Aplicaciones del UJT

Una de las aplicaciones del UJT ms comn es como generador de pulsos en

diente de sierra. Estos pulsos resultan muy tiles para controlar el disparo de la
puerta de TRIACS y SCR.
En la siguiente figura, se muestra el esquema de uno de estos circuitos.

Su funcionamiento es como sigue: Al aplicar una tensin VCC al circuito serie R-

C, formado por la resistencia variable RS y el condensador CS, dicho
condensador comienza a cargarse. Como este condensador est conectado al
emisor, cuando se supere la tensin intrnseca, el UJT entrar en conduccin.
Debido a que el valor hmico de la resistencia R1 es muy pequeo, el
condensador se descargar rpidamente, y en el terminal de B1aparecer un
impulso de tensin. Al disminuir la corriente de descarga del condensador,
sobre el emisor del UJT, por debajo de la de mantenimiento, ste se desceba y
comienza otro nuevo ciclo de carga y descarga del condensador. As, se
consigue que en el terminal de la base 1 aparezca una seal pulsante en forma
de diente de sierra, que puede utilizarse para controlar los tiempos de disparo
de un SCR o de un TRIAC. Para regular el tiempo de disparo es suficiente con
modificar el valor hmico de la resistencia variable RS, ya que de sta depende
la constante de tiempo de carga del condensador.
En la siguiente figura, se muestra una tpica aplicacin del generador de pulsos
de diente de sierra con UJT para controlar el disparo de un SCR. Mediante este
circuito controlamos la velocidad de un motor serie (o de cualquier otro tipo de
carga: estufas, lmparas, etc) gracias a la regulacin de la corriente que realiza
sobre medio ciclo del SCR. Para controlar la velocidad del motor, basta con
modificar la frecuencia de los pulsos en dientes de sierra, lo cual se consigue
variando el valor del potencimetro RS.

