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INFORME DE PRACTICA DE TRANSISTORES

Andrade Carlos 1, Gomez Jorge 2, Llivisaca Carlos 3, Mendez Esteban 4 y


Suin Kevin 5

Resumen Abstract
El transistor es un dispositivo electrnico The transistor is a semiconductor electronic device
semiconductor utilizado para entregar una seal de used to deliver an output signal in response to a signal
salida en respuesta a una seal de entrada.1 Cumple entrada.1 acts as amplifier, oscillator, switch or
funciones de amplificador, oscilador, conmutador o rectifier according to the circuit design.
rectificador segn el diseo del circuito.
In short, the transistors are solid state electronic
En resumen, los transistores son dispositivos devices, when on a semiconductor two metal ends and
electrnicos de estado slido, cuando sobre un one was applied some tension became, the current in
semiconductor se ponan dos puntas metlicas y a the other came influenced by the first; the first tip is
una se le aplicaba una cierta tensin, la corriente en called issuer; the semiconductor base and the other
la otra venia influenciada por la de la primera; a la end collector.
primera punta se la denomina emisor; al
semiconductor, base y a la otra punta, colector. Later it was found that the same phenomenon occurred
if two semiconductors joined polarized inversely to
Posteriormente se encontr que igual fenmeno one of a different type; well junction transistors, which
ocurra si se unan dos semiconductores polarizados are the most used are built. According to the structure
en sentido inverso a otro de distinto tipo; as se of their unions, the transistors may be PNP or NPN.
construyen los transistores de unin, que son los ms
empleados. Segn la estructura de sus uniones, los Keywords: transistors, HFE, current, base, collector,
transistores pueden se p-n-p o n-p-n. emitter.

Palabras Clave: transistores, hfe, corriente, base,


colector, emisor.

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1. Introduccin 4. Desarrollo.
Los transistores son unos dispositivos 4.1 Marco Terico
electrnicos semiconductor, fabricados de
silicio o germanio, de estado slido que Transistores NPN
permite amplificar la seales del voltaje,
este es de gran uso tanto en la electrnica Materiales:
analgica (amplificador) como en la digital
(conmutador). Un transistor NPN consiste en un
sndwich de tres capas de silicio
El termino transistor es un acrnimo de especialmente tratado que se presionan
transfer y resistor (resistencia de juntas, con diminutos cables conectados
transferencia) y se compone de colector, a cada capa. Un recipiente interior de
base y emisor. plstico rodea y protege al delicado
silicio del dao y la contaminacin. Un
2. Materiales y Mtodos recipiente exterior, hecho de plstico o
metal, sostiene el recipiente interior y
Protoboard. tres conductores. Cada derivacin se
Cables. conecta a uno de los pequeos cables en
Computadora. el interior del transistor, sirviendo as
Software Multisim. como soportes resistentes para el
Transistores dispositivo. (Barett, 2015)
Resistencias
Polaridad:
Fuente
Multmetro. Las dos capas de silicio exteriores
contienen trazas de impurezas llamadas
3. Objetivos dopantes que causan que el silicio
prefiera cargas elctricas negativas. La
General capa interna prefiere cargas positivas. El
Comprobar el funcionamiento de los orden de las capas, negativo-positivo-
transistores de forma prctica negativo, le da su nombre al transistor.
mediante circuitos establecidos por El otro orden, positivo-negativo-
el docente. positivo, se obtiene en un transistor
PNP. La polaridad de estos elementos
dictamina cmo y donde funciona en un
Especficos circuito. (Barett, 2015)
Calcular las variables que
intervienen en los circuitos Usos:
establecidos.
Realizar la simulacin de los Los transistores tienen dos
diferentes circuitos funciones bsicas en circuitos
Elaborar el armado del circuito electrnicos: conmutacin y
en el protoboard amplificacin. Como un interruptor, un
Analizar los resultados transistor puede convertir una gran
cantidad de corriente dentro y fuera de

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un pequea corriente que lo controla. preferir las cargas elctricas positivas.
Un interruptor mecnico tambin puede La capa interna prefiere cargas
hacerlo, pero el transistor puede cambiar negativas. Las tres capas juntas forman
a velocidades de hasta varios miles de un transistor positivo-negativo-positivo,
millones de veces por segundo y hacerlo o PNP, para abreviar. (Barett, 2015)
de forma silenciosa y sin friccin o
desgaste. La accin de amplificacin de Accin:
un transistor tambin controla grandes
corrientes con otras pequeas, en este Una pequea corriente elctrica
caso, funciona en un rango de que fluye a los conectores emisores y a
corrientes. Su capacidad para controlar la base del transistor controla una
de manera confiable es de fundamental corriente ms grande desde el emisor al
importancia para el diseo electrnico. colector. Un transistor PNP gira sobre la
(Barett, 2015) conexin de su emisor-colector si la
tensin en la base es menor que en el
emisor. Esta accin de tipo vlvula
permite que el transistor controle
corrientes grandes y pequeas, un efecto
amplificador en las corrientes ms
pequeas. (Barett, 2015)

Usos:
Figura 1: Representacin de un transistor NPN.
Un transistor PNP en un radio
Transistores PNP aumenta la seal relativamente pequea
de una antena, lo que te permite
Un transistor es un dispositivo sintonizar emisoras a muchos
electrnico simple que conmuta y kilmetros de distancia. Los transistores
amplifica las corrientes elctricas. de los amplificadores de potencia
Aunque los cientficos han inventado transmiten a los altavoces que requieren
muchos tipos de transistores, el grandes cantidades de corriente. En los
transistor de unin fue desarrollado circuitos de computacin, rpidamente
primero, y el PNP es uno de ellos. Un intercambian corrientes de encendido y
transistor PNP es uno que controla el apagado de manera completa. Los
flujo de corriente principal, alterando el transistores tambin generan seales
nmero de agujeros en lugar del nmero estables de alta frecuencia utilizadas en
de electrones en la base. (Barett, 2015) radio y televisin. (Barett, 2015)

