Biofisica5 PDF

Biofsica
Potencial de repouso e equao de GHK

Prof. Dr. Walter F. de Azevedo Jr.
2010 Dr. Walter F. de Azevedo Jr.

azevedolab.net
Neurnio
O neurnio uma clula nucleada,
apresenta diversos dendritos que
Corpo celular
possibilitam sua conexo com outros
Dendritos
neurnios e um terminal nico e longo,
chamado axnio. O axnio responsvel Ncleo
pela transmisso do impulso nervoso para
clulas ps-sinptica. O neurnio
Axnio
apresenta uma estrutura caracterstica no
corpo celular, chamada cone de
implantao, que responsvel pela
Cone de implantao
soma dos impulsos nervosos e pelo
disparo de uma resposta, chamada
Terminais axonais
potencial de ao. O potencial de ao Direo do
propaga-se ao longo do axnio at os impulso
terminais axonais.
Potencial de repouso
O neurnio quando est em repouso no gera nenhuma reposta no seu axnio,
mantendo um potencial negativo com relao ao meio exterior. Esta tenso resultado
da ao conjunta da bomba de Na+/K+ e do canal de K+. A ao da bomba de Na+/K+
tem como resultado lquido o envio de 3 ons de Na+ para o meio extracelular e 2 ons
de K+ para o meio intracelular, com gasto de uma molcula de ATP (adenosina
trifosfato). Aproximadamente um tero do ATP gasto pela clula usado pela bomba
Na+/K+ para manter este fluxo inico. O canal de K+ permite que o excesso de K+ seja
expelido da clula, sem gasto de ATP. A ao conjunta das duas protenas intrnsecas
leva a uma perda de carga positiva pela clula, causando o aparecimento de um
potencial negativo no meio intracelular, este potencial chamado de potencial de
repouso, pois no precisamos de estmulo externo para ger-lo.
K+
Na+

Meio extracelular
Bomba Canal
de de
Na+/K+ K+
Citoplasma
K+
Como j vimos, a membrana pode ser modelada como um circuito RC, na situao
passiva, ou seja, sem estmulos suficientes para disparos de potenciais de ao. Na
situao de descarga do capacitor a carga eltrica (Q) dada pela equao abaixo. O
grfico da variao da carga eltrica com o tempo indica um decrescimento
exponencial, tal caracterstica comum em fenmenos naturais, como decaimento
radioativo. Toda vez que temos uma taxa de diminuio de uma grandeza proporcional
prpria grandeza temos um decaimento exponencial, da mesma forma, quando temos
a taxa de crescimento proporcional grandeza temos um crescimento exponencial. O
produto RC tem dimenses de tempo e recebe o nome de constante de tempo , o
tempo necessrio para que a carga eltrica Q diminua a 1/e do seu valor inicial, ou seja,
1/2,710,37 de Qo.
Qo
t


Q Qo e RC
Carga eltrica
t

Como =RC, temos: Q Qo e
Tempo
Considerando-se um capacitor de placas planas e paralelas temos que a capacitncia
(C) dada pela seguinte expresso:
A
C
d
onde A a rea da placas, d a distncia entre placas e a permissividade eltrica, que
uma caracterstica do meio. No caso do ar (e vcuo) = o . A figura abaixo ilustra
alguns parmetros usados para o clculo da capacitncia.

+Q
C2
o 8,85.10 12 2
.
N .m
-Q
A permissividade eltrica pode ser expressa em funo da permissividade eltrica no ar
(o), como segue:
= o
onde a constante dieltrica do meio. Para membrana celular temos valores tpicos
de 2 a 10, sendo a constante dieltrica uma grandeza fsica adimensional, como o
coeficiente de atrito. O meio entre as placas do capacitor chamado de dieltrico.
++++++++++++++++++++++++

