INTRODUCCIN

En los ltimos aos se ha incorporado un elemento muy importante al mundo de la

publicidad, que ha dejado atrs a las tradicionales vallas publicitarias o panfletos.
Se trata de las pantallas LED, que de una forma diferente y original, han
conseguido emitir la publicidad de manera exclusiva.

Y es que, si hasta hace muy poco tiempo las vallas publicitarias parecan ser la
opcin ms exitosa y que pareca no tener rival, todo parece haber cambiado con
la aparicin de estas pantallas. Antes, no importaba donde fueras que casi con
total seguridad estaras rodeado por algn cartel de publicidad, pero parece que
poco a poco fueron perdiendo su impacto y fue entonces cuando los profesionales
del mundo de la publicidad y del marketing, comenzaron a pensar en una nueva
alternativa con la que sacar rentabilidad a sus anuncios.

Aqu es donde entran en juego las pantallas LED, que en muy poco tiempo, han
conseguido hacerse con un privilegiado hueco en las calles ms importantes de
las ciudades.

Pero si ests pensando en sumarte a la moda de la publicidad con estas pantallas,

es importante que tengas una serie de aspectos en cuenta que se muestran
realmente importantes.
 OBJETIVOS

General

Desarrollar una investigacin documental de las etapas de desarrollo de un

producto, para identificar las distintas tecnologas que intervienen.

Especficos

Visitar a un negocio que cuente con tecnologa.

Dar presentacin a la tecnologa.

Mostrar los recursos tecnolgicos que intervienen en ella.

 PRESENTACIN DEL PROYECTO

Pantallas de LED Fullmatrix Superbrillante Interior (Ventana)

Las Pantallas de LED Fullmatrix Superbrillantes son pantallas publicitarias
luminosas monocolor (rojo) que se usan para publicidad en tiendas medianas,
ferias exposiciones publicitarias por su precio econmico. Las Pantallas de LEDs
Fullmatrix atraen la atencin fcil con su movimiento y con su excelente visibilidad.

Los mensajes de estas Pantallas de LED se pueden cambiar de una forma fcil
va PC Win 95/98/00/NT/XP con una aplicacin que est incluida en el paquete

Especificaciones sujetas a cambio sin previo aviso.

Las Pantallas de LED pueden fabricarse de cualquier tamao (con ciertas

aproximaciones), por favor indquenos cul es su requerimiento para presentarle
una propuesta, la informacin bsica necesaria para esto es: Longitud y altura
requerida de la pantalla, altura a la que ser colocada, distancia mxima y mnima
de visibilidad; por otro lado, si nos puede indicar el nmero aproximado de lneas
de informacin que requiere y el nmero de caracteres por lnea sera muy til.

RECURSOS TECNOLGICOS QUE INTERVIENEN EN EL

DESARROLLO.

Tecnologa de Fabricacin
La fabricacin de integrados a gran escala sigue, en la actualidad un
procedimiento VLSI (Very Large Scale Integration, Integracin en escala muy
grande, por sus siglas en ingls) partiendo del Silicio como materia prima.
Desarrollos recientes en tecnologas de aleacin de Silicio-Germanio (SiGe) y
silicio, sometido a esfuerzo, refuerzan an ms la posicin de los procesos de
fabricacin que se basan en este elemento en la industria microelectrnica en los
aos venideros.
El silicio: puede ser refinado por medio de tcnicas bien establecidas de
purificacin y crecimiento de cristales. Este elemento qumico tambin exhibe
propiedades fsicas apropiadas para la fabricacin de dispositivos activos con
buenas caractersticas elctricas, adems es fcil de oxidar para formar un
excelente aislante como el dixido de silicio (SiO 2). Este xido es til para construir
condensadores y dispositivos MOSFET. Tambin sirve como barrera de proteccin
contra la difusin de impurezas indeseables hacia el mineral adyacente de silicio
de alta pureza. Esta propiedad de proteccin del xido de silicio permite que sus
propiedades elctricas sean fciles de modificar en reas predefinidas. Por
consiguiente, se pueden construir elementos activos y pasivos en la misma pieza
material (o sustrato). Entonces los componentes pueden interconectarse con
capas de metal (similares a las que se utilizan en las tarjetas de circuito impreso)
para formar el llamado circuito integrado monoltico, que es en esencia una pieza
nica de metal.
Pasos Generales de Fabricacin de un Circuito Integrado formado por Silicio como
componente activo.
Preparacin de la oblea
El material inicial para los circuitos integrados modernos es el silicio de muy alta
pureza, donde adquiere la forma de un cilindro slido de color gris acero de 10 a
30 cm de dimetro y puede ser de 1 m a 2 m de longitud . Este cristal se rebana
para producir obleas circulares de 400 m a 600 m de espesor, (1 m es igual a
110-6 metros). Despus, se alisa la pieza hasta obtener un acabado de espejo, a
partir de tcnicas de pulimento qumicas y mecnicas. Las propiedades elctricas
y mecnicas de la oblea dependen de la orientacin de los planos cristalinos,
concentracin e impurezas existentes. Para aumentar la resistividad elctrica del
semiconductor, se necesita alterar las propiedades elctricas del silicio a partir de
un proceso conocido como dopaje. Una oblea de silicio tipo n excesivamente
impurificado (baja resistividad) sera designada como material n+, mientras que
una regin levemente impurificada se designara n-. aunque podra ser n+
Oxidacin
Se refiere al proceso qumico de reaccin del silicio con el oxgeno para formar
Dixido de Silicio (SiO2). Para acelerar dicha reaccin se necesitan de hornos
ultralimpios especiales de alta temperatura. El Oxgeno que se utiliza en la
reaccin se introduce como un gas de alta pureza (proceso de oxidacin seca) o
como vapor (oxidacin hmeda). La Oxidacin hmeda tiene una mayor tasa de
crecimiento, aunque la oxidacin seca produce mejores caractersticas elctricas.
Su constante dielctrica es 3.9 y se le puede utilizar para fabricar excelentes
condensadores. El Dixido de Silicio es una pelcula delgada, transparente y su
superficie es altamente reflejante. Si se ilumina con luz blanca una oblea oxidada
la interferencia constructiva y destructiva har que ciertos colores se reflejen y con
base en el color de la superficie de la oblea se puede deducir el espesor de la
capa de xido.
Difusin
Es el proceso mediante el cual los tomos se mueven de una regin de alta
concentracin a una de baja a travs del cristal semiconductor. En el proceso de
manufactura la difusin es un mtodo mediante el cual se introducen tomos de
impurezas en el Silicio para cambiar su resistividad; por lo tanto, para acelerar el
proceso de difusin de impurezas se realiza a altas temperaturas (1000 a 1200
C), esto para obtener el perfil de dopaje deseado. Las impurezas ms comunes
utilizadas como contaminantes son el Boro (tipo p), el Fsforo (tipo n) y el Arsnico
(tipo n). Si la concentracin de la impureza es excesivamente fuerte, la capa
difundida tambin puede utilizarse como conductor.
Implantacin de iones
Es otro mtodo que se utiliza para introducir tomos de impurezas en el cristal
semiconductor. Un implantador de iones produce iones del contaminante deseado,
los acelera mediante un campo elctrico y les permite chocar contra la superficie
del semiconductor. La cantidad de iones que se implantan puede controlarse al
variar la corriente del haz (flujo de iones). Este proceso se utiliza normalmente
cuando el control preciso del perfil del dopaje es esencial para la operacin del
dispositivo.
Deposicin por medio de vapor qumico
Es un proceso mediante el cual gases o vapores se hacen reaccionar
qumicamente, lo cual conduce a la formacin de slidos en un sustrato. Las
propiedades de la capa de xido que se deposita por medio de vapor qumico no
son tan buenas como las de un xido trmicamente formado, pero es suficiente
para que acte como aislante trmico. La ventaja de una capa depositada por
vapor qumico es que el xido se deposita con rapidez y a una baja temperatura
(menos de 500C).
Metalizacin
Su propsito es interconectar los diversos componentes (transistores,
condensadores, etc.) para formar el circuito integrado que se desea, implica la
deposicin inicial de un metal sobre la superficie del Silicio. El espesor de la
pelcula del metal puede ser controlado por la duracin de la deposicin
electrnica, que normalmente es de 1 a 2 minutos.
Fotolitografa
Esta tcnica es utilizada para definir la geometra de la superficie de los diversos
componentes de un circuito integrado. Para lograr la fotolitografa, primeramente
se debe recubrir la oblea con una capa fotosensible llamada sustancia
fotoendurecible que utiliza una tcnica llamada de giro; despus de esto se
utilizar una placa fotogrfica con patrones dibujados para exponer de forma
selectiva la capa fotosensible a la iluminacin ultravioleta. Las reas opuestas se
ablandarn y podrn ser removidas con un qumico, y de esta manera, producir
con precisin geometras de superficies muy finas. La capa fotosensible puede
utilizarse para proteger por debajo los materiales contra el ataque qumico en
hmedo o contra el ataque qumico de iones reactivos. Este requerimiento impone
restricciones mecnicas y pticas muy crticas en el equipo de fotolitografa.
Empacado
Una oblea de Silicio puede contener varios cientos de circuitos o chips terminados,
cada chip puede contener de 10 o ms transistores en un rea rectangular,
tpicamente entre 1 mm y 10 mm por lado. Despus de haber probado los circuitos
elctricamente se separan unos de otros (rebanndolos) y los buenos (pastillas)
se montan en cpsulas (soportes). Normalmente se utilizan alambres de oro para
conectar las terminales del paquete al patrn de metalizacin en la pastilla; por
ltimo, se sella el paquete con plstico o resina epxica al vaco o en una
atmsfera inerte.