Materiales:

El transistor consta de tres cintas


de silicio especialmente tratado, un
elemento que conduce la electricidad
cuando se mezcla con trazos de otros
elementos. Las dos capas exteriores
tienen un tratamiento que les hace
Figura 2: Representacin de un transistor PNP

3
Transistores Darlington Datos:
12
Consiste en dos transistores = = = 6
2 2
conectados juntos de tal forma que la = 1
corriente amplificada por el primero es 2 = 2
amplificada de nuevo por el segundo = 3
transistor. Esto da al par Darlington una 1 = 3.6
ganancia de corriente muy alta, tanto Resolucin:
como 10000. Los pares Darlington se
venden en un encapsulado completo que
contiene los dos transistores. Tienen tres = = 0.03
100
terminales (B, C y E) los cuales son = +
equivalentes a los terminales de un = 3 + 0.03 = 3.03
transistor individual estndar. (Hberle, = + +
1979) 12 = 3 + 6 + (3.03)
= 990.09

2 2 = 1 + +
2 (2 ) = 3.6 + 0.7 + 3
2 = 3.65
1 = 2 +
1 = 3.65 + 0.03 = 3.68

= 1 1 + 1 + +
12 = (3.68)1 + 3.6 + 0.7 + 3
1 = 1277.17

Simulacin
Figura 3: Polarizacin Darlington Bsico.

5. Clculos realizados.
5.1 Circuito 1
VCC

RC
R1
D1 Figura 5: Simulacin del circuito, fuente [Autores]
3.3v
Q1

RE
R2

Figure 4: esquema de circuito 1

4
Practica 2 = 44.55
2 = 2 2
2 = 4.5 44.55
2 = 4.46

12 = 2 + 6 + 2
= 342.42
= 342.42 4.5 = 1.54
1.4 + 2 + 2 2 = 0
1.4 + 1.54 + 2000 2 = 0
2 = 1.471

Figura 6: Amperaje Ic obtenido en la prctica, fuente


1 = 1 +2
[Autores] 1 = 0.44 + 2.2
1 = 1.471
5.2 Circuito 2 R2=2K

VCC 12 = 1 1 + 2 2
12 = 1.471 1 + 2.941
R1=6.15k
RC 1 = 1 1
R1 1 = 1.471 6.15k
1 = 9.047
2 = 2 2
Q1
2 = 1.471 2k
Q2 2 = 2.42
=
R2 = 4.46 1k
RE
= 4.46

Simulacin

Figure 7: esquema de circuito 2

Datos:
Vcc=12V

= = 6
2
2 = 4.5
= 1

Resolucin
Figura 8: Simulacin del circuito, fuente [Autores]
2 4.5
1 = 2
= = 0.44
( + 1) 1012
1 = 1 ( + 1) = 44.55

5
Practica
= + + +
12 = ( + )+ + 0.7
12 = + 1.5+
12 = ( + ) + 1.5
( + )+ + 0.7
= ( + ) + 1.5

+ 0.7 = 1.5
= 1.5 0.7
0.8
=
0.023
= 34.7

12 = ( + )+ + 0.7
12 0.7 = 2(1 + )
Figura 9: Amperaje Ie1 obtenido en la prctica, fuente
[Autores]
+ 0.023(34.7)
12 0.7 0.7981
5.3 Circuito 3 = 2(1 + )
10.50
= (1 + )
VCC = 1 2
10.50
VCE 1.5V = (1 + )
2
R
I E 2mA 5250.95 1 =
RB = 4.25

CALCULO DE VOLTAJES
Q3

= 1
RE = 1.97 1 = 1.97

= 34.7
= 0.023 34.7 = 0.7981V
Figure 10: esquema de circuito 3

= 4.25
Resolucin: = 1.993 4.25 = 8.47V

= 84.44
= +
= +
=
2
= = 0.023
84.44
=
= 1.97
=

6
Simulacin el circuito no son exactamente las mismas
que las que se establecieron en el clculo
mediante frmulas, ya que segn su cdigo
de colores daban un resultado pero al
momento de medirlas con el multmetro
arrojaba valores aproximados no exactos,
adems de que existen prdidas igual por
malos contactos y por la eficiencia de los
materiales usados.

8. Conclusiones
Figura 11: Simulacin del circuito, fuente [Autores]
En los clculos obtenidos se tienen
Practica valores de resistencia aproximados a
los que se encuentran de venta por lo
que se tuvo variaciones de valores de
resistencias calculados los cuales
afectaron en la comparacin y
comprobacin con las simulaciones,
pero los cuales no deben exceder un
rango aceptable de valores obtenidos.

Figura 12: Amperaje Ie1 obtenido en la prctica, fuente Bibliografa


[Autores] Barett, J. (23 de 11 de 2015). eHow.
Obtenido de eHow:
http://www.ehowenespanol.com/tr
ansistor-npn-info_270783/
7. Anlisis de resultados
H. Hberle, Electrnica, Barcelona:
Como se pudo determinar, existe Revert S.A, 1979.
una variacin evidente en cada uno de los
datos, tanto en los calculados mediante A. C. Montero, Electrnica, Editex,
frmulas, en los simulados y en los datos 2009.
medidos en el circuito. Dndose la mayor
diferencia de valores entre los valores
simulados y los tomados del circuito real.

La principal razn para que estos datos nos


varen fue que las resistencias utilizadas en

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