+Q
-Q
------------------------
Capacitor de placa planas e paralelas Modelo de membrana
No caso da membrana celular como capacitor temos valores tpicos de capacitncia de
0,01 pF/m2, ou seja, para uma rea de 1 m2 temos 0,01 pF (0,01 x 10-12 F) de
capacitncia. Para permissividade eltrica temos um valor tpico de 7 o , ou seja, a
constante dieltrica 7, a partir desses valores podemos determinar a espessura
esperada para a membrana e a carga eltrica acumulada por m2 como segue:
A A
C d
d C
Para A = 1 m2 = 10-12 m2 temos:
2 12 2
A 12 C 10 m 10
d 7.8,85.10 2
. 12
61,95.10 m
C N .m 0,01.10 F

d 61,95.10 10 m 61,95
e a carga por m2 Q = CV = 0,01.10-12 F. 60.10-3 V = 6.10-16 C
Q = 6.10-16 C por m2
Campo eltrico (E) a regio do espao sujeita ao de foras eltricas. Vamos
considerar o campo eltrico E gerado na regio entre as placas do capacitor, como
mostrado na figura abaixo. Este campo constante e aponta da placa positiva para a
negativa, e dado pela seguinte equao:

E

onde a densidade superficial de carga eltrica, dado por =Q/A . A partir do campo
eltrico E podemos determinar a diferena de potencial entre as placas (V), como
segue:
y

0 +Q
V d

x
E
-Q
-d
No caso de uma membrana com constante dieltrica de 10 e espessura de 60 e uma
carga eltrica para cada quadrado com 200 de lado, podemos determinar o potencial
de membrana, o campo eltrico no interior da membrana e a fora eltrica ao qual
submetido um on de Na+ que encontra-se no interior da membrana, como segue:
1) Inicialmente determinamos a densidade superficial de carga eltrica ().

10 16 Q 1,6.10 19 C 4
A (200.10 m) 4.10
2
m
2
4.10 C / m 2
A 4.10 16 m 2
2) Depois calculamos o potencial de repouso (V).
d 4 C 60.10 10 m 2
V 4.10 . 2,71.10 V 27,1mV
12 2

2 2
m 10.8,85.10 C /( Nm )
3) Determinamos o campo eltrico (E).
4.10 4 C / m 2
E 0,04519.10 8
V / m 4,519.10 6
V /m
10.8,85.10 C /( Nm )
12 2 2
4) E por ltimo a fora (F).
F qE 1,6.10 19 C.4,519.10 6 V / m 7,23.10 13 N

A membrana celular de neurnios
apresenta um potencial de repouso tpico
na faixa de -100 a 55 mV, para
simplificarmos os clculos vamos
considerar um potencial de repouso de F
Meio extracelular
Meio intracelular
60 mV, e uma membrana com espessura
de 60 , como ilustrado na figura ao lado.
E
Nesta situao temos um campo eltrico E
= V/d = 60mV/60 = 107 V/m, assim ons
de sdio e potssio experimentam uma
fora eltrica no interior da membrana de F V(mV)
60 X()
= qE = 1,6.10-19C.107 V/m = 1,6.10-12 N,

0
bem acima da fora peso sofrida por um
on monovalente. A variao do potencial
eltrico, ao longo do eixo x, perpendicular
membrana, mostrado na linha azul do
grfico ao lado.
-60
Equao de GHK
Considere a composio do msculo esqueltico de r, indicada abaixo. O
potencial de membrana resultado da ao de todos os ons presentes no
sistema. Vamos usar a equao de Nernst para fazer uma estimativa do
potencial de repouso. Como temos a contribuio de 4 ons diferentes na
membrana calcularemos o potencial para cada um deles.
on Concentrao Concentrao Relao Potencial
inica inica [on]fora de
intracelular extracelular /[I]dentro repouso
[on]dentro (mM) [on]fora (mM) Vr (mV)
Ca++ 10-4 2 20.000 ?