SCR

FUNCIONAMIENTO Caracterstica tensin-corriente Sobre el circuito de la

Figura 4.4 desarrollaremos nuestro estudio para la obtencin de los puntos
caractersticos del funcionamiento del S.CR., una aproximacin a la
caracterstica tensin-corriente (Grfica 4.1). '" En este circuito se presenta un
ejemplo de utilizacin donde, mediante la posicin del conmutador (S), se
controla la aplicacin de potencia a la carga (R). R limitar la corriente que
circule por el circuito nodo-ctodo cuando- el tiristor est en conduccin. R2
limita la corriente de puerta a un valor mximo cuando el potencimetro P est
situado al mnimo, y con ste se consigue ajustar dicha corriente. Suponemos
inicialmente el interruptor S abierto, por lo que la corriente de puerta lG =
O.Aumentando lentamente VAA, a partir de cero, por el tiristor habr una
circulacin despreciable de corriente y la cada de tensin en R ser
prcticamente cero, luego VAK = = VAA, hasta que alcanzado un valor VAA :::
VAK = VBO el tiristor pasa al estado de R, = 470 Q 4 W R2 = 10 kQ, 1/2 W P =
1 Mn V... = O ~ 30 V. 0.5 A VGG = 5 V, 0.1 A l. = Miliampermetro [G =
Microampermetro V'I< = Voltmetro Th = BT106D s Figura 4.4. Circuito
prctico para la obtencin de la caracterstica directa del S.C.R. conduccin y
su tensin nodo-ctodo ha disminuido a un valor VT. En esa situacin, la
corriente de nodo lA presenta un valor Si en esas circunstancias disminuimos
progresivamente VAA , tambin lo har lA, hasta alcanzado un valor lH' a partir
del cual el tiristor pasa al estado de bloqueo o descebado extinguindose la
corriente de nodo. Aumentando posteriormente V:4A' se observa que estamos
en las condiciones iniciales, no alcanzndose el cebado hasta no llegar a un
valor de VAA = VBO' Si con VAA = cerramos S y, mediante P, ajustamos I a
un valor le, y repetimos el proceso anterior, observaremos que el S.C.R. se
ceba a una tensin VBt < VBo' Una vez alcanzada dicha situacin, la corriente
que circule por el circuito de nodo depender del valor de R1 y del actual de
VAA' Abriendo S, no varian las condiciones del circuito de nodo, ya que al
estar el tiristor en estado de conduccin, dicho circuito es independiente del de
puerta. Se observa, igualmente, que en el estado de conduccin, para el
mismo valor de VAA que en el caso de lG = 0, se obtiene el mismo valor de VT
y que disminuyendo VAA, para conseguir el bloqueo, encontramos que ste
ocurre para valores sensiblemente iguales de lH y VH a los obtenidos
anteriormente. Reiterando los pasos anteriores para valores de lG, tales que se
irn obteniendo tensiones de cebado nodo-ctodo cada vez menores, de tal
forma que hasta que alcanzado un valor determinado de lG' relativamente
grande, el tiristor se ceba directamente al alcanzar VAK un valor igual a VT y,
para este caso, su comportamiento ser similar al de un 'diodo. De todo lo
anterior podemos resumir que: La magnitud de la corriente de puerta
controla el valor de la tensin nodo-ct"Odoa la que se ceba el S.C.R. Una
vez cebado, la corriente lA que circula por e! S.C.R. depende exclusivamente
del circuito exterior. El tiristor volver al estado de bloqueo cuando la
corriente de nodo descienda por debajo de la de mantenimiento lH' Con
pequeas corrientes de puerta, se pueden controlar grandes corrientes de
nodo. Circuitos de descebado Las dos grandes ventajas que presentan los
tiristores son e! poder determinar el valor de tensin a partir de! cual se aplica
potencia a una carga (de ah su nombre de S.C.R.) y el controlar corrientes de
carga (lA) importantes, mediante corrientes de control (IG) sensiblemente
inferiores. Cuando e! S.C.R. encuentra aplicaciones en c.c. (al presentar dicha
tensin valores constantes), la corriente de puerta deber presentar dos
niveles perfectamente diferenciados, es decir, todo o nada de tal forma que,
cuando se introduzca corriente por dicho terminal, el componente se cebe
aplicando potencia a la carga; ahora bien, en estas condiciones permanecer
mientras, de algn modo, no se reduzca la corriente de carga por debajo de IH'
misin de la que se encargan los circuitos de descebado. Cuando el descebado
se ha de producir manualmente o por medios mecnicos, la Figura 4.5
representa las dos formas ms elementales de conseguirlo. En el circuito de la
Figura 4.5a, y mediante la actuacin sobre el pulsador S, se interrumpe
directamente la corriente de nodo, quedando por tanto, el tiristor dispuesto
para ser cebado de nuevo. Este sistema encuentra aplicacin en el control de
pequeas corrientes. [4J RL =-470 Q, 4 W R, = 39 kQ, 1/2 W e = 470 nF, 63 Y
7;, = BT106D . S = Pulsador NA VAA = 25 Y, 0,5 A +0-----1 s (a) Figura 4.5.
Circuitos de descebado de actuacin manual: (a) por interrupcin directa, (b)
por descarga de condensador. Cuando la corriente a conmutar es de valores
considerables, no parece lo ms conveniente interrumpirla directamente, ya
que seria necesario colocar un interruptor o pulsador cuyos contactos
soportarn dicha interrupcin, dejando sin sentido el empleo del tiristor. En ese
caso se emplear el circuito de la Figura 4.5b, del que analizaremos su
comportamiento. Cuando el S.C.R. conduce, e se carga, a la tensin VAA, a
travs de R y del mismo tiristor con la polaridad indicada. Al cerrar S, el
condensador queda conectado en paralelo con el S.c.R. y sus tensiones
respectivas en oposicin; como e se ha cargado a una tensin VAA , valor
mayor que VT , el tiristor queda momentneamente sometido a una
polarizacin inversa de valor asegurando el bloqueo. El valor de R ha de ser
elevado con el fin de no absorber innecesariamente corriente de la fuente
durante la actuacin de S. Cuando el descebado haya de ser controlado por
procedimientos electrnicos, es decir, venga controlado por una seal, la idea
fundamental es sustituir S por un elemento de conmutacin (transistor, tiristor
o cualquier elemento que presente un sbito paso de corriente mediante la
aplicacin de una seal de control). La Figura 4.6a muestra el empleo de un
transistor donde la presencia de un pulso, en el circuito de base de T, provoca
la saturacin del mismo y la derivacin del punto de unin de R y e a masa.
+o---,--....j +0--...--", 7;" 7;" ...JL 00 00 Figura 4.6. Circuitos de descebado
activados por elementos de conmutacin. (a) Mediante transistor. (b) Mediante
tiristor. Ntese que la especificacin de VCEO del transistor ha de ser mayor
que VAAEn la Figura 4.6b el transistor se ha sustituido por un segundo tiristor
(~2)' donde la presencia de pulsos en su circuito de puerta provoca el paso a
su estado de conduccin y su posterior bloqueo se asegura, ya que una vez
descargado e, la corriente a travs de R es inferior a la de mantenimiento de
~2 (requisito que ha de cumplir el valor de dicha resistencia). Estos dos
circuitos ofrecen como ventaja adicional el que se puedan emplear para
actuacin manual, siendo las corrientes de control de descebado que se
gobiernan muy inferiores a las de carga. (6J La Figura 4.7 muestra dichos
circuitos para actuacin manual. +o--""T"-- + RL ~ ~ VAA R2 R2 7;., (a) RL =
470!l, 4 W R = 39 k!l, 1/2 W R2 = 4 k 7!l, 1/2 W e = 470 nF, 63 V T = BD137
7;. = BTI06D S = Pulsador NA VAA = 25 Y, 0.5 A (b) RL = 470 n, 4 W R = 39 k!
l, 1/2 W R2 = 10 k!l, 1/2 W e = 470 nF, 63 V 7;., = T., = BTI06D S = Pulsador
NA VAA = 25 Y. 0,5 A Figura 4.7. Circuitos de descebado de actuacin manual
mejorados. (a) Mediante
TRIAC
El triac
Al igual que el tiristor tiene dos estados de funcionamiento: bloqueo y
conduccin. Conduce la corriente entre sus terminales principales en un
sentido o en el inverso, por ello, al igual que el diac, es un dispositivo
bidireccional.
Conduce entre los dos nodos (A1 y A2) cuando se aplica una seal a la puerta
(G).
Se puede considerar como dos tiristores en antiparalelo. Al igual que el tiristor,
el paso de bloqueo al de conduccin se realiza por la aplicacin de un impulso
de corriente en la puerta, y el paso del estado de conduccin al de bloqueo por
la disminucin de la corriente por debajo de la intensidad de mantenimiento
(IH).
Est formado por 6 capas de material semiconductor como indica la figura.
Smbolo del triac Tiristores en antiparalelo Estructura interna de un triac
La aplicacin de los triacs, a diferencia de los tiristores, se encuentra
bsicamente en corriente alterna. Su curva caracterstica refleja un
funcionamiento muy parecido al del tiristor apareciendo en el primer y tercer
cuadrante del sistema de ejes.
Esto es debido a su bidireccionalidad. La principal utilidad de los triacs es como
regulador de potencia entregada a una carga, en corriente alterna.
El encapsulado del triac es idntico al de los tiristores.

DIAC: Control de potencia en corriente alterna (AC)

El DIAC es un diodo de disparo bidireccional, especialmente diseado para
disparar TRIACs y Tiristores (es un dispositivo disparado por tensin).
El TRIAC tiene dos terminales: MT1 y MT2. Ver el diagrama. El DIAC se
comporta como dos diodos zener conectados en serie, pero orientados en
formas opuesta. La conduccin se da cuando se ha superado el valor
de tensin del zener que est conectado en sentido opuesto.
El DIAC normalmente no conduce, sino que tiene una pequea corriente de
fuga. La conduccin aparece cuando la tensin de disparo se alcanza.

Cuando la tensin de disparo se alcanza, la tensin en el DIAC se reduce y

entra en conduccin dejando pasar la corriente necesaria para el disparo del
SCR o TRIAC. Se utiliza principalmente en aplicaciones de control
de potencia mediante control de fase. La curva caracterstica del DIAC se
muestra a continuacin.
En la curva caracterstica se observa que cuando:
+V o V es menor que la tensin de disparo, el DIAC se comporta como un
circuito abierto
+V o V es mayor que la tensin de disparo, el DIAC se comporta como un
cortocircuito
Sus principales caractersticas son:
Tensin de disparo.
Corriente de disparo.
Tensin de simetra (ver grafico anterior).
Tensin de recuperacin.
Disipacin de potencia
(Los DIACs se fabrican con Tiristor (LASCR)
capacidad de disipar
potencia de 0.5 a 1 watt.)

Rectificador controlado de
silicio fotoactivo (LASCR)
Rectificador controlado de
silicio fotoactivo (LASCR).
Dispositivo semiconductor de
cuatro capas que opera
esencialmente como el SCR
normal, solamente que es Circuito donde es usado un LASCR.
activado por medio de
energa luminosa que incide sobre una de las junturas PN. Cuando la luz
incidente es suficientemente intensa, el LASCR se dispara y permanece en ese
estado aunque desaparezca esa luz.
Contenido
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1 Principio de funcionamiento
2 Aplicaciones
2.1 Equipos en que se usa
3 Caractersticas
4 Vase tambin
5 Fuentes
Principio de funcionamiento

Figura I.
Este dispositivo se activa mediante radiacin directa de luz sobre el disco de
silicio. Los pares electrn-hueco que se crean debido a la radiacin producen la
corriente de disparo bajo la influencia de un campo elctrico. La estructura de
compuerta se disea a fin de proporcionar la suficiente sensibilidad para el
disparo, a partir de fuentes luminosas prcticas (por ejemplo, LED y para
cumplir con altas capacidades de di/dt y dv/dt). En un circuito puede ser
reconocido por la simbologa que muestra la figura I. Como se observa el
mismo cuenta con tres terminales Puerta (G), Anodo (A), Ctodo (K) y una
ventana transparente por donde entra la luz.
Aplicaciones
Los LASRC se utilizan en aplicaciones de alto voltaje y corriente por ejemplo,
transmisin de cd de alto voltaje (HVDC) y compensacin de potencia reactiva
esttica o de volt-amperes reactivos (VAR). Un LASCR ofrece total aislamiento
elctrico entre la fuente de disparo luminoso y el dispositivo de conmutacin
de un convertidor de potencia, que flota a un potencial tan alto como unos
cuantos cientos de kilovoltios.
Equipos en que se usa
Alarmas antirrobo
Detectores de presencia en puertas y ascensores
Circuitos de control ptico en general
Relevadores
Control de fase
Control de motores
Y una variedad de aplicaciones en computadoras.
Caractersticas
La especificacin de voltaje de un LASCR puede llegar tan alto como 4 kv a
1500 A, con una potencia de disparo luminoso de menos de 100mw. El di/dt
tpico es 250 A/ms y el dv/dt puede ser tan alto como 2000v/ms. La frecuencia
de conmutacin es de hasta 2kHz, estos tiristores normalmente disponen de
conexiones especiales para ser disparados con fibra ptica. Un LASCR ofrece
total aislamiento elctrico entre la fuente de disparo luminoso y el dispositivo
de conmutacin de un convertidor de potencia, que flota a un potencial tan
alto como unos cuantos cientos de kilovoltios.
Tiristor de conduccin inversa (RTC). Tiristor el cual cumple con las
caractersticas de un tiristor comn y puede considerarse como un tiristor con
un diodo antiparalelo incorporado, es te se usa en la electrnica de potencia.

Contenido
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1 Descripcin
2 Simbologa
3 Enlace externo
4 Fuentes
Descripcin
En muchos circuitos pulsadores e inversores se conecta un diodo antiparalelo a
travs de un SCR, con la finalidad de permitir el flujo de corriente inversa
debido a una carga inductiva y para mejorar el requisito de desactivacin de un
circuito de conmutacin. El diodo fija el voltaje de bloqueo inverso del SCR a 1
2 volt por debajo de las condiciones de rgimen permanente. Sin embargo en
condiciones transistorias el voltaje uede elevarse hasta 30 volt debido al
voltaje inducido por la inductancia dispersa en el circuito dentro del dispositivo.
Un RCT es un intercambio entre caractersticas del dispositivo y requisitos del
circuito; puede considerarse como un tiristor con un diodo antiparalelo
incorporado.
Un RCT se conoce tambin como tiristor asimtrico (ASCR). El mismo cuenta
con tres pines nodo, ctodo y puerta. El voltaje de bloqueo directo varia de
400 a 2000 volts y la especificacin de corriente hasta 500A. El voltaje de
bloque inverso es tipicamente de 30 a 40 Volts. Dada las caractersticas de
relacin entre la corriente directa a travs de un tiristor y la corriente inversa
del diodo, sus aplicaciones se limitan a diseos de circuitos especficos.
Simbologa
Los RTC pueden encontrarse de dos tipos:
Tiristores de conduccin inversa, puerta canal n controlado por nodo
mostrado en la Figura I.
Tiristores de conduccin inversa, puerta canal p,controlado por ctodo
mostrado en la Figura II.
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Figura I.

Figura II.
Tiristor desactivado por compuerta (GTO). Son semiconductores discretos que
actan como interruptores completamente controlables, los cuales pueden ser
encendidos y apagados en cualquier momento con una seal de compuerta
positiva o negativa respectivamente. Estos componentes estn optimizados
para tener muy bajas prdidas de conduccin y diseados para trabajar en las
mas demandantes aplicaciones industriales. Estos componentes son altamente
utilizados en Convertidores de Alto Voltaje y Alta Potencia para aplicaciones de
baja y media frecuencia.
Contenido
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1 Estructura
2 Funcionamiento
3 Ventajas de los GTO sobre los SCR
4 Ventajas sobre los transistores bipolares en aplicaciones de baja potencia.
5 Principales aplicaciones en la industria
6 Vase tambin
7 Fuentes
Estructura

Figura I.
Un tiristor GTO tiene la estructura muy similar a un tiristor SRC convecional,
como se muestra en la figura I. con sus 4 capas de silicio (PNPN) y tres
terminales: nodo (A), ctodo (K) y puerta (G).
Funcionamiento

Figura II.
Un tiristor GTO, al igual que un SCR puede activarse mediante la aplicacin de
una seal positiva de compuerta. Sin embargo, se puede desactivar mediante
una seal negativa de compuerta. Un GTO es un dispositivo de enganche y se
construir con especificaciones de corriente y voltajes similares a las de un SCR.
Un GTO se activa aplicando a su compuerta un pulso positivo corto y se
desactiva mediante un pulso negativo corto. La simbologa para identificarlo en
un circuito es la que se muestra en la figura II.
Mientras el GTO se encuentre apagado y no exista seal en la compuerta, el
dispositivo se bloquea para cualquier polaridad en el nodo, pero una corriente
de fuga (IA leak) existe. Con un voltaje de bias en directa el GTO se bloquea
hasta que un voltaje de ruptura VAK = VB0 es alcanzado. En este punto existe
un proceso dinmico de encendido., VAK = 3V y la corriente IA es determinada
por la carga. Cuando el GTO se apaga y con la aplicacin de una voltaje en
inversa, solo una pequea corriente de fuga (IA leak) existe. Una polarizacin
en inversa VAK puede ser alcanzada cuando ocurra un corte. El valor del voltaje
del voltaje de ruptura inverso depende del mtodo de fabricacin para la
creacin de una regeneracin interna para facilitar el proceso de apagado.
Con un voltaje de polarizacin directo aplicado al nodo y un pulso de corriente
positiva es aplicada al gate, el GTO se enciende y permanece de esa forma.
Para sta condicin, existen 2 formas de apagarlo. Una forma es reduciendo la
corriente de nodo IA por medios externos hasta un valor menor a la corriente
de holding Ih, en la cual, la accin regenerativa interna no es efectiva. La
segunda forma de apagarlo es por medio de un pulso en el gate, y este es el
mtodo ms recomendable porque proporciona un mejor control.
Ventajas de los GTO sobre los SCR
Eliminacin de los componentes auxiliares en la conmutacin forzada, que da
como resultado una reduccin en costo, peso y volumen.
Eliminacin del ruido acstico y electromagntico debido a la eliminacin de
bobinas de induccin en la conmutacin.
Desactivacin ms rpida, permitiendo frecuencias de conmutacin ms altas.
Una eficiencia mejorada de los convertidores.
Ventajas sobre los transistores bipolares en aplicaciones de baja potencia.
Ms alta capacidad de voltaje de bloqueo.
Alta relacin de corriente de pico controlable a corriente promedio.
Alta relacin de corriente de pulsacin pico a corriente promedio,tpicamente
de 10:1.
Alta ganancia en estado activo tpicamente de 600 Seal de compuerta
pulsada de corta duracin. Bajo condiciones de pulsacin de carga, un GTO
pasa a una saturacin ms profunda debido a la accin regenerativa. Por otra
parte, un transistor bipolar tiende a salirse de saturacin.
Principales aplicaciones en la industria
Troceadores y convertidores
Control de motores asncronos
Inversores
Caldeo inductivo
Rectificadores
Soldadura al arco
Sistema de alimentacin ininterrumpida (SAI)
Control de motores
Traccin elctrica
Tiristores controlados por FET (FET-CTH).

