Laboratorio N5: Amplificador con JFET.

o resistencia es controlada por voltaje. Su simbologia

es la siguiente:

Resumen.-

Conceptos Relacionados.-

Terminales:

D: Drenaje
S: Fuente
G: Puerta

A diferencia del transistor de unin bipolar el JFET, al

ser un instrumento controlado por un voltaje de entrada
no necesita de corrientes de polarizacin. La carga
elctrica avanza a travs de un canal semiconductor,
(de tipo N o P) que se encuentra entre el drenaje y la
fuente.
Un transistor JFET tiene una gran impedancia de
entrada (10 ohmios), lo que significa que tiene un
efecto despreciable respect a los componentes
conectados a su terminal de puerta.

2.2-Circuito de polarizacin:

El JFET puede estar polarizado en la hmica o en la

I. Introduccin zona activa. Cuando lo polarizamos en la zona hmica,
el JFET es equivalente a una resistencia. Cuando lo
polarizamos en la zona activa, el JFET es equivalente
a una fuente de corriente. En esta seccin
expondremos la polarizacin fija, el mtodo ms
comn para polarizar un JFET en la zona hmica.

-Configuracin de polarizacin fija:

Esta es la configuracin ms simple para el JFET

canal-n, esta es llamada polarizacin fija, la cual es de
las pocas configuraciones que se pueden resolver de
manera grfico y tambin mediante mtodo
matemtico.

II. Teora

2.1-Transistor JFET:

El JFET, es un instrumento electrnico de tres

terminales que puede ser usado como interruptor
electrnicamente controlado, en donde su amplificador
 Figura 1.

-Configuracin de autopolarizacin:

La configuracin de autopolarizacin elimina la

necesidad de dos fuentes DC. El voltaje de control de
la compuerta a la fuente ahora lo determina el voltaje a
travs del resistor RS.

Figura 4: Circuito amplificador con JFET

3.2-Equipamiento utilizado:

Componentes:

- 1 Potencimetro de 250 [k].

- 1 JFET 2N5458.
Figura 2. - 3 Resistencias de 2.2 [k] /0.5 [W].
- 1 Resistencia de 12 [k] /0.5 [W].
-Configuracin de Divisor de Voltaje: - 2 Condensadores de 4.7 [F]/ 50[V]
- 1 Condensador de 10[F]/ 50[V
La configuracin mediante divisor de voltaje la vimos - 1 Resistencia de 1.2 [k] /0.5 [W].
en los transistores BJT y tambin puede aplicarse a los
amplificadores JFET. La construccin bsica es Instrumentos:
exactamente la misma, pero el anlisis en DC para
cada una es diferente. - Multitester Digital
- Protoboard
- Generador de Funciones
- Fuente de poder DC.
- Osciloscopio.

3.3-Actividades:

-Implementar una red de polarizacin (solo parte a de

Figura 3.
2.3-Ganancia de voltaje Amplificador:
La ganancia de un Amplificador, realiza principalmente
la funcin de elevar la seal que ha sido amplificada en
su entrada, a esto se le llama que a producido una
determinada ganacia. En la cual su formula es la
siguiente
la figura 4), para un amplificador con JFET, en donde
utilizaremos un JFET 2N5458. Considerando una
tensin de alimentacin V DD=15[V], R1=93[k]
(Potencimetro de 250 [k]), R2=12[k], RD=2.2[k],
RS=2.2[k].
Ya con lo anterior realizado se nos pide obtener V DS e
ID, La cual la medimos con el Multitester digital; y nos
da 10,21[V] y 1,1[mA] respectivamente.
-Luego realizar analisis terico, especificando el punto
de operacin, considerando:
VDD=15[V]
R1=93[k]
R2=12[k]
RD=2.2[k]
RS=2.2[k]

Datos obtenidos por datasheet:

Idss=1,11[mA]

VP=-1,19[V]
III. Procedimiento Experiencia.
Analisis teorico del punto de operacin:
3.1-Circuito a implementar: Para calcular el punto Q, utilizamos la siguiente figura:
 Considerando (valores entregados por el fabricante):

VGS= -8[V]

IDSS= 12[mA]

Despejando la frmula anterior:

Luego, despejamos Id de la siguiente manera:

IV. Resultados Experimentales

C= 4.1-Formas de ondas obtenidas:

Calculando las dems variables que nos piden en este

caso VDS:

Figura 5: Utilizando acoplamiento capacitivo de entrada

y salida (C1 = 4.7[F] /50 [V]), y adems
(C2 = 10[F] /50 [V]). Con entrada sinusoidal de
amplitud 100 [mV] con una frecuencia de operacin
de 1 [KHZ]. (Parte b de la figura 4).

-Punto de operacin real:

ID= 1,11[mA]

VGS= -1,19[V]

Con la verificacin de tension de alimentacin, medida

con el multimetro digital; nos da un valor de
VDD=14,8 [V].
Figura 6: Utilizando acoplamiento capacitivo de entrada
-Calcular la transconductancia, que es la siguiente y salida (C1 = 4.7[F] /50 [V]), y adems
frmula: (C2 = 10[F] /50 [V]). Con entrada sinusoidal de
amplitud 100 [mV] con una frecuencia de operacin
de 1 [KHZ] y carga RL = 2.2 [k]. (Parte b de la
figura 4).
 Y nos da un valor de: -1,04

-Ganacia de voltaje en la figura 7 con carga 1,2 [k].

Y nos da un valor de: -1,04

4.3-Comentarios:

Figura 7: Utilizando acoplamiento capacitivo de entrada

y salida (C1 = 4.7[F] /50 [V]), y adems
(C2 = 10[F] /50 [V]). Con entrada sinusoidal de
amplitud 100 [mV] con una frecuencia de operacin
de 1 [KHZ] y carga RL = 1.2 [k]. (Parte b de la
figura 4).

4.2-Tabla de datos:

-Voltajes y corrientes DC.

ID 1,11 [mA]
IG 0
VGS -1,19 [V]
VG 1,23 [V]
VD 12,6 [V]
VS 2,43 [V]
VDS 10,21 [V]

-Tabla de circuito de la parte b de la figura 4.

Figura 5 Figura 6 Figura 7 V. Conclusiones

Vmax 104 [mV] 104 [mV] 104 [mV]
232 [mV] 160 [mV]
Vmin -100 [mV] -100 [mV] -100 [mV]
-240 [mV] -168 [mV]
Vavg -506 [mV] 1,63 [mV] 1,44 [mV]
-271 [uV] -47,7 [uV]
Vpp 200 [mV] 204 [mV] 204 [mV]
472 [mV] 328 [mV]
Vrms 68,7 [uV] 69,9 [mV] 69,8 [mV] VI. Referencias
161 [mV] 112 [mV]

-Ganancia de voltaje en la figura 6 con carga 2,2 [k]: