Professional Documents
Culture Documents
TESE DE DOUTORADO
Campina Grande
31 de Julho de 2016
Universidade Federal de Campina Grande
Centro de Engenharia Eltrica e Informtica
Unidade Acadmica de Engenharia Eltrica
Campina Grande
31 de Julho de 2016
.
Dedico esse trabalho aos meus lhos Paloma, Samuel e
Saulo e minha esposa Silvana.
Agradecimentos
Primeiramente agradeo a Deus a quem tudo devo sem nada merecer, to pouco
por tantos esforos e apoio dados durante esses anos, reconheo como co-autora deste
trabalho. Aos meus lhos, Paloma, Samuel e Saulo por me darem, de forma pura e
Ao meu pai, Sr. Carlos Zurita, meu eterno professor e referencial prossional que me
ensinou desde cedo o amor pelo conhecimento e pela engenharia. Agradeo a minha me,
por me ensinar valores e o amor a Deus. A eles sou profundamente grato por terem lutado
contra todas as adversidades educar e ensinar a mim e meus irmos, Marcelo e Ana.
Aos professores R.C.S. Freire e Smail Tedjini, orientadores deste trabalho por todo
Aos meus amigos e colegas de prosso, Professores Luiz Gustavo, Jos Medeiros,
Jos Maria, Otaclio Almeida, Nelber Ximenes, Fabola Linard, Ranoyca Alencar,
Raquel Aline, Bartolomeu Ferreira e Arton Carneiro por todo apoio prestado. De forma
especial aos Professores Marcos Lira e Fbio Rocha que me prestaram inestimvel
destes anos.
Isaac Maia, Wilson Rosas, Yang Yu Ju e Jean Prost pelo apoio e tantas ajudas
prestadas.
vi
vii
dos nanossensores. Aos professores Antnio Augusto e Emmanuel Dupouy pela imensa
Por m, reconheo que ao longo dos quatro anos em que me dediquei a esta empresa
recebi a ajuda de muito mais pessoas do que sou capaz de me lembrar nesse momento. A
(RFID) ocorrida nos ltimos anos tem impulsionado o surgimento de novas aplicaes e
podem ser agregados s etiquetas RFID, originalmente projetadas apenas para fornecer
novas aplicaes, o uso de etiquetas RFID passivas como dispositivos sensores chama
particular ateno tanto pelos desaos tcnicos envolvidos quanto pelo potencial de
ocupam um volume elevado para uma etiqueta comum e sua fabricao , na maioria
problema, alm de serem, em sua maioria, incompatveis com os atuais padres RFID, o
ix
x
que o ajuste e a calibrao de cada sensor possam ser realizados remotamente. A soluo
nanotecnologia.
Abstract
in recent years has driven the emergence of new applications and needs in many elds
of human activity. At the same time, technological developments have greatly expanded
the universe of features and functionalities which can be added to RFID tags, originally
designed to provide only an identication code and carry a small amount of data. Among
these new applications, the use of passive RFID tags as sensing devices attract particular
attention due to the technical challenges involved as well as the market potential of such
solution.
Naturally, the technical challenges involved in the integration of RFID sensor tags are
not the same for dierent types of sensors. The integration of gas sensors to passive RFID
tags is a challenge especially dicult to overcome. Such devices are typically consumes a
great amount of energy, occupy a high volume for a common label and its manufacturing is,
in most cases, incompatible with the CMOS process used to manufacture the tag circuit.
In addition, gas sensors are subject to contamination, requiring periodical cleaning and
facilities for its realization. Because of these diculties, the few existing solutions only
partially solves the problem, and are mostly incompatible with current RFID standards,
This paper presents a new solution to integrate gas sensors to passive RFID tags.
The proposed solution involves a hybrid CMOS and carbon nanotube system integrated
into an RFID tag, capable of performing specic gas sensing operations as well as to
supports the remote adjustment and calibration of each sensor. The proposed solution
overcomes the problems and limitations identied in previous solutions and keeps, at the
xi
xii
= 125 mA). 15
2.2 Mxima potncia disponvel para uma etiqueta RFID operando em 915
(MARROCCO, 2010). 22
xiii
xiv
total T1 . 53
4.9 Detalhe das formas de onda dos sinais de entrada no ip-op de comparao
no intervalo entre 1,026 s e 1,028 s quando a diferena de -30 V
sinais. 65
conexo. 69
4.14 Resposta do conversor A/D de 10 bits simulado para uma entrada de 350
ZTC. 77
o
linear ideal dentro da faixa de -30 a 130 C. 85
de instrumentao clssico. 92
diferencial de diferenas. 94
de Diferenas. 105
entrada. 106
de Diferenas. 109
entrada. 109
xvii
6.21 DNL e INL simulados para a sada da matriz capacitiva do conversor D/A
6.22 DNL e INL simulados para a sada da matriz capacitiva do conversor D/A
entrada. 114
6.27 DNL e INL simulados para a sada do conversor D/A de 8 bits completo
6.28 DNL e INL simulados para a sada do conversor D/A de 8 bits completo
6.29 DNL e INL simulados para a sada do conversor D/A de 8 bits completo
7.2 Pastilha de silcio com eletrodos para quatro nano-sensores. (SAVU et al.,
2012). 126
7.6 Caracterstica I-V para um sensor de MWCNTs decorados com cobre. 128
7.9 Caracterstica I-V para um sensor de MWCNTs decorados com cobre aps
de 2 V de sobretenso. 135
8.5 Formas de onda dos principais sinais do circuito multiplexador com o sensor
desde 2008 46
xxi
Lista de Abreviaes
ASIC Circuito integrado de aplicao especca (do ingls Application Specic Integrated
Circuit ).
CI Circuito integrado.
DEP Dieletroforese.
DIP Encapsulamento com duas linhas de pinos (do ingls Dual In-line Package ).
xxii
xxiii
HEM S Servio mdico emergencial de sade (do ingls Health Emergency Medical Services ).
NP Nanopartcula.
PWM Modulao por largura de pulso (do ingls Pulse Width Modulation ).
SE RF ID Etiquetas RFID com capacidade sensora (do ingls Sensor Enabled RFID ).
SDR Rdio denido por software (do ingls Software Dened Radio ).
SN DR Relao sinal-rudo e distoro, mesmo que SINAD (do ingls Signal to Noise and
Distortion Ratio ).
F E SEM Microscopia eletrnica de varredura com fonte de emisso de campo (do ingls Field
Emission Scanning Electron Microscopy ).
Sumrio
1 Introduo 1
1.1 Motivao 3
1.2 Objetivos 3
2 Fundamentao Terica 5
2.1 Sistemas RFID 5
xxv
xxvi
4 Conversor Analgico/Digital 54
4.1 Introduo 54
4.7 Concluso 75
5.4 Concluso 85
tags RFID), que contm uma memria de dados, uma antena de comunicao e um
(FINKENZELLER, 2003).
leitura ptica de cdigos de barras no por si suciente para que o mercado a adote em
das vezes, na impresso da sua prpria embalagem, ao passo que a incluso de uma
prpria embalagem. Neste sentido, tags RFID passivas so especialmente atrativas. Elas
no necessitam de uma bateria, retirando sua energia do prprio sinal de rdio irradiado
resistncia mecnica do local onde ser acondicionada. Tudo isso tem impacto direto
sobre os custos da tecnologia. Atualmente o preo de uma etiqueta RFID passiva est
1
introduo 2
entre 7 e 15 centavos de dlar (RFID JOURNAL, 2013). Por essa razo, a identicao por
com outras tecnologias (TEDJINI; PERRET, 2009). Esta tendncia dever aumentar o
potencial de desenvolvimento de etiquetas RFID, cuja cifra atingiu cerca de 19,3 bilhes
10% (DAS; HARROP, 2011). importante notar que a RFID considerada como uma
Neste sentido, vrias solues tm sido propostas nos ltimos anos, entretanto, muito
difceis de serem integradas a etiquetas RFID passivas. A razo dessa diculdade deve-se
para as baterias de ensaios com os sensores em laboratrio. Isto s foi possvel graas
Nano) da Unicamp viabilizada pela parceria mediada pelo Namitec entre a Universidade
1.1 Motivao
Observa-se que apesar do vasto campo de aplicaes das etiquetas RFID com
nitrognio (NO2 ) no ar de grande importncia, uma vez que tais compostos qumicos
diretamente dos resduos naturais dos animais. Tambm nas atividades de natureza
no ar pode resultar na irritao nos olhos e vias respiratrias dos seres humanos e pode
1.2 Objetivos
Este trabalho composto por nove captulos, sendo este o primeiro deles. O restante
para o sistema;
na soluo proposta. Por m, as suas ltimas sees consistem no estudo do estado da
arte de sensores RFID para a deteco de gases e na anlise dos conversores A/D mais
2003).
Cada etiqueta RFID ao ser interrogada pela unidade leitora responde informado seu
nmero de identicao nico por meio da reexo do sinal emitido pelo prprio leitor.
5
2.1 sistemas rfid 6
leitor, e da potncia do sinal emitido pela unidade leitora. Faixas de comunicao tpicas
controle de acesso remoto sem chave para automveis em edifcios e sistemas de passe
eletrnico autovirio.
tecnologia RFID, tornando a camada fsica, responsvel por alimentar e comunicar-se com
uma etiqueta, cada vez mais robusta. Esta base slida, juntamente com a massicao
2009).
um pequeno leitor RFID capaz de relatar sua interao com objetos previamente
etiquetados. As atividades podem ser inferidas a partir destes dados e comunicadas aos
seus cuidadores.
propostas. O -WISP, por exemplo, combina dois chips RFID comerciais numa nica
artigo, Siden et al. propem um sensor RFID para a deteco de umidade em paredes
de edifcios e casas, por meio da adio de uma esponja apropriada na frente da antena
alterando o seu coeciente de reexo, o que pode ser detectado pela unidade leitora.
Outra abordagem usa uma etiqueta customizada com um micro fusvel para detectar a
na tecnologia de Rdio Denido por Software (SDR) podem ajudar nesta pesquisa. Um
leitor RFID denido por software pode permitir o controle direto sobre o protocolo de
do lado da unidade leitora, a m de lidar com estes desaos. Neste sentido, De Donno
et al. propem uma abordagem alternativa para a leitura de etiquetas RFID. Em lugar
enlace direto com as etiquetas, um terceiro elemento, chamado escutador RFID faria
o papel de receber os dados enviados pelas etiquetas (DONNO et al., 2010). Mltiplos
A evoluo das etiquetas RFID melhoradas para incluir sensores, criptograa e recursos
destas etiquetas. O termo RFID Computacional, por exemplo, cujos primeiros registros
remontam a 2005 (CLARKE; FITZGERALD, 2005), designa computadores sem bateria que
leitora (YEAGER, 2009). De maneira geral, pode-se dizer que a tecnologia de etiquetas
vo de 125 kHz a 5,8 GHz. Em alguns sistemas o acoplamento entre a etiqueta e o leitor
As principais distines entre as etiquetas RFID dizem respeito sua fonte de energia
para o envio de dados entre a etiqueta e o leitor ( uplink ), as etiquetas ativas utilizam
modulam os dados na reexo do prprio sinal enviado de volta para a unidade leitora.
pela unidade leitora. A ausncia de uma bateria ou outras fontes de energia simplica
peridica para a troca de baterias o que eleva enormemente seu tempo de vida e as
2.1 sistemas rfid 9
sistemas que operam com um grande nmero de etiquetas ou em aplicaes nas quais
limitada pela energia de funcionamento exigida pela etiqueta. Quanto maior a potncia
mdia consumida pela etiqueta, mais prxima ela ter de estar da antena do leitor para
conseguir colher essa energia. possvel tambm aumentar a energia colhida por meio
regulamentaes locais.
algo bastante complexo. Entretanto, uma estimativa simples para sistemas RFID
2
Pr
= Gt Gr 1 ||2 |t r |2
(2.1)
Pt 4d
Na equao, Pr e Pt so as potncias recebida na antena da etiqueta e transmitida
unidade leitora. importante notar que, conforme a Eq. 2.1, a distncia de leitura de
antena.
Etiquetas passivas enviam dados para o leitor por meio da reexo do sinal enviado pela
potncia do sinal incidente elevada o suciente para alimentar todo o seu sistema. Alm
2.1 sistemas rfid 10
disso, a potncia do sinal reetido pela antena de uma etiqueta tipicamente uma pequena
frao daquela enviada pelo leitor. Para que a unidade leitora seja capaz de detectar e
precisa atingir um patamar mnimo ao ser recebido pelo leitor. Este requisito , na prtica,
Etiquetas RFID ativas possuem uma fonte de energia prpria, geralmente uma
bateria e um transmissor RF de baixo consumo. Uma vez que no precisam retirar sua
alimentao da energia do sinal emitido pelo leitor, essas etiquetas podem operar a
distncias bem maiores da unidade leitora do que uma etiqueta passiva e possuem uma
uma etiqueta RFID ativa e o leitor pode chegar a 15 metros, dependendo da banda de
O fato de possuir uma fonte de energia contnua tambm elimina diversas restries
processamento simples.
tal como existe para as passivas, o que, em alguns casos, ocasiona problemas de
dos aspectos, tal como a comunicao por retro-reexo, mas incluem uma fonte de
comunicao da etiqueta que, nesses casos, passa a limitar-se apenas pela sensibilidade
etiquetas semi-passivas eliminar as mesmas restries de projeto que as ativas. Uma vez
envia um comando de leitura a uma etiqueta especca, ela mantm o campo de leitura
ativo durante um intervalo limitado de tempo para que a etiqueta se alimente, receba e
Para etiquetas RFID do tipo HF compatveis com o padro ISO 15693-3, o protocolo
dene o tempo de resposta da etiqueta a um comando de leitura (T1 ) como (ISO, 2009):
4192/fC ,
mnimo
0
4096 2 /fC ,
mnimo
Resolvendo as Equaes 2.2 e 2.3 para a frequncia nominal da portadora (13,56 MHz),
Para etiquetas UHF, o protocolo EPC Classe 1 Gerao 2 (comumente referido por
EPC Class1 Gen2) esse tempo de resposta denido como (EPCGLOBAL, 2015):
T1_nom (1 |F rT |) 2 s,
mnimo
T1_nom (1 + |F rT |) + 2 s,
mximo
(
15%, para BLF = 640 kHz
F rT = (2.5)
4%, para 40 kHz BLF < 107 kHz.
sendo RTcal o tempo de calibrao do leitor para a etiqueta e Tpri o perodo de um ciclo
da subportadora, podendo ser calculado como Tpri = 1/BLF . O parmetro RTcal dado
por:
(
2, 5 T ari, mnimo
RTcal = (2.7)
3, 0 T ari, mximo
sendo T ari o intervalo de tempo de referncia para a sinalizao entre a unidade leitora e a
etiqueta. Este valor varia de 6,25 s a 25 s. Dessa forma, os valores mximo e mnimo de
mnimo e mximo para BLF so 40 kHz e 640 kHz, logo, os valores correspondentes de
T1_nomM AX iguais a:
= 15, 625 s
= 250 s.
Finalmente, resolvendo a Equao 2.4 para as taxas de dados mnima e mxima (isto
= 11, 28 s
= 262 s.
Ou seja, os valores mximo e mnimo do tempo de resposta so 262 s e 11,28 s,
respectivamente.
A anlise dos tempos de resposta estabelecidos pelos trs padres analisados revela
eventual sistema de sensoriamento voltado para etiquetas compatveis com esse padro
ncleo da etiqueta para que ele possa responder ao leitor a tempo. J um sistema de
sensoriamento de curta distncia para a faixa HF que vise a compatibilidade com ambos
restritiva imposta pelo protocolo ISO/IEC 15693, que quase to exigente quanto o
EPC Class1 Gen2, isto , T1 = 313, 86 s no mximo. Por outro lado, um sistema de
sensoriamento que necessite de um tempo de resposta mais elevado pode adotar o padro
no espao livre para essas duas bandas de frequncia coberto nessa seo. Sistemas
mais complexa que foge ao escopo deste trabalho. Um exemplo de estudo desse tipo
foi realizado por Shengbo Hu et al. para a comunicao em meio misto ar-borracha de
etiquetas RFID UHF passivas embarcadas no interior de pneus (HU et al., 2014).
A magnitude do campo magntico gerado pela antena do leitor, pode ser aproximada
centro da antena. Para determinar qual das duas equaes melhor descreve a magnitude
do campo magntico a uma dada distncia, convm denir a distncia limite de operao
DLIM = (2.12)
2
onde o comprimento de onda correspondente da portadora do sinal que gera o campo
( ).
magnitude do campo magntico ao longo do eixo central de uma antena do tipo indutor
N IR2
|H| = p (2.13)
2 (R2 + d2 )3
onde N o nmero de espiras, I a corrente que percorre a antena, R o raio mdio
Em campo distante, isto , para d > DLIM , a magnitude do campo magntico pode ser
s 2
2
N IR 1 2 2
|H| = + (2.14)
4 d3 dc2 cd2
2.1 sistemas rfid 15
Para a banda de 13,56 MHz ISM (13,56 MHz 7 kHz) as regulamentaes europeias
leitor (ERC, 2014), ao passo que para as atuais regulamentaes Americanas esse limite de
espao livre com impedncia caracterstica igual a 377 ) (ANATEL, 2008). Dessa forma,
um sistema RFID operando banda de 13,56 MHz ISM compatvel com as regulamentaes
Alm disso, espera-se que num futuro prximo as diferenas entre as regulamentaes
e 2.14 podem ser usadas para calcular a intensidade do campo magntico gerado por
intensidade do campo magntico gerado por um leitor HF tpico ao longo do eixo central
Figura 2.1 Intensidade mxima permitida para o campo magntico na banda de 13,56 MHz
ISM de acordo com as regulamentaes europeias e americanas (60 dBA/m
10 m e 42 dBA/m 10 m, respectivamente). A curva de menor intensidade
representa a intensidade do campo magntico gerado por um leitor HF tpico
(antena do tipo espiral quadrada, 10 x 10 cm, 6 espiras, I = 125 mA).
2.1 sistemas rfid 16
De acordo com o padro ISO/IEC 15693-2 (ISO, 2006) as etiquetas RFID devem ser
capazes de operar com um campo magntico igual a 150 mA/m (103,5 dBA/m). Esta
Em outras palavras, teoricamente uma etiqueta que consumisse menos de 69,7 dBA/m
ou 51,7 dBA/m poderia operar a 3,5 m da antena leitora. Entretanto, na prtica, essas
indicada no grco para uma determinada distncia exigira que a antena da etiqueta
tivesse um fator de qualidade (Q) igual a 100 % para a antena da unidade leitora, o que
no apenas inalcanvel como tambm indesejvel para sistemas RFID, visto que
Se o padro ISO/IEC 14443-2 (padro NFC) (ISO/IEC, 2010) for adotado, a intensidade
de campo magntico mnima requerida para a operao da etiqueta 1,5 A/m (123,5
A/m (116,9 dBA/m) para ser ativado (MICROELECTRONIC, 2014), ou seja, menos da
metade da intensidade de campo requerida pela ISO/IEC 14443-2. Este nvel de consumo
for tomada como o estado-da-arte, possvel concluir que uma etiqueta similar incluindo
antena leitora, visto que o sistema sensor ir drenar alguma energia adicional requerendo
uma intensidade de campo mais elevada para poder operar. Evidentemente, etiquetas
RFID ativas podem operar a distncias mais elevadas, j que sua energia no retirada
magntico, como no caso das etiquetas HF, mas atravs do campo eletromagntico
2.1 sistemas rfid 17
irradiado. A distncia limite entre os campos prximo e distante para etiquetas RFID
operando entre 868 MHz e 915 MHz, conforme a Equao 2.12 de pouco mais de 5
centmetros. Por esta razo, etiquetas RFID UHF operam quase sempre em campo
distante. Nesta situao, a potncia total recebida na antena da etiqueta pode ser
calculada como:
2
Ptag = Preader Greader Gtag (2.15)
4d
sendo d a distncia entre a antena da etiqueta e a antena do leitor, o comprimento de
onda da portadora, Preader a potncia de sada do leitor, Greader e Gtag os ganhos das
disponvel para uma etiqueta UHF distante entre 0 e 30 m da antena do leitor conforme
Figura 2.2 Mxima potncia disponvel para uma etiqueta RFID operando em 915 MHz em
funo de sua distncia da antena do leitor. Trs diferentes valores para o ganho
da antena foram considerados: +3 dBi, 0 e -3 dBi.
2015 pela Impinj, requer apenas -22,1 dBm (6,2 W) de energia para ser ativado (IMPINJ,
2015), sendo capaz de operar a cerca de 25 metros de distncia do leitor (assumindo-se Gtag
2.2 sensores rfid 18
disponvel. Tomando-o como o estado-da-arte, pode-se armar que uma etiqueta similar
25 metros, j que o sistema adicional ir requerer tambm alguma energia para funcionar.
de leitura de, ao menos, -20,4 dBm. A distncia mxima de operao dessa etiqueta
A rpida disseminao dos sistemas RFID ocorrida na ltima dcada tornou essa
frequncias de trabalho padronizadas permitem uma boa adequao a cada aplicao. Sua
de qualidade.
promissora para a implementao de sensores sem o. Neste sentido, vrios esforos tm
sido realizados para agregar a capacidade sensora tecnologia RFID, bem como o de
integra-la tecnologia WSN ( Wireless Sensor Network - Redes de Sensores Sem Fio),
tais como propostas por Mitsugi et al. (MITSUGI et al., 2007), Liu et al. (LIU et al.,
2007), Zhang e Wang (ZHANG; WANG, 2006) e Mitrokotsa e Douligeris (MITROKOTSA;
DOULIGERIS, 2009).
quanto comerciais. De maneira geral, possvel classicar essas solues quanto forma
Sensores RFID ativos utilizam uma bateria para alimentar seu circuito de
Isto os permite atingir uma longa distncia de comunicao e operar com taxas elevadas
Um sensor RFID ativo UHF (950 MHz) com antena impressa em papel de baixo
custo foi proposto por Ferrer-Vidal et al. (FERRER-VIDAL et al., 2006). O sensor emprega
baterias recarregveis de pelcula na (de forma a aumentar a vida til da etiqueta)
uma bateria tambm foi proposto por Rida et al. (RIDA et al., 2007).
ao meio ambiente e que pode facilmente ser adotado para a produo em larga escala,
sensores RFID dessa natureza possuem uma atraente vantagem para impulsionar o
baseado em etiquetas RFID ativas foi proposto por Deng et al. (DENG et al., 2006). A
ativao da etiqueta. Deng et al. propuseram duas arquiteturas diferentes para essas
uma nica etiqueta RFID, enquanto que na segunda arquitetura, cada sensor
embarcado num nico RFID. Alm disso, eles avaliaram uma das arquiteturas propostas
diagnosticar doenas.
Uma etiqueta RFID ativa com sensores para monitorao de choque, inclinao e
REUTER, 2009). A etiqueta consiste num substrato polimrico no, um ASIC RFID com
para o tratamento de sinal dos sensores e interfaceamento com o ASIC RFID. Tanto
projeto completo de uma etiqueta RFID ativa para 2,4 GHz com suporte a sensores
(NORDICSEMI, 2015). Toda a etiqueta alimentada por uma bateria do tipo CR2032,
comercializada pela Bisa Technologies (BISA, 2015). Operando na faixa de 2,4 Ghz com
comercialmente pela Evigia Systems. A famlia EV3, compatvel com a norma ISO
Podem reportar o nvel de carga de suas baterias cuja durao estimada vai de 3,5 anos
com eletrnica embarcada chamada Smart Labels. A etiqueta ativa, alimentada por uma
2.2 sensores rfid 21
bateria de lme no, pode conter uma unidade de comunicao RFID padro NFC (ISO
por impresso.
2015), a Elpas produzida pela IOT Phillipines para a medio de temperatura (IOT,
uma etiqueta RFID ativa com sensor de temperatura voltada para a monitorao de
13,56MHz (compatvel com o padro ISO 15693), produzido pela companhia alem
com o sensor e a bateria totalmente integrados em uma na etiqueta de papel (RFID
JOURNAL, 2002). Mais informaes sobre etiquetas RFID ativas com sensores integrados
mercado especcos para essa aplicao, como o caso do MLX90129, fabricado pela
a interface de RF para 13,56 MHz, conforme a norma ISO-15693, interface com entrada
2010).
anunciados como RFID mas que no guardam compatibilidade com nenhuma de suas
normas estabelecidas, como o caso da etiqueta Ekahau A4+ fabricada pela Ekahau Inc.
Apesar de anunciada como etiqueta RFID ativa, trata-se de uma etiqueta WI-FI (IEEE
802.11b/g).
2.2 sensores rfid 22
Entende-se por sensor RFID passivo uma etiqueta RFID passiva com um ou mais
Figura 2.3 Classicao dos sensores RFID passivos proposta por G. Marrocco (MARROCCO,
2010).
Existem atualmente dois tipos bsicos de sensores RFID passivos: aqueles dotados
chamados sensores RFID sem chip contam com uma importante e promissora linha de
bastante distinto das etiquetas RFID tradicionais, razo pela qual o procedimento e
trabalho. Por essa razo, as etiquetas sensoras sem chip, no so abordadas neste
estudo, embora importantes contribuies nesse tema tenham sido dadas por Shrestha et
2.2 sensores rfid 23
PRERADOVIC et al., 2011), Vena et al. (VENA et al., 2012a, 2012b), Kim et al. (KIM et al.,
2013), Perret et al. (PERRET et al., 2014), Amin et al. (AMIN et al., 2013, 2014) e Feng et
al. (FENG et al., 2015).
esse tipo especco de etiqueta sensora podem ser encontradas em (PERRET, 2014).
Sensores RFID passivos com chip ou simplesmente Sensores RFID passivos conforme
referido no mbito deste trabalho, so etiquetas RFID passivas com ao menos um circuito
OpenSense, uma etiqueta RFID produzida pela Thinlm para uso em garrafas (THINFILM,
2015). A etiqueta impressa em lme no projetada para ser xada por debaixo do
rtulo da bebida e possui um sensor de violao que se estende ao longo do lacre que
pode ser lida por qualquer pessoa com o auxlio de um smartphone com suporte a NFC,
no. A soluo foi adotada recentemente pela Diageo's Johnnie Walker, fabricante de
whiskies mundialmente conhecido, para uso na linha Blue Label, de alto valor agregado,
Uma extensa linha de sensores RFID passivos produzida pela empresa espanhola
com a norma ISO/IEC 18000-6 que implementa uma etiqueta RFID completa do tipo
EPC Classe 1, Gerao 2 (C1G2) para a faixa de 860 MHz a 960 MHz. O chip
disponibiliza sadas reguladas de tenso de 1,2 V, 1,8 V e 2,5 V alm de uma interface
SPI de forma a poder alimentar e se comunicar com outros dispositivos externos como
2.2 sensores rfid 24
recebida seja sucientemente alta, podem operar tal qual um a verso passiva o faria.
Do contrrio, a alimentao provida pela bateria ou outra fonte de energia permitem sua
o protocolo EPC Gen-2 (EPCGLOBAL, 2015) foi proposto por Kim et al. em (KIM et al.,
2007). O sensor proposto opera como uma etiqueta RFID passiva quando potncia do
sinal de RF suciente para alimentar seu circuito e opera como uma etiqueta RFID
A NFC-WISP, uma etiqueta RFID capaz de operar tanto na forma passiva quanto
semi-passiva, com um grande nmero de recursos foi proposta por Yi Zhao (ZHAO et al.,
2015). A etiqueta, baseada num microcontrolador reprogramvel de ultrabaixo consumo,
capaz de se comunicar com a maioria dos leitores RFID comerciais, inclusive por
Opcionalmente, uma bateria recarregvel de lme no pode ser conectada etiqueta,
sempre que a energia entregue pelo leitor exceda aquela necessria ao funcionamento da
etiqueta.
Uma etiqueta sensora RFID semi-passiva operando na faixa de UHF (860-960 MHz)
foi proposta por Guangwei et al. (LIU et al., 2014). A etiqueta foi desenvolvida com base
no circuito integrado SL900A AMS (AMS, 2015) que inclui um sensor de temperatura
2.2 sensores rfid 25
da etiqueta sensora estimada pela comparao da potncia do sinal por ela devolvido a
do tipo MEMS, podendo operar tanto no modo passivo quanto no modo ativo. Outro
Nessas etiquetas o sensor age como uma carga conectada antena cuja impedncia ir
modulando a potncia do sinal reetido para o leitor. A unidade leitora por sua vez deve
de leitura da etiqueta. Por essa razo, os sensores para essas etiquetas devem comportar-se
-WISP, baseava-se em duas etiquetas RFID ALL-9250 (915 MHz) da Alien Technology
cada etiqueta, um dos terminais de conexo com a antena foi ligado em srie com um
pequena cmara com uma esfera de mercrio, que, dependendo da posio do sensor, ir
voltada para cima ou para baixo, apenas a etiqueta correspondente era capaz de se
Uma etiqueta RFID modicada para a medio de umidade foi implementada por
Jia et al. (JIA et al., 2008). A implementao foi feita a partir de uma etiqueta RFID
uma relao linear entre a umidade e a atenuao do sinal da antena. Sua principal
com o de outra etiqueta sem lme na mesma localidade ou com valores referenciais
previamente medidos. Uma soluo semelhante foi proposta por Siden et al. (SIDEN et
al., 2007) para o monitoramento de umidade no interior de estruturas de concreto em
edicaes. No sistema proposto, duas etiquetas, uma referencial e uma sensora cam
dispostas lado a lado, separadas por uma pequena distncia. A etiqueta sensora,
constituda de uma etiqueta comercial comum, anexada a uma espessa folha de material
ento estimado pelo sensor a partir da diferena da potncia que precisa ser aplicada no
sinal de leitura para conseguir ler a etiqueta sensora em relao necessria para ler a
etiqueta referencial.
posicionadas uma logo acima da outra, com uma pequena placa metlica posicionada
logo atrs da mais elevada. A placa metlica ca contida em uma pequena embalagem
plana, imersa num lquido, inicialmente congelado, cuja temperatura de fuso coincide
2.2 sensores rfid 27
com o limiar de temperatura que se deseja detectar. No estado inicial, a placa metlica
UHF nas proximidades de um metal. Dessa forma, a etiqueta foi colocada a alguns
centmetros de distncia de uma placa metlica, por sua vez xada na estrutura cujo
pode ser feita pelo leitor atravs da potncia necessria no sinal de comunicao para se
interrogar a etiqueta. Uma explicao mais detalhada desse mtodo pode ser encontrada
(BHATTACHARYYA et al., 2010a) por uma placa de metal associada a um polmero com
memria de forma. Quando resfriado o polmero mantm a placa de metal sob uma
livre. Caso a etiqueta seja aquecida acima da temperatura limite, o polmero reassume
B, permitindo assim que o leitor identique a ocorrncia mesmo que a etiqueta volte a
ser resfriada.
Nas etiquetas RFID com sensores ligados ao lado digital os sensores conectam-se ao
RFID.
Este tipo de soluo permite que os tratamento do sinal dos sensores seja realizado
diretamente na etiqueta, antes de envia-los ao leitor, tornando essa arquitetura bem mais
mesma etiqueta, alm amostrar e armazenar os dados de cada sensor para envio futuro
a faixa de 35
o
C a 45
o
C com exatido de 0,1
o
C e era encapsulada em vidro ( glass-tag )
para insero subcutnea em animais, conforme o padro ISO 11785 para identicao
de animais. Uma soluo semelhante foi proposta por Karn Opasjumruskit et al. em
completo de uma etiqueta RFID, para a faixa de frequncia de 100 kHz a 150 kHz, com
o o
entre -40 C e 120 C. O sensor de temperatura foi implementado a partir de uma fonte
de corrente do tipo PTAT (WIDLAR, 1965) e sua interface com a unidade de controle
pode se resumir a um simples RC, tal como em (SWEDBERG, 2015). Sensores cuja
presso, etc., tambm podem ser interfaceados sem um conversor A/D propriamente
dito. Isto pode ser feito com o auxlio de uma porta lgica do tipo schmitt trigger. Neste
caso, o sistema no ser capaz de realizar uma leitura proporcional grandeza medida,
2.2 sensores rfid 29
mas apenas detectar se essa grandeza est acima ou abaixo um determinado limiar
H ainda outras solues mais rebuscadas, tais como a proposta por Shenghua e
Namjun Cho et al. propem em (CHO et al., 2005) uma etiqueta RFID UHF passiva
etiqueta RFID passiva, operacional em UHF (868 MHz), com alcance de leitura estvel
meio de um conversor A/D por redistribuio de carga (MCCREARY; GRAY, 1975) com
resoluo de 8 bits, implementado em tecnologia CMOS de 130 nm. Uma evoluo desse
sistema pode ser encontrada em (USSMUELLER et al., 2012). No artigo, a etiqueta passa a
incluir um multiplexador analgico para trs sensores adicionais, alm do prprio sensor
MHz) e oferece suporte localizao da etiqueta via radar FMCW (HEIDRICH et al., 2010;
AUBERT et al., 2012).
impostos pelo prprio sistema RFID, especialmente s etiquetas passivas. Por esse motivo,
2.3 sensores para a deteco de gases 30
a escolha e projeto do conversor A/D para a soluo proposta neste trabalho demandou
Captulo 3.
medio (ns) pode chegar casa dos milhares. Interligar to grande nmero de
sensores a um sistema central por meio de os quase impraticvel, alm de acarretar
melhor escolha.
pela alimentao dos ns. No havendo mais conexo ada at os ns sensores, estes
passam a necessitar de uma fonte de energia local. Se esta fonte for uma bateria, sua
Neste caso, o tempo de vida da bateria precisa ser maximizado, exigindo ainda mais que
prpria energia fornecida pela antena de leitura (tele-alimentao), haver muito pouca
energia disponvel, imponto requisitos de reduo de consumo ainda mais elevados do que
gs. Udrea e Gardner (UDREA; GARDNER, 2002) denem cinco abordagens bsicas de
metlico so mais estveis, mas operam em temperatura elevada. Por outro lado,
fabricao.
fabricado lateralmente com dois eletrodos interdigitais, sobre os quais uma camada
muito elevadas, tipicamente acima de 250 C, o que diculta sua integrao com a
cuidadosamente considerada.
requerem temperaturas de pelo menos 180 C para operar. Por esse motivo, para
problema.
grate enrolada em cilindro com alta relao de aspecto. O seu dimetro da ordem de
parede nica, porm, com mais de uma parede de carbono em seu interior.
materiais mais rgidos e mais fortes conhecidos (TREACY et al., 1996), e esto entre os
condutores trmicos mais ecientes (BERBER et al., 2000) alm de apresentarem vrias
nanotecnologia, sensores, atuadores, eletrnicas e pticas (FUNG et al., 2005, 2005; KONG
et al., 2000; SIN et al., 2006).
Um CNT pode ser metlico ou semicondutor, de acordo com uma propriedade chamada
chamado o vetor quiral (DRESSELHAUS et al., 1995; SAITO et al., 1992), ilustrada na
Figura 2.5 . Os nmeros inteiros nem denotam o nmero de vetores unitrios ao longo
temperatura ambiente, enquanto que outros materiais como xidos metlicos precisam
produzidos com baixo custo, dimenses e peso reduzidos (LIU et al., 2012).
eltricas, tais como capacitncia e resistncia (THAI et al., 2011). Ademais, ao contrrio
podem responder como simples impedncias, alm de possurem boa resistncia contra
presena de gases txicos (YANG et al., 2009). Outro sensor de gases (CO2 e NH3 ) sem
desenvolvido por Ong et al. (ONG et al., 2002). No projeto, uma etiqueta passiva do tipo
ressonante (RLC) foi revestida por uma pelcula isolante (SiO2 ) e uma uma pelcula
da etiqueta.
