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Repblica Bolivariana De Venezuela

Ministerio Del Poder Popular Para La Defensa

Universidad Nacional Experimental Politcnica

De La Fuerza Armada Nacional

UNEFA - Edo. Cojedes

FOTODETECTORES

Profesora: Estudiantes:
Ing. Luisa Arocha Digenes Yhansi C.I.: 22599115
Madeleine Castillo C.I.: 17594417
Johnny Herrera C.I.: 25603141
Cindy Guanda C.I.: 20953230
7mo Semestre
Ing. De Telecomunicaciones

TINAQUILLO, MARZO DEL 2017

Comunicaciones pticas - FotodetectoresPgina 1


ndice

Introduccin............................................................................................................................3
Principios fsicos.....................................................................................................................4
Fotodiodos PIN.......................................................................................................................4
Fotodiodos de avalancha.........................................................................................................6
Ruido en fotodetectores..........................................................................................................7
Ruido del fotn....................................................................................................................7
Ruido del fotoelectrn.........................................................................................................7
Ruido del circuito receptor..................................................................................................7
Fuente de ruido........................................................................................................................7
Ruido de disparo..................................................................................................................8
Ruido trmico......................................................................................................................8
Respuesta temporal en un fotodiodo.......................................................................................8
Ruido de multiplicacin de avalancha....................................................................................9
Efecto de la temperatura de avalancha..................................................................................10
Comparacin de fotodetectores.............................................................................................12
Fotodetector PIN...............................................................................................................12
Fotodetectores de avalancha APD.....................................................................................13
Caractersticas...................................................................................................................13
Conclusiones.........................................................................................................................15

Comunicaciones pticas - FotodetectoresPgina 2


Introduccin

Las facilidades de diseo se extienden cada vez ms, y hoy es posible pensar en
sistemas fotodetectores a medida, en tecnologas estndar ya sea analgica o digital. El
presente trabajo trata sobre los fotodetectores como dispositivos que convierten una seal
de luz a una seal elctrica de voltaje o corriente. En muchos fotodetectores tales como
fotodiodos y fotoconductores esta conversin es tpicamente lograda por la creacin de
pares electrn-huecos, por la absorcin de fotones, esto es, la creacin de electrones en la
banda de conduccin y huecos en la banda de valencia. En algunos dispositivos como
detectores de fuego la energa de conversin implica la generacin de calor mediante el
incremento de la temperatura mediante calor que cambia su polarizacin y por lo tanto su
permisividad relativa.

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Principios fsicos

Un receptor ptico convierte la seal ptica proveniente de la fibra ptica en la seal


elctrica y recupera los datos transmitidos. Su elemento de entrada es el fotodetector, que
convierte la luz en corriente elctrica por medio del efecto fotoelctrico. Los receptores
pticos, en general, deben tener alta sensibilidad, respuesta rpida, bajos niveles de ruido,
bajo costo y una alta confiabilidad. En el caso de sistemas de fibra ptica. El rea
fotosensible del fotodetector debe ser comparable con el ncleo de una fibra. Los requisitos
antes mencionados son satisfechos de una mejor manera por detectores fabricados con base
en materiales semiconductores.

El proceso fundamental detrs de la fotodeteccin es la absorcin ptica. Para tales


efectos, participan conceptos bsicos tales como la responsividad de un detector, su
eficiencia cuntica y ancho de banda, los cuales son parmetros comunes en todos los
fotodetectores

Fotodiodos PIN

Para incrementar el ancho de la regin de agotamiento puede insertarse un estrato de


semiconductor puro (o ligeramente impurificado) entre las capas p y n. Como la capa
intermedia est hecha con un material casi intrnseco, esta estructura se conoce como
fotodiodo PIN. La estructura del dispositivo como la distribucin de campo elctrico
dentro de l al encontrarse bajo polarizacin inversa. La capa intermedia, por ser intrnseca,
presenta una mayor resistencia, y la mayor parte de la cada de voltaje ocurre a travs de
ella, existiendo por lo tanto un campo elctrico intenso en dicha capa i. La regin de
agotamiento se extiende a lo largo de la regin i, y su ancho G puede ser controlada
cambiando el grosor de la capa intermedia. La diferencia principal respecto al fotodiodo PN
es que la componente de arrastre (drift) de la fotocorriente domina sobre la componente de
difusin debido a que la mayor parte de la potencia ptica es absorbida en la regin i de un
fotodiodo PIN.

