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Anlise de Pequenos Sinais

Transistores - parte - 2
Professor Lucas Tenrio de Souza Silva
1- INTRODUO
1 INTRODUO
A anlise que ser vista a seguir considera que o sinal
pequeno, ou seja:
Sinal de Tenso da ordem de unidades V poucas dezenas de mV; ou
Sinal de Corrente da ordem de: unidade de centenas de mA; ou
Potncia da ordem de: centenas de mW
Existem trs modelos de transistores comumente utilizado
para anlise AC para pequenos sinais:
O modelo re (enfase de Bolestad)
O modelo hibrido
O modelo hibrido equivalente
2- AMPLIFICAO NO DOMNIO AC
2- AMPLIFICAO NO DOMNIO AC
O transistor utilizado como amplificador permite que a
potncia AC de sada seja maior que a potncia AC de
entrada.
O que permite que Po(AC) seja maior que Pi(AC) a
potncia CC aplicada. O que ocorre que a P(CC) auxilia a
Po(AC).
Apesar da P(CC) auxiliar a Po(AC), possvel aplicar o
Teorema de Superposio para fazer a anlise separando
as fontes CC da CA.
3- MODELAGEM DO BJT
3- MODELAGEM DO BJT
Assim como foi feito para o diodo, a anlise do circuito
transistorizado tambm ser feita utilizando modelos de
diodo.
Sobre o modelo hbrido equivalente:
Era comumente aplicado, pois utiliza informaes da folha de dados
do fabricante.
A desvantagem os dados que possuem faixas, obtidas para um
determinado ponto quiescente, e assim geralmente o ponto real de
funcionamento no coincide com as desejadas.
Apesar da desvantagem, uma abordagem aproximada bastante
confivel.
3- MODELAGEM DO BJT
Sobre o modelo re:
uma verso resumida do modelo hibrido.
Alguns parmetros do circuito so determinados pelas condies
reais, mas ainda necessita da folha de dados do fabricante.
Sobre o modelo hibrido:
semelhante ao modelo re, mas utilizado geralmente para alta
frequncia (acima de 300kHz).
Possui uma conexo entre a entrada e a sada usando elemento
resistivo e capacitivo.
Modelo re Modelo Hbrido Equivalente
3- MODELAGEM DO BJT
Conhecendo o teoremas de superposio e funcionamento
do capacitor no regime Ac, anlise AC de pequenos sinais
iniciar da seguinte maneira:
Substitui todas as fontes CC por um curto-circuito (T.
Superposio);
Substitui todos os capacitores por um curto - circuito ( considera
baixa Impedncia em AC);
Redesenha o circuito de modo mais lgico e conveniente;

Antes Depois
3- MODELAGEM DO BJT
necessrio identificar os parmetros (Zi, Zo, Ii, Io) e os sentidos
do sistema quadripolo de forma corrente;
Zi: impedncia de entrada;
Zo: impedncia de sada;
vx
Ii: corrente de entrada;
Zx
ix
Io: corrente de sada;

Com os parmetros, ser possvel calcular:


Ganho de Tenso;
vo
Av
vi
Ganho de Corrente:
io
Ai
ii
4 BJT COMO AMPLIFICADOR
4 BJT COMO AMPLIFICADOR
Aplicaes com transistores com finalidade de amplificao
deve colocar ponto de operao na regio ativa.
Atravs dos conhecimento de polarizao visto
anteriormente, possvel estabelecer uma corrente de
emissor ou coletor previsvel e insensvel (estvel).
Para compreender como o transistor opera como
amplificador, considere o circuito a seguir:
#Obsevao:
Letra Maiscula: Sinal CC (VBE)
Letra Minscula: Sinal AC (vbe)
Minscula com Maiscula: Misturado (Ib ou iB)
4 BJT COMO AMPLIFICADOR
4.1 Anlise CC:
Considera apenas a fonte VBE, curto-circuitando vbe (vbe=0);
O circuito deve ser polarizado para que o ponto de operao esteja
na regio ativa, ou seja jBE direta e JBC reversa.
Com o ponto quiescente na regio ativa e considerando que a
juno B-E se comporta como diodo e ICIE , o circuito
apresenta as seguintes relaes:
VBE

