Amplificadores2009 PDF

C t l 10:
Captulo 10
Amplificadores de microondas
Objetivo: Diseo de amplificadores de microondas. Se partir de los

parmetros medidos o proporcionados por el fabricante para llegar a
construir un amplificador con las caractersticas pedidas de:
estabilidad, ganancia, ruido, ancho de banda y desadaptacin a la
entrada y salida pedida (ROEin y ROEout). )
Ser indispensable, desde el punto de vista de diseo, el manejo de la
carta de Smith.
T bi se vern
Tambin caractersticas
i adicionales
di i l de d diseo
di como
estrategias de polarizacin.
Por ltimo se contemplarn los tipos de amplificadores de potencia.
Grupo de Radiofrecuencia, UC3M, Septiembre 2009. Microondas-10- 1

Tema 10: Amplificadores de Microondas
NDICE
ndice.
I
Introduccin.
d i
Propiedades de la transformacin bilineal.
Criterios de diseo de amplificadores de microondas en transmisin
transmisin.
Estabilidad de amplificadores de microondas: circunferencias de estabilidad.
Ganancia en amplificadores de microondas: circunferencias de ganancia.
Ruido en amplificadores de microondas: circunferencias de ruido.
Desadaptacin de entrada y salida: circunferencias de desadaptacin.
A lifi d
Amplificadores de
d banda
b d ancha.
h
Polarizacin de amplificadores.
Amplificadores de potencia.
potencia
Conclusiones.

INTRODUCCIN A AMPLIFICADORES EN
MICROONDAS (I)
()
Origen: amplificadores paramtricos a reflexin construidos bsicamente con
varactores y circuladores (desde 1958 hasta dcada de 1970)
Utilizan el concepto de resistencia negativa del diodo varctor, diodo Gunn o Impatt.
IS Transformador ZD
ZS
ZL
Las mejoras realizadas en el transistor bipolar durante la dcada de los 70 le permitieron que
pudiera trabajar como oscilador hasta 10 GHz.
GHz
Al mismo tiempo se empezaron a utilizar BJTs y MESFETs en circuitos amplificadores en
transmisin.
Clave: miniaturizacin y reduccin de efectos parsitos de L y C.
INTRODUCCIN (II): DISEO DE UN AMPLIFICADOR
DE MICROONDAS EN TRANSMISIN
Se abordar el diseo de amplificadores basados en dispositivos semiconductores. El

funcionamiento de los dispositivos ser en transmisin
transmisin.
Se utilizar tecnologa hbrida, se integran lneas de transmisin impresas con
circuitos integrados (tecnologa MIC, microwave integrated circuits).
No se presentar la tecnologa monoltica (MMIC, monolithic microwave integrated
circuits) donde todas las redes aparecen integradas en un circuito nico.
El diseo de cualquier amplificador en tecnologa hbrida requiere distintas tareas.
tareas
En rojo se marcan las tareas de diseo, propiamente dicho.
Eleccin del dispositivo transistor.
C
Caracterizacin
i i deld l mismo.
i
Eleccin del substrato.
Diseo de la red de polarizacin.
Diseo de la red de microondas o radiofrecuencia.
Medida y ajuste del amplificador.

INTRODUCCIN (III):
DISEO DE UN AMPLIFICADOR DE MICROONDAS
Tipo: bipolar, FET

Configuracin: EC, BC Clculo de impedancias
Clase: A, AB, B, C Sntesis de las redes
Fabricante Seleccin substrato
Eleccin
El i del
d l Caracterizacin
C i i Redd de
R d Diseo
Di dde redes
d Medida
M did y
Tecnologa
dispositivo del dispositivo polarizacin de adaptacin ajuste
Datos del fabricante Elementos ajustables

o caracterizacin propia Seleccin
S l i ddell punto de
d trabajo
b j
Circuito DC para obtenerlo
Red de desacoplo
Red
R d de
d polarizacin
l i i independiente
i d di t del
d l circuito
i it
INTRODUCCIN (IV): eleccin del dispositivo
La tecnologa bipolar se utiliza para aplicaciones de hasta 8 GHz, en