Cl- 5 120 24 ?
K+ 150 4 0,0266. ?
Na+ 15 145 9,666. ?
[on]fora
Vr = (58 mV) log ( )
[on]dentro
Equao de GHK
A soma dos potenciais de cada on poderia ser uma boa estimativa do
potencial de repouso, para isto temos que somar os potenciais da ltima
coluna.
on Concentrao Concentrao Relao Potencial

inica inica [on]fora de
intracelular extracelular /[I]dentro repouso
[on]dentro (mM) [on]fora (mM) Vr (mV)
Ca++ 10-4 2 20.000 124,73

Cl- 5 120 24 80,05
K+ 150 4 0,0266. -91,30
Na+ 15 145 9,666. 57,15
170,63 de -85 a
-95 mV
Qual a razo para a diferena entre o valor calculado e o esperado?

Equao de GHK
A aplicao da equao de Nernst, para determinar o potencial de repouso devido
presena de diversos ons, inadequada, pois a membrana celular apresenta
permeabilidade distinta para cada on, devido aos diferentes tipos de canais presentes
na membrana celular. A anlise da permeabilidade levou a uma equao mais
realstica, como a desenvolvida por Goldman (1941) e Hodgkin & Katz (1949). Na
equao os termos PNa , PK e PCl so as permeabilidades dos ons de Na, K e Cl
respectivamente. Como a permeabilidade para os outros ons desprezvel,
comparadas s do Na, K e Cl, para as condies do potencial de repouso, os termos
referentes aos outros ons no so includos na equao.

PNa [Na]fora + PK[K]fora + PCl[Cl]dentro
Vr = (58 mV) log ( )
PNa [Na]dentro + PK[K]dentro + PCl[Cl]fora
Equao de GHK
on Concentrao Concentrao Permeabilidade

inica intracelular inica extracelular inica (cm/s)
[on]dentro (mM) [on]fora (mM)
Cl- 5 120 1.10-8
K+ 150 4 5.10-7
Na+ 15 145 5.10-9
Fonte: Garcia, E. A. C. Biofsica. Editora Savier, 2000 (pg. 10). e

http://employees.csbsju.edu/hjakubowski/classes/ch331/signaltrans/tableionpermeabcells.htm

Vr = (58 mV) log ( )
Aplicando-se a equao GHK temos: Vr = -83,5 mV, bem prximo ao valor
determinado experimentalmente (de -85 a -95 mV).
Equao de GHK
Como vimos anteriormente, canais inicos so responsveis pelo trfego de
informaes entre o meio extracelular e intracelular. A informao aqui representada
por ons (sdio e potssio). A ao da bomba de sdio e potssio leva a uma
concentrao de ons de sdio no meio extracelular e uma concentrao de ons de
potssio no meio intracelular. Esse processo ocorre s custas de gasto energtico,
obtido da molcula de ATP (Adenosina Tri-Fosfato). Para a clula atingir o potencial de
repouso, com dezenas de mV negativos, com relao ao meio extracelular, faz-se
necessrio a sada de ons de potssio. Tal sada ocorre atravs do canal de potssio,
que leva a clula ao seu potencial de repouso (aproximadamente -70 mV). O potencial
de membrana pode ser determinado a partir do conhecimento das concentraes
inicas e das permeabilidades inicas e o uso da equao de GHK, indicada abaixo.

Vr = (58 mV) log ( )
Equao de GHK
Como exerccio considere a tabela abaixo e calcule o potencial de repouso aplicando a
equao GHK.

Cl- 5 120 1.10-8
K+ 150 4 5.10-7
Na+ 15 145 5.10-9

Vr = (58 mV) log ( )
Equao de GHK
Cl- 5 120 1.10-8
K+ 150 4 5.10-7 50.10-8
Na+ 15 145 5.10-9 0,5.10-8
0,5.10-8[145] + 50.10-8[4]+10-8[5]
Vr = (58 mV) log ( )
0,5.10-8[15] + 50.10-8 [150] +10-8 [120]

0,5.[145] + 50.[4]+[5]
Vr = (58 mV) log ( )
0,5[15] + 50[150] +[120]
Equao de GHK
72,5 + 200 + 5
Vr = (58 mV) log ( )
7,5 + 7500 +120
277,5
Vr = (58 mV) log ( )
7627,5