IC I S e VT

k : 1,38 10 23 J / K
k TK TK : 273 27 300 K
VT
q q : 1,6 10 19 C

1,38 10 23 300 IB
IC
IE
IC
VT 26mV
1,6 10 19 C
VCE VCC VRC
4 BJT COMO AMPLIFICADOR
4.2 Corrente de Coletor e Transcondutncia:
Considera ambas as fonte VBE e vbe, o novo sinal dado por vBE:
vBE VBE vbe

Substituindo na formula da corrente do coletor:


v BE VBE vbe VBE vbe vbe

iC I S e VT
ISe VT
ISe VT
e VT
iC I C e VT

Para valores de vbe<<Vt (26mV) pode-se considerar que:


v
v
be
v IC
e V 1 be
T
iC I C 1 be iC I C vbe
VT VT VT
Logo a corrente AC do coletor dada por:
I
iC I C ic ic C vbe
VT
chamada de transcondutncia (gm) a relao entre a corrente
ic e a tenso vbe: IC
ic g m vbe gm
VT
4 BJT COMO AMPLIFICADOR
A transcondutncia pode ser vista como a inclinao da curva vBE x
iC:
Deseja-se que vbe pequena suficiente para que a operao fique restrita ao
segmento quase linear da curva exponencial
4 BJT COMO AMPLIFICADOR
4.3 Corrente de Base e Resist. de Entrada da Base:
Conhecida a relao entre corrente de base e de coletor, ento:
iC IC IC ic IC
iB iB vbe I B iB ib vbe
VT VT
Assim a corrente de base AC pode ser dada como:
IC gm
gm ib vbe
VT
A resistncia de entrada a base e o emissor, vista da base,
dada por r
vbe I C VT VT
r r r
ib gm I B IC IB
4 BJT COMO AMPLIFICADOR
4.4 Corrente de Emissor e R. de Entrada do Emissor:
Conhecida a relao entre corrente de emissor e de coletor, ento:
iC IC IC ic IC
iE iE vbe I E ie ie vbe
VT VT
Assim a corrente AC de emissor pode ser dada como:
IC IE
ie vbe ie vbe ie ( 1)ib
VT VT
A resistncia de entrada da base para o emissor, vista pelo
emissor dada por re:
vbe VT IC 1
re re gm re
ie IE VT gm gm
Comparando r e re:
vbe vbe ie re r ( 1)re
r re r
ib ie ib
r re
5 - MODELO re
5 - MODELO re
O modelo re ser construdo e analisado para as
configuraes EC e BC, pois o modelo para a configurao
CC, pode ser utilizada a configurao EC.
5.1 Modelo re para configurao Emissor Comum.
Enxergando o circuito pelo sinal de entrada:

ib
gm
vbe
1 Na base: o sinal na entrada (vi) ser igual a tenso vbe que provoca uma
variao de corrente ib

ic ib 2 No coletor: injeo de ib que provoca uma variao na corrente ic


dado por ib (fonte de corrente controlada por corrente).
vbe
r 3 No emissor: relao da tenso vbe e ib similar a de um diodo e a
ib
juno B-E pode ser aproximada a uma resistncia entre os terminais da base
r re e emissor.
5 - MODELO re
Assim vista pela entrada, o modelo re pode desenhado como se v
mais abaixo:
Impedncia de Entrada do transistor:
Modelo re
v v
Z iT iT be r ( 1)re
iiT ib