Quando empregados como materiais sensores, CNTs podem ser decorados com
decorar CNTs, permitindo a deteco seletiva de gases como H2 , NH3 (SAVU et al., 2012),
NO2 (KIM et al., 2006), CH4 (LU et al., 2004), H2 S e CO (STAR et al., 2006). Outra
combina-los com outros materiais sensores. Seong J. Kim reporta em (KIM, 2010) um
sensor para deteco de gs de vapor de lcool baseado num lme composto de SWCNT
nanotubos de carbono entre um par de eletrodos formando um lme no cujo valor
ser fabricados por tcnicas de deposio qumica ou de impresso (THAI et al., 2011; RIDA
LI YANG, 2010). Suas dimenses vo, tipicamente, de uma frao de centmetros alguns
centmetros. O principal problema deste tipo de sensor que o lme sensvel mais
susceptvel a reter contaminantes, inclusive molculas dos prprios gases alvo. Esses
algum processo de limpeza especco para serem removidos, tal como aquecimento, por
exemplo.
dimenses totais do sensor podem ser reduzidas a algumas dezenas micrometros. Sua rea
mnima os torna menos susceptveis a reter contaminantes e mais fceis de serem limpos,
o que pode ser feito de forma puramente eltrica pela aplicao de um pulso de corrente
carbono podem ainda ser decorados com nanopartculas (NPs) a m de aumentar sua
deteco de gases utilizando etiquetas RFID passivas que aqui se prope realizar.
Entretanto, a fabricao dos nanossensores, bem como dos nanotubos decorados para
baseados em SWCNTs, j que a corrente medida (e o rudo associado) deve passar atravs
apenas a frao de corrente que ui atravs da parede exterior sofre a maior variao
devido reao com os gases. No entanto, estudos das propriedades eltricas MWCNT
lateralmente e separao curta entre eletrodos a maior frao de corrente passa atravs
utilizando o princpio acima descrito foi concebido por Gelamo et al. (GELAMO et al.,
2009).
comparada com a dos sensores CMOS convencionais. O mtodo mais simples, e talvez
na camada de polimrica base de nanotubos de carbono entre dois eletrodos metlicos
por impresso (RIDA LI YANG, 2010; BACCARELLI et al., 2012; YANG et al., 2009). Sensores
(WANG; YEOW, 2009). Todas essas caractersticas tornam esse tipo de sensor o mais
vantajoso para aplicaes portteis e de ultrabaixo consumo, tais como os sensores RFID
passivos.
O primeiro sensor passivo sem o baseado em CNT relatado foi implementado por
Keat G. Ong et al. (ONG et al., 2002). Conforme citado na Seo 2.3.1, o sensor destina-se
deteco de gases de CO2 e NH3 , consistindo num circuito ressonante revestido por
uma pelcula isolante (SiO2 ) e uma pelcula sensvel aos gases composta de MWCNT
RFID propriamente disto, ainda tem sua aplicabilidade limitada, uma vez que opera em
baixa frequncia (cerca de 18,5 MHz), magneticamente acoplada, o que reduz sua mxima
gases utilizando um sensor de nanotubos de carbono foi reportada por Li Yang et al. em
(YANG et al., 2009). Trata-se de uma etiqueta RFID sem chip implementada em papel,
sensor foi depositado na etiqueta por impresso, com auxlio de uma impressora
pequeno circuito em microta e o sensor de CNT como elemento central. O circuito foi
ajustado para operar na banda de frequncia UHF do padro RFID europeu (868 MHz).
era de (51, 6 j6, 1) ao ar livre, mudando para (97, 1 j18, 8) quando exposto ao
potncia do sinal reetido para a antena do leitor de 10,8 dBi, permitindo a deteco
Uma etiqueta sensora sem o para a deteco de amnia com sensor baseado em
lmes nos de nanotubos de carbono impressos em papel foi proposto por Baccarelli et
al.. Trata-se de uma etiqueta sem chip, formada por um circuito sintonizado para a
sinal de entrada. O sinal resultante ento aplicado a uma ponte de Wheatstone contendo
o sinal na antena de sada idealmente nulo. Na presena de gs, a ponte sai do equilbrio
e o sinal de 1736 MHz irradiado pela antena de sada. Uma vez que a resistncia dos
ponte, ser santo maior quanto maior for a concentrao de NH3 detectada (BACCARELLI
et al., 2012).
Outro sensor sem o baseado em nanotubos de carbono foi proposto por Hoseon Lee
et al. (LEE et al., 2011). Assim como o sensor de Baccarelli (BACCARELLI et al., 2012),
no se trata de uma etiqueta RFID propriamente dita, uma vez que no h o elemento
a uma malha ressonante da qual o sensor CNT faz parte. Havendo a presena de gs
de amnia a frequncia de ressonncia da malha se altera, o que pode ser detectado pelo
sinal reetido para o leitor. O sensor foi construdo a partir de um polmero composto de
120 MHz da frequncia original (4,6 GHz) quando exposta ao gs disperso de forma no
controlada e com uma taxa de cerca de 112 kHz/ppm para os ensaios concentrao
controlada. Durante os ensaios, aps cada exposio de cerca de 18 minutos, o sensor foi
Outro sensor sem o baseado em nanotubos de carbono foi proposto por Hoseon Lee
et al. (LEE et al., 2011). Assim como o sensor de Baccarelli (BACCARELLI et al., 2012),
no se trata de uma etiqueta RFID propriamente dita, uma vez que no h o elemento
a uma malha ressonante da qual o sensor CNT faz parte. Havendo a presena de gs
de amnia a frequncia de ressonncia da malha se altera, o que pode ser detectado pelo
sinal reetido para o leitor. O sensor foi construdo a partir de um polmero composto de
120 MHz da frequncia original (4,6 GHz) quando exposta ao gs disperso de forma no
controlada e com uma taxa de cerca de 112 kHz/ppm para os ensaios concentrao
2.4 sensores rfid para a deteco de gases: estado da arte 40
controlada. Durante os ensaios, aps cada exposio de cerca de 18 minutos, o sensor foi
por Cecilia Occhiuzzi et al. em (OCCHIUZZI et al., 2011b) e (OCCHIUZZI et al., 2011a). A
etiqueta foi construda a partir de um chip RFID passivo comercial produzido pela NXP
a uma antena dipolo em cobre, tendo um lme polimrico base de SWCNT como
em 915 MHz, foi capaz de detectar a presena de amnia pela alterao do casamento
algum tratamento de descontaminao aps cada deteco. Outro ponto crtico parece
ser o casamento entre a antena e o anel indutivo com o chip, cuja regularidade depende
eltricas.
carbono por impresso podem ser encontradas em (YUN et al., 2008), (RIDA LI YANG,
2010) e (THAI et al., 2011).
momento essa soluo possa ser vantajosa quanto simplicidade e os custos envolvidos,
por Cecilia Occhiuzzi (OCCHIUZZI et al., 2011b), as etiquetas desenvolvidas por Keat
G. Ong (ONG et al., 2002), Li Yang (YANG et al., 2009), Baccarelli (BACCARELLI et al.,
2012) e Hoseon Lee (LEE et al., 2011) no seguem nenhum dos atuais padres RFID.
Por essa razo, os leitores atualmente no mercado so incapazes de l-los. Sua adoo
etiqueta sensora (ONG et al., 2002; LEE et al., 2011), na potncia do sinal devolvido
ambientes industriais, mas que vem se tornando cada vez mais comum tambm em
etiqueta sensora para servir como referencial de comparao para o leitor (JIA et
al., 2008; SIDEN et al., 2007). Sistemas em que a informao est na frequncia de
fontes de impreciso tais como variaes das condies do ambiente que afetam
janela espectral adequada para cada etiqueta na mesma zona de leitura. Para uma
rea coberta por muitos sensores a faixa espectral total reservada pode se tornar
uma variao de 120 MHz a partir da frequncia original de 4,6 GHz em um dos
ensaios realizados. Isto signica que se 10 sensores como estes estivessem numa
2.4 sensores rfid para a deteco de gases: estado da arte 42
mesma zona de leitura, uma faixa de pelo menos 1,2 GHz deveria ser reservada
para monitora-los.
outro uma resposta puramente reativa. Todavia, o que foi observado nos trabalhos
resistiva quanto reativa na presena de gs (ONG et al., 2002; YANG et al., 2009; LEE
et al., 2011; OCCHIUZZI et al., 2011a), inviabilizando tal soluo. Na separao em
frequncia cada sensor estaria associado a uma malha ressonante numa frequncia
alocar cada sensor em uma faixa de frequncia distinta, esta soluo acabaria
ressaltar ainda que ambas as solues podem ser inviveis para uso simultneo
soluo proposta em (OCCHIUZZI et al., 2011b), que utiliza uma circuito integrado
operao distintas, o que acarreta, mais uma vez, numa faixa espectral de operao
tanto maior quanto mais sensores forem cobertos pela mesma zona de leitura.
correspondentes aos valores dados da grandeza a medir (ISO, 2008). Num sistema
2.4 sensores rfid para a deteco de gases: estado da arte 43
parmetros matemticos que devem ser aplicados resposta do sensor para que a
ainda que sejam do mesmo tipo e tenham sido produzidos da mesma forma devido
circuito. Alm disso, o ajuste de cada sistema de medio pode precisar ser refeito
deteriorao dos componentes do sistema e do prprio sensor. Por essa razo, cada
que devem ser aplicados na leitura dos sensores. Em todas as etiquetas sensoras
estudadas na Seo 2.2.4 o ajuste do sistema de medio para cada etiqueta foi
poder ser desfeito num eventual reajuste dos sistema, a mudana dos parmetros
atuais de ajuste de cada sensor, alm dos de calibrao. Isto signica que um leitor
referentes essa etiqueta tenham sido informados a ele por um ente externo.
ser feita por diferentes equipamentos sem acesso a um banco de dados central.
Alm disso, a memria tambm pode ser utilizada para armazenar o histrico das
medidas realizadas ao longo de um dado intervalo. Esse recurso pode ser utilizado,
responsvel por ler e registrar na etiqueta os valores coletados pelos sensores. Mais
Uma boa maneira de identicar os tipos de conversores A/D mais adequados para
foi realizado a partir do relatrio gerado por Boris Murmann (MURMANN, 2015) que rene
Figura 2.6.
A anlise da Figura 2.6 revela que desde 2007, ano aps ano, os conversores de maior
conversor proposto por Patil et al. (PATIL et al., 2015), todos os conversores A/D que
cuja primeira implementao foi proposta por McCreary e Gray (MCCREARY; GRAY,
1975). Embora o marco de 7 fJ/Passo-de-converso seja puramente arbitrrio nesta
anlise, no sendo ele prprio uma exigncia para a adequao a aplicao em etiquetas
2.5 conversores a/d para aplicao em sensores rfid 45
Figura 2.6 Figura de mrito (FOM) dos conversores A/D reportados no ISSCC e no Simpsio
VLSI ao longo dos ltimos 10 anos (ZURITA et al., 2016).
RFID sensoras, este limiar evidencia o potencial de economia de energia desse tipo de
conversor analgico/digital.
fabricao utilizado. Por essa razo, um novo levantamento foi realizado com base no
mesmo relatrio. Desta vez, tomando-se os conversores A/D do tipo CMOS publicados
Figura 2.7.
exceo notvel o conversor proposto por Jeong et al. (JEONG et al., 2015), um A/D
de 120 nW), implementado em 180 nm, uma tecnologia relativamente antiga. A elevada
anterior pelo capacitor de maior peso e a reutilizando nas converses seguintes, evitando
2.5 conversores a/d para aplicao em sensores rfid 46
Figura 2.7 Figura de mrito (FOM) dos conversores A/D reportados no ISSCC e no Simpsio
VLSI em funo da tecnologia de fabricao. Apenas implementaes em processo
CMOS foram consideradas (ZURITA et al., 2016).
Tabela 2.1 Conversores A/D mais ecientes publicados no Simpsio VLSI e no ISSCC desde
2008
FOM fs P Tecn.
Ref. Tipo ENOB
(fJ/passo-de-conv.) (MHz) (uW) (nm)
(ELZAKKER et al., 2008) SAR 4,4 1,00 1,90 8,7 65
(SHIKATA et al., 2011) SAR 6,3 1,10 1,20 7,5 40
(HARPE et al., 2012) SAR 6,5 4,00 17,44 9,4 90
(TAI et al., 2012) SAR 3,2 0,10 0,17 9,1 90
(HARPE et al., 2013) SAR 2,2 0,04 0,10 10,1 65
(LIOU; HSIEH, 2013) SAR 2,4 0,50 0,50 8,7 90
(CHEN; HSIEH, 2014) SAR 2,0 0,25 0,20 8,6 90
(HARPE et al., 2014) SAR 4,4 0,03 0,35 11,3 65
(TAI et al., 2014) SAR 0,9 0,20 0,08 8,9 40
(PATIL et al., 2015) Asinc. 3,7 80,00 24,00 6,4 28
(LIU et al., 2015) SAR 2,4 0,08 0,11 9,1 65
(JEONG et al., 2015) SAR 6,6 0,10 0,12 7,5 180
(HARPE et al., 2015) SAR 1,5 0,10 0,09 9,2 65
(DING et al., 2015) SAR 5,5 6,40 46,00 10,4 40
Deve-se ainda notar que um conversor A/D adequado para aplicaes de sensoriamento
RFID deve no apenas apresentar uma reduzida gura de mrito como tambm um baixo
(PATIL et al., 2015) ou o conversor pipeline proposto em (LIM; FLYNN, 2015) alcanam
uma gura de mrito bastante reduzida mediante taxas de amostragem elevadas e com
um consumo de energia bem mais elevado do que outras solues similares com taxas de
Por m, a partir da anlise dos dois levantamentos apresentados, parece claro que o
adequado para aplicaes de ultra baixo consumo, tal como em etiquetas RFID
chaveados foi projetado para integrar um sensor de temperatura a uma etiqueta RFID
sensoriamento de gases por etiquetas RFID passivas possuem uma srie de limitaes e
inconvenientes de ordem tcnica e comercial. Prope-se aqui uma soluo que agregue a
3.1 Introduo
48
3.2 sistema proposto 49
front-end analgico deve ser mantido otimizado e em conformidade com os padres RFID
em vigor). Para isso, um sistema capaz de fazer a interface entre mltiplos sensores de
tipo de sensor de gs adotado nas solues at ento existentes. Conforme ser explicado
A soluo proposta detalhada ao longo deste captulo. Uma anlise das restries de
funcionalidades do padro RFID adotado. Este ncleo pode facilmente ser projetado para
acrescentar o suporte ao controle de um sistema externo tal como o que aqui se prope.
analgico/digital, exceto para sensores de resposta naturalmente binria tal como o sensor
possa ser tambm considerado como um conversor A/D de um nico bit). Para possibilitar
mltiplos bits de resoluo. Naturalmente, quanto mais elevada for a resoluo desse
sensor, tanto maior ser a exatido possvel de ser alcanada por esse sistema.
exposto na Seo 2.1.3, exigem que o conversor A/D adotado possua caractersticas de
discutidas na Seo 2.1.2. Nesse sentido, o levantamento realizado na Seo 2.5 permitiu
identicar com boa segurana o tipo de conversor A/D mais adequado ao cumprimento
desses requisitos.
de gases utilizando etiquetas RFID passivas o tipo de sensor adotado. Todas elas
processo de produo deste tipo de sensor relativamente simples e possa ter custos bem
reduzidos em larga escala, ele possui inconvenientes relevantes: uma vez contaminados
(o que pode destruir a etiqueta ou limitar sua vida til). Ainda assim, observa-se nesses
sensores uma espcie de efeito memria que se traduz na queda de sua sensibilidade
problema adotar outro tipo de sensor de gs. Este outro sensor, detalhado no Captulo
esta informao agrega melhoria da preciso na medio das demais grandezas. Assim
correes aos valores lidos (parte do processo de calibrao), melhorando a preciso das
medidas realizadas.
proposto e denido o tipo dos sensores que sero empregados, torna-se evidente a
isto , ele deve consumir o mnimo de energia possvel e entregar o sinal condicionado na
ncleo digital da etiqueta antes que o tempo limite de resposta se esgote. Valores mais
precisos dos limites de energia e tempo dependem do padro RFID a ser adotado,
conveniente que esse mesmo circuito tenha o suporte a limpeza dos sensores, uma vez que
essa tarefa tambm estar sujeita a multiplexao. O diagrama de blocos de uma etiqueta
Figura 3.1
aos de uma etiqueta convencional, salvo pela mnima alterao provocada pelo
acrscimo das portas de entrada e sada de dados ao Ncleo Digital para possibilitar sua
Em linhas gerais, o sistema proposto pode ser integrado tanto a etiquetas RFID HF
quanto UHF, uma vez que seu princpio de funcionamento no depende da frequncia de
comunicao do sistema, como o caso das solues identicadas na Seo 2.4. Contudo,
a operao no padro UHF impe restries mais elevadas ao consumo de energia e tempo
laboratrio ao qual este trabalho est vinculado. Por essa razo, a adoo de etiquetas
Por outro lado a adoo de etiquetas RFID HF para a validao do sistema impe
restries mais brandas ao consumo de energia, embora ainda sejam bastante severas
dois padres distintos esto previstos em norma: ISO/IEC 14443 e ISO/IEC 15693. As
principais diferenas entre eles dizem respeito aos mtodos de modulao empregados e a
potncia mnima do campo de interrogao requerido pela etiqueta. Tendo em vista que
o padro ISO/IEC 15693 impe restries aos tempos de resposta da etiqueta quase to
severos quanto o EPC Class1 Gen2 para UHF, preferiu-se adotar o padro RFID ISO/IEC
transmisso, TCore o tempo necessrio para que o ncleo digital da etiqueta complete
sensores, TADC o intervalo de tempo necessrio para que o conversor A/D realize uma
condicionamento de sinal dos sensores para que ele apresente na sada o sinal
de sua alimentao para que ele fornea uma sada correta em relao grandeza de
interesse. Finalmente, T1 o tempo mximo permitido pelo padro ISO/IEC 14443 para
que a etiqueta responda a um comando do tipo "`leitura"', ou seja, 4949 ms, conforme
Por m, importante ressaltar que a soluo proposta pode ser inteiramente
4.1 Introduo
ultra baixo consumo como o caso de etiquetas RFID. Dentre todas as pesquisadas,
por redistribuio de carga, conforme exposto na Seo 2.5. Este tipo de conversor foi
proposto originalmente por McCreary e Gary, seu diagrama apresentado na Figura 4.1
(MCCREARY; GRAY, 1975). Um sensor RFID passivo para a banda de UHF implementado
com esse tipo de conversor demonstrou excelente desempenho, podendo ser lido e fazer
54
4.1 introduo 55
para o de Reteno (vide Apndice A), todas as chaves associadas aos capacitores
precisam ser comutadas, ao mesmo tempo, de Vin para o terra. Em aplicaes de baixo
consumo, este tipo de operao indesejvel, pois a comutao de cada chave, entre
transistores MOS conectados em srie, tal como ilustrado na Figura 4.2. O consumo
esttico deste tipo de chave muito baixo visto que, para cada estado, um dos
transistores estar em corte e seu canal agir apenas como uma impedncia de valor
elevado. Por outro lado, durante a comutao de um estado para outro, haver um
dois polos da chave se comportar como duas impedncias de baixo valor em srie.
resistncia de canal de cada transistor, a corrente que os percorre poder atingir nveis
Uma forma de minimizar esse problema, sugerida por Andrea Agnes (AGNES et al.,
2008), consiste em permutar as tenses VREF + e VREF no circuito original. Nesta
(SHEU; HU, 1984; WEGMANN et al., 1987). Outro benefcio resultante dessa mudana
que a chave S3 , responsvel por comutar o capacitor de ponderao, pode ser eliminada,
4.1 introduo 56
sucessivas. A implementao de cada parte detalhada nas sees seguintes, por m, o
importante salientar que o conversor A/D aqui relatado baseou-se emb outra
Conforme detalhado na Seo A.1.2, a matriz capacitiva que compe esse tipo de
(A/R). Por essa razo, a matriz capacitiva desse conversor muitas vezes referida
D/A. Esse recurso permitiu validar o conversor D/A empregado no ajuste de oset do
Alm das alteraes entre o circuito esboado na Figura 4.3 em relao ao da Figura 4.1
dimenses requeridas para os capacitores associados aos bits de maior peso. Adotando-
se o capacitor ligado a b0 em 120 fF, por exemplo, o capacitor ligado a b9 deveria ter
61,44 pF, o que requereria uma rea de silcio de 30976 m2 apenas para esse capacitor.