Vr = (58 mV) log (0,03638)
Equao de GHK
Vr = (58 mV) (-1,439)
Vr = -83,5 mV
Este valor est bem prximo ao determinado

experimentalmente, na faixa de -85 a -95 mV, o

que indica a adequao da equao de GHK.
Interaes intermoleculares
No estudo de biofsica as principais interaes intermoleculares (indicadas em
vermelho) envolvem interaes entre macromolculas ou entre macromolculas e
pequenas molculas. Nas interaes intermoleculares tem que haver proximidade entre
as partes em contato. As quatro principais macromolculas biolgicas so: lipdios,
protenas, carboidratos e cidos nuclicos. De longe os mais estudados so as
protenas e os cidos nuclicos, que j vimos em aulas anteriores.
Pequena
molcula

Macromolcula 1
Macromolcula
Macromolcula 2
Vamos determinar a distncia interatmica a partir das coordenadas
atmicas. A figura da estrutura tridimensional do aminocido alanina foi
gerada a partir das coordenadas atmicas armazenadas num arquivo PDB.
Para cada tomo mostrado na figura temos uma posio atmica no arquivo
PDB.
Arquivo PDB para o aminocido alanina.
HETATM 1 N ALA 001 -0.541 1.336 -2.425
HETATM 2 CA ALA 001 0.178 0.132 -2.236
HETATM 3 C ALA 001 1.399 0.101 -3.155
HETATM 4 O ALA 001 2.606 -0.060 -2.668
HETATM 5 H ALA 001 -0.396 1.923 -1.614
HETATM 6 O ALA 001 1.116 0.235 -4.429
HETATM 7 H ALA 001 -1.557 1.207 -2.555

HETATM 8 H ALA 001 0.597 0.213 -1.219
HETATM 9 CB ALA 001 -0.751 -1.285 -2.203
HETATM 10 H ALA 001 -1.525 -1.287 -1.557
HETATM 11 H ALA 001 -0.255 -2.141 -2.003
HETATM 12 H ALA 001 -1.166 -1.414 -3.112
HETATM 13 H ALA 001 -0.173 1.800 -3.246
END
Temos uma relao biunvoca, para cada tomo no arquivo PDB temos um
tomo na estrutura. A figura abaixo mostra as coordenadas atmicas para os
tomos da figura, exceto os hidrognios.
HETATM 9 CB ALA 001 -0.751 -1.285 -2.203
HETATM 4 O ALA 001 2.606 -0.060 -2.668
HETATM 3 C ALA 001 1.399 0.101 -3.155
HETATM 6 O ALA 001 1.116 0.235 -4.429

HETATM 2 CA ALA 001 0.178 0.132 -2.236
HETATM 1 N ALA 001 -0.541 1.336 -2.425

Distncia interatmica (r). As coordenadas atmicas, apresentadas nos
arquivos PDB, permitem a determinao direta de diversos parmetros
estruturais, tais como, distncias, ngulos e ngulos de toro. Para o clculo
da distncia entre dois tomos (interatmica), i e j, de coordenadas (X, Y, Z)
usamos a seguinte equao:
r = [ (Xj Xi )2 + (Yj Yi )2 + (Zj Zi )2 ]1/2
Usando-se as coordenadas atmicas de um arquivo PDB para um par de

tomos teremos a distncia em (10-10 m).
Como aplicao consideremos a distncia entre o N e o CA da estrutura
abaixo.
r = [ (Xj Xi )2 + (Yj Yi )2 + (Zj Zi )2 ]1/2

HETATM 2 CA ALA 001 0.178 0.132 -2.236
HETATM 1 N ALA 001 -0.541 1.336 -2.425

Substituindo-se os valores temos:
r = [ (-0,541 0,178 )2 + (1,336 0,132 )2 + (-2,425 (-2,236) )2 ]1/2
r = [ (-0,719 )2 + (1,204 )2 + (-0,189 )2 ]1/2

r = [ 0,517 + 1,450 + 0,036 ]1/2
r = [ 2,003 ]1/2 = 1,42

HETATM 2 CA ALA 001 0.178 0.132 -2.236
HETATM 1 N ALA 001 -0.541 1.336 -2.425

Van der Waals
a interao devido proximidade entre tomos e envolve regies no polares das
molculas. As nuvens eletrnicas dos tomos passam a interagir por causa do dipolo
que surge na nuvem eletrnica do tomo. Este dipolo devido s caractersticas
qunticas do sistema, onde a indeterminao da posio do eltron leva possibilidade
de num dado instante termos um eltron numa posio favorvel formao de um
dipolo eltrico. Este dipolo pode interagir com a nuvem eletrnica de um tomo prximo.
Esta interao relativamente fraca e de curto alcance.