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El valor ptimo de G depende del canje entre la velocidad y la sensibilidad. La
Responsividad puede incrementarse al aumentar G. Sin embargo, la respuesta temporal
tambin crece, pues a los portadores les toma ms tiempo ser arrastrados por la regin de
agotamiento. Para semiconductores de banda prohibida indirecta como el Si y el Ge, G
debe ser entre 20 y 50 m para garantizar una buena eficiencia cuntica. El ancho de banda
de esos fotodiodos est entonces limitado por un tiempo de trnsito relativamente grande
(mayor a 200 ps). En cambio, G puede ser entre 3 y 5 m para fotodiodos hechos con
semiconductores de banda directa como el InGaAs. El tiempo de trnsito para estos
fotodiodos es del orden de 10 ps, el cual corresponde a un ancho de banda del orden de 10

tr RC
GHz si se utiliza la ecuacin (4.1.10) y se considera que es mucho mayor que

El desempeo de los fotodiodos PIN puede ser mejorado si se utilizan diseos de


heteroestructuras dobles. De manera similar al caso de los lseres semiconductores, la
regin i est rodeada por capas de revestimiento de tipo p y n de un material
semiconductor diferente cuya banda prohibida se escoge de tal manera que la luz sea
absorbida solamente en la capa intermedia i. Un fotodiodo usado comnmente en
comunicaciones pticas utiliza InGaAs para la capa media e InP para las capas p y n
circundantes. Debido a que la banda prohibida del InP es de 1.35 eV, este material es
transparente para ondas luminosas cuyas longitudes de onda exceden 0.92 m. En
contraste, la banda prohibida del material semiconductor con constante de red acoplada
InGaAs es de alrededor de 0.75 eV, teniendo entonces una longitud de onda de corte de
1.65 m. La capa media de InGaAs presenta una fuerte absorcin de luz en el rango de 1.3
a 1.6 m.

La componente de difusin de la fotocorriente es completamente eliminada ya que


los fotones son absorbidos exclusivamente dentro de la regin de agotamiento. La cara
frontal est generalmente recubierta de un dielctrico adecuado para minimizar las

reflexiones. La eficiencia cuntica puede hacerse casi de 100% mediante el uso de una

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capa dde InGaAs de entre 4 y 5 m de espesor. Estos dispositivos son usados ampliamente
de manera prctica en sistemas pticos de comunicaciones.

Fotodiodos de avalancha

Todos los detectores requieren una cierta corriente mnima para operar
correctamente, lo cual implica una potencia ptica incidente mnima necesaria

Pin=Ip R Los detectores con alta responsividad R son preferibles, ya que necesitarn

una menor potencia ptica para trabajar. La responsividad de un fotodiodo p-i-n y presenta
su mximo valor R = q/hf. Los fotodiodos de avalancha (avalanche photodiodes, APD)
pueden tener valores mucho mayores de R, ya que estn diseados para proveer una
ganancia interna de corriente de una manera similar a los tubos de fotomultiplicadores y
son utilizados cuando el nivel de potencia del que se dispone para el receptor es limitado.

El fenmeno fsico detrs de la ganancia interna de corriente es conocido como la


ionizacin por impacto. Bajo ciertas condiciones, un electrn que es acelerado puede
adquirir suficiente energa como para generar un nuevo par hueco electrn. El electrn
acelerado da una parte de su energa cintica a otro electrn en la banda de valencia que se
eleva a la banda de conduccin, dejando un hueco en la de valencia. El resultado de la
ionizacin por impacto es que un electrn primario, generado por la absorcin de un fotn,
da origen a muchos electrones y huecos secundarios, contribuyendo todos a la corriente del
fotodiodo. Un hueco primario puede tambin generar pares electrn hueco secundario que
contribuyan a la fotocorriente. La tasa de generacin est gobernada por dos parmetros,

e y h , llamados coeficientes de ionizacin por impacto de los electrones y de los

huecos, respectivamente. Sus valores numricos dependen del material semiconductor y del
campo elctrico que acelera a sus electrones y a los huecos.

Los APD difieren estructuralmente de los fotodiodos PIN en el hecho de que poseen
una capa adicional en la cual los pares hueco electrn se generan a travs del fenmeno
de ionizacin por impacto.. Bajo polarizacin inversa existe un fuerte campo elctrico en la

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capa tipo p insertada entre las capas tipo i y tipo n+. Esta capa es conocida como la capa o
regin de multiplicacin, ya que en ella se generan los pares secundarios a travs de la
ionizacin por impacto. La capa i sigue comportndose como la regin de agotamiento,
donde es absorbida la mayora de los fotones incidentes y son generados los pares electrn
hueco primarios. Los electrones en la regin i atraviesan la regin de ganancia y generan
pares electrn hueco secundarios responsables de la ganancia de corriente.