Por essa razo, optou-se por adotar a topologia escalonada, na qual um conversor de N
bits composto pela associao de dois conversores, um de M bits e outro de K bits,
capacitor de escalonamento, Cs. Desta forma, o maior capacitor do circuito passa a ser
de 1,92 pF.
2N/2
Cs = Cu (4.1)
2N/2 1
sendo Cu o valor do capacitor associado ao bit de peso 0, aqui referido como capacitor
unitrio.
Tal como qualquer circuito a capacitor chaveado, a matriz capacitiva que compe o
kB T
T2 = (4.2)
CT
4.2 matriz capacitiva 58
carga e descarga durante a mesma converso, logo, o rudo trmico expresso na Equao
4.2 deve ser calculado em dobro. Por outro lado, a potncia do rudo de quantizao de
2
2 VIR
Q = (4.3)
12 22N
onde VIR a faixa de tenso de entrada do conversor A/D, isto , VIR = VREF + VREF . O
dimensionamento adequado da capacitncia unitria (CU ) deve ser feito de forma a obter
CT = CU 2N/2 + 1
(4.4)
pode-se calcular a capacitncia unitria que gera um rudo trmico de potncia menor
24 kB T 22N
CU 2
(4.5)
VIR (2N/2 + 1)
Aplicando-se N = 10 bits, T = 300 K e VIR = 500 mV Equao 4.5, obtm-se
CU 12, 63 fF, que um valor bastante baixo, podendo ser facilmente satisfeito.
parasitas podem ser reduzidas por um bom leiaute e sua inuncia pode ser diminuda
descasamento nas dimenses pode ser minimizado atravs do aumento das dimenses
essa razo, foi adotado CU 120 fF, reduzindo as capacitncias parasitas a apenas uma
pequena frao da capacitncia total. Alm disso, o novo valor quase 10 vezes superior
4.2 matriz capacitiva 59
ao mnimo valor denido pela Equao 4.5, dando uma boa margem de segurana entre
O circuito completo foi modelado e simulado para a tecnologia IBM CMOS 0,18 m
(IBM-7HV) na qual foi posteriormente fabricado.
em centroide comum, o capacitor unitrio foi dividido em duas partes iguais de 60 fF, o
que corresponde a duas reas quadradas de cerca de 5,5 x 5,5 m cada. Com isso, o
entre os valores relativos dos capacitores do circuito, uma das maiores fontes de
conversor (VO ), tendo sido a relao da chave NMOS associada ao capacitor unitrio
simulao que a carga parasita injetada por dimenses maiores superava a reduo das
da injeo de cargas seja efetiva, o transistor T N11 precisa ser comandado de forma
sincronizada ao instante da injeo das cargas, o que requer algum atraso em relao ao
comando direto da porta de passagem I3 . Para gerar esse atraso, trs inversores foram
descasamento nas dimenses dos capacitores que formam o anel mais externo do
Por m, dois inversores de tenso (componente V_INVERTER na Figura 4.5) foram
redistribuio de carga, quando as tenses nos seus drenos podem se tornar negativas
levado para nvel lgico alto, o transistor M2 atua como uma chave fechada e M4 passa a
se comportar como uma fonte de corrente constante cuja corrente proporcional tenso
de entrada V in, descarregando o capacitor C1 com taxa constante atravs das resistncias
limiar do transistor M6 ele comuta, levando a sada cmpOut para nvel lgico `1'.
conversor tenso/tempo cuja tenso de entrada for mais elevada ir comutar a sada de
`0' para `1' mais rapidamente que o outro. A comparao no domnio do tempo ento
realizada por um simples ip-op do tipo D, tal como pode ser visto no diagrama
4.3 comparador de baixo oset 62
Uma melhora feita em relao ao projeto original (AGNES et al., 2008) foi a adio
Assumindo-se rds2 << R1 e rds4 >> R1 , a mnima diferena de tenso que o TDC
2
t VR1
Vin = (4.6)
R1 C1 Vout
sendo Vin = Vin_p Vin_m , t o mnimo intervalo de tempo necessrio entre as entradas
do ip-op para que ele funcione corretamente, VR1 a diferena de potencial em R1 e
que mais de 5 vezes mais rpido que a clula padro equivalente da biblioteca. Para
este projeto a resistncia rds2 no pode ser desprezada de forma que seu valor mdio
foi computado como parte de R1 . O valor aproximado do capacitor C1 foi 700 fF, de
forma que o valor para o produto R1 C1 foi aproximadamente 0,87 s e VR1 180 mV. O
transistor M6 foi dimensionado para operar em inverso forte, de forma que Vout 490
mV. O valor resultante calculado para Vin foi aproximadamente 20 V.
A simulao ps-leiaute revelou um valor praticamente igual, Vin = 21 V. A razo
canal (L), sob pena de sofrer efeitos de canal curto, levando o transistor a operar com
Figura 4.8 no intervalo entre 1,026 s e 1,028 s. Apesar disso, a preciso terica deste
Figura 4.8 Formas de onda dos sinais internos do Comparador no Domnio do tempo para uma
entrada diferencial de 30V. Os nmeros entre parntesis na legenda indicam a
qual dos conversores tenso/tempo as curvas se correspondem, U1 ou U2, conforme
a Figura 4.7.
mediana horizontal, exceto alguns que compem ao ip-op de comparao (rea central
Figura 4.9 Detalhe das formas de onda dos sinais de entrada no ip-op de comparao no
intervalo entre 1,026 s e 1,028 s quando a diferena de -30 V detectada.
Neste caso, uma atraso de 54 ps foi observado entre os dois sinais.
4.3 comparador de baixo oset 66
capacitncia parasita era signicativamente maior do que as demais. Por essa razo, as
portas NOR7 a NOR9 foram projetadas com transistores de maior porte do que os
empregados nas portas NOR0 a NOR6. Da mesma forma, o ip-op FF16, para o qual
o reset no necessrio, foi otimizado eliminando os componentes internos de
diferena notvel est entre implementao dos ip-ops e dos latches. Enquanto os
foi conectada a um pad para poder ser ligada externamente (pino Vof s ). A inteno
comparador.
O leiaute completo do conversor A/D de 10 bits apresentado na Figura 4.12. Tal como
erros de alinhamento das mscaras durante o processo de fabricao. Assim como previsto,
Figura 4.12 Leiaute completo do conversor A/D de 10 bits. As chaves dos capacitores da
matriz foram posicionadas prximas aos seus respectivos capacitores a m de
minimizar as capacitncias parasitas introduzidas pelas trilhas de conexo.
analgica (V ref _p, V ref _m, Vin e Vof s ). Alm disso, foram mantidos os terras digital e
4.6 resultados obtidos 70
analgico isolados, o circuito dos pads alimentados por uma linha dedicada e alimentaes
isoladas para as partes digitais e analgicas do conversor. O leiaute completo do circuito
Figura 4.13 Leiaute do segundo circuito integrado enviado para fabricao. No centro o
conversor A/D de 10 bits.
Assim como foi feito com o conversor A/D anterior, a anlise do funcionamento do
conversor parte da observao dos principais sinais referentes sua operao mediante um
DAC _Out = V in + V ref , ou seja, 250 mV neste caso. O que se nota no grco
que a tenso DAC_Out vai para cerca de -247 mV, um erro de 3 mV portanto. Em
DAC _Out = V in + V ref +(V ref + V ref )/2, ou seja, 0 V, o que coincide com
o apresentado no grco (salvo por uma pequena tenso na ordem de microvolts que no
pode ser notada pela escala). Meio perodo de relgio depois o comparador recebe o
Figura 4.14 Resposta do conversor A/D de 10 bits simulado para uma entrada de 350 mV
com V ref + = 600 mV e V ref = 100 mV. As capacitncias parasitas do leiaute
foram consideradas na simulao.
pode-se notar a sada da comparao `0', indicando que o valor da sada DAC _Out foi
comparador para todas elas. O que se observa que a tenso na sada do DAC, a cada
ADC _Out = 1F F h(511) como resposta do conversor, o que condiz com o esperado.
matriz capacitiva (transistor T N11 e inversores). A reduo dos picos de transio nos
Linearidade Integral (INL) do novo A/D foi feita por simulaes do comportamento
mximos valores de DNL foram +0,562 LSB e -0,125 LSB. Os valores mximos de INL
Figura 4.15 DNL e INL simulados para o conversor A/D de 10 bits projetado.
O consumo mdio simulado foi 7,29 W, sendo 4,3 W consumidos pela parte
amostras por segundo, foram realizadas transformadas de Fourier (FFT) nas respostas do
conversor para duas senoides nas frequncias de 2,918 kHz (frequncia inferior a um dcimo
amostradas com em 65536 pontos cada e normalizadas para 0 dB. Na simulao, ambas
as senoides tiveram seu valor mdio denido em 350 mV e suas amplitudes em 500 mV
V ref = 100 mV. O espectro de sada para os dois casos apresentado nas Figuras 4.16
e 4.17.
4.6 resultados obtidos 73
Figura 4.16 Resposta em frequncia do conversor A/D de 10 bits para um sinal de entrada
de 2,918 kHz amostrado a 100 kHz.
Figura 4.17 Resposta em frequncia do conversor A/D ade 10 bits para um sinal de entrada
de 44,8 kHz amostrado a 100 kHz.
4.6 resultados obtidos 74
a a
Total (THD) foram levadas em conta as harmnicas de 2 a 5 ordem.
Por m, a Figura de Mrito do conversor foi calculada utilizando a equao (WALDEN,
1994):
PWR
F oM = (4.7)
fS 2EN OB
para a qual PWR o consumo do conversor em Watts e fS a taxa de amostragem em
passo de converso.
4.18.
At o momento da redao deste texto, circuito integrado ainda no pode ser testado
mdio de 8,02 W para uma alimentao de 1,0 V e 2,8 MHz de frequncia de relgio.
Ensaios para a determinao do DNL e INL ainda no foram realizados, bem como os
4.7 Concluso
conversor projetado foi de 313 fJ por passo de converso, este ltimo obteve 85,32 fJ por
comparada Figura de Mrito do conversor fabricado, essa diferena sobe para mais de
8,6 vezes. Embora seja prevista uma queda nas mtricas do conversor fabricado em
relao aos previstos em simulao, espera-se que os cuidados adicionais com os quais
este segundo conversor foi feito, decorrentes da experincia ganha com o primeiro
circuito integrado.
Por m, deve-se notar que o conversor projetado pode se comunicar de forma
desejada, uma vez que sua temporizao determinstica e ela sempre realizada do bit
de maior peso para o de menor peso, sendo a sada atualizada durante a sequncia de
a etiqueta poder ser lida a maiores distncias. Esse recurso pode ser utilizado, por
modo de medio. No modo de deteco o conversor A/D opera com baixa resoluo, de
mais energia antes da operao (requerendo mais tempo para executar a tarefa).
Captulo 5
Sensor de Temperatura em Tecnologia
CMOS
5.1 Introduo
A escolha do sensor foi feita com base na exigncia de baixo consumo, sendo esta
quanto pela eliminao de, ao menos, dois terminais do circuito integrado que seriam
Com base nos critrios acima expostos, adotou-se o sensor proposto por Filanovsky e
polarizado na regio de saturao pode ser expressa por (ALLEN; HOLBERG, 2002):
Cox W
ID = (VGS VT )2 (5.1)
2L
sendo a mobilidade dos portadores majoritrios e VT a tenso de limiar, ambos
ocasiona a reduo da corrente de dreno. Por outro lado, a reduo da tenso de limiar
76
5.2 determinao do ponto ztc 77
demonstram que se essa corrente constante for aplicada em outro dispositivo MOS
operando como diodo, a queda de tenso em VGS ser (FILANOVSKY; LIM, 2002):
r !
ID
VGS = VGSF + V T T 1 (5.2)
IDF
sendo VGSF e IDF a tenso de porta-fonte e a corrente de dreno de polarizao do transistor
tenso de limiar.
Dessa forma, ca estabelecida uma relao linear entre a temperatura e a tenso de
em processos CMOS comuns. Para tanto, basta arbitrar-se baixos valores para a relao
Para projetar esse sensor o primeiro passo conhecer o ponto ZTC do transistor na
tecnologia adotada (IBM7HV). Com esse intuito, um transistor PMOS com W=220 nm
porta-fonte (Vgs) para temperaturas entre -50 a 150 graus Celsius, com passo de 25 graus
Figura 5.1 Circuito de caracterizao do transistor PMOS para determinao do ponto ZTC.
5.2 determinao do ponto ztc 78
do que as de temperatura mais baixas. Como se espera que esse sensor seja empregado
o
na maior parte do tempo em temperaturas bem abaixo de 150 C, adotou-se o ponto
ZTC ligeiramente mais baixo que o mediano de forma a minimizar o desvio na faixa de
temperatura de maior uso, no caso o par 10 nA, 700 mV. Outra alternativa seria
Uma vez determinado o ponto ZTC, foi possvel projetar o sensor de temperatura,
conforme mostrado na Figura 5.3. O transistor M1 foi polarizado no ponto ZTC de forma
5.2 determinao do ponto ztc 79
a atuar como uma fonte de corrente termicamente estvel. Por sua vez, o NMOS M0 ,
conectado como diodo, age como sensor de temperatura, tendo sua tenso de porta-fonte
Deve-se notar que o transistor M2 no faz parte do sensor propriamente dito. Seu
papel no circuito atuar como buer de sada para a tenso Vsen , uma vez que a
necessrio para poder validar o sensor proposto, uma vez que sua sada precisar ser
do sensor introduzidas pelo buer de sada, j que o resistor pode ser deixado parte do
dopado P+, cujo coeciente de variao trmica o mais baixo disponvel pelo processo
grandes reas retangulares do lado esquerdo. A rea retangular do lado direito superior
5.3 resultados obtidos 80
verticalmente. Por m, um anel do tipo moat foi colocado ao redor de todo o sensor a
O circuito do sensor de temperatura cujo projeto foi apresentado na seo anterior foi
simulado na faixa de temperaturas de interesse, isto , de -50 a 150 graus Celsius, sendo
bastante linear (linha contnua entre 45 mV e 270 mV) conforme se pode notar pela
o intervalo entre -50 e 130 graus Celsius, a mxima variao observada inferior a 3 mV,
o que corresponde a uma preciso de cerca de 2,5 graus Celsius. A curva com marcadores
5.3 resultados obtidos 81
apresentando uma variao de cerca de 8% dentro do intervalo de 200 graus Celsius. Por
Figura 5.5 Curvas da resposta interna do sensor projetado. A linha contnua corresponde a
tenso no n interno Vsen enquanto que a curva refere-se a corrente de dreno de
M1 . A linha tracejada representa o que seria a resposta perfeitamente linear.
Figura 5.6 Tenso de sada do sensor projetado (Vout ) considerando a resposta interna (Vsen )
amplicada por M3 em funo da temperatura.
5.3 resultados obtidos 82
O sensor projetado foi fabricado em tecnologia CMOS 180 nm, processo IBM7HV, por
micrograa foi composta com a imagem do leiaute para exibir as camadas mais internas j
que apenas as conexes do sensor com os pads puderam ser visualizadas com o microscpio
utilizado.
Figura 5.7 Micrograa da regio do circuito integrado onde o sensor de temperatura foi
posicionado. A micrograa foi composta com a imagem do leiaute para exibir
as camadas mais internas.