VT VT IC
re r gm
IE IB VT
Modelo T
Modelo hibrido (modelo equivalente do modelo re)

r re ib g m vbe
5 - MODELO re
O modelo anterior ainda no esta completo. necessrio enxergar
o circuito de sada, neste caso:
1- as curvas de sada da configurao no so paralelas.
2 As retas tangentes de cada curva so concorrentes, passando por um
ponto chamada de Tenso de Early (VA);
3 O inverso da inclinao das retas tangentes, identificar a impedncia de
sada do transistor para esta configurao, podendo ser determinada por:
VA VCEq VA x VCE
Z oT ro ro ro hoe (dado do fabricante)
I Cq I Cq y I C
desejvel que ro seja elevada, sendo obtida em com inclinaes menores.
5 - MODELO re
Assim o modelo re para a configurao emissor comum dado
pelo circuito abaixo:
Modelo re
ViT vbe V VT
Z iT r ( 1)re r T re
I iT ib IB IE

VA V
Z oT ro ro CE ro hoe (dado do fabricante)
I Cq I C

Modelo hibrido

ic g m vbe
IC
gm gm
1
VT re re
5 - MODELO re
5.2 Modelo re para configurao Base Comum.
O circuito equivalente para a configurao Base Comum similar
ao modelo utilizado para o emissor comum, mas necessrio
lembrar que:
Corrente e Tenso de entrada: Ie e Vbe;
Corrente e Tenso de sada: Ic e Vcb;

A anlise feita com o transistor PNP similar ao modelo re NPN,


mudando apenas o sentido da fonte de corrente.

VT VA
Z iT re Z oT ro
IE I Cq

PNP NPN
5 - MODELO re
Como o sinal introduzido entre o emissor a base, a impedncia de
entrada vista pelo sinal dada pelo valor de resistncia da juno B-
E polarizada diretamente (resistncia baixa), identificada por re.
Como a corrente de emissor e coletor possuem valores muito
prximos, ento a curva de sada possuem retas tangente com
inclinao baixssima e consequentemente ro para essa
configurao elevadssima. Modelo T
(modelo equivalente
Modelo re do modelo re)

VT VA
Z iT re Z oT ro r ( 1)re ic g m vbe
IE I Cq
6 APLICAOD DO MODELO re
6 APLICAOD DO MODELO re
6.1 - Modelo re na config. EC com Divisor de Tenso:
A anlise AC feita para esta polarizao poder ser feita da mesma
forma para as outas polarizaes de EC.
1) Construir o circuito para o sinal AC:
Substitui todas as fontes CC por um curto-circuito (T. Superposio);
Substitui todos os capacitores por um curto - circuito ( considera baixa
Impedncia em AC);
6 APLICAOD DO MODELO re
2) Substituir o transistor pelo modelo equivalente (modelo re):

3) Calculo da Impedncia de Entrada do Circuito (Zi):


VT 1
Z i R' //( 1)re R' // re re gm
IE re re
4) Calculo da Impedncia de Sada do Circuito (Zo):
VCE
Z o RC // ro ro ro hoe (dado do fabricante )
I C
Se ro 10 Rc:
Z o RC
6 APLICAOD DO MODELO re

5) Ganho de tenso do amplificador sem carga: AvNL vo gm
1
vi re re
v
vo VRc ( ib ) (ro // RC ) ib i
re
vi vo (ro // RC ) (ro // RC ) VT
vo ( ) (ro // RC ) AvNL re
re vi re re IE

O ganho de tenso do sinal, considerando a RL (carga) e RS (fonte):


(ro // RC // RL ) vi Zi vi Zi (ro // RC // RL )
AvL Avtotal AvL
re vs R fonte Z i vs R fonte Z i re

# Observao: observe que o ganho negativo. Isto representa uma


inverso no sinal ou seja, um deslocamento de fase de 180.
6 APLICAOD DO MODELO re
6) Ganho de corrente com RL: Ai
io
re
VT
ii IE
vi i re ( R' // re ) ii
ii b ib
Z i R' // re re
v ( ib ) (ro // RC // RL ) ( R' // re ) ii (ro // RC // RL )
io o
RL RL re RL

io ( R' // re ) (ro // RC // RL ) ( R' // re ) (ro // RC // RL )


