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FOTODETECTORES
Profesora: Estudiantes:
Ing. Luisa Arocha Digenes Yhansi C.I.: 22599115
Madeleine Castillo C.I.: 17594417
Johnny Herrera C.I.: 25603141
Cindy Guanda C.I.: 20953230
7mo Semestre
Ing. De Telecomunicaciones
Introduccin............................................................................................................................3
Principios fsicos.....................................................................................................................4
Fotodiodos PIN.......................................................................................................................4
Fotodiodos de avalancha.........................................................................................................6
Ruido en fotodetectores..........................................................................................................7
Ruido del fotn....................................................................................................................7
Ruido del fotoelectrn.........................................................................................................7
Ruido del circuito receptor..................................................................................................7
Fuente de ruido........................................................................................................................7
Ruido de disparo..................................................................................................................8
Ruido trmico......................................................................................................................8
Respuesta temporal en un fotodiodo.......................................................................................8
Ruido de multiplicacin de avalancha....................................................................................9
Efecto de la temperatura de avalancha..................................................................................10
Comparacin de fotodetectores.............................................................................................12
Fotodetector PIN...............................................................................................................12
Fotodetectores de avalancha APD.....................................................................................13
Caractersticas...................................................................................................................13
Conclusiones.........................................................................................................................15
Las facilidades de diseo se extienden cada vez ms, y hoy es posible pensar en
sistemas fotodetectores a medida, en tecnologas estndar ya sea analgica o digital. El
presente trabajo trata sobre los fotodetectores como dispositivos que convierten una seal
de luz a una seal elctrica de voltaje o corriente. En muchos fotodetectores tales como
fotodiodos y fotoconductores esta conversin es tpicamente lograda por la creacin de
pares electrn-huecos, por la absorcin de fotones, esto es, la creacin de electrones en la
banda de conduccin y huecos en la banda de valencia. En algunos dispositivos como
detectores de fuego la energa de conversin implica la generacin de calor mediante el
incremento de la temperatura mediante calor que cambia su polarizacin y por lo tanto su
permisividad relativa.
Fotodiodos PIN
tr RC
GHz si se utiliza la ecuacin (4.1.10) y se considera que es mucho mayor que
reflexiones. La eficiencia cuntica puede hacerse casi de 100% mediante el uso de una
Fotodiodos de avalancha
Todos los detectores requieren una cierta corriente mnima para operar
correctamente, lo cual implica una potencia ptica incidente mnima necesaria
Pin=Ip R Los detectores con alta responsividad R son preferibles, ya que necesitarn
una menor potencia ptica para trabajar. La responsividad de un fotodiodo p-i-n y presenta
su mximo valor R = q/hf. Los fotodiodos de avalancha (avalanche photodiodes, APD)
pueden tener valores mucho mayores de R, ya que estn diseados para proveer una
ganancia interna de corriente de una manera similar a los tubos de fotomultiplicadores y
son utilizados cuando el nivel de potencia del que se dispone para el receptor es limitado.
huecos, respectivamente. Sus valores numricos dependen del material semiconductor y del
campo elctrico que acelera a sus electrones y a los huecos.
Los APD difieren estructuralmente de los fotodiodos PIN en el hecho de que poseen
una capa adicional en la cual los pares hueco electrn se generan a travs del fenmeno
de ionizacin por impacto.. Bajo polarizacin inversa existe un fuerte campo elctrico en la
Ruido en fotodetectores
Ruido del fotn: la fuente ms fundamental de ruido est asociada con lasllegadas
aleatorias de fotones.
Ruido del fotoelectrn: para un detector de fotones con eficiencia cuntica <1, un
simple fotn genera un par fotoelectrn-hueco con probabilidad , pero no puede hacer con
tanta probabilidad 1-. Debido a la aleatoriedad inherente en este proceso de la generacin
de portador, sirve como una fuente de ruido.
Ruido de Disparo
Ruido Trmico
R * Pin : Ip
R* Pin: Ip + i(t)
I (t): Ip + is (t)
La corriente de ruido total puede ser obtenida sumando las contribuciones del ruido
de disparo y del ruido trmico. Puesto que is (t) e iT(t) son procesos aleatorios
independientes, la varianza total de las fluctuaciones de corriente
Este fenmeno ocurre con tensiones inversas elevadas en una unin pn, los
electrones libres se aceleran a velocidades tan altas que son capaces de desalojar a los
electrones de valencia. Cuando se produce esta situacin, los electrones de valencia se
convierten en electrones libres que desalojan a otros electrones de valencia.
Por ejemplo:
Aumenta la tensin inversa y con ella la z.c.e.: Zona de Carga Espacial o zona de
deplexin
Estos 2 electrones se aceleran otra vez, pueden chocar contra otro electrn de un
enlace covalente, ceden su energa... y se repite el proceso y se crea una Multiplicacin por
Avalancha.
1
M= L
1 ( x ) dx
0
Comparacin de fotodetectores
Entre los diodos APD y PIN, este ltimo es el ms utilizado como detector de luz en
los sistemas de comunicaciones por fibra ptica.
Este diodo est conformado por una capa intrnseca, casi pura, de material
semiconductor, introducida entre la unin de dos capas de materiales semiconductores tipo
n y p.
Caractersticas
Velocidad: Los diodos APD poseen velocidades de respuesta mayores, por lo tanto
permiten la transmisin de mayores tasas de informacin.
Los APD son ms sensibles que los diodos PIN y requieren de menos amplificacin
adicional. Las desventajas de los APD son los tiempos de transicin, relativamente
largos y ruido adicional internamente generado, debido al factor de la multiplicacin
de avalancha.
Los receptores PIN y APD segn el material que se use varia las caractersticas de
los mismos dando como resultado diferentes tipos de longitudes de onda.
Los receptores PIN y APD tambin sirve para demostrar en que ventana de trabajo
las longitudes de onda se encuentran.