Ruido en fotodetectores

El fotodetector es un dispositivo que mide flujos de fotones. Idealmente, responde a


un flujo de fotones (potencia ptica P=hv ) generando una corriente elctrica
proporcional ip. Estos dispositivos generan una corriente elctrica aleatoria i, estas
fluctuaciones aleatorias, que se manifiestan como ruido. Si el fotodetector tiene un
mecanismo de ganancia, se amplifican tanto la seal como el ruido del fotoelectrn, y se
introduce tambin su propio ruido de ganancia. Muchas fuentes de ruido son inherentes en
el proceso de deteccin de los fotones. Algunas de ellas son las que se describen a
continuacin.

Ruido del fotn: la fuente ms fundamental de ruido est asociada con lasllegadas
aleatorias de fotones.

Ruido del fotoelectrn: para un detector de fotones con eficiencia cuntica <1, un
simple fotn genera un par fotoelectrn-hueco con probabilidad , pero no puede hacer con
tanta probabilidad 1-. Debido a la aleatoriedad inherente en este proceso de la generacin
de portador, sirve como una fuente de ruido.

Ruido del circuito receptor: varios componentes en un circuito elctrico de un


receptor ptico, como resistencias o transistores, contribuyen para el ruido del circuito
receptor.

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Fuente de ruido

En sistemas pticos, existen dos fuentes principales de ruido:

Ruido de Disparo
Ruido Trmico

Las fluctuaciones producidas por el ruido, obliga complementar la ecuacin que


relaciona potencia ptica y corriente generada en el receptor, de la siguiente forma:

R * Pin : Ip

R* Pin: Ip + i(t)

Ruido de disparo: Generado por la caracterstica aleatoria del movimiento y


generacin de portadores en la juntura PN del foto-receptor.

I (t): Ip + is (t)

Estadsticamente, la llegada de fotones es aleatoria. Cada fotn produce un


impulso de corriente, por lo tanto la densidad espectral bilateral del ruido de disparo,
queda determinada segn:

Ss (f): q * Ip (W/ Hz)

Ruido trmico: Generado por la caracterstica aleatoria del movimiento de los


electrones en un conductor, a una cierta temperatura. Es producido en los componentes
externos al foto-receptor. As, incluyndolo.

I (t): Ip + is (t)+ iT (t)

La corriente de ruido total puede ser obtenida sumando las contribuciones del ruido
de disparo y del ruido trmico. Puesto que is (t) e iT(t) son procesos aleatorios
independientes, la varianza total de las fluctuaciones de corriente

I=I-Ip = is (t) e iT(t)

Puede ser obtenida sumando las varianzas individuales.

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Respuesta temporal en un fotodiodo

En la respuesta temporal del fotodiodo, hay que considerar, en primer lugar, la


respuesta intrnseca, que tiene que ver con los parmetros del material y del dispositivo, y
corresponde al tiempo que tarda la fotocorriente en establecerse al iluminar
instantneamente el diodo. Por otra parte, hay que considerar la respuesta de circuito, ligada
al hecho de que el diodo tiene cierta capacidad y est en un circuito elctrico que incluye
una resistencia de carga. En la respuesta intrnseca, a su vez, hay que tener en cuenta dos
tiempos:

a) Tiempo de vida medio de los portadores minoritarios, que determina el


establecimiento y desaparicin de la concentracin de portadores minoritarios en la zona P.

b) Tiempo de trnsito, que es el tiempo que tardan los portadores en atravesar la


zona de carga de espacio.

Va a ser un parmetro decisivo cuando la radiacin incidente vara en el tiempo. Es


un dato que tambin aparece especificado por los fabricantes para cada dispositivo
particular, aunque en general podemos decir que los fotodiodos y sus variantes van a ser
ms rpidos que los fotoconductores, siempre tendremos que referirnos a los datos de las
hojas de caractersticas.

La rapidez en la respuesta a las variaciones del flujo de fotones recibido depender


del propio material, de las caractersticas constructivas del componente y del circuito
electrnico al que se encuentre acoplado

Ruido de multiplicacin de avalancha

Este fenmeno ocurre con tensiones inversas elevadas en una unin pn, los
electrones libres se aceleran a velocidades tan altas que son capaces de desalojar a los
electrones de valencia. Cuando se produce esta situacin, los electrones de valencia se
convierten en electrones libres que desalojan a otros electrones de valencia.

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Los diodos admiten unos valores mximos en las tensiones que se les aplican, existe
un lmite para la tensin mxima en inversa con que se puede polarizar un diodo sin correr
el riesgo de destruirlo.