RVDW RVDW
tomos muito prximos permitem uma interao entre as nuvens eletrnicas, o que causa a fora
de van der Waals. Quando a distncia menor que a soma dos raios de van der Waals (Rvdw) a
repulso surge entre os tomos.
Van der Waals
A funo que descreve o potencial de Lennard-Jones mostrada abaixo. O potencial
est em funo da distncia entre dois tomos no ligados covalentemente, indicado
por rij. Temos dois termos no potencial. O primeiro (Aij) representa a repulso entre os
tomos, quando estes esto prximos. O segundo termo (Bij) representa a atrao.
Para cada par de tomos temos valores distintos de Aij e Bij . A somatria feita para
todos os tomos considerados no sistema. Na implementao computacional desta
equao normalmente usamos um valor de corte para distncia, ou seja, pares de
tomos que esto a uma distncia maior que um dado valor no so considerados no
clculo. Um valor tpico de 5 .

Aij Bij
Evdw 12 6
ij rij r
ij
Van der Waals
Uma representao equivalente do potencial de Lennard-Jones dada pela equao
abaixo. Nesta equao s e dependem do meio e so normalmente tabeladas para
diferentes pares ij de tomos.
s 12
sij
6
ij
Evdw 4 ij
rij rij
ij

A interao mais forte quando a distncia entre os tomos igual soma dos raios
de van der Waals. A expresso de Lennard-Jones para dois tomos a seguinte:
s 12 s 6

Evdw 4
r r

A expresso da distncia interatmica (r) para o mnimo de energia de van der Waals
depende s do termo s.
r s6 2
r 1,1225.s
Van der Waals
Como ilustrao vamos considerar um sistema formado por dois tomos de hlio, tal
sistema tem s = 2,58 e = 14,1036 x 10-23 J, o grfico da energia de vdw para estes
valores mostrado abaixo. Para estes valores o rmin = 1,1225.2,58 = 2,896
Rmin = 2,896

Mnimo de energia
Ligaes de H
Esta interao de origem eletrosttica, onde ocorre o compartilhamento de um H entre
tomos no ligados covalentemente. J estudamos esta interao no estudo de
estruturas de protenas. A ligao de hidrognio pode ocorrer entre molculas
diferentes. Por exemplo, quando molculas de gua interagem com a superfcie de uma
protena interagem por meio de ligaes de H. Numa ligao de hidrognio temos
sempre um tomo doador de H e um aceitador de H. Na verdade no h transferncia
do H do doador para o aceitador, e sim um ao eletrosttica do prton (H) sobre o
aceitador. Na figura abaixo o oxignio o aceitador e o nitrognio o doador. A
distncia entre o doador e o aceitador (r) varia entre 2,5 a 3,4 .

N H O C
Doador Aceitador
Ligaes de H
Umas das principais motivao para o
estudo estrutural de protena identificar
a interao da protena com possveis
ligantes. Tal estudo base para identificar
stios ativos de enzimas, bem como para
o entendimento das bases estruturais da
afinidade de determinado ligante por uma
protena. A especificidade de um ligante
por uma protena determinado por
fatores como complementaridade de
forma e carga, entre protena e ligante,