O posicionamento do sensor nas proximidades dos pads vrtice superior esquerdo foi
arbitrada para reduzir eventuais distores causadas por conexes longas sob efeito da
do sensor foi posicionado em meio a outros pads de interface analgica e afastado dos pads
de entrada e sada digital.
o o
O sensor fabricado foi testado para diferentes temperaturas entre -30 C e 130 C. Os
testes foram divididos em duas partes: testes de resfriamento, para temperaturas abaixo
o
de 24 C (temperatura ambiente) e testes de aquecimento para temperaturas acima de 24
o
C.
o
Para aquecer o sensor a temperaturas acima de 24 C, um resistor cermico de 20
circuito integrado utilizando pasta trmica para melhorar o contato trmico entre as duas
A massa total do arranjo relativamente grande, o que proporciona uma resposta lenta,
mas tambm bastante estvel quando o equilbrio trmico estabelecido. O arranjo foi
durante esses testes foi o de assegurar um ambiente termicamente mais estvel para o
sensor, uma vez que a atmosfera interna de um refrigerador comercial tpico costuma ser
o
alcanada foi -30 C.
Para esses testes, a caixa contendo o arranjo com o sensor foi removida do refrigerador.
foi mantido at que se observasse o equilbrio trmico quando ento as medidas eram
o
tomadas.A temperatura mais alta testada foi 130 C. Embora o sensor tenha sido
o o
projetado para poder operar at a 150 C, evitou-se temperaturas acima de 130 C para
5.3 resultados obtidos 84
Figura 5.9 Tenso de sada em funo da temperatura para o sensor fabricado. Os crculos
representam os pontos medidos empiricamente, a reta contnua indica a resposta
perfeitamente linear e a curva com marcadores em cruz representa a resposta
prevista por simulao.
uma pequena variao no ponto ZTC de M1 , acredita-se que essa melhora se deva a uma
O erro entre a curva de temperatura do sensor testado e a resposta linear ideal dentro
o o
da faixa de testes (-30 C a 130 C ) representada na Figura 5.10. O maior erro observado
o
ocorre em 130 C , sendo de aproximadamente 1,8 o C , ou 1,38 %. O erro absoluto inferior
o o o
a 0,1 C para temperaturas abaixo de 60 C e menor do que 0,5 C for temperaturas entre
o o
60 C e 115 C.
O consumo do sensor ainda no pode ser medido com boa preciso, pois os
que 100 nA, sendo esse limite o valor registrado, o que implica num consumo estimado
de 100 nW, j que a tenso de alimentao 1 V. O valor previsto em teoria 110 nW.
5.4 concluso 85
Figura 5.10 Erro medido entre a curva de temperatura do sensor testado e a resposta linear
ideal dentro da faixa de -30 a 130 o C .
5.4 Concluso
empricos. A resposta do sensor fabricado foi ainda mais linear do que aquela prevista
em simulao, o que comprova o acerto das decises de projeto tomadas. Alm disso, a
medida causadas pelo aquecimento dos prprios componentes, alm do benefcio direto
de economia de energia. A potncia consumida por esse sensor to baixa que torna
seguro armar que o mesmo pode ser adotado em etiquetas RFID sensoras HF ou UHF
6.1 Introduo
A capacidade de ajuste remoto permite que a unidade leitora possa corrigir o ajuste
sistema. Em alguns casos, o ajuste do sistema de medio de um sensor pode ser utilizado
para otimizar a faixa de leitura para uma aplicao particular, ajustando seus limites
ajuste podem ser memorizados na etiqueta para a realizao das medies futuras.
Multiplexador precisa ser corretamente tratado antes de ser entregue ao conversor A/D.
Dois tratamentos bsicos foram previstos, o ajuste de zero e o ajuste de ganho, ambos
etiqueta RFID.
O ajuste de zero de um sistema de medio o ajuste que tem como objetivo tornar
a sada do sistema nula quando a grandeza que se deseja medir for nula (ISO, 2008).
86
6.1 introduo 87
pelo resistor Rp e pelo sensor (Rs) comparada com a tenso referencial (Vref ) resultante
do divisor formado por R1 e R2. O ajuste de zero nesse arranjo resume-se a ponderar
sensor for nula. Nessa situao resultante ser V M = V s V ref = 0. Caso a resistncia
Apesar deste arranjo permitir o ajuste de zero de maneira bastante simples, esse ajuste
requer a alterao dos valores dos componentes do brao direito da ponte (resistores R1 e
soluo adotada, a tenso referencial gerada por meio de um conversor D/A a capacitores
chaveados, permitindo que o ajuste de zero possa ser programado pela entrada digital
leitora, parte do ajuste pode ser feito na etiqueta e a outra parte pelo leitor. Essa
zero real da grandeza, mas a um valor mnimo pr-determinado, coerente com uma
aplicao especca.
6.2.
portas de transmisso CMOS. O circuito proposto prev cinco valores de ganho distintos,
digital gain. Para gain = 00012 e gain = 00102 , o ganho em corrente contnua ser
R(N +1) + RonN
Av1,2 = 1+ (6.1)
R1 + Ron4
para a qual N o valor decimal da palavra de ganho ( gain ), R(N +1) o valor do resistor
conectado entre o terminal Rext e a sada Vout . Esse resistor de ganho externo ao circuito
alternativa permite a adoo de ganho arbitrrio que pode facilmente ser de valor
elevado, uma vez que grandes valores de resistncia no costumam ser um problema na
6.1 introduo 89
escala de circuito. Por outro lado, essa alternativa implica em dois pads adicionais no
pode ter impacto considervel no rudo do sistema, degradando o sinal medido. uma
arbitrrio do ganho associado e pode ter impacto signicativo na rea de silcio caso o
valor da resistncia seja muito elevado. Para essa congurao, o ganho pode ser
Re + Ron2
Av3 = 1 + (6.2)
R1 + Ron4
O ganho unitrio obtido com a palavra gain = 10002 que fecha a chave S3 e abre
mximo a palavra gain deve ser zero, fazendo com que as chaves S0 a S3 quem abertas
que feito com auxlio da porta OU de quatro entradas conectadas a palavra de ganho.
denida pela palavra digital ZeroAdj de oito bits. Mais uma vez, buscando-se minimizar
identicada como V cm, ligada a um terminal de mesmo nome para ser futuramente
inclusive assumir valores acima e abaixo dos de alimentao. Por m, a entrada rst
destina-se ao reset do conversor, devendo ser ativada por um breve perodo antes de
da programao do oset para garantir que qualquer carga residual ou parastica nos
6.2 amplificador de instrumentao de ganho e oset programveis 90
de sada desejada.
RFID sensoras.
por apresentar uma excelente linearidade e elevada capacidade de ganho mas, por outro
lado, apresentam ecincia enrgica limitada. Seu consumo tipicamente est na faixa de
corrente alternada denido por uma relao entre capacitncias que so, por sua vez,
Para uma etiqueta sensora RFID cuja aplicao requeira o monitoramento contnuo
de sinais variantes no tempo com frequncia igual o maior que alguns Hertz, como sinais
ser o mais indicado. Um exemplo de aplicao desse tipo pode ser visto em (YEAGER et al.,
2010), uma etiqueta sensora RFID UHF para a faixa de 900 MHz. Nela um amplicador
da antena leitora.
topologia clssica em um sistema de sensoriamento sem o pode ser visto em (BULT et al.,
1996).
tempo mas a medies da concentrao de gases em momentos pontuais. Por outro lado,
entre 100 k e 300 k com variao de 0,001% a 20% mediante a exposio ao gs alvo,
RS = 100 k e RS = 0, 001%, se o sensor for polarizado por resistor de pull-up tal como
500 mV (valores inferiores podem ser utilizados, mas com perda de linearidade), o ganho
amplicador chopper em corrente contnua. Por essas razes uma topologia clssica foi
adotada.
menor ecincia energtica, tendo sido por isso descartada. Entre as topologias a trs
rejeio de modo comum (CMRR) e rudo muito elevado para altos ganhos, o que a torna
dicilmente empregvel para ganhos acima de 60 dB. Dessa forma, a topologia clssica
tratar-se de um projeto que tem a limitao de consumo como sua principal diretriz, a
6.2 amplificador de instrumentao de ganho e oset programveis 92
par diferencial. Por essa razo, decidiu-se testar as duas alternativas (implementao em
soluo.
em trs amplicadores do tipo Miller operando em inverso forte atendeu aos requisitos
elevado para atender ao ganho especicado sem elevar demasiadamente o consumo. Esta
armao pode ser melhor compreendida analisando-se o ganho deste amplicador cuja
2R56 R24
V out = V in 1 + (6.3)
Rg R13
sendo R56 = R5 = R6 , R13 = R1 = R3 e R24 = R2 = R4 , conforme a Figura 6.3.
Dessa forma, um ganho muito elevado requer o aumento das relaes R56 /Rg e R24 /R13 ,
o que no pode ser feito reduzindo-se muito R13 sob pena de sobrecarregar os estgios de
6.2 amplificador de instrumentao de ganho e oset programveis 93
sada dos amplicadores A1 e A2 com cargas de impedncia muito baixas nem reduzindo-
de transmisso CMOS que precisar chave-lo juntamente com outras resistncias para
para serem implementados, o que se soma ainda a rea dos capacitores de compensao dos
trs amplicadores, resultando numa grande rea total ocupada somente pelo amplicador
de instrumentao.
operando na regio sub-limiar seria uma alternativa vlida, mas no livraria o problema
da rea ocupada pelos resistores. Buscou-se ento uma alternativa que permitisse reduzir
entendido como uma variante da topologia a trs amplicadores ilustrado na Figura 6.3.
Neste caso, os dois amplicadores que compem o primeiro estgio (A1 e A2) so
sada nica, tal como faria o estgio de entrada diferencial do terceiro amplicador (A3)
6.2 amplificador de instrumentao de ganho e oset programveis 94
implementado por uma realimentao externa, tal como ilustrado na Figura 6.5.
R1
Av = 1+ (6.4)
R2
Naturalmente a congurao como buer no inversor, til para a determinao do
elevado. Essa condio pode ser satisfeita sem que um consumo de corrente elevado seja
sub-limiar.
perfeitamente casados, isto , M1a = M1b = M2a = M2b e que ambos so polarizados
6.2 amplificador de instrumentao de ganho e oset programveis 95
pelo mesmo valor de corrente, ou seja, M5a = M5b com um espelho de relao unitria
(M3 = M4 ), pode-se concluir da anlise de pequenos sinais que seu ganho total dado
por:
1 1
AvDC = gm1 gm6 (6.5)
gds1 + gds3 gds6 + gds7
Para transistores MOS operando em regime sub-limiar na regio de saturao, a
ID
gm = (6.6)
mVT
sendo m o parmetro de inclinao sub-limiar e VT a tenso termodinmica. Da mesma
D ID
rds = (6.7)
mVT
para a qual D o coeciente de abaixamento de barreira induzido pelo dreno (DIBL).
Aplicando as Equaes 6.6 e 6.7 na Equao 6.5, e considerando que o parmetro m entre
transistores do mesmo tipo aproximadamente igual, pode-se aproximar o ganho total
do amplicador por:
1
AvDC (6.8)
(D1 + 2D3 )(D6 + D7 )
Como o efeito de abaixamento de barreira induzido pelo dreno est fortemente
seguir.
6.2 amplificador de instrumentao de ganho e oset programveis 96
Tabela 6.1.
soluo em 1,85 W, chegando a 2,0 W se for alimentado com VDD = 1 V. O slew rate
foi calculado adaptando-se para o caso do ADD o caso geral para amplicadores de dois
estgios descrito por Palmisano et al. (PALMISANO et al., 2001). Neste caso,
I5 I6
SR = minimo , (6.9)
CC CL + CC
De outra forma, se o amplicador for conectado conforme o arranjo ilustrado na Figura
6.6(b) (equivalente ao arranjo da Figura 6.6(a) com Vcm = 0 V), haver uma corrente
de polarizao mdia igual a I5 /2 uindo atravs dos dois transistores do par diferencial
ligados a tenso de modo comum, por consequncia, apenas a outra metade de I5 estar
I5 I6
SR = minimo , (6.10)
2CC CL + CC
Este segundo arranjo compatvel com aquele descrito na Figura 6.2, razo pela qual
slew rate calculado foi 62,5 mV/s para ambos os casos (o primeiro termo da Eq. 6.10 foi
calculado pela equao 6.8 como sendo 103,6 dB. Embora esse valor esteja abaixo da
especicao estabelecida (107 dB), ele apenas reete a relaxao dos parmetros dos
gm1
CC (6.11)
2 GBW
para a qual gm1 a transcondutncia do transistor de entrada M1 e GBW o produto
Miller, por essa razo a Equao 6.11 pode ser reescrita para o ADD como:
gm1
CC (6.12)
4 GBW
Dessa forma, para GBW = 100 kHz e gm1 = 1 A/V (obtido por simulao), o
capacitor de compensao calculado foi CC 796 fF. Adotou-se CC = 800 fF. Alm
disso, o amplicador foi projetado para um oset de sada igual a 400 mV que o valor
amplicador. Seu dimensionamento foi feito com base nas simulaes de resposta
manter o valor da resistncia de canal sucientemente alta mesmo para um valor elevado
de tenso porta-fonte. Ao mesmo tempo, o controle desse transistor (via entrada Cen),
permite desligar a compensao de fase caso o amplicador passe a operar em malha
Tabela 6.2.
dB para 80 dB. Esse ganho no atende o caso mais exigente de sensoriamento (variao
ao sensoriamento de gases mais reagentes ao sensor cuja resposta requer ganhos bem mais
impacto notvel foi o aumento da corrente de polarizao do primeiro estgio que saltou
O aumento de I5 foi feito para melhorar o slew rate que na Soluo A era limitado pelo
primeiro estgio do amplicador. Na Soluo A essa melhora virtualmente invivel pois
todo transistores do primeiro estgio, que j so bastante grandes, teriam que ter seus
no segundo estgio foi reduzida em um tero, passando a ser de 600 nA. Embora essa
reduo tenda a limitar o slew rate ela permite reduzir o consumo total do amplicador,
bem como as dimenses dos transistores do segundo estgio. Com a reduo da corrente
GBW = 500 kHz. A capacitncia de compensao calculada foi CC = 1,2 pF. O slew
rate terico para essa implementao, considerando CL = 4 pF e CL = 7,5 pF foi 115
6.3 conversor digital/analgico de 8 bits 99
mV/s e 69 mV/s, respectivamente. Desta vez, o segundo termo da Equao 6.10 foi
Conforme se pode notar, esse conversor composto por dois componentes principais,
a matriz capacitiva, responsvel pela converso do valor digital aplicado nas entradas b0
a b7 (conectadas porta ZeroAdj ) na tenso analgica correspondente (dacOut), e um
Figura 6.8.
uma palavra binria. A diviso da matriz de 8 bits em duas partes de 4 bits cada,
capacitores demasiadamente grandes nos bits mais elevados tambm vlida e aplicvel
neste caso, tal como ilustrado na Figura 6.8, sendo seu valor calculado por:
24 16C
CS = C 4
= (6.13)
2 1 15
Seu princpio de funcionamento bastante simples, consistindo basicamente em um
divisor de tenso capacitivo entre a tenso de referencia superior, Vref + , e inferior, Vref .
Diferentemente do conversor A/D, neste caso no necessria uma sequncia especca
comando das chaves de descarga da matriz, S1a e S1b que devem ser fechadas antes da
carga de uma nova palavra digital na entrada. Ao mudar a palavra digital na entrada do
conversor, as chaves iro posicionar as placas inferiores dos capacitores em um dos trilhos
centrais do divisor capacitivo, sua tenso ser a tenso do prprio divisor. Sendo assim, a
tenso de sada dacOut pode ser calculada diretamente pela equao (MALOBERTI, 2007):
b7 b6 b5 b4 b3 b2 b1 b0
dacOut = Vref + 0
+ 1+ 2+ 3+ 4+ 5+ 6+ 7 (Vref + Vref ) (6.14)
2 2 2 2 2 2 2 2
Figura 6.9 Diagrama esquemtico da matriz capacitiva implementada para o conversor D/A
de 8 bits.
6.3 conversor digital/analgico de 8 bits 102
chaves de reset da matriz (I1 e I2), no mais necessrios uma vez que tanto Vx quanto
nesse projeto. A capacitncia unitria adotada foi de 120 pF, ao invs de 98 pF, como
de comandar cargas conectadas sua sada, seno capacitivas de valor muito menor do
que a da sua prpria rede. Por essa razo, um buer de sada necessrio ao conversor
regio sub-limiar, da mesma forma como descrito na Seo 6.2. Adicionalmente, para
a tenso de polarizao das fontes de corrente, Vbias , adotou-se o mesmo valor que foi
Conforme se pode notar, o ganho previsto em teoria para este amplicador bastante
buer sendo, portanto, uma caracterstica desejvel. Ao mesmo tempo, esse ganho foi
se deve basicamente baixa corrente de polarizao do primeiro estgio (40 nA). Isto
polarizao, mais de vinte vezes mais elevada do que a do primeiro estgio, foram
instrumentao.
O consumo total do amplicador de apenas 832 nW em tenso nominal (925 mV), ou,
de banda igual 500 kHz. O slew rate terico de 393 mV/s, sendo limitado pelo segundo
termo da Equao 6.10.
6.4 resultados obtidos 104
vez que o circuito de condicionamento de sinal dos sensores no chegou a ser enviado
componentes cujo projeto relatado neste captulo, a exposio dos resultados obtidos
intervalo entre 150 mV e 780 mV, o que corresponde a VSS + 150 mV e VDD - 145 mV,
6.4 resultados obtidos 105
cobrindo com boa margem de segurana a faixa de entrada projetada para o conversor
curva Vout = 400,54 mV, praticamente o valor exato projetado (400 mV).
6.12.
A pior resposta transitria ocorre no nal da transio negativa, entre 4,9 e 5,3 ms. O
detalhe desse intervalo apresentado na Figura 6.13. Apesar do sobressalto levar a sada
desprezvel em relao ao tempo limite de resposta do sistema (maior que 200 ms). A
mesma gura tambm permite calcular o slew rate no pior caso. Observa-se uma variao
de 675 mV para 200 mV num intervalo de 10 s, o que corresponde a um slew rate de 47,5
mV/s. O valor simulado razoavelmente inferior ao valor terico (62,5 mV/s), uma
diferena de 24%. O consumo medido foi praticamente igual ao projetado, 1,87 W para
de fase, quando a entrada Cen = 1 V. Para ambos a maior carga (7,5 pF) foi utilizada.
