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Captulo I
Memorias Semiconductoras
http://fiee.uni.edu.pe
Capacidad de la memoria:
C = 2K x n bits
Memoria no voltil
Programable elctricamente
Alto voltaje de programacin
Borrable con luz ultravioleta
Posibilidad de test
Informacin contenida en transistores
MOS de puerta flotante
Dos ciclos:
Ciclo de programacin
Ciclo de lectura La primera EPROM, la INTEL1702, con el
dado (die) e hilos de conexin (wire bonds)
visibles claramente a travs de la ventana
para su borrado.
Disposicin de pines
(encapsulado DIP)
Modos de operacin
Modelo de una
memoria SRAM
del tipo Bit Slice
Chip de una
memoria de
16 x 1 bit
Memoria
SRAM de
16 x 1 bit
usando un
arreglo de
celdas 4 x 4
Memoria
SRAM de
8 x 2 bit
usando un
arreglo de
celdas 4 x 4
Temporizacin para
seales RAS y CAS
Diagrama de
un sistema de
memoria de
256K x 8 bits
basado en
chips de
64K x 8 bits
Bibliografa
M. Morris Mano & Charles R. Kime Logic and Computer Design
Fundamentals, 3ra Edicin, Captulo 9, Prentice Hall, 2004
John F. Wakerly Digital Design Principles and Practices, 4ta
Edicin, Captulo 9, Prentice Hall, 2005
http://en.wikipedia.org/wiki/Read-only_memory
http://en.wikipedia.org/wiki/Static_random_access_memory
http://en.wikipedia.org/wiki/Dynamic_random_access_memory