Por ejemplo:

A la tensin en la que la IR aumenta de repente, se le llama "Tensin de Ruptura"


(VRuptura). A partir de este valor IR es muy grande y el diodo se estropea. En el diodo ha
ocurrido el "Efecto Avalancha" o "Ruptura por Avalancha".

Efecto Avalancha = Ruptura por Avalancha = Multiplicacin por Avalancha

Aumenta la tensin inversa y con ella la z.c.e.: Zona de Carga Espacial o zona de
deplexin

Ocurre lo siguiente dentro del diodo:

Justo en el lmite antes de llegar a Ruptura, la pila va acelerando a los electrones. Y


estos electrones pueden chocar con la red cristalina, con los enlaces covalentes. Choca el
electrn y rebota, pero a VRuptura la velocidad es muy grande y por ello la Ec es tan
grande que al chocar cede energa al electrn ligado y lo convierte en libre. El electrn
incidente sale con menos velocidad que antes del choque. O sea, de un electrn libre
obtenemos dos electrones libres.

Estos 2 electrones se aceleran otra vez, pueden chocar contra otro electrn de un
enlace covalente, ceden su energa... y se repite el proceso y se crea una Multiplicacin por
Avalancha.

Y ahora IR ha aumentado muchsimo, tenemos una corriente negativa y muy grande


(-100 mA). Con esta intensidad el diodo se estropea porque no est preparado para trabajar
a esa IR.

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Efecto de la temperatura de avalancha

La sensibilidad de un fotodiodo de avalancha es fuertemente dependiente de la


temperatura. El factor de multiplicacin por avalancha se ve afectado o por los cambios
trmicos por lo que es conveniente mantener al fotodiodo a una temperatura estable si
queremos que su sensibilidad no cambie. Tambin puede cambiarse el factor de
multiplicacin para diferentes temperaturas pero con el consiguiente cambio trmico y la
aparicin de procesos de envejecimiento. La estabilidad en la seal de salida tambin
implica el uso de amplificadores conformadores de onda basados en la comparacin por
umbral. Si los niveles de la seal detectada no superan un umbral, la seal no es aceptada
para su procesamiento.

Los fotodiodos de avalancha (APDs) son fotodetectores que se pueden considerar


como el equivalente semiconductor de los fotomultiplicadores. Aplicando un alto voltaje en
inversa (tpicamente 100-200 V en silicio), los APD muestran un efecto interno de ganancia
de corriente (aproximadamente 100) debido a la ionizacin de impacto (Efecto avalancha).
Sin embargo, algunos APD de silicio emplean un dopaje alternativo y otras tcnicas que
permiten aplicar un voltaje mayor (> 1500 V) antes de alcanzar el efecto de avalancha y,
por tanto, una ganancia mayor (> 1000). En general, cuanto mayor es el voltaje en inversa,
mayor es la ganancia. Entre las distintas expresiones para el factor de multiplicacin de los
APD (M), una expresin instructiva viene dada por la frmula

1
M= L
1 ( x ) dx
0

Donde L es el lmite del espacio de carga para los electrones y A= r 2 es el

coeficiente de multiplicacin de los electrones (y agujeros). Este coeficiente tiene una


fuerte dependencia de la intensidad del campo elctrico aplicado, de la temperatura, y del
perfil de dopaje. Puesto que la ganancia de los APD vara fuertemente con la tensin en
inversa aplicada y con la temperatura, es necesario controlar esta tensin en inversa para
obtener un valor estable de ganancia. Los fotodiodos de avalancha son, por lo tanto, ms
sensibles que otros fotodiodos semiconductores.
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Si se requiere una ganancia muy alta (de 10 5 a 106), algunos APDs pueden operar
con una tensin en inversa por encima de la tensin de ruptura. En este caso, el APD
necesita tener la corriente limitada y disminuida rpidamente. Se han utilizado tcnicas
activas y pasivas de control de intensidad con este propsito. Los APD que operan en este
rgimen de ganancia estn en modo Geiger. Este modo es particularmente til para la
deteccin de fotones aislados suponiendo que la corriente de oscuridad sea lo
suficientemente baja. Formando una matriz con centenares o miles de APDs se construye
un fotomultiplicador de silicio.

Una aplicacin tpica de los APD es el telmetro laser y la telecomunicacin de


larga distancia por fibra ptica. Nuevas aplicaciones incluyen la tomografa por emisin de
positrones, la fsica de partculas y la fsica de astropartculas. Los arrays de APD estn
empezando a estar disponibles comercialmente.