Os resultados apresentados nas Figuras 6.14 e 6.15 indicam que o ganho especicado
(107 db) foi atingido com uma pequena margem de sobra, 107,51 dB. A margem do
kHz. Embora esse amplicador no se destine a amplicao de sinais desse tipo, essa
mximo reduzido de 3 dB cai quase dez vezes, cando igual a 1,11 Hz. Da mesma forma,
o produto ganho faixa de passagem cai de cerca de 326 kHz para pouco mais de 104 kHz
com uma margem de fase de 46,46 graus. Ainda assim, o GBW obtido um pouco maior
repetidos para a Soluo B. A curva caracterstica de entrada e sada foi simulada para
mV, o que corresponde a VSS + 150 mV e VDD - 140 mV, atendendo adequadamente a
negativa, neste caso em torno de 2,5 ms. O detalhe desse intervalo apresentado na
Figura 6.18. Observa-se uma variao de 650 mV para 460 mV num intervalo de 1,5 s, o
que corresponde a um slew rate de 126,7 mV/s. O valor simulado est um pouco acima
do valor terico para uma carga de 4 pF (115 mV/s). Assim como no primeiro caso, o
consumo medido foi praticamente igual ao projetado, 1,34 W para VDD = 950 mV.
amplicador para duas condies distintas: sem compensao de fase e com compensao
de fase. A carga de 7,5 pF foi utilizada em ambos os casos. A resposta apresentada nas
mximo reduzido de 3 dB foi 2,07 kHz, bem acima do resultado obtido pela Soluo A.
mximo reduzido de 3 dB cai para 63,05 Hz. Da mesma forma, o produto ganho faixa de
passagem cai de 1,17 MHz para aproximadamente 480 kHz com uma margem de fase de
53,77 graus. O GBW obtido um pouco menor do que o denido em projeto (500 kHz).
A matriz capacitiva foi simulada para os 256 valores possveis de entrada (deve-se
notar que seus bits de entrada so invertidos), com VDD = 1 V, Vref + = 600 mV e Vref
= 100 mV. O consumo mdio simulado foi 843 nW.
Linearidade Integral (INL) do novo A/D foi feita por simulaes do comportamento
para os 256 possveis cdigos de entrada considerando dois pares de tenses referenciais
distintos. O primeiro par foi ajustado de modo a obter uma tenso de sada entre 100
mV e 600 mV, que a mais ampla faixa de entrada para o sistema projetado, idntica a
6.4 resultados obtidos 112
do conversor A/D. O segundo par considerado foi ajustado de modo a obter uma tenso
de sada entre 350 mV e 450 mV, o que corresponde a 50 mV acima e abaixo da tenso
Figura 6.21. Os mximos valores de DNL foram +0,417 LSB e -0,0302 LSB. Os valores
Figura 6.21 DNL e INL simulados para a sada da matriz capacitiva do conversor D/A de 8
bits para tenses de sada entre 100 mV e 600 mV.
Figura 6.22 DNL e INL simulados para a sada da matriz capacitiva do conversor D/A de 8
bits para tenses de sada entre 350 mV e 450 mV.
6.4 resultados obtidos 113
Figura 6.22. Os mximos valores de DNL foram +0,417 LSB e -0,0283 LSB. Os valores
mximos de INL foram +0,2 LSB e -0,406 LSB. Enquanto na faixa mais ampla o maior
limitante o baixo valor da tenso mnima, prxima a tenso de terra, na faixa mais
estreita o maior limitante preciso esperado seriam as cargas parasitas injetadas pelo
detalhe desse intervalo apresentado na Figura 6.25. A mesma gura tambm permitiu
calcular o slew rate como sendo 185 mV/s. O consumo medido foi praticamente igual
de CL = 2pF e condies nominais de operao (VDD = 925 mV, VCM = 400 mV). O
aproximadamente 97 dB, caindo 3 dB desse valor em 5,30 Hz. O produto ganho faixa de
passagem obtido foi aproximadamente 494 kHz, o que praticamente igual ao valor
especicado no projeto (500 kHz). Por m, a margem de fase apresentada foi 63,34
graus, o que deixa uma boa margem de conforto para operar com sobressaltos e
Linearidade Integral (INL) do novo A/D foi feita por simulaes do comportamento
Figura 6.27. Os mximos valores de DNL foram +0,428 LSB e -0,12 LSB. Os valores
Figura 6.27 DNL e INL simulados para a sada do conversor D/A de 8 bits completo para
tenses de sada entre 100 mV e 600 mV.
operacional na etapa de sada do conversor, pois como se pode notar na Figura 6.21, ela
entrada e sada do amplicador operacional (Figura 6.23) revela que a regio de maior
linearidade est limitada a tenses de sada entre 135 mV e 780 mV, aproximadamente.
Por essa razo, uma nova caracterizao do conversor D/A foi realizada para tenses
referenciais ajustadas de modo a obter tenses de sada entre 150 mV e 650 mV. O
resultado apresentado na Figura 6.28. Dessa vez, os mximos valores de DNL foram
+0,422 LSB e -0,037 LSB e os valores mximos de INL foram +0,14 LSB e -0,431 LSB.
Figura 6.29. Os mximos valores de DNL foram +0,424 LSB e -0,0502 LSB. Os valores
mximos de INL foram +0,201 LSB e -0,398 LSB. As duas caractersticas apresentam
resultados muito semelhantes aos da matriz capacitiva, o que revela a boa adequao do
6.4 resultados obtidos 117
Figura 6.28 DNL e INL simulados para a sada do conversor D/A de 8 bits completo para
tenses de sada entre 150 mV e 650 mV.
Figura 6.29 DNL e INL simulados para a sada do conversor D/A de 8 bits completo para
tenses de sada entre 350 mV e 450 mV.
6.4 resultados obtidos 118
O circuito condicionador de sinal completo, tal como ilustrado na Figura 6.2, foi
testado para vrias combinaes de ganho e oset. Em todos os testes foram aplicados
do circuito na situao mais exigente. Os resultados das simulaes para Ganho = 1x,
10x, 100x, 1.000x, 10.000x e 224.000x (107 dB) so apresentados nas Figuras 6.30 a 6.35.
O consumo total do circuito para Ganho = 1x e 107 dB, foi de aproximadamente 2,82
W. Para os demais casos, o consumo medido foi 2,89 W. A diferena observada se deve
a dissipao de energia na malha de realimentao que tanto na congurao de ganho
nenhum resistor.
Figura 6.30 Resposta do circuito condicionador de sinal para um degrau de 250 mV aplicado
na entrada com ganho programado.
de 1x (Gain = 10002 , ZeroAdj = 128).
condicionador tanto maior quanto mais elevado for o ganho programado. Esse
amplicador operacional.
6.4 resultados obtidos 119
Figura 6.32 Resposta do circuito condicionador de sinal para um degrau de 2,5 mV aplicado
na entrada com ganho programado.
de 100x (Gain = 00102 , ZeroAdj = 128).
6.4 resultados obtidos 120
Figura 6.33 Resposta do circuito condicionador de sinal para um degrau de 250 V aplicado
na entrada com ganho programado de 1.000x (Gain = 01002 , ZeroAdj = 128,
Re = 31,5 M). .
Figura 6.35 Resposta do circuito condicionador de sinal para um degrau de 2,5 V aplicado
na entrada com ganho programado.
de 107 dB (Gain = 00002 , ZeroAdj = 128).
6.5 Concluso
extensa pesquisa e se mostrou, sob alguns aspectos, mais desaador do que a do prprio
circuito ainda apresenta recursos de ganho e oset programveis. Por m, deve-se notar
que embora o consumo desta unidade seja compatvel com aplicaes RFID HF e UHF, os
tempos de resposta observados limitam o seu uso pleno ao RFID do tipo NFC. Entretanto,
aplicaes RFID HF no padro ISO/IEC 15693 e UHF Class1 Gen2 tambm podem ser
6.5 concluso 122
atendidas sob a condio de manuteno do campo leitor por tempo superior ao de leitura
7.1 Introduo
base de xido metlico (MOX), seu baixo consumo de energia. Alm disso, os sensores
FETs e podem ser fabricados de duas maneiras diferentes (GELAMO et al., 2009):
de fabricao so por deposio qumica e por impresso a jato de tinta (THAI et al.,
123
7.2 fabricao 124
2011; RIDA LI YANG, 2010). Apesar de sua simplicidade, sensores CNT de lme no
podem ser facilmente contaminados por gases ou outras substncias. Sua resposta
variao entre elas (OCCHIUZZI et al., 2011a). Isso se deve adeso de molculas do gs
entanto, tais procedimentos podem ser, em alguns casos, mais inconvenientes do que
efeito de Joule (GELAMO et al., 2009), os torna muito atraentes para serem utilizados em
microreatores.
nanotecnologia que esto alm das competncias do laboratrio vinculado a este projeto.
Por essa razo, a fabricao dos sensores foi realizada pelo Centro de Componentes
7.2 Fabricao
recobertos de ouro, foi tambm empregado em alguns sensores eletrodos de alumnio, bem
7.2 fabricao 125
Figura 7.2. Na micrograa possvel identicar cada sensor por uma letra especca (A,
localizao da fenda indicada por uma pequena marcao abaixo de cada par de
de sensores.
si. Depois de nalizada sua fabricao, a separao dos eletrodos juntamente com a fenda
realizada por FIB (feixe de ons focalizado), conforme mostrado na Figura 7.3. Este
qual os nanotubos cam em contato trmico direto com o xido de silcio do substrato
Figura 7.2 Pastilha de silcio com eletrodos para quatro nano-sensores. (SAVU et al., 2012).
(a) Nanosensor de nanotubos decorados com (b) Nanosensor de nanotubos decorados com
cobre. cobre (detalhe).
Figura 7.5 Micrograa obtida por FE-SEM de um nanossensor de gs a nanotubos de carbono
decorados fabricado no CCSNano (Unicamp) .
cerca de 43,5 k. Por consequncia desse contato precrio, o dispositivo apresenta pouca
nanotubos fazendo com que o mesmo `se solde' ao metal de revestimento dos eletrodos,
7.3 resultados obtidos 128
Figura 7.6 Caracterstica I-V para um sensor de MWCNTs decorados com cobre.
melhorando e estabilizando o contato eltrico entre eles. Para o sensor em questo, quatro
O primeiro degrau, de 200 mV, foi aplicado por 50 segundos. O resultado, mostrado na
valor em torno de 6,2 M. O segundo degrau aplicado teve o valor ajustado para 1,0 V,
sendo mantido por 200 segundos, de acordo com a Figura 7.7(b). Ao contrrio do primeiro
ensaio, uma alterao na resposta do sensor comeou a ser notada. Para esse teste, a
resistncia inicial do sensor foi 114 k, sendo alterada para 104 k ao nal do ensaio.
Para o terceiro degrau foi utilizada uma amplitude de 2,0 V, porm, aps 50 segundos de
teve sua amplitude xada em 3,5 V, sendo capaz de provocar uma mudana signicativa
na resistncia do sensor, conforme mostrado na Figura 7.7(d). Por m, foram aplicados
mais dois degraus de tenso, um de 4,0 V e outro de 5,0 V, conforme mostrado nas Figuras
7.8(a) e 7.8(b).
ao passo que na aplicao do degrau de 5,0 V uma reduo percentual de cerca de 10% foi
para o degrau de 3,5 V foi consolidado, estando o sensor pronto para operar. A curva
(a) Resposta do sensor a um degrau de 200 mV. (b) Resposta do sensor a um degrau de 1 V.
tratamento do contato mostrada na Figura 7.9. Tal como se pode notar, a nova curva
caracterstica perfeitamente linear. Alm disso, a resistncia do sensor foi reduzida para
aproximadamente 11 k.
Figura 7.9 Caracterstica I-V para um sensor de MWCNTs decorados com cobre aps o
tratamento do contato.
na Figura 7.10. Os pontos foram calculados pelo ajuste linear das curvas I-V levantadas
e aps o tratamento dos contatos. Nos primeiros testes, feitos antes do tratamento do
2
todas as medidas a presso de vcuo de 1,0 10 mBar. Os resultados para o sensor
polarizado com tenses de 1,0 a 2,0 V so apresentados nas Figuras 7.11. Nos quatro
ensaios no perceptvel nenhuma capacidade sensora ao gs, salvo pela sutil reduo de
resistncia mdia observada na Figura 7.11(b) mediante elevada presso (120 mBar).
(a) Resposta do sensor a 1,2 mBar de O2 , 1 V. (b) Resposta do sensor a 120 mBar de O2 , 1 V.
(c) Resposta do sensor a 1,2 mBar de O2 , 1,5 V. (d) Resposta do sensor a 1,2 mBar de O2 , 2 V.
Figura 7.11 Resposta do sensor a pulsos de O2 com diferentes presses e tenses de
polarizao de 1,0 a 2,0 Volts.
reportados na Figura 7.12. Nota-se que a partir de 2,5 V o sistema comea a apresentar
sensor provoca o aumento de temperatura dos nanotubos, fazendo com que stios em sua
resposta alterada.
(a) Resposta do sensor a 6,0 mBar de O2 , 2,5 V. (b) Resposta do sensor a 1,0 mBar de O2 , 3 V.
Figura 7.12 Resposta do sensor a pulsos de O2 com diferentes presses e tenses de
polarizao de 2,5 e 3,0 Volts.
retirada do gs, embora essa recuperao ainda seja parcial e lenta. Os ensaios realizados
(a) Resposta do sensor a 1,0 mBar de O2 , 3,5 V. (b) Resposta do sensor a 5,0 mBar de O2 , 3,5 V.
Como os ensaios realizados para a polarizao de 3,5 V foram feitos durante o processo
de tratamento dos contatos, a recuperao observada pode ser apenas efeito da melhora
(a) Resposta do sensor a 50 mBar de O2 , 3,5 V. (b) Resposta do sensor a 100 mBar de O2 , 3,5 V.
Figura 7.14 Resposta do sensor a pulsos de O2 com diferentes presses e tenso de polarizao
de 3,5 Volts aps o tratamento do contato.
Por essa razo, novos ensaios foram realizados para uma polarizao de 4,0 Volts. O
A anlise dos ensaios realizados com a polarizao de 4,0 Volts demonstra, mais uma
vez, uma lenta recuperao da capacidade sensora aps a exposio ao O2 , indicando que
grande parte dos stios dos nanosensores que adsorveram molculas do gs as mantiveram
tratamento utilizado nesse caso utiliza pulsos de tenso de amplitude superior quela
tenso, sendo este 1 Volt superior a tenso de medio (4 V), neste caso, um pulso de 5
Figura 7.16 Ensaio de limpeza do sensor para um nico pulso de tenso de 5 V. A polarizao
utilizada na medio foi de 4 V.
suciente para a recuperao total da sensibilidade do sensor, conforme pode ser visto na
Figura 7.17.
Figura 7.17 Recuperao parcial da capacidade sensora aps a aplicao de um nico pulso
de tenso.
ser observado na Figura 7.18, obtida em um ensaio realizado com 1 mBar de Oxignio, o
sensor polarizado com 3 Volts para leitura e limpo com 4 pulsos 5 V com 1 segundo de
durao cada.
7.4 Concluso
Uma primeira verso do sensor proposto para ser aplicado ao sensoriamento de gases
com etiquetas RFID passivas foi fabricada e testada com sucesso. Apesar dos sensores
podem ser obtidos para o gs de Amnia (NH3 ), que tambm se apresenta muito reativo.
sido relativamente alta para aplicaes com etiquetas RFID passivas, cerca de 850 W no
ltimo ensaio, deve-se notar que elas referem-se a um sensor cuja resistncia de apenas
11 k. Essa resistncia pode ser aumentada mediante a ligao em srie de vrios nano-
sensor, uma vez que existiro menos elementos sensores no dispositivo. Estima-se que
para um sensor fabricado com a resistncia nal (aps o tratamento dos contatos), igual a
explorada neste trabalho devido a diculdade de produo regular dessas estruturas cuja
excelentes resultados, provando que, ao contrrio dos sensores de lme no, possvel
precisa retornar nenhuma resposta imediata ao leitor, podendo utilizar todo o tempo
(ISO/IEC 14443).
Captulo 8
Multiplexador para Sensores
8.1 Introduo
esboado na Figura 8.1, trata-se de um bloco bastante simples, composto basicamente por
( SW0 a SW3 ) e seis transistores MOS operando como chaves. A malha de polarizao dos
sensores, formada pelos resistores Rr0 a Rr3 e Rc0 a Rc3 externa ao circuito integrado,
de forma a permitir a adoo de valores adequados resistncia de cada nano-sensor. A
sensores e feita pelos resistores Rr0 a Rr3 ligados linha v_read, conectada a V Sens
atravs do chave PMOS M4 , comandada pelo sinal de entrada read_sens. Como essa
forma de polarizao voltada para a leitura dos sensores, os resistores Rr0 a Rr3
devem ser arbitrados de forma a minimizar tanto quanto possvel o valor da corrente de
resistores Rc0 a Rc3 ligados linha v_clear, conectada V Sens atravs da chave PMOS
M5 , comandada pelo sinal de entrada clear_sens. Conforme explicado no Captulo 7, a
limpeza de um nano-sensor CNT pode ser feita pela aplicao de um pulso de corrente
mais elevada do que a corrente de polarizao para sensoriamento. A escolha dos valores
dos resistores Rc0 a Rc1 deve ser feita de maneira a satisfazer esse valor de corrente.
137
8.2 o circuito multiplexador 138
Figura 8.1 Diagrama esquemtico contendo todo o circuito que precede a entrada do circuito
de condicionamento de sinal: os sensores, sua malha de polarizao e o bloco
multiplexador de entrada.
nanosensor, a resistncias dos sensores podem diferir. Por essa razo, conveniente que
Apesar de apenas quatro sensores externos terem sido previstos nesta implementao,
o circuito multiplexador pode ser facilmente expandido para comportar sete sensores
utilizadas.
