.

Smbolo general de un SITH

Un SITH tiene velocidades de conmutacin muy rpidas y capacidades altas de dv/dt y di/dt. El
tiempo de conmutacin es del orden de 1 a 6m s. La especificacin de voltaje puede alcanzar hasta
2500v y la de corriente est limitada a 500 A. Este dispositivo es extremadamente sensible a su
proceso de fabricacin, por lo que pequeas variaciones en el proceso de manufactura pueden
producir cambios de importancia en sus caractersticas.
RECTIFICADORES CONTROLADOS DE SILICIO ACTIVADOS POR LUZ (LASCR).
Este dispositivo se activa mediante radiacin directa sobre el disco de silicio provocada con luz. Los
pares electrn-hueco que se crean debido a la radiacin producen la corriente de disparo bajo la
influencia de un campo elctrico. La estructura de compuerta se disea a fin de proporcionar la
suficiente sensibilidad para el disparo, a partir de fuentes luminosas prcticas (por ejemplo, LED y
para cumplir con altas capacidades de di/dt y dv/dt).
 Smbolo del LASCR

Los LASRC se utilizan en aplicaciones de alto voltaje y corriente [por ejemplo, transmisin de cd de
alto voltaje (HVDC) y compensacin de potencia reactiva esttica o de volt-amperes reactivos
(VAR)]. Un LASCR ofrece total aislamiento elctrico entre la fuente de disparo luminoso y el
dispositivo de conmutacin de un convertidor de potencia, que flota a un potencial tan alto como
unos cuantos cientos de kilovoltios. La especificacin de voltaje de un LASCR puede llegar tan alto
como 4 kv a 1500 A, con una potencia de disparo luminoso de menos de 100mw. El di/dt tpico es
250 A/m s y el dv/dt puede ser tan alto como 2000v/m s.

TIRISTORES CONTROLADOS POR FET (FET-CTH).

Un dispositivo FET-CTH combina un MOSFET y un tiristor en paralelo, tal y como se muestra en la
figura siguiente. Si a la compuerta del MOSFET se le aplica un voltaje suficiente, tpicamente 3v, se
genera internamente una corriente de disparo para el tiristor. Tiene una alta velocidad de
conmutacin, un di/dt alto y un dv/dt alto.

Este dispositivo se puede activar como los tiristores convencionales, pero no se puede desactivar
mediante control de compuerta. Esto servira en aplicaciones en las que un disparo ptico debe
utilizarse con el fin de proporcionar un aislamiento elctrico entre la seal de entrada o de control y el
dispositivo de conmutacin del convertidor de potencia.

Estructura FET-CTH.
TIRISTORES CONTROLADOS POR MOS (MCT).

Un tiristor controlado por MOS (MCT) combina las caractersticas de un tiristor regenerativo de
cuatro capas y una estructura de compuerta MOS. El circuito equivalente se muestra en la figura
siguiente (b) y el smbolo correspondiente en la (a). La estructura NPNP se puede representar por un
transistor NPN Q1 y con un transistor Q2. La estructura de compuerta MOS se puede representar
por un MOSFET de canal p M1 y un MOSFET de canal n M2.

Debido a que se trata de una estructura NPNP, en vez de la estructura PNPN de un SCR normal, el
nodo sirve como la terminal de referencia con respecto a la cual se aplican todas las seales de
compuerta. Supongamos que el MCT est en estado de bloqueo directo y se aplica un voltaje
negativo VGA. Un canal, p (o una capa de inversin) se forma en el material dopado n, haciendo que
los huecos fluyan lateralmente del emisor p E2 de Q2 (fuente S1 del MOSFET M1 del canal p) a
travs del canal p hacia la base p B1 de Ql (que es drenaje D1 del MOSFET M1, del canal p). Este
flujo de huecos forma la corriente de base correspondiente al transistor npn Q1. A continuacin e1
emisor n+ E1 de Q1, inyecta electrones, que son recogidos en la base n B2 (y en el colector n C1)
que hace que el emisor p E2 inyecte huecos en la base n B2, de tal forma que se active el transistor
PNP Q2 y engancha al MCT. En breve, un VGA de compuerta negativa activa al MOSFET M1 canal
p, proporcionando as la corriente de base del transistor Q2.

Supongamos que el MCT est en estado de conduccin, y se aplica un voltaje positivo VGA. Se
forma entonces un canal n en el material contaminado p, haciendo que fluyan lateralmente
electrones de la base n B2 de Q2 (fuente S2 del MOSFET M2 del canal n) a travs del canal n del
emisor n+ fuertemente contaminado de Ql (drenaje D2 del MOSFET M2 del canal n+). Este flujo de
electrones desva la corriente de base del transistor PNP Q2 de tal forma que su unin base-emisor
se desactiva, y ya no habr huecos disponibles para recoleccin por la base p B1 de Q1 (y el
colector p C2 de Q2). La eliminacin de esta corriente de huecos en la base p B1, hace que se
desactive el transistor NPN Q1, y el MCT regresa a su estado de bloqueo. En breve, un pulso
positivo de compuerta VGA, desva la corriente que excita la base de Ql, desactivando por lo tanto el
MCT.

El MCT se puede operar como dispositivo controlado por compuerta, si su corriente es menor que la
corriente controlable pico. Intentar desactivar el MCT a corrientes mayores que su corriente
controlable pico de especificacin, puede provocar la destruccin del dispositivo. Para valores ms
altos de corriente, el MCT debe ser conmutado como un SCR estndar. Los anchos de pulso de la
compuerta no son crticos para dispositivos de corrientes pequeas. Para corrientes mayores, el
ancho del pulso de desactivacin debe ser mayor. Adems, durante la desactivacin, la compuerta
utiliza una corriente pico. En muchas aplicaciones, incluyendo inversores y pulsadores, se requiere,
de un pulso continuo de compuerta sobre la totalidad del perodo de encendido/apagado a fin de
evitar ambigedad en el estado.
 Estructura MCT.

Un MCT tiene:

Una baja cada de voltaje directo durante la conduccin;

Un tiempo de activado rpido, tpicamente 0.4m s, y un tiempo de desactivado rpido,
tpicamente 1.25m s, para un MCT de 300A, 500v;
Bajas perdidas de conmutacin;
Una baja capacidad de bloqueo voltaje inverso.
Una alta impedancia de entrada de compuerta, lo que simplifica mucho los circuitos de
excitacin. Es posible ponerlo efectivamente en paralelo, para interrumpir corrientes altas, con
slo modestas reducciones en la especificacin de corriente del dispositivo. No se puede
excitar fcilmente a partir de un transformador de pulso, si se requiere de una polarizacin
continua a fin de evitar ambigedad de estado.

TRANSISTORES:

Los transistores son utilizados como interruptores electrnicos de potencia.Los circuitos de

excitacin de estos se disean para que stos estn completamente saturados (activados) o en corte
(desactivados). Los transistores tienen la ventaja de que proporcionan un control de activacin y de
desactivacin, mientras que el SCR slo dispone de control de activacin. Se utilizan los transistores
de unin bipolar (BJT), los MOSFET y dispositivos hbridos, como por ejemplo, los de unin bipolar
de puerta aislada (IGBT). El BJT es un dispositivo controlado por corriente. El MOSFET es un
dispositivo controlado por tensin, el circuito de excitacin es ms sencillo que el utilizado en un BJT.
El IGBT es una conexin integrada de un MOSFET y un BJT. El circuito de excitacin es como el de
un MOSFET, mientras que las caractersticas de conduccin son como las del BJT. Este dispositivo
es adecuado para velocidades de conmutacin de hasta aproximadamente 20 kHz.

Smbolo del transistor bipolar.

TRANSISTOR IGBT
El transistor bipolar de puerta aislada (conocido por la sigla IGBT, del ingls Insulated Gate Bipolar
Transistor) es un dispositivo semiconductor que generalmente se aplica como interruptor controlado
en circuitos de electrnica de potencia. Este dispositivo posee las caractersticas de las seales de
puerta de los transistores de efecto campo con la capacidad de alta corriente y bajo voltaje de
saturacin del transistor bipolar, combinando una puerta aislada FET para la entrada de control y un
transistor bipolar como interruptor en un solo dispositivo. El circuito de excitacin del IGBT es como
el del MOSFET, mientras que las caractersticas de conduccin son como las del BJT.
 Smbolo general del tiristor IGBT
Los transistores IGBT han permitido desarrollos que no haban sido viables hasta entonces, en
particular en los Variadores de frecuencia as como en las aplicaciones en mquinas elctricas,
convertidores de potencia, domtica y Sistemas de Alimentacin Ininterrumpida, entre otras
aplicaciones.
El IGBT es adecuado para velocidades de conmutacin de hasta 100 kHz y ha sustituido al BJT en
muchas aplicaciones. Es usado en aplicaciones de altas y medias energas como fuente conmutada,
control de la traccin en motores y cocina de induccin. Grandes mdulos de IGBT consisten en
muchos dispositivos colocados en paralelo que pueden manejar altas corrientes del orden de cientos
de amperios con voltajes de bloqueo de 6.000 voltios.
Se puede concebir el IGBT como un transistor Darlington hbrido. Tiene la capacidad de manejo de
corriente de un bipolar pero no requiere de la corriente de base para mantenerse en conduccin. Sin
embargo las corrientes transitorias de conmutacin de la base pueden ser igualmente altas. En
aplicaciones de electrnica de potencia es intermedio entre los tiristores y los mosfet. Maneja ms
potencia que los segundos siendo ms lento que ellos y lo inverso respecto a los primeros.
Este es un dispositivo para la conmutacin en sistemas de alta tensin. La tensin de control de
puerta es de unos 15 V. Esto ofrece la ventaja de controlar sistemas de potencia aplicando una seal
elctrica de entrada muy dbil en la puerta.