Ai
ii re RL re RL
Zi (ro // RC // RL )
AiL AVL AvL Zi R' //( 1)re R' // re
RL re
6 APLICAOD DO MODELO re
6.2 - Modelo re na config. BC com Duas Fontes:
1) Construir o circuito para o sinal AC:
Substitui todas as fontes CC por um curto-circuito (T. Superposio);
Substitui todos os capacitores por um curto - circuito ( considera baixa
Impedncia em AC);

2) Calculo da Impedncia de Entrada do Circuito (Zi):


VT
Z i RE // re re
IE
3) Calculo da Impedncia de Sada do Circuito (Zo):
Z o RC
6 APLICAOD DO MODELO re
4) Ganho de tenso do amplificador sem: AvNL
vo
vi
vi
vo vRC (ie ) RC ie
re
vi vo RC RC
vo (RC ) AvNL
re vi re re

O ganho de tenso do sinal, considerando a RL (carga) e RS (fonte):


( RC // RL ) vi Zi vi Zi ( RC // RL )
AvL Avtotal AvL
re vs R fonte Z i vs R fonte Z i re

# Observao: observe que o ganho positivo. Isto informa que o sinal


estar como a mesma fase do sinal de entrada.
6 APLICAOD DO MODELO re
5) Ganho de corrente com RL: Ai
io
re
VT
ii IE
vi i r ( RE // re ) ii
ii e e ie
Z i RE // re re
vo (ie ) ( RC // RL ) ( RE // re ) ii ( RC // RL )
io
RL RL re RL

io ( R // r )( R // RL ) ( RE // re )( RC // RL )
E e C Ai
ii re RL re RL

Zi (ro // RC // RL )
AiL AVL AvL Zi R' //( 1)re R' // re
RL re
6 APLICAOD DO MODELO re
6.3 - Modelo re na config. CC Seguidor de Emissor:
1) Construir o circuito para o sinal AC:
Substitui todas as fontes CC por um curto-circuito (T. Superposio);
Substitui todos os capacitores por um curto - circuito ( considera baixa
Impedncia em AC);

2) Calculo da Impedncia de Entrada do Circuito (Zi):


Z i RB // ( re ( 1) RE ) Z b ( re ( 1) RE ) (re RE ) re
VT
IE
Zb
6 APLICAOD DO MODELO re
3) Calculo da Impedncia de Sada do Circuito (Zo):
Fonte de tenso: Curto-circuita; Fonte de Corrente: Abre o Circuito; Vista
do emissor: re; Z R // r
o E e
vo
4) Ganho de tenso do amplificador: AvNL
vi
vi
vo vRE RE ie ie
RE re
R v RE
vo E i vo RE AvNL
RE re vi RE re RE re
O ganho de tenso do sinal, considerando a RL (carga) e RS (fonte):
RE // RL vi Zi
AvL
( RE // RL ) re vs R fonte Z i

vi Zi RE // RL
Avtotal AvL
vs R fonte Z i ( RE // RL ) re
6 APLICAOD DO MODELO
i
re
Ai o
Z i RB // (re RE )
5) Ganho de corrente do amplificador: ii
vi ie (re RE // RL ) [ R // (re RE )] ii
ii ie B
Z i RB // (re RE ) (re RE // RL )
v i ( RE // RL ) [ R // (re RE )] ii ( RE // RL )
io o e B
RL RL (re RE // RL ) RL
io [ R // (re RE )]( RE // RL ) [ RB // (re RE )]( RE // RL )
B Ai
ii (re RE // RL ) RL (re RE // RL ) RL

RE // RL
AvL
( RE // RL ) re
Zi
AiL AVL
RL
6 APLICAO EM CASCATA
5) Ganho de corrente do amplificador:
POLARIZAO DOS TRANSISTORES
EXERCCIOS:
LIVRO: Dispositivos Eletrnicos e Teoria de Circuitos -
BOYLESTAD, R.
Exerccios do Captulo 5:
Referente a anlises de circuitos usando as configuraes EC, BC e
CC.

Objetivo dos exerccios trabalhar seu entendimento e sanar


suas dvidas, ento faa-os e traga suas dvidas.