Tanto as operaes de leitura quanto de limpeza agem sobre apenas um dos quatro
sensores de cada vez. A seleo de qual dos quatro sensores externos sofrer a ao
8.2 o circuito multiplexador 139
de leitura ou limpeza feita pela seleo de um dos quatro primeiros endereos do MUX
atravs da entrada sel<2:0> (3 bits, sel0 a sel2 ). Essa seleo ativa uma das linhas s_0 a
s_3 e provoca o fechamento de uma das chaves NMOS (M0 a M3 ), conectando o terminal
esquerdo do sensor correspondente ao terra. Simultaneamente, a porta de transmisso
CMOS ativada pela mesma linha do MUX conecta o terminal direito do sensor sada
seja, cerca inferior a 0,003% da resistncia somada do sensor com resistor de polarizao
de leitura junto. Isto assegura uma baixa distoro no sinal do sensor introduzida pelo
transistores NMOS e PMOS que compem as portas de transmisso SW0 a SW4 foram
Deve-se notar que a tenso V Sens utilizada na polarizao de leitura e limpeza dos
seu valor de regime aps 10 ns, ou seja, uma transio bem mais abrupta do que a
esperada em um caso real, para o qual a tenso de regime dicilmente atingida antes
8.3 resultados obtidos 141
de um microssegundo.
Figura 8.3 Formas de onda dos principais sinais do circuito multiplexador para sensores
com o nano-sensor 1 selecionado para leitura (sel<2:0> = 0002 , read_sens =
0, clear_sens = 1).
a corrente no sensor salta de 119 nA para 7,19 A, o que provocaria a limpeza do sensor
em um caso real.
exibidas na Figura 8.5. Conforme se pode notar, at 8 s nenhum sensor foi selecionado,
Figura 8.4 Formas de onda dos principais sinais do circuito multiplexador com o nano-sensor
1 selecionado para limpeza (sel<2:0> = 0002 , read_sens = 1, clear_sens = 0).
Figura 8.5 Formas de onda dos principais sinais do circuito multiplexador com o sensor de
temperatura selecionado (sel<2:0> = 1002 , read_sens = 1, clear_sens = 1).
8.4 concluso 143
8.4 Concluso
alterao nos sinais medidos e com consumo mnimo. Foram testadas em simulao as
ultrabaixo consumo tambm foi realizado. O estudo envolveu relatrio de mais de 400
conversores publicados nos ltimos anos e permitiu uma clara identicao da soluo
mais adequada ao sensoriamento por etiquetas RFID passivas. Tambm foi realizado um
estudo das solues existentes para o sensoriamento de gases. Esse estudo conduziu
passivas impe desaos que foram muito pouco explorados at o momento. As poucas
ultrabaixo consumo foi proposto. O sistema integra um conversor A/D de 10 bits com
144
9.1 concluses gerais 145
vigentes. Em outras palavras, o sistema proposto pode ser aplicado em uma etiqueta
soluo proposta, foi fabricado com sucesso e apresentou boa sensibilidade para a medio
medido.
integrada num nico chip de tecnologia hbrida (CMOS e nanotubos de carbono), tal
como foi proposto no incio desse projeto. Nessa soluo, o circuito correspondente aos
blocos da etiqueta RFID e o sistema proposto podem ser fabricados em processo CMOS
9.2 produo acadmica 146
num mesmo encapsulamento. Nos dois casos, as dimenses da soluo nal seriam
Finalmente, conclui-se que o sistema aqui proposto apresenta uma soluo vivel para
na revista internacional Journal of Sensors, na poca com Fator de Impacto 1,118. Estas
1. (ZURITA et al., 2016) - ZURITA, M.; FREIRE, R.C.S.; TEDJINI, S.; MOSHKALEV,
S.A. A Review of Implementing ADC in RFID Sensor. Journal of Sensors,
v. 2016, Article ID 8952947, 14 pages, 2016.
2. (TEDJINI et al., 2016) - TEDJINI, S.; ANDIA-VERA, G.; ZURITA, M.; FREIRE,
Engenharia, 2015.
Microwave Resonant Circuit Design. In: MOMAG 2016, Porto Alegre, Brasil,
2016.
apresentadas:
CMOS;
de gs em processo CMOS;
elevada;
Conversores A/D por aproximaes sucessivas constituem uma das mais populares
abordagens para implementar conversores A/D devido a sua razovel rapidez de converso
como busca binria para determinar a palavra digital que melhor representa o valor
pode assumir, o algortimo inicia a busca comparando a entrada com um valor arbitrrio
entre esses valores (geralmente parte-se do valor mdio). Se o valor de entrada for maior do
Se o valor da entrada for menor que o valor comparado, a busca continuar subtraindo-se
1
o degrau do valor de comparao. Esse degrau tipicamente vale da faixa de valores no
4
incio da busca ((Vmax Vmin )/4), sendo reduzido pela metade a cada novo ciclo de busca.
A busca termina quando o valor do degrau atinge um valor mnimo especicado (JOHNS,
1997).
Cada ciclo da busca dene o valor de um bit do valor digital convertido, de acordo com
entrada for maior que o de comparao, o bit valer '1', caso contrrio, '0'. O primeiro
ciclo dene o bit de maior peso (bN ), no segundo ciclo, o bit de peso imediatamente inferior
(bN 1 ) e assim sucessivamente. Desta forma, uma converso A/D de N bits ir requerer
148
a.1 conversores a/d por aproximaes sucessivas 149
Figura A.1 Algortimo para a converso A/D de um sinal sinalizado entre VREF /2 e
+VREF /2.
Figura A.2 Diagrama de blocos de um conversor A/D por aproximaes sucessivas baseado
num conversor D/A.
digitais responsveis por realizar a busca binria. Ao nal da converso, o valor digital
na sada do RAS corresponder a tenso VD/A que diferir do sinal de entrada por
igualar tenso de entrada (com preciso de LSB Volts) pode ser modicada conforme o
uxograma apresentado na Figura A.3. Nele, o sinal de erro V igual diferena entre o
sinal de entrada Vin e a sada do conversor D/A, VD/A . Como consequncia, V sempre
comparado com o terra (conforme pode ser visto na parte superior do uxograma) e o
objetivo passa tornar esse sinal de erro prximo a zero, por uma diferena de LSB Volts.
num nico circuito. A verso unipolar desse conversor apresentada na Figura A.4 e sua
todos os capacitores so comutados para o terra. Isto faz com que a tenso nas
placas superiores (Vx ), que era inicialmente zero, passe a valer Vin , retendo assim
o sinal de entrada Vin nos prprios capacitores. Por m, a chave S1 comutada
isto signicar que Vin maior que Vref /2, devendo o bit b4 ser considerado como
sendo igual a '1' e a chave correspondente mantida em Vref . Caso contrrio o bit b4
ser '0' e a chave correspondente comutada de volta para o terra. Este processo
repetido at que o bit de menor peso (b0 ) tenha sido denido, nalizando a converso.
propsito tornar a capacitncia total um nmero de diviso exata por dois, isto , 2N C ,
ao invs de (2N 1)C . Por esta razo, este capacitor ser referenciado neste trabalho
A converso A/D sinalizada pode ser feita adicionando-se uma entrada de Vref ao
circuito da Figura A.4(a), conforme a Figura A.5. Se Vx for menor que zero no primeiro
contrrio, os capacitores devero ser comutados entre Vref e zero e mantidos em Vref
cada vez que Vx for maior que zero, atribuindo-se '1' ao bit correspondente.
apenas uma tenso de referncia (Vref ), conforme esboado na Figura A.6. Assumindo
que a tenso do sinal de entrada varia entre Vref /2, o processo de converso se d em 3
(a) Amostragem.
(b) Reteno.
(c) Redistribuio.
Figura A.4 Conversor A/D por redistribuio de carga
a.1 conversores a/d por aproximaes sucessivas 154
tenso do sinal de entrada Vin , exceto o capacitor de maior peso (16C), que
fechamento da chave S2 .
Isto faz com que a tenso nas placas superiores (Vx ), que era inicialmente zero, passe
a valer Vin /2. Ao nal dessa etapa o sinal da tenso de entrada, Vin , determinado
pelo sinal da tenso de sada do comparador.
Vin negativo), o maior capacitor (16C, neste caso) comutado para o terra e
o bit b4 igualado a '1'. Caso contrrio dever ser mantido em Vref /2 e o bit b4
igualado a 0. fazendo com que a a tenso Vx torne-se Vin /2 Vref /4. A partir
desse ponto a determinao dos demais bits prosseguir como no caso no sinalizado.
A sada binria gerada por esse mtodo zero quando Vin = Vref /2 e 31 (para
um conversor de 5 bits), quando Vin = Vref /2. Naturalmente, se for desejada uma
adicionado ao circuito.
a.1 conversores a/d por aproximaes sucessivas 155
(a) Amostragem.
(b) Reteno.
(c) Redistribuio.
Figura A.6 Conversor A/D por redistribuio de carga sinalizado.
a.2 modelagem matemtica do conversor 156
Controle.
Assumindo que no circuito da Figura 4.3 a tenso de referencial inferior (VREF ) seja
assumida como zero, isto , adotando 0 VREF + como Faixa de Fundo de Escala, o
tenso nas chaves possa ser desprezada, a tenso Vx ser igual a zero e a tenso nal
nos capacitores igual a Vin . Como os capacitores esto todos em paralelo, a capacitncia
Qx (1 ) = 2CVin (A.1)
conforme a Figura A.8. Como a carga nas placas superiores conservada, a tenso em Vx
alterada para Vin .
O primeiro estgio da etapa de "Redistribuio"se inicia com teste do bit mais
de maior valor, isto , b4 , comutada para VREF +, conforme indicado na Figura A.9.
VREF
Vx (3.1 ) = Vin + (A.2)
2
Ou seja, se Vin > VREF /2, Vx ser negativo e a sada do comparador resultar em nvel
lgico '1'. Caso contrrio, isto , se Vin < VREF /2, Vx ser positivo e a sada do comparador
resultar em nvel lgico '0'. Como esse teste revela se a tenso de entrada (Vin ) est na
comparador indica diretamente o nvel lgico do MSB, neste caso, b4 . Aps a determinao
a.2 modelagem matemtica do conversor 158
signicativo (b3 , neste caso). Para isto a chave b3 comutada para o VREF +, conforme
capacitivo pode ser modelado conforme a Figura A.10(b). Do estgio anterior temos que
VREF
Vx (3.2 ) = Vin + (A.3)
4
capacitivo pode ser modelado conforme a Figura A.10(c). Para os mesmos valores das V1
V3 , citados anteriormente, a soluo do modelo resulta em:
VREF VREF
Vx (3.2 ) = Vin + + (A.4)
2 4
Mais uma vez, a determinao do nvel lgico do bit b3 ser feita diretamente pelo nvel
que a tenso Vx para um conjunjo qualquer de N bits pode ser generalizada como:
N
X bN i
Vx = Vin + VREF (A.5)
i=1
2i
importante notar que durante toda a etapa de "Redistribuio", a carga total nas
capacitor dada por Q = CV e tomando como base a Equao A.5, pode-se denir a
N
X bN i
QH = C(VREF Vx ) (A.6)
i=1
2i1
De forma complementar, a carga na placa superior dos capacitores conectados ao terra
" N #
X 1 bN i 1
QL = CVx + (A.7)
i=1
2i1 2n1
Referncias Bibliogrcas
AKINWANDE, D.; YASUDA, S.; PAUL, B.; FUJITA, S.; CLOSE, G.; WONG, H.-S.
Monolithic integration of cmos vlsi and carbon nanotubes for hybrid nanotechnology
ALLEN, P. E.; HOLBERG, D. R. CMOS Analog Circuit Design. 2nd. ed. [S.l.]:
a low cost printable chipless rd humidity sensor. Sensors Journal, IEEE, v. 14, n. 1,
p. 140149, Jan 2014. ISSN 1530-437X.
barcode for humidity sensing. In: RFID (RFID), 2013 IEEE International
Conference on. [S.l.: s.n.], 2013. p. 8287.
03/07/2015.
<http://www.anatel.gov.br/legislacao/resolucoes/2008/104-resolucao-506>.
160
REFERNCIAS BIBLIOGRFICAS 161
AUBERT, H.; CHEBILA, F.; JATLAOUI, M. M.; THAI, T.; HALLIL, H.; TRAILLE,
A.; BOUAZIZ, S.; RIFAI, A.; PONS, P.; MENINI, P.; TENTZERIS, M. Wireless Sensing
RADAR. In: IEEE RFID Technology & Applications. Nice, France: [s.n.], 2012.
RFID-Technologies and
a fully organic, CNT based, harmonic RFID gas sensor. In:
BALTES, H.; LANGE, D.; KOLL, A. The electronic nose in lilliput. Spectrum, IEEE,
v. 35, n. 9, p. 3538, Sep 1998. ISSN 0018-9235.
carbon nanotubes. Phys. Rev. Lett., American Physical Society, v. 84, p. 46134616,
based sensing - an RFID displacement sensor. In: RFID, 2009 IEEE International
Conference on. [S.l.: s.n.], 2009. p. 95102.
Rd tag antenna based temperature sensing using shape memory polymer actuation. In:
<http://bisafangmlan.company.weiku.com/item/Vibration-Sensor-Tag-24TAG02V-
15775307.html>. Acesso em: 01/07/2015.
BRENK, D.; ESSEL, J.; HEIDRICH, J.; WEIGEL, R. Ultra low-power techniques for
2009. IMWS 2009. IEEE MTT-S International Microwave Workshop on. [S.l.:
s.n.], 2009. p. 1 4.
BRENK, D.; ESSEL, J.; HEIDRICH, J.; AGETHEN, R.; KISSINGER, D.; HOFER,
G.; HOLWEG, G.; FISCHER, G.; WEIGEL, R. Energy-ecient wireless sensing using a
generic ADC sensor interface within a passive multi-standard RFID transponder. Sensors
Journal, IEEE, v. 11, n. 11, p. 26982710, nov. 2011. ISSN 1530-437X.
BRIAND, D.; SCHOOT, B. van der; ROOIJ, N. de; SUNDGREN, H.; LUNDSTROM,
BULT, K.; BURSTEIN, A.; CHANG, D.; DONG, M.; FIELDING, M.; KRUGLICK,
E.; HO, J.; LIN, F.; LIN, T. H.; KAISER, W. J.; MARCY, H.; MUKAI, R.; NELSON,
P.; NEWBURG, F. L.; PISTER, K. S. J.; POTTIE, G.; SANCHEZ, H.; SOHRABI, K.;
STAFSUDD, O. M.; TAN, K. B.; YUNG, G.; XUE, S.; YAO, J. Low power systems for
wireless microsensors. In: Low Power Electronics and Design, 1996., International
Symposium on. [S.l.: s.n.], 1996. p. 1721.
<http://carbonsolution.com/products/p3-swnt>.
Vincent K. Chan e Ezequiel Mejia. Method and apparatus for sensing and
transmitting a body characteristic of a host. 2006. 7,015,826 B1. Disponvel em:
<http://www.google.com/patents/US7015826>.
REFERNCIAS BIBLIOGRFICAS 163
CHEN, Y.-J.; HSIEH, C.-C. A 0.4V 2.02fJ/conversion-step 10-bit hybrid SAR ADC
with time-domain quantizer in 90nm CMOS. In: VLSI Circuits Digest of Technical
Papers, 2014 Symposium on. [S.l.: s.n.], 2014. p. 12.
CHO, N.; SONG, S.-J.; KIM, S.; KIM, S.; YOO, H.-J. A 5.1- mu;w uhf rd tag chip
Solid-State Circuits
integrated with sensors for wireless environmental monitoring. In:
Conference, 2005. ESSCIRC 2005. Proceedings of the 31st European. [S.l.: s.n.],
2005. p. 279282.
COVINGTON, J.; GARDNER, J.; BRIAND, D.; ROOIJ, N. de. A polymer gate {FET}
sensor array for detecting organic vapours. Sensors and Actuators B: Chemical, v. 77,
n. 1-2, p. 155162, 2001. ISSN 0925-4005. Proceeding of the Eighth International Meeting
CUNNINGHAM, B.; WEINBERG, M.; PEPPER, J.; CLAPP, C.; BOUSQUET, R.;
HUGH, B.; KANT, R.; DALY, C.; HAUSER, E. Design, fabrication and vapor
DENG, H.; VARANASI, M.; SWIGGER, K.; GARCIA, O.; OGAN, R.; KOUGIANOS,
DENISON, T.; CONSOER, K.; SANTA, W.; AVESTRUZ, A. T.; COOLEY, J.;
KELLY, A. A 2 w 100 nv/ Hz chopper-stabilized instrumentation amplier for chronic
DING, M.; HARPE, P.; LIU, Y.-H.; BUSZE, B.; PHILIPS, K.; GROOT, H. de. A
DING, W.; HAYASHI, R.; SUEHIRO, J.; IMASAKA, K.; HARA, M. Observation of
dynamic behavior of PD-generated SF6 decompositions using carbon nanotube gas sensor.
DOLARA, A.; LEVA, S. Power quality and harmonic analysis of end user devices.
Proceedings
Challenge: Towards distributed rd sensing with software-dened radio. In:
<http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/0008622395000178>.
EKAHAU. Ekahau Wi-Fi RFID Tags, Badges, and Sensors. 2015. Disponvel em:
<http://www.ekahau.com/real-time-location-system/technology/wi-fi-tags>.
Acesso em: 02/07/2015.
REFERNCIAS BIBLIOGRFICAS 165
09/07/2015.
FARSENS. ANDY100 Product brief. [S.l.], April 2015. Disponvel em: <http://www.
farsens.com/media/files/PB-ANDY100-V05.pdf>.
FENG, Y.; XIE, L.; CHEN, Q.; ZHENG, L.-R. Low-cost printed chipless rd humidity
sensor tag for intelligent packaging. Sensors Journal, IEEE, v. 15, n. 6, p. 32013208,
June 2015. ISSN 1530-437X.