amplificadores
lifi d dde ganancia
i ((no son recomendables
d bl en bbajo
j ruido)
id ) y para
osciladores por su bajo ruido de fase.
Desarrollo de la tecnologa de los FET:
En aplicaciones donde el ruido sea importante es la primera opcin.
Mayor movilidad de los dispositivos: se pueden alcanzar frecuencias mayores.
Hasta 40 GHz basados en homoestructuras
homoestructuras.
Hasta 120 GHz basados en heteroestructuras.
Problema: efectos parsitos provocan realimentacin del dispositivo que pueden
hacerlo oscilar:
Inductancia de la fuente a masa
Capacidad entre drenador (colector) y puerta (base)

INTRODUCCIN (V): diseo de la red de radiofrecuencia
ZS ZL
Red de Red de
IS adaptacin adaptacin
de entrada de salida
A partir de este instante se prestar atencin al diseo de la red de

radiofrecuencia y se dejar para el final del tema la red de polarizacin.
La red de radiofrecuencia tendr por objeto sintetizar las impedancias de
fuente (ZS) y de carga (ZL) para conseguir las propiedades que se buscan.
Dichas impedancias se consiguen por las llamadas redes de adaptacin de
entrada y salida. Estas redes, ms que redes de adaptacin, son redes de
transformacin de impedancias que transforman las impedancias terminales en
las requeridas (ZS) y (ZL).
)
INTRODUCCIN (VI): objetivo
ZS ZL
Red de Red de
IS adaptacin adaptacin
[S] Zc
d entrada
de t d d salida
de lid
Zf Zin Zout
Objetivo:
Determinacin de las impedancias de carga ZS y ZL con que es necesario cargar el
transistor definido a partir de los parmetros S,
transistor, S para conseguir las caractersticas
de diseo pedidas al amplificador: estabilidad, ganancia, ruido, desadaptacin a la
entrada y a la salida (desajuste entre ZS y Zin ZL y Zout)
Medios:
Carta de Smith
Transformacin bilineal: Zin= f([S], ZL); Zout=f([S], ZS)

TRANSFORMACIN BILINEAL (I)
Punto de partida:
El lugar geomtrico de las cargas objeto de diseo suele ser una circunferencia.
La relacin entre cargas en dos planos diferentes viene dada por una transformacin
bilineal.
Una circunferencia en un plano A, mediante una transformacin bilineal, se
transforma en otra circunferencia en un plano B
Repaso, ecuacin de una circunferencia: circunferencia, centro (xo, yo) y radio R
(x xo )2 + ( y yo )2 = R 2 x 2 + y 2 2 xxo 2 yyo + (xo2 + yo2 R 2 ) = 0
La carta de Smith trabaja en el plano complejo, luego es conveniente trabajar en
dicho p
plano.
Notacin con nmeros complejos: z=x+jy, zo=xo+jyo
Z Z o R 2 = 0 (Z Z o ) (Z Z o ) R 2 = 0
2 *
( )
Z Z * Z Z o* Z * Z o + Z o Z o* R 2 = 0 (1)

TRANSFORMACIN BILINEAL (II)
El siguiente
g paso
p es la transformacin de un lugar
g geomtrico
g en un plano
p en otro
lugar geomtrico en otro plano.
Transformacin bilineal del plano complejo Z en el plano complejo W
A Z + B 2 A Z + B A* Z * + B *
W= W =
2
* * 2
=0
CZ + D CZ + D C Z + D *
Algebraicamente: circunferencias del plano Z se transforman en circunferencias

del plano W y viceversa.
( ) ( ) ( ) ( )
Z Z * A A* 2C C * Z 2C D * A B * Z * 2 D C * B A* + B B * 2 D D * = 0 ((2))
Comparando (1) y (2), la circunferencia |W|2=2 resulta en una circunferencia en
el pplano Z con centro y radio:
Zo =
( 2
D C * B A* ); R = A D B C
2 2
A 2 C
2 2
A 2 C