bem como pelo padro de ligaes de
hidrognio. Para a anlise do padro de
ligao de hidrognio precisamos
determinar a distncia entre os tomos do
ligante com os tomos da protena. PDB access code: 1ENY
Dessen et al., Science 267: 1638-1641, 1995.
Ligaes de H
Nem todos os tomos participam de ligaes de hidrognio. Restringindo-se s
ligaes mais fortes temos, nos slides a seguir, os grupo funcionais nas cadeias
laterais de protenas que podem participar de ligaes de hidrognio
intermoleculares. Alm da cadeia lateral, o oxignio da carbonila da cadeia principal
pode atuar como aceitador de hidrognio, o nitrognio da cadeia principal pode
atuar tanto como doador de hidrognio como aceitador. Para determinar a distncia
das ligaes interatmicas usamos a equao abaixo, onde o ndice i indica os
tomos do ligante e o ndice j os tomos da protena. X,Y e Z indicam as
coordenadas atmicas dos tomos. A partir da aplicao dessa equao podemos
determinar todos os contatos interatmicos, usando critrios de corte, normalmente
usamos como valor mximo para um ligao de hidrognio 3,4 .

r = [ (Xj Xi )2 + (Yj Yi )2 + (Zj Zi )2 ]1/2
Doadores de ligao de hidrognio
Lys Arg His Trp Tyr

H H
H H H
O O O O O
+ + +
+
H3 N C C H3 N C C H3 N C C H3 N C C +
H3 N C C
O- O- O-
O- CH2 CH2 CH2 O-
CH2 CH2
CH2
CH2 C CH
CH
CH2 N
CH2 +HN NH H
N H
CH2 C
C NH2+ H
OH
NH3+
NH2
Gln Asn Ser Thr Cys

H H H
H H O O
O

O O
+ +
+
H3 N C C H3 N C C H3 N C C
+ +
H3 N C C H3 N C C
O- O- O-
HO CH
CH2 O- O- CH2
CH2 CH2
CH2 CH3
CH SH
OH
CH O NH2
O NH2
Aceitadores de ligao de hidrognio
His Trp Tyr Met Asp Glu

H H
H H H H
O O O
O O O
+
+
H3 N C C +
H3 N C C + + +
H3 N C C
H3 N C C
H3 N C C H3 N C C
O- O-
O- O- O-
CH2 CH2 O- CH2 CH2 CH2
CH2
C CH CH2 CH CH2
CH
N O O-
+HN NH H
S CH
C O O-
H CH3
OH
Gln Asn Ser Thr

H H
H H O
O

O O
+
+
H3 N C C H3 N C C
+ +
H3 N C C H3 N C C
O- O-
HO CH
CH2 O- O-
CH2 CH2
CH2 CH3
CH OH
CH O NH2
O NH2
Eletrosttica
Esta interao envolve grupos carregados presentes em molculas, grupos carregados
podem interagir de forma complementar com outros grupos carregados, ou seja, uma
parte positiva com uma negativa. Esta interao relativamente mais forte que a de van
der Waals e as ligaes de hidrognio. Por exemplo, numa interao envolvendo uma
droga e um alvo molecular, como mostrado abaixo, temos uma forte interao
eletrosttica.

Droga
Interao eletrosttica
O- H3N+ Alvo
Eletrosttica
De uma forma geral a energia de interao eletrosttica (Eelec) expressa em termos da
Lei de Coulomb. A equao do potencial eletrosttico est mostrada abaixo. Este
potencial depende das distncias entre as duas cargas q1 e q2, bem como do meio onde
estas cargas esto. A informao do meio est representada pela permissividade do
meio, indicada por .
1 q1 .q 2
Eelect .
4 r

O
Droga
O- H3N+ Alvo
q1 r
q2
Hidrofbica: Vamos analisar a interao de uma molcula alvo (macromolcula) com
uma pequena molcula. No possvel para uma molcula de gua solvatar regies
apolares da pequena molcula e do stio de ligao. Quando prximas a uma regio
apolar, as molculas de gua formam interaes mais fortes que as usuais entre si,
resultando numa camada ordenada de molculas de gua, o que representa uma
entropia negativa devido ao aumento da ordem estrutural. A interao da pequena
molcula com o alvo pode ser favorvel, se partes hidrofbicas desta interagirem com
partes hidrofbicas do stio de ligao, nesta situao teremos a liberao de guas
estruturadas, que ficam livres para tornarem-se menos ordenadas, o que aumenta a
entropia e a diminui a energia de ligao.
Pequena molcula
Regio H2O