FERRER-VIDAL, A.; RIDA, A.; BASAT, S.; YANG, L.; TENTZERIS, M. Integration
of sensors and rd's on ultra-low-cost paper-based substrates for wireless sensor networks
applications. In: Wireless Mesh Networks, 2006. WiMesh 2006. 2nd IEEE
Workshop on. [S.l.: s.n.], 2006. p. 126128.
FRIENDCOM. Animal RFID Tag with Temperature Sensor. 2015. Disponvel em:
<http://www.friendcom.cn/>. Acesso em: 03/07/2015.
FUNG, C. K. M.; SIN, M. L. Y.; LEI, T. K. F.; CHOW, W. W. Y.; LAI, K. W. C.; LI,
W. J. Flow rate measurement inside polymer microuidic systems using carbon nanotube
sensors. In: IEEE Sensors, 2005. [S.l.: s.n.], 2005. p. 4 pp.. ISSN 1930-0395.
GELAMO, R.; ROUXINOL, F.; VERISSIMO, C.; VAZ, A.; MORAES, M. B. de;
Solid-State Circuits
10/12b 40kS/s SAR ADC with data-driven noise reduction. In:
ADC with noise reduction and linearity enhancements achieving up to 79.1dB SNDR.
HARPE, P.; GAO, H.; DOMMELE, R. van; CANTATORE, E.; ROERMUND, A. van.
ADC. In: Solid- State Circuits Conference - (ISSCC), 2015 IEEE International.
[S.l.: s.n.], 2015. p. 13.
HARPE, P.; ZHANG, Y.; DOLMANS, G.; PHILIPS, K.; GROOT, H. de. A 7-to-10b 0-
Solid-State Circuits
to-4MS/s exible SAR ADC with 6.5-to-16fJ/conversion-step. In:
HARTMANN, C. A global SAW ID tag with large data capacity. In: Ultrasonics
Symposium, 2002. Proceedings. 2002 IEEE. [S.l.: s.n.], 2002. v. 1, p. 6569 vol.1.
ISSN 1051-0117.
HEIDRICH, J.; BRENK, D.; ESSEL, J.; SCHWARZER, S.; SEEMANN, K.; FISCHER,
G.; WEIGEL, R. The roots, rules, and rise of rd. Microwave Magazine, IEEE, v. 11,
n. 3, p. 7886, May 2010. ISSN 1527-3342.
HU, S.; SI, B.; SHU, H.; MO, J. Power transmission of uhf passive embedded rd in tires.
Article ID 897041.
HULSHOF, J.; MEZZ, S. Proposal for FCC rule change Part 15.225. [S.l.], 2015.
REFERNCIAS BIBLIOGRFICAS 168
2008.
JEONG, S.; JUNG, W.; JEON, D.; BERENFELD, O.; ORAL, H.; KRUGER,
signal-dependent charge recycling for biomedical applications. In: Very Large Scale
Integration (VLSI) Systems, IEEE Transactions on. [S.l.: s.n.], 2015.
JIA, Y.; HEISS, M.; FU, Q.; GAY, N. A prototype rd humidity sensor for built
JOHNS, K. M. D. Analog Integrated Circuits Design. [S.l.]: John Wiley & Sons,
KIM, B.-K.; PARK, N.; NA, P. S.; SO, H.-M.; KIM, J.-J.; KIM, H.; KONG, K.-J.;
CHANG, H.; RYU, B.-H.; CHOI, Y.; LEE, J.-O. The eect of metal cluster coatings on
KIM, S.; CHO, J.-H.; KIM, H.-S.; KIM, H.; KANG, H.-B.; HONG, S.-K. An epc
gen 2 compatible passive/semi-active uhf rd transponder with embedded feram and
temperature sensor. In: Solid-State Circuits Conference, 2007. ASSCC '07. IEEE
Asian. [S.l.: s.n.], 2007. p. 135138.
KIM, S.; COOK, B.; COOPER, J.; TRAILLE, A.; GEORGIADIS, A.; AUBERT, H.;
substrate integrated waveguide (siw) and inkjet printing technologies for chipless rd
tag and sensor applications. In: Microwave Symposium Digest (IMS), 2013 IEEE
MTT-S International. [S.l.: s.n.], 2013. p. 14. ISSN 0149-645X.
KIM, S. J. The eect on the gas selectivity of cnt-based gas sensors by binder in
swnt/silane sol solution. Sensors Journal, IEEE, v. 10, n. 1, p. 173177, Jan 2010.
ISSN 1530-437X.
KONG, J.; FRANKLIN, N. R.; ZHOU, C.; CHAPLINE, M. G.; PENG, S.; CHO, K.; DAI,
H. Nanotube molecular wires as chemical sensors. Science, American Association for the
Advancement of Science, v. 287, n. 5453, p. 622625, 2000. ISSN 0036-8075. Disponvel
em: <http://science.sciencemag.org/content/287/5453/622>.
LEE, H.; SHAKER, G.; NAISHADHAM, K.; SONG, X.; MCKINLEY, M.; WAGNER,
Microwave Theory and Techniques, IEEE Transactions on, v. 59, n. 10, p. 2665
2673, Oct 2011. ISSN 0018-9480.
LIM, Y.; FLYNN, M. P. A 1mW 71.5dB SNDR 50MS/s 13b fully dierential ring
amplier based SAR-assisted pipeline ADC in 65nm CMOS. In: Solid- State Circuits
Conference - (ISSCC), 2015 IEEE International. [S.l.: s.n.], 2015.
Solid-State Circuits
ADC with charge-average switching DAC in 90nm CMOS. In:
LIU, G.; MAO, L.; CHEN, L.; XIE, S. Locatable-body temperature monitoring based on
LIU, H.; BOLIC, M.; NAYAK, A.; STOJMENOVIE, I. Integration of RFID and wireless
LIU, M.; HARPE, P.; DOMMELE, R. van; ROERMUND, A. van. A 0.8V 10b 80kS/s
SAR ADC with duty-cycled reference generation. In: Solid- State Circuits Conference
- (ISSCC), 2015 IEEE International. [S.l.: s.n.], 2015. p. 13.
LIU, X.; CHENG, S.; LIU, H.; HU, S.; ZHANG, D.; NING, H. A survey on gas sensing
LU, Y.; LI, J.; HAN, J.; NG, H.-T.; BINDER, C.; PARTRIDGE, C.; MEYYAPPAN,
nanotube sensors. Chemical Physics Letters, v. 391, n. 4-6, p. 344 348, 2004. ISSN
0009-2614. Disponvel em: <http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/
S0009261404007183>.
REFERNCIAS BIBLIOGRFICAS 171
techniques. I. Solid-State Circuits, IEEE Journal of, v. 10, n. 6, p. 371 379, dec.
Advanced carbon-ber composite materials for rd tag antenna applications. Applied
Computational Electromagnetics Society Journal, v. 25, n. 3, p. 218229, 2010.
em: 03/07/2015.
MENEZES, A.; RODRIGUES, R.; GURJO, E.; ZURITA, M. Crack sensoring devices
construction by means of microwave resonant circuit design. In: MOMAG 2016. Porto
Alegre, RS, Brazil: [s.n.], 2016.
Press, 2004.
MICROSENSYS. TELID - The RFID sensor transponders and data loggers from
microsensys. May 2015. Disponvel em: <http://www.microsensys.de/en/sensors.
html>. Acesso em: 29/05/2015.
Architectures and applications. In: . [S.l.]: CRC Press, 2009. (Wireless Networks
MITSUGI, J.; INABA, T.; PTKAI, B.; THEODOROU, L.; SUNG, J.; LPEZ, T. S.;
KIM, D.; MCFARLANE, D.; HADA, H.; KAWAKITA, Y. et al. Architecture development
for sensor integration in the epcglobal network. Auto-ID Labs White Paper Series,
2007.
MOSHKALEV, S.; LEON, J.; VERSSIMO, C.; VAZ, A.; FLACKER, A.; MORAES, M.
12/07/2015.
(APSURSI), 2011 IEEE International Symposium on. [S.l.: s.n.], 2011. p. 1413
1416. ISSN 1522-3965.
OCCHIUZZI, C.; RIDA, A.; MARROCCO, G.; TENTZERIS, M. Rd passive gas
ONG, K.; ZENG, K.; GRIMES, C. A. A wireless, passive carbon nanotube-based gas
1268.
PALMISANO, G.; PALUMBO, G.; PENNISI, S. Design procedure for two-stage cmos
<http://dx.doi.org/10.1023/A:1011229119071>.
PERRET, E.; NAIR, R.; KAMEL, E. B.; VENA, A.; TEDJINI, S. Chipless rd tags
PHILIPOSE, M.; FISHKIN, K.; PERKOWITZ, M.; PATTERSON, D.; FOX, D.;
KAUTZ, H.; HAHNEL, D. Inferring activities from interactions with objects. Pervasive
Computing, IEEE, v. 3, n. 4, p. 5057, Oct 2004. ISSN 1536-1268.
PHILIPOSE, M.; SMITH, J.; JIANG, B.; MAMISHEV, A.; ROY, S.; SUNDARA-
PRERADOVIC, S.; KAMAKAR, N.; AMIN, E. M. Chipless rd tag with integrated
PRERADOVIC, S.; KARMAKAR, N. Chipless rd tag with integrated sensor. In:
<http://www.sensorsmag.com/networking-communications/asset-tracking/
designing-systems-combine-hf-rfid-with-sensors-7891>.
RANASINGHE, D.; LEONG, K.; NG, M.; ENGELS, D.; COLE, P. A distributed
architecture for a ubiquitous rd sensing network. In: Intelligent Sensors, Sensor
Networks and Information Processing Conference, 2005. Proceedings of the
2005 International Conference on. [S.l.: s.n.], 2005. p. 712.
RFID JOURNAL. New Low-cost Temperature Sensor. July 2002. Accessed on 04-
02-2015. Disponvel em: <http://www.rfidjournal.com/articles/view?28>. Acesso
em: 02/04/2015.
RFID JOURNAL. How much does an RFID tag cost today? August 2013. On-
RIDA, A.; VYAS, R.; BASAT, S.; FERRER-VIDAL, A.; YANG, L.; BHATTACHARYA,
S.; TENTZERIS, M. Paper-based ultra-low-cost integrated RFID tags for sensing and
REFERNCIAS BIBLIOGRFICAS 175
2007. ECTC '07. Proceedings. 57th. [S.l.: s.n.], 2007. p. 19771980. ISSN 0569-5503.
RNCOS. Global RFID Market Forecast to 2014. [S.l.], March 2012. Disponvel
em: <http://www.reportlinker.com/p0795428/Global-RFID-Market-Forecast-to.
html>.
<http://scitation.aip.org/content/aip/journal/apl/60/18/10.1063/1.107080>.
SAVU, R.; SILVEIRA, J. V.; ALAFERDOV, A.; JOANNI, E.; GOBBI, A. L.;
based on locally heated multiwall carbon nanotubes decorated with metal nanoparticles.
SAVU, R.; SILVEIRA, J. V.; FLACKER, A.; VAZ, A. R.; JOANNI, E.; PINTO, A. C.;
SEICHEPINE, F.; SALOMON, S.; COLLET, M.; GUILLON, S.; NICU, L.; LARRIEU,
SHENGHUA, Z.; NANJIAN, W. A novel ultra low power temperature sensor for UHF
RFID tag chip. In: Solid-State Circuits Conference, 2007. ASSCC '07. IEEE
Asian. [S.l.: s.n.], 2007. p. 464467.
5601.
SIDEN, J.; ZENG, X.; UNANDER, T.; KOPTYUG, A.; NILSSON, H.-E. Remote
moisture sensing utilizing ordinary RFID tags. In: Sensors, 2007 IEEE. [S.l.: s.n.],
SIN, M. L. Y.; CHOW, G. C. T.; FUNG, C. K. M.; LI, W. J.; LEONG, P.; WONG, K. W.;
STAR, A.; JOSHI, V.; SKARUPO, S.; THOMAS, D.; GABRIEL, J.-C. P. Gas
<http://dx.doi.org/10.1021/jp064371z>.
SUEHLE, J.; CAVICCHI, R.; GAITAN, M.; SEMANCIK, S. Tin oxide gas sensor
SWEDBERG, C. Thinlm launches opensense printed NFC sensor label for bottles.
TAI, H.-Y.; CHEN, H.-W.; CHEN, H.-S. A 3.2fJ/c.-s. 0.35V 10b 100kS/s SAR ADC in
90nm CMOS. In: VLSI Circuits (VLSIC), 2012 Symposium on. [S.l.: s.n.], 2012.
p. 9293.
TAI, H.-Y.; HU, Y.-S.; CHEN, H.-W.; CHEN, H.-S. A 0.85fJ/conversion-step 10b 200kS/s
and Sensor Networks (WiSNet). [S.l.: s.n.], 2016. p. 6770. ISSN 2332-5615.
design. Radio Science Bulletin, v. 1, n. 331, p. 920, December 2009. ISSN 1024-4530.
ISSN: 1024-4530.
THAI, T. T.; YANG, L.; DEJEAN, G. R.; TENTZERIS, M. M.; THAI, T. T.;
THOMPSON, D.; TANTOT, O.; JALLAGEAS, H.; PONCHAK, G.; TENTZERIS, M.;
transmission lines on LCP substrates from 30 to 110 GHz. Microwave Theory and
Techniques, IEEE Transactions on, v. 52, n. 4, p. 13431352, April 2004. ISSN 0018-
9480.
TREACY, M.; EBBESEN, T.; GIBSON, J. Exceptionally high young's modulus observed
UCONNECT. UHF Active RFID Tag Module, 922 928 MHz. 2015. Disponvel
em: <http://uconnect.diytrade.com/sdp/1546218/4/pd-6204548/9608466-0/UHF_
Active_RFID_Tag_Module_922_928_MHz.html>. Acesso em: 03/07/2015.
UDREA, F.; GARDNER, J. SOI CMOS gas sensors. In: Sensors, 2002. Proceedings
of IEEE. [S.l.: s.n.], 2002. v. 2, p. 13791384 vol.2.
USSMUELLER, T.; BRENK, D.; ESSEL, J.; HEIDRICH, J.; FISCHER, G.; WEIGEL,
capability. In: RFID (RFID), 2012 IEEE International Conference on. [S.l.: s.n.],
2012. p. 6673.
VAZ, A.; SILVA, M. da; LEON, J.; MOSHKALEV, S.; SWART, J. Platinum thin lms
deposited on silicon oxide by focused ion beam: characterization and application. Journal
of Materials Science, Springer US, v. 43, n. 10, p. 34293434, 2008. ISSN 0022-2461.
Disponvel em: <http://dx.doi.org/10.1007/s10853-007-2402-3>.
VENA, A.; PERRET, E.; TEDJINI, S. A compact chipless RFID tag using polarization
diversity for encoding and sensing. In: RFID (RFID), 2012 IEEE International
Conference on. [S.l.: s.n.], 2012. p. 191197.
VENA, A.; PERRET, E.; TEDJINI, S.; KADDOUR, D.; POTIE, A.; BARRON, T.
A compact chipless RFID tag with environment sensing capability. In: Microwave
Symposium Digest (MTT), 2012 IEEE MTT-S International. [S.l.: s.n.], 2012.
WATTERS, D.; JAYAWEERA, P.; BAHR, A.; HUESTIS, D. Design and performance of
wireless sensors for structural health monitoring. In: THOMPSON, D.; CHIMENTI, D.
WEGMANN, G.; VITTOZ, E.; RAHALI, F. Charge injection in analog MOS switches.
Solid-State Circuits, IEEE Journal of, v. 22, n. 6, p. 1091 1097, dec 1987. ISSN
0018-9200.
WIDLAR, R. Some circuit design techniques for linear integrated circuits. Circuit
Theory, IEEE Transactions on, v. 12, n. 4, p. 586590, Dec 1965. ISSN 0018-9324.
In: Sensors, 2007 IEEE. [S.l.: s.n.], 2007. p. 550553. ISSN 1930-0395.
YANG, L.; RIDA, A.; VYAS, R.; TENTZERIS, M. RFID tag and RF structures on a
YANG, L.; ZHANG, R.; STAICULESCU, D.; WONG, C.; TENTZERIS, M. A novel
YEAGER, D.; ZHANG, F.; ZARRASVAND, A.; GEORGE, N. T.; DANIEL, T.; OTIS,
YUN, J.-H.; CHANG-SOO, H.; KIM, J.; SONG, J.-W.; SHIN, D.-H.; PARK, Y.-G.
Nano/Micro
Fabrication of carbon nanotube sensor device by inkjet printing. In:
Engineered and Molecular Systems, 2008. NEMS 2008. 3rd IEEE International
Conference on. [S.l.: s.n.], 2008. p. 506509.
ZANINI, M.; VISSER, J.; RIMAI, L.; SOLTIS, R.; KOVALCHUK, A.; HOFFMAN, D.;
LOGOTHETIS, E.; BONNE, U.; BREWER, L.; BYNUM, O.; RICHARD, M. Fabrication
ZHANG, L.; WANG, Z. Integration of RFID into wireless sensor networks: Architectures,
Workshops, 2006. GCCW '06. Fifth International Conference on. [S.l.: s.n.],
2006. p. 463469.
architectures, protocols, security, and integrations. [S.l.]: CRC Press, 2009. ISBN:
978-1-4200-7777-3.
enhanced near-eld RFID platform. In: RFID (RFID), 2015 IEEE International
Conference on. [S.l.: s.n.], 2015. p. 174181.
ZHOU, J.; LI, P.; ZHANG, S.; LONG, Y.; ZHOU, F.; HUANG, Y.; YANG, P.; BAO, M.
Zeolite-modied microcantilever gas sensor for indoor air quality control. Sensors and
Actuators B: Chemical, v. 94, n. 3, p. 337 342, 2003. ISSN 0925-4005. Disponvel
em: <http://www.sciencedirect.com/science/article/pii/S0925400503003691>.
REFERNCIAS BIBLIOGRFICAS 181
adc in rd sensor. Journal of Sensors, v. 2016, p. 14 pages, February 2016. Article ID
8952947.