La utilidad y aplicabilidad de los APD depende de muchos parmetros. Algunos de


los ms importantes son: eficiencia cuntica, que es un indicador de cunto son absorbidos
los fotones incidentes y usados para generar portadoras de carga primarias, la corriente total
de fugas, que es la suma de la corriente de oscuridad, fotocorriente y ruido de oscuridad.
Las componentes del ruido de oscuridad electrnico estn en serie y en paralelo. El ruido en
serie, que es el efecto del ruido de disparo, es proporcional a la capacitancia del APD,
mientras que el ruido en paralelo se asocia con las fluctuaciones de la corriente de
superficie. Otra fuente de ruido es el exceso del factor de ruido (F). Describe el ruido
estadsticamente inherente al proceso de multiplicacin estocstico del APD.

Comparacin de fotodetectores

Los principales tipos de receptores son: Fotodetectores PIN y Fotodetectores de


avalancha APD cada uno con particularidades tanto materiales como practicas y
econmicas. A continuacin se pasara a estos dos fotodetectores con sus caractersticas ms
importantes en comparacin del uno con el otro.

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Fotodetector PIN

El fotodiodo PIN es el detector ms utilizado en los sistemas de comunicacin


ptica. Es relativamente fcil de fabricar, altamente fiable, tiene bajo ruido y es compatible
con circuitos amplificadores de tensin. Adems es sensible a un gran ancho de banda
debido a que no tiene mecanismo de ganancia.

El diodo PIN se compone bsicamente de unas zonas p y n altamente conductoras


junto a una zona intrnseca poco conductiva. Los fotones entran en la zona intrnseca
generando pares electrn-hueco. El diodo se polariza inversamente para acelerar las cargas
presentes en la zona intrnseca, que se dirigen a los electrodos. Donde aparece como
corriente. El proceso es rpido y eficiente. Como no hay mecanismo de ganancia, la
mxima eficiencia es la unidad y el producto ganancia por ancho de banda coincide con
esta ltima.

Entre los diodos APD y PIN, este ltimo es el ms utilizado como detector de luz en
los sistemas de comunicaciones por fibra ptica.

Este diodo est conformado por una capa intrnseca, casi pura, de material
semiconductor, introducida entre la unin de dos capas de materiales semiconductores tipo
n y p.

Fotodetectores de avalancha APD


Los APD tambin son diodos polarizados en inversa, pero en este caso las tensiones
inversas son elevadas, originando un fuete campo elctrico que acelera los portadores
generados, de manera que estos colisionas con otros tomos del semiconductor y generan
,as pares electrn-hueco. Esta ionizacin por impacto determina la ganancia de avalancha.

La ganancia de un APD tiene influencia sobre el ancho de banda. El mximo ancho


de banda se da para ganancia 1. Con ganancias ms elevadas, el ancho de banda se reduce
debido al tiempo necesario para que se forme la fotoavalancha.

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Este diodo est conformado por una capa intrnseca, casi pura, de material
semiconductor, introducida entre la unin de dos capas de materiales semiconductores tipo
n y p.

Caractersticas

Costo: Los diodos APD son ms complejos y por ende ms caros

Vida: Los diodos PIN presentan tiempos de vida til superiores

Temperatura: Los diodos APD son ms sensibles a las variaciones de temperatura

Velocidad: Los diodos APD poseen velocidades de respuesta mayores, por lo tanto
permiten la transmisin de mayores tasas de informacin.

Circuitos de polarizacin: Los diodos PIN requieren circuitos de polarizacin ms


simples, pues trabajan a menores tensiones.

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Conclusiones

Se present una visin bsica sobre fotodiodos y su aplicacin a sistemas


fotodetectores integrados, ya sea sensores o diversos dispositivos digitales. En este sentido
se plante tambin las dificultades que existen en el procesamiento de la seal, y la
estructura que se utilizan en los desarrollos modernos para solucionarlas. Las
comunicaciones pticas es el rea que ms est evolucionando en los ltimos tiempos y
esto a pesar de que an no existen los componentes pticos que nos permitan explotar al
mximo todas las posibilidades que nos ofrecen estas comunicaciones.

Los APD son ms sensibles que los diodos PIN y requieren de menos amplificacin
adicional. Las desventajas de los APD son los tiempos de transicin, relativamente
largos y ruido adicional internamente generado, debido al factor de la multiplicacin
de avalancha.
Los receptores PIN y APD segn el material que se use varia las caractersticas de
los mismos dando como resultado diferentes tipos de longitudes de onda.
Los receptores PIN y APD tambin sirve para demostrar en que ventana de trabajo
las longitudes de onda se encuentran.

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