apolar
Pequena molcula
Regio
apolar
Regio Regio
Stio de ligao apolar Stio de ligao apolar
Camada de guas estruturadas prximas regio apolar guas desestruturadas aumentam a entropia
Canais inicos
Quando o neurnio passa para o estado
de potencial de ao, onde um aumento
Potencial de membrana (mV)

do potencial de membrana, alm do
potencial limiar, leva o neurnio a uma
situao onde h influxo de sdio, entram 2 3
em ao dois outros canais
transmembranares, canais de sdio e
potssio, ambos dependentes de 1
voltagem. A ao coordenada dos canais 4
de sdio e potssio causam as etapas
cannicas do potencial de ao. Abertura

do canal de sdio dependente de voltagem Tempo(ms)
(despolarizao), fechamento do canal de
sdio e abertura do canal de potssio
(repolarizao e hiperpolarizao),
1 Potencial de repouso
conforme vemos no grfico ao lado. 2 Despolarizao
3 Repolarizao
4 Hiperpolarizao
Canais inicos
A anlise da afinidade inica do canal de
potssio dependente de voltagem indicou
Potencial de membrana (mV)

que o mesmo apresenta uma afinidade
10.000 maior por potssio do que por
sdio. Em 1998 foi elucidada a estrutura 2 3
tridimensional do canal de potssio
dependente de voltagem de uma bactria
(Streptomyces lividans), e foi lanada 1
alguma luz sobre o mecanismo de ao 4
desse canal. A tcnica usada para
elucidao de estrutura 3D foi a

cristalografia de protenas, por difrao de Tempo(ms)
raios X.
1 Potencial de repouso
2 Despolarizao
3 Repolarizao
4 Hiperpolarizao
Canais inicos
A estrutura do canal de potssio
dependente de voltagem de
Streptomyces lividans tetramrica (4
monmeros), representados na figura ao
lado. Cada monmero formado por trs
hlices transmembranares e um loop
(ala), o on de potssio est
representado no centro do tetrmero em
verde. Tambm vemos o loop P e a
hlice P, que so responsveis pela
seletividade inica (indicados em azul).

O loop P formado pelo resduos Gly-
Tyr-Gly, que esto alinhados de forma a
estreitar o funil formado pela estrutura do
canal. Foi proposto que tal arquitetura
molecular responsvel pela
seletividade inica. Estamos olhando do Canal de potssio visto do meio extracelular para o
meio intracelular.
meio extracelular para o meio
intracelular. Fonte: Sansom, MS. Current Biology 1998, 8:R450R452
http://biomednet.com/elecref/09609822008R0450
Canais inicos
O canal de K+ dependente de voltagem
forma um canal na membrana altamente
seletivo por K+ e sensvel mudana de
potencial. Quando o pH do meio
reduzido sua estrutura permite a sada
do ons de K+ . A parte intracelular do
tubo do canal mais larga que a
extracelular, e abre uma cavidade de 10
de dimetro no meio da membrana.
Esta cavidade est alinhada com
resduos hidrofbicos e preenchida por

molculas de gua.
Canal de potssio visto do meio extracelular para o

meio intracelular.
Canais inicos
A figura a lado mostra um zoom da
regio que interage com o on de K+. A
carga positiva do on de K+ interage
eletrostaticamente com os oxignios das
carbonilas dos resduos de Tyr58, com
as distncias interatmicas variando de
3,07 a 3,21 . Os oxignios das
carbonilas no apresentam uma carga
eltrica completa, mais uma carga
eltrica parcial negativa, que sofre
atrao eletrosttica pela carga positiva

do on de K+ . O on de K+ mostrado
pela esfera verde no centro da figura.
Canais inicos
Na figura ao lado vemos a superfcie
molecular do canal de K+ . A colorao
azul indica carga positiva, a vermelha
carga negativa e a azul ciano carga
neutra. O on de K+ (indicado pela esfera
verde no centro da estrutura) sofre
interao eletrosttica com as
concentraes de cargas negativas do
canal de K+ .

