UNIVERSIDAD NACIONAL DE INGENIERA

FACULTAD DE INGENIERA MECNICA

LABORATORIO N 1-INFORME FINAL

USOS DEL OSCILOSCOPIO Y GENERADOR DE ONDAS

CURSO: Laboratorio de Circuitos Elctricos

CDIGO: ML 121

SECCIN:E

ALUMNOS: Cceres Mendoza, Cayetano20030337H

Huamn Quispe, Ana C20030011E
Ibez Echevarra, Joseph20057001K
Vega Cspedes, Simen Quintn20042086E

2006
OBJETIVOS

Aprender a utilizar el osciloscopio digital.

Comparar los valores medios y eficaces visualizados por el multmetro y

osciloscopio con los calculados experimentalmente.

EQUIPOS Y MATERIALES

1 Osciloscopio digital.

1 multmetro

1 generador de ondas.

4 diodos rectificadores (IN4007)

Resistencia de 12 K (2), 1 K (2), 10 K

Condensador electroltico de 22 nF

FUNDAMENTO TERICO

El fundamento terico del presente laboratorio se presentar en el cuestionario

dado que todas las preguntas abarcan todo este tema.

PROCEDIMIENTO

Hacer el fundamento terico de la experiencia.

Esta parte se presentara en el cuestionario.

Verificar los equipos y los componentes anotando sus caractersticas.

Con respecto a las resistencias:

En Kohm R1 R2 R3 R4 R5
Nominal 1 1 12 12 10
Real 0.98 0.97 11.8 11.83 9.92

Con respecto a los diodos, estos son rectificadores 1N4007

Utilizando el multmetro digital, medir la conduccin o no conduccin de los

diodos

Cabe resaltar en esta parte que para poder saber si los diodos estaban en buenas
condiciones, se colocaba el selector del multmetro digital para conductancia y si se
observa un valor numrico diferente de infinito, en polarizacin directa, significaba que
estaba en buenas condiciones.
Verificar el funcionamiento del osciloscopio anotando los resultados observados.

Onda Vp-p(v) Vmedio(v) Periodo(ms) Frecuencia(Khz)

Cuadrada 5.04 -1.94 1 1

En el generador de ondas, seleccionar onda sinusoidal, una frecuencia de 60Hz y

una amplitud de 5 voltios.

En el protoboard, colocar una de las resistencias nombradas en la lista y luego

colocar en los extremos de esta el generador de ondas con las configuraciones
mencionadas antes.

Conectar el CH1 en los bornes del generador de ondas y el CH2 en los extremos de
la resistencia y anotar todas las observaciones sobre las grficas obtenidas.

Vp-p(v) Frecuencia(Hz)
CH1 9.6 59.81
CH2 9.6 60.1

Retirar la resistencia del circuito y reemplazar por el diodo y repetir los pasos que
se siguieron con la resistencia.

Vp-p(v) Frecuencia(Hz) Periodo(ms) Voltaje/division

CH1 9.6 _ 16.7 5
CH2 4.24 60 _ 2

Para el circuito 3, observar el desfasaje entre el voltaje de la fuente y la corriente

que circula a travs del circuito con las frecuencias de 60 Hz., 200 Hz., 1000 Hz.

CUESTIONARIO

Explicar el principio de funcionamiento del osciloscopio y el generador de ondas.

Asimismo enumerar sus diversos usos.

OSCILOSCOPIO

El osciloscopio es un instrumento electrnico que permite la visualizacin de una seal

para la observacin y medicin de caractersticas que no pueden ser apreciadas, al
mismo tiempo, mediante el uso de instrumentos de medicin comunes (ya sea un
voltmetro, o algo un tanto ms complejo: un frecuencimetro, por ejemplo). El
osciloscopio consta bsicamente de circuitos atenuadores y amplificadores verticales,
circuitos de disparo y de barrido, circuito amplificador horizontal y, un tubo de rayos
catdicos (CRT TRC) con su respectivo circuito de control.