DISEO DE AMPLIFICADORES DE MICROONDAS
UTILIZANDO LOS PARMETROS S DEL TRANSISTOR
Un transistor viene definido por los parmetros S que da el fabricante o por las
medidas que puedan hacerse del mismo conectado a lneas de 50 ohm.
Los parmetros S varan con cualquier cambio en la polarizacin, con cualquier
variacin en las condiciones de medida (temperatura, humedad, )
Hay que dejar algn margen de variacin de los parmetros S
Objetivos de diseo:
Mxima ganancia de potencia.
Mnima figura de ruido.
ruido
Ganancia estable lo que supone que no haya oscilaciones
ROE de entrada y salida lo ms cercanas a la unidad.
Ganancia uniforme en un ancho de banda (ROE por debajo de un valor en esa banda)
Respuesta de fase lineal.
Insensibilidad a pequeos cambios en los parmetros S
Las topologas
L t l en baja
b j frecuencia
f i son vlidas
lid (amplificadores
( lifi d balanceados,
b l d
cascodo, push-pull, ) pero asegurando la estabilidad del dispositivo
Estabilizacin mediante cargas resistivas en entrada, salida o ambas (PADDING)
Estabilizacin mediante realimentacin negativa
RESUMEN DE PROPIEDADES EN EL DISEO DE LA
RED DE RADIOFRECUENCIA DE UN AMPLIFICADOR
PROPIEDAD CARACTERSTICA PLANO S PLANO L

Entrada (se define en in que depende de L) X
Estabilidad Salida (se define en out que depende de S) X
Potencia X
Ganancia Transduccin X X
Disponible X
Ruido X
Entrada X
Desadaptacin Salida X

CONCEPTO DE GANANCIA EN UN AMPLIFICADOR (I)
Definiciones:
Ganancia
i de
d potencia:
i Gp=(Potencia
( i entregada
d a la
l carga)/(Potencia
)/( i de
d entrada
d all amplificador)
lifi d )
Ganancia transduccin: G= (Potencia entregada a la carga)/(Potencia disponible del generador)
Ganancia disponible: Ga= (Potencia disponible en la carga)/(Potencia disponible del generador)
Desde el punto de vista de diseo la ganancia importante es la de transduccin ya que
relaciona las potencias a las que se tienen acceso real: la potencia que recibe la carga y la
potencia que entrega el generado.
No obstante, por razones de simplificar el diseo y considerar slo una carga (en el plano
de salida o en el de entrada), se suele hacer un diseo en trminos de ganancia de potencia
(plano de salida) o disponible (plano de entrada).
Se suele utilizar la ganancia de potencia cuando queremos separar el plano de salida en donde
diseamos la ganancia de potencia del plano de entrada donde disearamos para un ruido
ptimo.
Las
L circunferencias
i f i ded ganancia
i de
d potencia
i NO tienen
i iinterseccin
i con las
l ded ruido.
id
Las circunferencias de ganancia disponible S tienen interseccin con las de ruido.

CONCEPTO DE GANANCIA EN UN AMPLIFICADOR (II)
Se anticipa el concepto de estabilidad en un amplificador para poder generalizar las

definiciones de ganancia.
g
Un amplificador es estable cuando no oscila, es decir cuando la potencia reflejada en la
puerta del amplificador es menor que la potencia incidente. Esto supone que el mdulo del
coeficiente de reflexin es menor qque 1.
IN < 1 y OUT < 1
Ganancia en condiciones de estabilidad incondicional. Independientemente de la carga que

se conecta
conecta, siempre se verifica la condicin anterior.
anterior Entonces:
Se puede conseguir adaptacin conjugada SIMULTNEA a la entrada y a la salida
Gp= G= Ga= Gmax
Condiciones
C di i de
d estabilidad
t bilid d condicional:
di i l dependiendo
d di d de d las
l cargas que se conecten,t ell
amplificador ser estable o inestable. El carcter de estabilidad del transistor es uno, pero
las regiones de estabilidad de entrada o de salida son diferentes.
Si ell di
dispositivo
i i slo
l es condicionalmente
di i l estable,
bl no se puede d conseguiri adaptacin
d i
conjugada simultnea en la entrada y la salida manteniendo la estabilidad del
amplificador.