Canais inicos
Na figura ao lado removemos o
monmero D, o que possibilita
visualizarmos o interior do canal de K+ . A
figura foi girada 90 em relao
anterior. O tubo formado permite a
passagem do on de K+ do meio
intracelular (parte de baixo) para o meio
extracelular (parte de cima). Na parte de
baixo vemos um regio essencialmente
hidrofbica no centro do canal (indicada
por uma elipse branca), esta regio

apresenta uma grande cavidade que
permite a sada dos ons de K+.
Canais inicos
Loop P
O on de K+ intracelular capturado e
desloca-se para a cavidade hidrofbica
indicada pela elipse branca, acima desta
cavidade temos um loop P com a
sequncia de resduos de aminocido
Gly-Tyr-Gly que estreitam o tubo que liga
ao meio extracelular, selecionando os
ons de K+ .

Cavidade hidrofbica
Canais inicos
Como j destacamos anteriormente um aspecto estrutural comum a muitas protenas
intrnsecas a presena de hlices alfa na regio transmembranar. Na estrutura do
canal de K vemos um feixe de hlices interagindo com as caudas hidrofbicas da
bicamada fosfolipdica, como mostrado abaixo. O canal de K tem um aspecto de cone
invertido.
K+
Meio extracelular

Citoplasma
Referncias
OLIVEIRA, Jarbas Rodrigues de; WACHTER, Paulo Harald; AZAMBUJA, Alan Arrieira.
Biofsica para cincias biomdicas. Porto Alegre: EDIPUCRS, 2002. 313 p.
OKUNO, Emiko; CALDAS, Iber Luiz; CHOW, Cecil. Fsica para cincias biolgicas e
biomdicas. So Paulo: Harper & Row do Brasil, 1982. 490 p.
VOET, Donald; VOET, Judith G. Bioqumica. 3 edio. Porto Alegre: Artmed, 2006.
1596 p.

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Potencial de repouso e equao de GHK

2010 Dr. Walter F. de Azevedo Jr.

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e a carga por m2 Q = CV = 0,01.10-12 F. 60.10-3 V = 6.10-16 C

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1) Inicialmente determinamos a densidade superficial de carga eltrica ().

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4) E por ltimo a fora (F).

F qE 1,6.10 19 C.4,519.10 6 V / m 7,23.10 13 N

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on Concentrao Concentrao Relao Potencial

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Qual a razo para a diferena entre o valor calculado e o esperado?

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on Concentrao Concentrao Permeabilidade

Fonte: Garcia, E. A. C. Biofsica. Editora Savier, 2000 (pg. 10). e

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on Concentrao Concentrao Permeabilidade

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Vr = (58 mV) (-1,439)

Este valor est bem prximo ao determinado

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HETATM 9 CB ALA 001 -0.751 -1.285 -2.203

HETATM 4 O ALA 001 2.606 -0.060 -2.668

HETATM 3 C ALA 001 1.399 0.101 -3.155

HETATM 6 O ALA 001 1.116 0.235 -4.429

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HETATM 1 N ALA 001 -0.541 1.336 -2.425

r = [ (Xj Xi )2 + (Yj Yi )2 + (Zj Zi )2 ]1/2

Usando-se as coordenadas atmicas de um arquivo PDB para um par de

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r = [ (Xj Xi )2 + (Yj Yi )2 + (Zj Zi )2 ]1/2

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HETATM 1 N ALA 001 -0.541 1.336 -2.425

r = [ (-0,541 0,178 )2 + (1,336 0,132 )2 + (-2,425 (-2,236) )2 ]1/2

r = [ (-0,719 )2 + (1,204 )2 + (-0,189 )2 ]1/2

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HETATM 1 N ALA 001 -0.541 1.336 -2.425

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Lys Arg His Trp Tyr

Gln Asn Ser Thr Cys

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His Trp Tyr Met Asp Glu

Gln Asn Ser Thr

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