El elemento central del osciloscopio es el TUBO DE RAYOS CATODICOS (Fig. 1), el

cual es un tubo de vidrio en el que se ha hecho un alto vaco. El TRC posee tres partes
importantes: can de electrones, placas deflectoras y pantalla fosforescente.
Los rayos catdicos, electrones emitidos por un filamento caliente llamado ctodo (-),
son acelerados hacia un nodo (+) que se mantiene a un alto potencial elctrico "V", de
varios miles de voltios. En el centro de nodo hay un agujero por el que atraviesa slo
un pequeo haz de electrones, el cual contina su trayectoria hasta chocar con la
pantalla, originando un punto luminoso en el lugar del choque, punto "P" en la Fig. 1,
debido a que la pantalla est recubierta internamente con una sustancia fosforescente.

El haz de electrones puede ser desviado, tanto en la direccin vertical como en la

horizontal por campos elctricos producidos entre los pares de placas de desviacin al
aplicrseles sendos voltajes (Vvert. y Vhor.). Estas desviaciones (Xp e Yp en la Fig.1)
sern proporcionales a los voltajes aplicados, es decir:

Xp Vhor = Vx Yp Vver = Vy (Ec1)

El haz de electrones pasar sin desviarse cuando estos dos voltajes (Vy y Vx) sean
nulos. La Fig. 2 muestra la posicin del punto "P" para diferentes casos, todos con
voltajes constantes.

Movimiento del punto P

Cuando a las placas de deflexin se les conectan voltajes variables, el punto "P" de la
pantalla "camina" sobre sta. El tipo especfico de movimiento de P depende de los
voltajes aplicados sobre las placas.
En general, podemos diferenciar dos tipos de movimientos: en una dimensin y, en dos
dimensiones.

Movimiento en una dimensin: De las muchas formas en que se puede "mover" el punto
P (en una direccin), nos interesan bsicamente dos casos:

Cuando uno de los voltajes deflectores (Vx Vy) es un voltaje senoidal de frecuencia
angular (Fig.3a).

Cuando el voltaje deflector Vx es un voltaje "diente de sierra" (Fig. 3b)

Como la deflexin es proporcional al voltaje aplicado a las placas (ec.1), los

movimientos de P que corresponden a estos voltajes sern: 1) Movimiento armnico
simple (de frecuencia angular) y, 2) Movimiento uniforme a velocidad constante
(repetitivo), respectivamente.

En la Fig. 4 se muestran las trayectorias propias de P para tres casos de movimiento

unidimensional, en donde adems se especifican los voltajes aplicados y el tipo de
movimiento que tendr P.

Movimiento en dos dimensiones: Se dar al aplicar, simultneamente, voltajes variables

en ambos juegos (pares) de placas. De las muchas posibilidades existentes nos interesan
las siguientes:
Tanto el voltaje de reflexin horizontal (Vx) como el vertical (Vy) son los voltajes
senoidales; en general, de frecuencias diferentes.

El voltaje de deflexin vertical (Vy) es un voltaje peridico (por ejemplo el voltaje

armnico), y el horizontal (Vx) es un voltaje diente de sierra.

En el primer caso, el movimiento resultante de P ser la composicin de dos

movimientos armnicos simples (M.A.S.) perpendiculares entre s. En la Fig. 5 se han
graficado algunos movimientos resultantes, dadas las condiciones necesarias para que la
trayectoria se repita peridicamente.

En el segundo caso, el movimiento de P proviene de componer un movimiento

horizontal a velocidad constante (barrido) con un movimiento vertical armnico
(M.A.S.). En la Fig.6 se han graficado algunos movimientos resultantes para este caso.
Y, generalizando, si la trayectoria de P se repite peridicamente, y esto es muy rpido,
veremos dibujada la trayectoria debido a la persistencia de la imagen en las retinas de
nuestros ojos.

Observando detenidamente y comparando las trayectorias de la Fig. 6 podemos concluir

que el voltaje horizontal Vx ("diente de sierra") reproducir una grfica estable en la
pantalla, de la variacin en el tiempo del voltaje vertical Vy cuando: Tx = nTy
(n=entero). En realidad se pueden obtener grficas estables de voltajes Vy peridicos de
cualquier frecuencia, debido a un sincronismo interno que posee el osciloscopio con
respecto a su seal diente de sierra.