Un dispositivo FET-CTH combina un MOSFET y un tiristor en paralelo, tal y como

se muestra en la figura siguiente. Si a la compuerta del MOSFET se le aplica un
voltaje suficiente, tpicamente 3v, se genera internamente una corriente de
disparo para el tiristor. Tiene una alta velocidad de conmutacin, un di/dt alto y
un dv/dt alto.
Este dispositivo se puede activar como los tiristores convencionales, pero no se
puede desactivar mediante control de compuerta. Esto servira en aplicaciones
en las que un disparo ptico debe utilizarse con el fin de proporcionar un
aislamiento elctrico entre la seal de entrada o de control y el dispositivo de
conmutacin del convertidor de potencia.

Figura 6. Estructura FET-CTH.

Tiristor IGCT
Smbolo elctrnico del tiristor IGCT.
Un Tiristor Controlado por Puerta Integrada o simplemente Tiristor
IGCT (del ingls Integrated Gate-Commutated Thyristor) es un dispositivo
semiconductor empleado en electrnica de potencia para conmutar corriente
elctrica en equipos industriales. Es la evolucin del Tiristor
GTO (del ingls Gate Turn-Off). Al igual que el GTO, el IGCT es un interruptor
controlable, permitiendo adems de activarlo, tambin desactivarlo desde el
terminal de control Puerta o G (del ingls Gate). La electrnica de control de la
puerta est integrada en el propio tiristor.
Un Tiristor Controlado por Puerta Integrada o simplemente Tiristor IGCT (del
inglsIntegrated Gate-Commutated Thyristor) es un dispositivo semiconductor
empleado en electrnica de potencia para conmutar corriente elctrica en
equipos industriales. Es la evolucin del Tiristor GTO (del ingls Gate Turn-Off).
Al igual que el GTO, el IGCT es un interruptor controlable, permitiendo adems
de activarlo, tambin desactivarlo desde el terminal de control Puerta o G (del
ingls Gate). La electrnica de control de la puerta est integrada en el propio
tiristor.
es, en principio, un tiristor de apagado (GTO) conaltos parmetros dinmicos
en el encendido y el modo dedesvo. Apagado la velocidad del proceso Es sobre
todo un factor por el cual GTO y los dispositivos IGCT se diferencian entre
s otros.

El dispositivo est compuesto IGCT de dos partes elementales, GCT tiristor

estructura que se coloca en un caso de disco similar a la GTO dispositivo y una
unidad de puerta a la quela caja del disco con TCG se adjunta lo ms ajustado
posible. los mismos viene el nombre de Ingls de este nuevo tipo de dispositivo
que se deriva de el hecho de que la unidad de la puerta es,
literalmente, integrado con el tiristor GCT. Es as porque la tasa de aumento
de puerta de desvo actual debe ser muy altopara la funcin a causa de la GCT
y por lo tanto autoinduccin (inductancia espurio) de la puerta conducir la
unidad como debe ser minimizado.

COMPARACION DE VOLTAJE Y CORRIENTE Y FORMA DE ONDA DEL IGCT EN

DESVIO
El tiristor controlado por mosfet es una mejora sobre un tiristor con un par de
MOSFET para encender y apagar actual. El MCT por sus siglas en ingls supera
varias de las limitaciones de los dispositivos existentes de poder y promete ser
un cambio mejor para el futuro. Si bien hay varios dispositivos en la familia
MCT con distintas combinaciones de canales y estructuras de la puerta.