COMPONENTES ELECTRNICOS MS USADOS EN EL DISEO

DE CIRCUITOS.
MOSFET
Se prefiere el MOSFET canal n al MOSFET canal p. La movilidad de la superficie
de electrones del dispositivo de canal n es de dos a cuatro veces ms alta a la de
los huecos. Este transistor ofrece una corriente ms alta y una resistencia baja; as
como una transconductancia ms alta. Su diseo se caracteriza por su voltaje de
umbral y sus tamaos de dispositivos, en general, los MOSFET (tipo n o p) se
disean para que tengan voltajes de umbral de magnitud similar para un proceso
particular; por lo tanto, los circuitos MOSFET son mucho ms flexibles en su
diseo.
Resistencias
Las regiones de distinta difusin tienen diferente resistencia. El pozo se suele
utilizar para resistencias de valor medio, mientras que las difusiones n+ y p+ son
tiles para resistencias de valor bajo. Cuando se disea un valor real de una
resistencia se hace a travs del cambio de la longitud y el ancho de las regiones
difundidas. Todas las resistencias difundidas estn autoaisladas por las uniones pn
polarizadas a la inversa. Sin embargo una desventaja es que estn acompaadas
por una sustancial capacitancia parsita de unin que los hace no muy tiles en el
uso de frecuencias altas. Adems, es posible que exista una variacin en el valor
real de la resistencia cuando se aumenta el voltaje debido a un efecto
llamado JFET. Para obtener un valor ms exacto, se recomienda que se fabrique
con una capa de polisilicio que se coloca encima del grueso campo de xido.
Condensadores
Existen 2 tipos de estructura de condensador en los procesos CMOS,
condensadores MOS y de interpolietileno. La capacitancia de compuerta MOS es
bsicamente la capacitancia de compuerta a fuente de un MOSFET, la cual
depende del rea de dicha compuerta; este condensador exhibe una gran
dependencia del voltaje, para eliminar este problema, se requiere un implante n+
adicional para formar la placa inferior de los condensadores. Estos dos
condensadores MOS estn fsicamente en contacto con el sustrato, lo que
produce una gran capacitancia parsita en la unin pn en la placa inferior. El
condensador interpoli exhibe caractersticas casi ideales pero a expensas de
incluir una segunda capa de polisilicio en el proceso CMOS, donde los efectos
parsitos se mantienen al mnimo. Para los 2 tipos de condensadores
anteriormente indicados (interpoli y MOS), los valores de capacitancia pueden
controlarse hasta un margen de error de 1%. Esta propiedad es extremadamente
til para disear circuitos CMOS analgicos de precisin.
Transistor pnp lateral
Cuando se utilizan este tipo de dispositivos electrnico, el pozo n sirve como
regin de base n con difusiones p+ como emisor y colector. La separacin de
entre las dos difusiones determina el ancho de la base. Como el perfil de dopaje
no est perfeccionado para las uniones base-colector, y como el ancho de la base
est limitado por la resolucin de fotolitogrfica mnima, el desempeo de este
dispositivo no es muy bueno.
Resistores de base p y de base estrecha
La difusin en la base p se puede utilizar para formar un resistor de base p directo.
Como la regin de la base es, por lo general, de un nivel de dopaje relativamente
bajo y con una profundidad de unin moderada, es adecuada para resistores de
valor medio. Si se requiere un resistor de valor grande, se puede utilizar el de base
estrecha; ya que exhiben malos coeficientes de tolerancia y temperatura pero una
coincidencia relativamente buena.
Procesos que pueden intervenir en la fabricacin de circuitos integrados
Crecimiento epitaxial
Oxidacin en semiconductores
Implantacin inica
Difusin en estado slido
Deposicin en semiconductores
Litografa
Nanotecnologa
Mecnica

PAQUETES TECNOLGICOS UTILIZADOS EN LAS ETAPAS DE

DESARROLLO.

Se dispone de un departamento de diseo mecnico con gran experiencia y

cualificacin. La instalacin de las pantallas led se realiza sobre subestructuras
diseadas y fabricadas ntegramente en nuestros centros productivos, siempre
bajo las ms estrictas directrices de calidad.

El proceso tecnolgico en el desarrollo de las placas electrnicas comprende las

siguientes etapas:
1. Seleccin de los LEDs. se realiza una seleccin homognea de leds para
que todos ellos tengan un rango de intensidad luminosa y tonalidad lo ms
idntico posible.
2. Fabricacin de las placas de matrices de LEDs. Los leds y el resto de
componentes son insertados en los Pcbs con mquinas automatizadas.
3. Fabricacin de las placas de control.
4. Ensamblaje de los mdulos.
5. Calibracin de color e inspeccin final.

PAQUETES TECNOLGICOS QUE UTILIZARON DURANTE

TODAS LAS ETAPAS DE DESARROLLO

1. etapa del modelo para seleccin de LEDs: La pantalla LED con el brillo
respetuoso del medio ambiente, alto, alta definicin, las altas caractersticas
de la confiabilidad sale gradualmente, y con una etapa, mercado de la
pantalla LED apenas cubrir las necesidades de la gente, pero exhibido en el
LED pero principalmente la calidad del producto en pantalla, pero apagado.
Con el desarrollo de la pantalla de visualizacin llevada, los productos del
LED ahora tienen una nueva brecha. Por lo menos comparado a la etapa
anterior pero tambin aumente el progreso. Tambin desarroll una serie de
totalmente diferente de los productos tradicionales del uso de fuente ser
popular. La pantalla LED aparecer un espacio ms amplio ms grande
para el desarrollo. La pantalla LED no slo sirve como decorador, l
tambin cambia el trabajo de la gente de la manera ms de cerca que hace
vida poco a poco. Hoy, los fabricantes tienen que luchar en las ventajas del
desarrollo del uso y de tecnologa del diseo. La instalacin de las pantallas
led se realiza sobre subestructuras diseadas y fabricadas ntegramente en
nuestros centros productivos, siempre bajo las ms estrictas directrices de
calidad. El proceso de fabricacin de las placas electrnicas comprende las
siguientes etapas: Seleccin de los LEDs. Se realiza una seleccin
homognea de leds para que todos ellos tengan un rango de intensidad
luminosa y tonalidad lo ms idntico posible.
1. Fabricacin de las placas de matrices de LEDs. Los leds y el resto de
componentes son insertados en los Pcbs con mquinas automatizadas.
 Soldadura 144 LEDs en una formacin de la matriz puede ser un poco difcil
si usted no tiene una idea general de cmo. La ltima vez que soldados de
una matriz que utiliza gran cantidad de puentes de alambre pequea que
era un fastidio para soldar, as que esta vez yo era un poco ms creativo y
se le ocurri de esta manera. Es necesario para doblar el cable positivo de
la LED hacia abajo hacia los dems y hacer una columna, y corte los cables
no se ha utilizado y tratar de hacer las conexiones tan bajo como se puede
llegar, y lo hace a todos los cables positivos. Ahora los cables negativos
estn conectados en una columna y eso es hacer la soldadura complicado
porque las filas de positivo hay en el camino, por lo que tendr que hacer
una curva de 90 grados con el cable negativo y hacer un puente sobre la
lnea positiva para el cable negativo al lado, y as sucesivamente para los
LEDs al lado.

2. Fabricacin de las placas de control. La fabricacin de integrados a gran

escala sigue, en la actualidad un procedimiento VLSI (Very Large Scale
Integration, Integracin en escala muy grande, por sus siglas en ingls)
partiendo del Silicio como materia prima. Desarrollos recientes en
tecnologas de aleacin de Silicio-Germanio (SiGe) y silicio, sometido a
esfuerzo, refuerzan an ms la posicin de los procesos de fabricacin que
se basan en este elemento en la industria microelectrnica en los aos
venideros.
El silicio puede ser refinado por medio de tcnicas bien establecidas de
purificacin y crecimiento de cristales. Este elemento qumico tambin
exhibe propiedades fsicas apropiadas para la fabricacin de dispositivos
activos con buenas caractersticas elctricas, adems es fcil de oxidar
para formar un excelente aislante como el dixido de silicio (SiO 2). Este
xido es til para construir condensadores y dispositivos MOSFET. Tambin
sirve como barrera de proteccin contra la difusin de impurezas
indeseables hacia el mineral adyacente de silicio de alta pureza. Esta
propiedad de proteccin del xido de silicio permite que sus propiedades
elctricas sean fciles de modificar en reas predefinidas. Por consiguiente,
 se pueden construir elementos activos y pasivos en la misma pieza material
(o sustrato). Entonces los componentes pueden interconectarse con capas
de metal (similares a las que se utilizan en las tarjetas de circuito impreso)
para formar el llamado circuito integrado monoltico, que es en esencia una
pieza nica de metal.

3. Ensamblaje de los mdulos. Todas las placas y componentes electrnicos

se montan sobre las carcasas de aluminio de los mdulos y se comprueban
individualmente.

4. Calibracin de color e inspeccin final. Se efectan diversos controles de

calidad con el objeto de minimizar las incidencias en el montaje.

Realizacin de la 'instalacin elctrica'. Cableado de datos desde la sala de control

a la pantalla led. Colocacin de los elementos de anclaje. Colocacin del sistema
de motorizacin (en caso de que fuese necesario). Tras la puesta a punto de estos
elementos, se pasa a instalar la pantalla led y finalmente el equipo tcnico de
LUMINOTEC PERU SAC imparte una formacin al personal que vaya a
gestionarla.

TECNOLOGAS QUE INTERVIENEN EN EL DESARROLLO DE LAS

PANTALLAS LEDS

Tecnologa modular

La mayor ventaja que posee una pantalla electrnica de LED compuesta de mdulos con
pixeles de LED, es que puede formarse o construirse sin limitante de dimensin alguna.
Puede ser muy pequea o completamente gigante o mega gigante. No existe limite en
estas pantallas por ser modulares. Y por ende al ser modulares no existen espacios entre
la unin de mdulos o gabinetes de LED, estas pantallas se rigen en base al tamao del
modulo que conforma los pixeles y dependiendo del pixel pitch (cada fabricante puede
tener su propio tamao de modulo o bien su modulo especifico en cuanto a dimensin de
longitud y altura), se puede dar el caso en que un fabricante tenga mdulos fabricados en
una dimensin especifica para evitar que la competencia lo reemplace, ya que cada
modulo se fabrica en serie y mediante molde especifico. Estos mdulos se encuentran en
todo tipo de presentaciones o variedades, es decir con diversos fabricantes de marcas de
LEDs, diversas intensidades, diversas calidades y presentaciones en DIP o SMD (tambin
existen en presentacin DOT Matrix, la cual es mas costosa que el SMD, mas ya no es
muy comn, se descontinuo la fabricacin por su alto costo). Pueden ser diseados para
interiores, exteriores, para usos arquitectnicos (Flexibles o especiales en base a su
requerimiento) o para usos especficos.

En lugares de instalacin en donde el ambiente es muy agresivo (por ejemplo cerca del
mar, en donde el aire contiene mucho polvo o sal) se recomienda que los mdulos
contengan un recubrimiento de barniz especial, as como en sus fuentes de poder y
gabinetes (en caso de ser de acero y no de aluminio).

Tecnologa led
En las luces LED actuales, la luz azul de un LED pasa a travs un fosfato para
convertir una porcin de esa luz azul en verde, amarillo o rojo. Esa mezcla de
colores es percibida por nuestros ojos como una luz blanca, por lo que puede ser
usada para iluminacin.

Sandia National Labs produjo una luz blanca a travs de 4 lseres separados
entre s. Demostraron que el ojo humano es capaz de ver esa luz generada por
diodos lser de la misma forma que la generada por diodos LED, inspirando a
otros a investigar y avanzar en esta tecnologa. El problema es que esa
implementacin de lser de luz blanca no se poda implementar en pantallas. Se
necesitaba un semiconductor.

Tecnologa full HD

llega el formato Ultra Alta Definicin UHDV, tambin llamado Super Hi-Vision
SHV o calidad 8K, una tecnologa que proporciona una resolucin de imagen 16
veces superior a la alta definicin 1080p y hasta 75 veces superior al sistema
PAL 768576. La tecnologa 8K/SHV tiene una calidad de imagen prxima al
3D, en parte por sus 4.000 lneas de escaneo horizontal, y una resolucin de
76804320 con 33 millones de pxeles.

n embargo, la empresa nipona lder en formato 8K Japan Broadcasting

Corporation NHK, Nippon Hoso Kyokai asegura que intentar superar la
resolucin de 73204320 necesaria para una imagen 2D en 8K es muy difcil con
la tecnologa actual. Segn explica Kimio Hamasaki, ingeniero de los laboratorios
de investigacin de NHK en Japn, es una cuestin fisiolgica. El ojo humano no
est preparado para procesar resoluciones superiores al formato de televisin 8K
en dos dimensiones, ya que las caractersticas de la percepcin humana tienen
ciertas limitaciones que son insalvables. Por tanto, el paso lgico a la televisin 8K
ser la televisin 3D de alta definicin, pero eso si, de una forma diferente a como
la conocemos actualmente.

Tal y como hemos visto anteriormente, la televisin 3D requiere una resolucin

considerable y muy superior a la que se puede visualizar actualmente. Para ello la
multinacional NHK est desarrollando una tecnologa de salida de vdeo de ltima
generacin basada en la tecnologa 3D estereoscpica, que ser tridimensional y
ver la luz en un futuro no muy lejano.
 CONCLUSIN

Dado que el xito comercial de una innovacin depende de varios actores, un uso
eficaz de las herramientas de la tecnologa, ayudar en gran medida a reducir los
riesgos que corran los distintos actores, de modo que luego puedan obtener
beneficios razonables a cambio de su participacin en el proceso. La P.I. facilita en
gran parte el proceso de introduccin de la tecnologa innovadora en el mercado, a
la vez que cumple una funcin esencial en el fomento de la competitividad de las
empresas basadas en la tecnologa, ya comercialicen productos nuevos o
mejorados o proporcionen servicios inspirados en una tecnologa nueva o
mejorada.

Para la mayora de las empresas basadas en la tecnologa, una invencin exitosa

permite trabajar con mayor eficacia o comercializar un nuevo producto. Gracias al
valor aadido obtenido, la mayor rentabilidad de la empresa conlleva un aumento
de sus ingresos o de su productividad.

La innovacin y la invencin no son lo mismo. La innovacin es un proceso que se

inicia con la concepcin de una idea y termina con el lanzamiento al mercado de
un nuevo producto o proceso.

Un uso eficaz de los derechos de propiedad intelectual puede facilitar el xito de la

innovacin. Las tecnologas innovadoras tienen ms posibilidades de tener xito
comercial si se hace un uso estratgico de la P.I. Las patentes contribuyen a la
innovacin o son el resultado de ella, pero distan mucho de ser la nica
herramienta de P.I. que favorece el proceso de innovacin, y cabe recordar que
existen otras herramientas de P.I. que desempean un papel fundamental en la
innovacin. Es por lo tanto necesario adoptar un enfoque ms amplio y no
limitarse a las patentes cuando se plantee la contribucin de la P.I. a la innovacin.
 CLANCY Kevin J SHULMAN Robert S. LA REVOLUCIN
DELMARKETING. Ediciones Vergara. Buenos Aires.
Argentina 1994

ENCICLOPEDIA DE LA DIRECCIN Y ADMINISTRACIN

DE EMPRESAS
 Ediciones ORBIS 1987. Volumen III

KOTLER PHILIP. MERCADOTECNIA. Primera edicin.

Editorial PHH, Mxico, octubre de 1984

LAMB Charles y otros MARKETING, cuarta edicin.

Internacional Thonson Editores. Mxico Distrito Federal 1198

LAMBIN Jean Jacques. MARKETING ESTRATGICO,

Segunda edicin, Editorial Mc Graw Hill, Mxico distrito
Federal 1992

OSHAUGHNESSY Jhon. MARKETING COMPETITIVO.

Ediciones Diaz de Santos S.A. Madrid Espaa, 1991

STANTON Willian y Cundiff Richard FUNDAMENTOS DE

MERCADEO, Ediciones Mac Graw Hill. Mxico distrito
Federal 1995

Armenteros, Mara del Carmen. La innovacin tecnolgica. 1999.

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Pavn J. Y A. Hidalgo (1997) Gestin e Innovacin. Un enfoque estratgico

Porter, M. (1982) Estrategia Competitiva.

Roberts, E. (1987) Gestin de la Innovacin tecnolgica