Por lo expuesto anteriormente, se puede concluir que en el osciloscopio se utiliza esta

idea para reproducir seales ya sean constantes, variables, o compuestas, en su pantalla,
pues se tiene un dispositivo electrnico interno que genera un voltaje diente de sierra
horizontal, llamado tambin barrido, que se sincroniza automticamente con el voltaje
vertical. Adems, debido a que la velocidad de barrido horizontal es constante, se toma
al eje horizontal como eje de tiempos, y esto permite la medicin del perodo de la seal
Vy.

PRINCIPIO DE FUNCIONAMIENTO DEL GENERADOR DE ONDAS

Descripcin del circuito

La estructura general del equipo puede verse en diagrama de bloques (figura 4).
La seal bsica generada en el GF-230 es la Triangular. Esta es la que aparece en bornes
de una capacidad C al cargarla a una corriente constante (rampa creciente) y descargarla
de igual modo (rampa decreciente).
Al efectuarse este proceso, la frecuencia se podr variar de dos formas distintas, bien
variando la magnitud de las corrientes de carga y descarga o bien variando la capacidad
a cargar y descargar.
Las variaciones de frecuencia en el GF-230 se efectan:
- Por control continuo (una dcada); control [3] del panel frontal, por variacin de las
corrientes de carga y descarga gobernando IC1 B con una tensin. A esta tensin se le
puede sumar otra exterior (VCO) a travs de la entrada VCO [ll].
- Por salto de dcadas; se realiza de forma mixta, cambio de las corrientes constantes de
carga y descarga o por cambio de la capacidad C.

Generacin de la seal cuadrada

Previamente amplificada la seal triangular, sta hace actuar a un circuito disparador al

llegar la tensin en bornes de la capacidad C a unos valores determinados.
La seal cuadrada as obtenida tiene adems la misin de gobierno de los dos
generadores de corriente constante, bien el de carga, bien el de descarga.
Este control de inhibicin de uno u otro generador se efecta con un circuito puerta. El
amplificador previo de la seal Triangular lo constituye IC3 a fin de no influir sobre las
corrientes de carga y descarga de C.

Generacin de la seal senoidal

El mtodo utilizado es de conformacin de la seal triangular por tramos, aprovechando

el codo de la caracterstica V/I de los diodos D26 a D41

Amplificador de salida

Una vez generadas las tres funciones, pasan al selector y posteriormente al amplificador
de salida que incluye los controles de amplitud, adicin de la tensin de offset y
atenuador de salida.

Generador de impulsos TTL

Los impulsos positivos se logran al pasar la seal triangular por el circuito disparador
formado por IC7 en montaje Schmitt trigger. La asimetra de la seal de salida se
consigue mediante el adecuado nivel de comparacin en la entrada.

Explicar el principio de funcionamiento del diodo y del puente de diodos y su

aplicacin en electricidad.

Un diodo es un dispositivo que permite el paso de la corriente elctrica en una nica

direccin. De forma simplificada, la curva caracterstica de un diodo (I-V) consta de dos
regiones, por debajo de cierta diferencia de potencial, se comporta como un circuito
abierto (no conduce), y por encima de ella como un circuito cerrado con muy pequea
resistencia elctrica.

Debido a este comportamiento, se les suele denominar rectificadores, ya que son

dispositivos capaces de convertir una corriente alterna en corriente continua.
Diodo pn Unin pn

Los diodos pn son uniones de dos materiales semiconductores extrnsecos tipos p y n,

por lo que tambin reciben la denominacin de unin pn. Hay que destacar que
ninguno de los dos cristales por separado tiene carga elctrica, ya que en cada cristal, el
nmero de electrones y protones es el mismo, de lo que podemos decir que los dos
cristales, tanto el p como el n, son neutros. (Su carga neta es 0).

Al unir ambos cristales, se manifiesta una difusin de electrones del cristal n al p (Je).

Formacin de la zona de carga espacial

Al establecerse estas corrientes aparecen cargas fijas en una zona a ambos lados de la
unin, zona que recibe diferentes denominaciones como zona de carga espacial, de
agotamiento, de deplexin, de vaciado, etc.

A medida que progresa el proceso de difusin, la zona de carga espacial va

incrementando su anchura profundizando en los cristales a ambos lados de la unin. Sin
embargo, la acumulacin de iones positivos en la zona n y de iones negativos en la zona
p, crea un campo elctrico (E) que actuar sobre los electrones libres de la zona n con
una determinada fuerza de desplazamiento, que se opondr a la corriente de electrones
y terminar detenindolos.

Este campo elctrico es equivalente a decir que aparece una diferencia de tensin entre
las zonas p y n. Esta diferencia de potencial (V 0) es de 0,7 V en el caso del silicio y 0,3
V si los cristales son de germanio.
La anchura de la zona de carga espacial una vez alcanzado el equilibrio, suele ser del
orden de 0,5 micras pero cuando uno de los cristales est mucho ms dopado que el
otro, la zona de carga espacial es mucho mayor.

Al dispositivo as obtenido se le denomina diodo, que en un caso como el descrito, tal

que no se encuentra sometido a una diferencia de potencial externa, se dice que no est
polarizado. Al extremo p, se le denomina nodo, representndose por la letra A,
mientras que la zona n, el ctodo, se representa por la letra C (o K).

A (p) C K (n)

Representacin simblica del diodo pn

Cuando se somete al diodo a una diferencia de tensin externa, se dice que el diodo est
polarizado, pudiendo ser la polarizacin directa o inversa.

Polarizacin directa

En este caso, la batera disminuye la barrera de potencial de la zona de carga espacial,

permitiendo el paso de la corriente de electrones a travs de la unin; es decir, el diodo
polarizado directamente conduce la electricidad.

Para que un diodo est polarizado directamente, tenemos que conectar el polo positivo
de la batera al nodo del diodo y el polo negativo al ctodo. En estas condiciones
podemos observar que:

El polo negativo de la batera repele los electrones libres del cristal n, con lo que
estos electrones se dirigen hacia la unin p-n.
El polo positivo de la batera atrae a los electrones de valencia del cristal p, esto
es equivalente a decir que empuja a los huecos hacia la unin p-n.
Cuando la diferencia de potencial entre los bornes de la batera es mayor que la
diferencia de potencial en la zona de carga espacial, los electrones libres del
cristal n, adquieren la energa suficiente para saltar a los huecos del cristal p, los
cuales previamente se han desplazado hacia la unin p-n.
 Una vez que un electrn libre de la zona n salta a la zona p atravesando la zona
de carga espacial, cae en uno de los mltiples huecos de la zona p convirtindose
en electrn de valencia. Una vez ocurrido esto el electrn es atraido por el polo
positivo de la batera y se desplaza de tomo en tomo hasta llegar al final del
cristal p, desde el cual se introduce en el hilo conductor y llega hasta la batera.

De este modo, con la batera cediendo electrones libres a la zona n y atrayendo

electrones de valencia de la zona p, aparece a travs del diodo una corriente elctrica
constante hasta el final.

Polarizacin inversa

En este caso, el polo negativo de la batera se conecta a la zona p y el polo positivo a la

zona n, lo que hace aumentar la zona de carga espacial, y la tensin en dicha zona hasta
que se alcanza el valor de la tensin de la batera, tal y como se explica a continuacin:

El polo positivo de la batera atrae a los electrones libres de la zona n, los cuales
salen del cristal n y se introducen en el conductor dentro del cual se desplazan
hasta llegar a la batera. A medida que los electrones libres abandonan la zona n,
los tomos pentavalentes que antes eran neutros, al verse desprendidos de su
electrn en el orbital de conduccin, adquieren estabilidad (8 electrones en la
capa de valencia, ver semiconductor y tomo) y una carga elctrica neta de +1,
con lo que se convierten en iones positivos.
El polo negativo de la batera cede electrones libres a los tomos trivalentes de la
zona p. Recordemos que estos tomos slo tienen 3 electrones de valencia, con
lo que una vez que han formado los enlaces covalentes con los tomos de silicio,
tienen solamente 7 electrones de valencia, siendo el electrn que falta el
denominado hueco. El caso es que cuando los electrones libres cedidos por la
batera entran en la zona p, caen dentro de estos huecos con lo que los tomos
trivalentes adquieren estabilidad (8 electrones en su orbital de valencia) y una
carga elctrica neta de -1, convirtindose as en iones negativos.
Este proceso se repite una y otra vez hasta que la zona de carga espacial
adquiere el mismo potencial elctrico que la batera.
En esta situacin, el diodo no debera conducir la corriente; sin embargo, debido al
efecto de la temperatura se formarn pares electrn-hueco (ver semiconductor) a ambos
lados de la unin produciendo una pequea corriente (del orden de 1 A) denominada
corriente inversa de saturacin. Adems, existe tambin una denominada corriente
superficial de fugas la cual, como su propio nombre indica, conduce una pequea
corriente por la superficie del diodo; ya que en la superficie, los tomos de silicio no
estn rodeados de suficientes tomos para realizar los cuatro enlaces covalentes
necesarios para obtener estabilidad. Esto hace que los tomos de la superficie del diodo,
tanto de la zona n como de la p, tengan huecos en su orbital de valencia con lo que los
electrones circulan sin dificultad a travs de ellos. No obstante, al igual que la corriente
inversa de saturacin, la corriente superficial de fugas es despreciable.

Curva caracterstica del diodo

Tensin umbral, de codo o de partida (V ).

La tensin umbral (tambin llamada barrera de potencial) de polarizacin directa
coincide en valor con la tensin de la zona de carga espacial del diodo no polarizado. Al
polarizar directamente el diodo, la barrera de potencial inicial se va reduciendo,
incrementando la corriente ligeramente, alrededor del 1% de la nominal. Sin embargo,
cuando la tensin externa supera la tensin umbral, la barrera de potencial desaparece,
de forma que para pequeos incrementos de tensin se producen grandes variaciones de
la intensidad.

Corriente mxima (Imax ).

Es la intensidad de corriente mxima que puede conducir el diodo sin fundirse por el
efecto Joule. Dado que es funcin de la cantidad de calor que puede disipar el diodo,
depende sobre todo del diseo del mismo.

Corriente inversa de saturacin (Is ).

Es la pequea corriente que se establece al polarizar inversamente el diodo por la
formacin de pares electrn-hueco debido a la temperatura, admitindose que se duplica
por cada incremento de 10 en la temperatura.

Corriente superficial de fugas.

Es la pequea corriente que circula por la superficie del diodo (ver polarizacin
inversa), esta corriente es funcin de la tensin aplicada al diodo, con lo que al
aumentar la tensin, aumenta la corriente superficial de fugas.
Tensin de ruptura (Vr ).
Es la tensin inversa mxima que el diodo puede soportar antes de darse el efecto
avalancha.

Tericamente, al polarizar inversamente el diodo, este conducir la corriente inversa de

saturacin; en la realidad, a partir de un determinado valor de la tensin, en el diodo
normal o de unin abrupta la ruptura se debe al efecto avalancha; no obstante hay otro
tipo de diodos, como los Zener, en los que la ruptura puede deberse a dos efectos:

Efecto avalancha (diodos poco dopados). En polarizacin inversa se generan pares

electrn-hueco que provocan la corriente inversa de saturacin; si la tensin inversa es
elevada los electrones se aceleran incrementando su energa cintica de forma que al
chocar con electrones de valencia pueden provocar su salto a la banda de conduccin.
Estos electrones liberados, a su vez, se aceleran por efecto de la tensin, chocando con
ms electrones de valencia y liberndolos a su vez. El resultado es una avalancha de
electrones que provoca una corriente grande. Este fenmeno se produce para valores de
la tensin superiores a 6 V.

Efecto Zener (diodos muy dopados). Cuanto ms dopado est el material, menor es la
anchura de la zona de carga. Puesto que el campo elctrico E puede expresarse como
cociente de la tensin V entre la distancia d; cuando el diodo est muy dopado, y por
tanto d sea pequeo, el campo elctrico ser grande, del orden de 310 5 V/cm. En estas
condiciones, el propio campo puede ser capaz de arrancar electrones de valencia
incrementndose la corriente. Este efecto se produce para tensiones de 4 V o menores.

Para tensiones inversas entre 4 y 6 V la ruptura de estos diodos especiales, como los
Zener, se puede producir por ambos efectos.

Modelos matemticos

El modelo matemtico ms empleado es el de Shockley (en honor a William Bradford

Shockley) que permite aproximar el comportamiento del diodo en la mayora de las
aplicaciones. La ecuacin que liga la intensidad de corriente y la diferencia de potencial
es:

Donde:

I es la intensidad de la corriente que atraviesa el diodo y VD la diferencia de

tensin entre sus extremos.
IS es la corriente de saturacin
q es la carga del electrn
T es la temperatura absoluta de la unin
k es la constante de Boltzmann
n es el coeficiente de emisin, dependiente del proceso de fabricacin del diodo
y que suele adoptar valores entre 1 (para el germanio) y del orden de 2 (para el
silicio).
 El trmino VT = kT/q = T/11600 es la tensin debida a la temperatura, del orden
de 26 mV a temperatura ambiente (300 K 27 C).

Con objeto de evitar el uso de exponenciales (a pesar de ser uno de los modelos ms
sencillos), en ocasiones se emplean modelos ms simples an, que modelizan las zonas
de funcionamiento del diodo por tramos rectos; son los llamados modelos de continua
o de Ram-seal que se muestran en la figura. El ms simple de todos (4) es el diodo
ideal.

Explicar el mtodo empelado para hallar el desfase entre el voltaje y corriente en

un circuito R-C.Qu otros mtodos existen?

A continuacin, daremos el fundamento terico del mtodo utilizado para hallar el

desfase entre el voltaje de la fuente y la corriente que circula a travs de este circuito.

Sea el circuito R-C, con fuente de corriente alterna, que se muestra en la figura:

Circuito 3
Sea:

_ _
VR : Voltaje en la resistencia R.
I : Corriente a travs del circuito.
_ _

VC : Voltaje en el condensador C. Z eq : Impedancia del circuito R-C.

f : Frecuencia de la fuente de voltaje de alimentacin.

Obs: Para una fcil resolucin, asumiremos que el ngulo del voltaje de entrada es
numricamente igual a 0.
_ _
1
Se sabe que: Z Z eq Z eq
; donde: X C 2fC
eq R jX C
_
V0 _
V
Adems: I IZ
Z eq eq

De lo anterior, se obtiene que el desfase viene a ser igual a ; entonces, nuestro trabajo
consistir en hallar el valor de este ngulo.

Por divisor de voltaje, tenemos:

_
V0 _
V * Xc
Vc Z * X c 90 Vc Z eq
90
eq

_
De lo anterior, se observa que el ngulo de Vc viene a ser igual a 90 . Dado que
90 90 180 90 0 90 90 .Por tanto, si
hallamos el valor numrico del ngulo (sin considerar signo) de desfase , le restamos
90 obtenemos el ngulo de desfase .

Con la base terica correspondiente, podemos a continuacin explicar el mtodo usado.

En el circuito 3, conectamos el CH1 del osciloscopio digital en los bornes de la fuente y

el CH2 en los bornes del condensador.

Superponemos cada una de las grficas del voltaje de la fuente y del condensador, y
vemos el desfase existente entre estas dos ondas (considerando slo el valor de este
desfase sin importar si la corriente esta adelantada o atrasada con respecto a la fuente)
en este caso expresado como un nmero de divisiones de cuadros.

Observamos en el osciloscopio el nmero de divisiones equivalentes a un ciclo (que en

grados sexagesimales viene a ser 360) del voltaje de la fuente y mediante una regla de
tres simples hallamos el valor del ngulo , el cual viene a ser el complemento del
ngulo .