Modelado de tiristor controlado por mosfet con mosfet y bjt

ndice
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1Encendido y apagado de los MCT
2Caracterstica del MCT
3Aplicaciones del MCT
4Comparacin de los MCT con otros dispositivos de potencia
5Bibliografa
Encendido y apagado de los MCT[editar]
Cuando el MCT est en estado de bloqueo directo, que puede ser activado
mediante la aplicacin de un pulso negativo a su puerta con respecto al nodo.
El impulso negativo se convierte en el PMOSFET (On-FET), cuya fuga de
corriente a travs de la unin base-emisor de Q1 (PNP) con lo que la enciende.
La accin regenerativa en Q1 Q2 convierte la conduccin en MCT on
completo dentro de un tiempo muy corto y la mantiene incluso despus del
pulso de entrada se elimina. El MCT se enciende sin una fase plasmaspreading
dando una alta capacidad de dI = dt y la facilidad de proteccin contra la
sobretensin. La resistencia en estado de MCT es ligeramente superior a la de
un tiristor equivalente debido a la degradacin de la eficiencia de la inyeccin
de N? emisor = p-base de la unin. Adems, la corriente de pico MCT es mucho
ms alto que el promedio o calificacin de la corriente eficaz. MCT se
mantendr en el estado ON hasta que la corriente se invierte el dispositivo o
un pulso a su vez-off se aplica a su puerta. La aplicacin de un impulso positivo
a su puerta se apaga la realizacin de un MCT. El impulso positivo se convierte
en el NMOSFET (Off-FET), desviando as la base de Q2 (PNP) hacia el nodo de
la MCT y la ruptura del enganche de la accin SCR. Esto evita que la
realimentacin en el SCR y apaga la MCT. Todas las clulas dentro del
dispositivo se apaga al mismo tiempo para evitar un sbito aumento en la
densidad de corriente. Cuando el FET Off-estn activados, la seccin de SCR es
muy corto y esto se traduce en una alta dV dt = calificacin de la MCT. La
corriente ms alta que se puede apagar con la aplicacin de un sesgo de la
puerta se llama controlable corriente mxima. El MCT se puede controlar la
puerta si el actual dispositivo es menor que el actual mximo controlable. Para
corrientes de dispositivo ms pequeo, el ancho del pulso de apagado no es
crtico. Sin embargo, para las grandes corrientes, el pulso de la puerta tiene
que ser ms amplia y ms a menudo tiene que ocupar la totalidad del tiempo
de parada del interruptor.
Seccin transversal de MCT
Caracterstica del MCT[editar]
Una baja cada de voltaje directo durante la conduccin;
Un tiempo de activado rpido, tpicamente 0.4m s, y un tiempo de desactivado
rpido, tpicamente 1.25m s, para un MCT de 300A, 500v;
Bajas perdidas de conmutacin;
Una baja capacidad de bloqueo voltaje inverso.
Una alta impedancia de entrada de compuerta, lo que simplifica mucho los
circuitos de excitacin. Es posible ponerlo efectivamente en paralelo, para
interrumpir corrientes altas, con slo modestas reducciones en la
especificacin de corriente del dispositivo. No se puede excitar fcilmente a
partir de un transformador de pulso, si se requiere de una polarizacin continua
a fin de evitar ambigedad de estado.
Aplicaciones del MCT[editar]

Aplicacin del MCT

El MCT se han utilizado en varias aplicaciones, algunas de las cuales se
encuentran en la zona de ac-dc y la conversin de corriente alterna-alterna,
donde la entrada es de 60 Hz de corriente alterna. Funcionamiento variable del
factor de potencia se logr mediante el MCT como una fuerza conmutado de
interruptor de alimentacin. El circuito de potencia de un controlador de voltaje
de corriente alterna capaz de operar a una de las principales, por detrs, y el
factor de potencia se muestra en la Ilustracin 3. Debido a la frecuencia de
conmutacin es baja, las prdidas de conmutacin son insignificantes. Debido
a la cada directa es baja, las prdidas de conduccin son tambin pequeas.
La MCT tambin se utiliza en los interruptores. Comparacin de los MCT con
otros dispositivos de potencia
Comparacin de los MCT con otros dispositivos de potencia[editar]
MCT se puede comparar con un MOSFET de potencia, un BJT de potencia, y un
IGBT de tensiones similares y corrientes. El funcionamiento de los dispositivos
se compara con el estado, estado desactivado, y en condiciones transitorias. La
comparacin es simple y muy completa. La densidad de corriente de un MCT es
70% superior a la de un IGBT con la misma corriente total. Durante su Estado,
el MCT tiene una cada de conduccin ms baja en comparacin con otros
dispositivos. Esto se atribuye a la reduccin de tamao de las clulas y la
ausencia de cortos emisor presente en el SCR dentro del MCT.