Para la experiencia, trabajamos con 3 tipos de frecuencias ( f ):

Cuando f 60 Hz

8.5 divisiones 360 = 46.58 ; adems, = 90 -

1.1 divisiones = 43.42 (experimental)

Cuando f 200 Hz
10 divisiones 360 = 72 ; adems, = 90 -

2 divisiones = 18 (experimental)

Cuando f 1000 Hz

9.2 divisiones 360 = 86.09 ; adems, = 90 -

2.2 divisiones = 3.91 (experimental)

OTROS METODOS ALTERNATIVOS

PRIMER MTODO

Otra forma ms directa para hallar el desfasaje entre el voltaje de la fuente y la corriente
que circula a travs del circuito es colocar el CH2 entre los bornes de la resistencia del
circuito 3 y superponerla con la grfica del voltaje de la fuente y aplicar la misma regla
de 3 simples que se uso anteriormente.
A continuacin, pasamos a dar el sustento de este mtodo.

Por divisor de voltaje en la resistencia del circuito 3:

_
V0 _
VR
_
V
VR Z * R0 VR
Z eq
y IZ
eq eq

Se observa que el desfase de la resistencia con el voltaje de la fuente es el mismo que el

de la fuente con el de la corriente.
SEGUNDO MTODO

Otro mtodo es usando el llamado tringulo de voltajes; dado que la corriente a travs
de cada componente es el mismo, trabajaremos slo con la resistencia y la reactancia.
 Xc 1
Del Grfico, se observa que: arctg ; pero: X c 2fC
R
1
De lo anterior, tenemos que: arctg 2fRC
Entonces:

1
Cuando f 60 Hz arctg 43.98
2 60 * 12 * 10 3 * 0.229 * 10 6

1
Cuando f 200 Hz arctg 16.15
2 * 200 * 12 * 10 3 * 0.229 * 10 6

1
Cuando f 1000 Hz arctg 3.32
2 * 1000 *12 *10 3 * 0.229 * 10 6

Como se observa, la diferencia entre este mtodo y el usado es mnimo.

OBSERVACIONES Y CONCLUSIONES

Se pudo observar experimentalmente que:

En un circuito R-C, el voltaje del generador esta retrasado con respecto a la

corriente.
El diodo slo deja pasar la corriente en un solo sentido (lo cual se pudo observa cuando
se trabajo con corriente alterna) de lo cual se demuestra su funcionamiento como
rectificador.
A medida que aumentamos la frecuencia de la onda sinusoidal, el desfasaje entre el
voltaje de la fuente y la corriente que circula a travs del circuito R-C serie (circuito 3)
comienza a disminuir y sigue la relacin que existe entre estas dos magnitudes y que se
indico lneas arriba (2 mtodo alternativo)

Una de las ventajas de usar frecuencias muy altas en los circuitos R-C es que la potencia
que entrega el circuito comienza a aumentar.

Tambin se pudo observar en el circuito R-C que al conectar el CH2 en la resistencia, la

grfica de esta al superponerla con la grfica del CH1 (voltaje de la fuente) estas
coincidian. Esto quizs porque los valores de la resistencia y el condensador no eran los
adecuados para trabajar ya que nos daban ngulos muy pequeos (los cuales no se
apreciaban bien), por esta razn conectamos el CH2 en el condensador.

BIBLIOGRAFA

Apuntes de la clase de Circuitos elctricos del Ing. Bernab Tarazona ML140C

en el perodo 2005-II.

Circuitos Elctricos, Tomo II , Ing. F. Lpez A., Ing. O. Morales G.

 Circuitos Elctricos, Dorf, Mc Graw Hill Editores, Octava Edicin.

BIBLIOGRAFIA VIRTUAL

www.pucp.edu.pe/secc/fisica/ documentos/labfa4/html/lab1/lab1.htm

es.wikipedia.org/wiki/Diodo

http://www.ucm.es/info/electron/laboratorio/instrumentos/generador/generador.p
df