El MCT tambin tiene un coeficiente negativo de temperatura moderada a baja

corriente con el coeficiente de temperatura positivo de inflexin en la mayor
corriente [2].La figura 8.3 muestra la cada de la conduccin en funcin de la
densidad de corriente. La cada de avance de un 50-A MCT a 25 C es de
alrededor de 1,1 V, mientras que para un IGBT es comparable ms de 2,5 V. La
cada de tensin equivalente calculada a partir del valor del SDR? ON? para un
MOSFET de potencia ser mucho mayor. Sin embargo, el MOSFET de potencia
tiene un tiempo de retardo mucho menor (30 ns) en comparacin con la de un
MCT (300 ns). El activado de un MOSFET de potencia puede ser mucho ms
rpido que un MCT o un IGBT por lo tanto, las prdidas de conmutacin sera
insignificante en comparacin con las prdidas de conduccin. El encendido de
un IGBT es intencionadamente lento para controlar la recuperacin inversa del
diodo utilizado en inductivo. El MCT se pueden fabricar en una amplia gama de
voltajes de bloqueo. Desvo velocidades de MCT se supone que son ms altos
como inicialmente previsto. El giro en el rendimiento de 2 Generacin-MCT se
divulgan para ser mejor en comparacin con el Generacin-1 dispositivo. A
pesar de que el MCT 1 generacin-tienen mayores tiempos de desconexin en
comparacin con IGBTs, los ms nuevos con mayor radiacin (endurecimiento),
la dosis tiene momentos comparables desvo. En la actualidad, la actividad de
amplio desarrollo en los IGBT se ha traducido en alta velocidad de suministro
de energa en modo encendido (SMPS) IGBTs que puede operar a velocidades
de conmutacin de 150 kHz. El tiempo de retardo de apagado y el tiempo de
cada de un MCT son mucho ms altos en comparacin con un MOSFET de
potencia, y se encuentran a aumentar con la temperatura. MOSFET de potencia
se convierte en atractivo a
cambio de las frecuencias por Tiristor de induccin esttica
encima de 200 kHz, y tienen
el ms bajo en la curva de
prdidas entre los tres
dispositivos. El rea de
desactivacin de operacin
segura (SOA) es mejor en el
caso de un IGBT de un MCT.
Por un MCT, el cambio
completo actual es sostenible
en el 50 a 60% de la tensin
de ruptura.

Tiristor de induccin esttica Componente electrnico utilizado en circuitos de conmutacin.

(SITH). Es un tipo de tiristor
el cual tiene la posibilidad de activarse con un voltaje positivo de compuerta y
una de sus principales caracterstica es su baja resistencia en estado activo.

Contenido
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1 Principio de funcionamiento
2 Caractersticas
3 Enlace externo
4 Fuente
Principio de funcionamiento
Por lo general, un SITH es activado al aplicarle un voltaje positivo de
compuerta, como los tiristores normales, y desactivado al aplicarle un voltaje
negativo a su compuerta. Un SITH es un dispositivo de portadores minoritarios.
Como consecuencia, el SITH tiene una baja resistencia en estado activo as
como una baja cada de potencial,y se puede abricar con especificaciones de
voltaje y corriente ms altas.
Caractersticas
Un SITH tiene velocidades de conmutacin muy rpidas y capacidades altas de
dv/dt y di/dt. El tiempo de conmutacin es del orden de 1 a 6 ms. La
especificacin de voltaje puede alcanzar hasta 2500 V y la de corriente est
limitada a 500 A. Este dispositivo es extremadamente sensible a su proceso de
fabricacin, por lo que pequeas variaciones en el proceso de manufactura
pueden producir cambios de importancia en sus caractersticas.