CONCEPTO DE GANANCIA EN UN AMPLIFICADOR (III)
La figura muestra el conjunto de cargas y de transformaciones entre ellas que

ocurren en el diseo de un amplificador.
p
Se vuelve a insistir que el diseo consistir en sintetizar ZS y ZL pero ZS influye en
el valor de Zout mientras que ZL en Zin
En esos planos de entrada y salida habr que considerar la desadaptacin que se
produce mediante el coeficiente de desadaptacin M.
ZS ZS ZL
a1 a2
S in [S] out L ZL
VS b1 b2
Zout
Zin

GANANCIA EN UN AMPLIFICADOR (IV):
OBTENCIN DE EXPRESIONES DE GANANCIA
Zo ZS ZL
Red a1 a2 Red
adapta out L adapta Z
S in [S] o
VS entrada b1 b2 salida
Zout
Zin
M1=MS MS ML M1=ML
En el plano de entrada (S, source) y en el plano de salida (L, load) los coeficientes de
d d t i son MS y ML y representan
desadaptacin t lal discrepancia
di i entre
t ZS y ell conjugado
j d de d Zin (MS)
y entre ZL y el conjugado de Zout (ML).
Por el teorema enunciado en el captulo 3 sobre el coeficiente de desadaptacin se puede
afirmar
fi que ell coeficiente
fi i t ded desadaptacin
d d t i a lo l largo
l de
d la
l redd de
d entrada
t d y ded la
l redd de
d salida
lid
permanecen constantes. Es decir: MS =M1 y ML =M2
En el plano donde se encuentra M1 podemos identificar el coeficiente de reflexin conjugado
con ell coeficiente
fi i de
d reflexin
fl i a la
l lnea
l y con los
l parmetros
con l relacionados.
l i d
GANANCIA EN UN AMPLIFICADOR (V):
Zo ZS ZL
Red a1 a2 Red
Adapta out L Adapta Z
S in [S] o
VS entrada b1 b2 salida
Zout
Zin
M1=MS MS
PL L M 1 L M =M
1 G =
Pinc = V + Yc p Pin
2
2
( ) P
Pin = 1 S Pinc G = L = 1 S G p
2
Pinc
2
( )
Por el teorema de invarianza del coeficiente de desadaptacin. Desarrollando a partir del plano 1
2 4 RS RIN 1 + 1 1+ 1 M S 1+ S
M S = 1 S = = M1 1 + 1 M1 teorema
Z S + Z IN
2 ROE1 = = = =
1 1 1 1 M1 1 1 M S 1 S

CONCEPTO DE GANANCIA EN UN AMPLIFICADOR (VI):
ZS ZS ZL
a1 a2
S in [S] out L ZL
VS b2
b1 Zout
Parmetros S del transistor Zin
2
b1 = s11a1 + s12 a2 Pin = Pdispp MS =
VS
MS
8RS
b2 = s21a1 + s22 a2
Condicin de terminacin MS =
4RinRS (= 1 ) (1 )
IN
2
S
2
2 2
a2 = L b2 ZS + ZIN 1 IN S
Parmetro de entrada:
ML =
4RoutRL
=
(1 ) (1 )
OUT
2
L
2
s12 s21 L (s11 L ) ZL + ZOUT

2
1 OUT L
2
IN = s11 + =
1 s22 L 1 s22 L
GANANCIA DE POTENCIA DE UN AMPLIFICADOR (VII):
Ganancia de potencia:
PL
2
s21 1 L
2
( ) 2
(
s21 1 L
2
)
GP = =
PIN 1 s22 L 2 1 IN ( 2
) = 2
1 s22 L s11 L
2
; = s11 s22 s12 s21
Ganancia de transduccin:
GT = G = GP M S =
2
s21 1 S ( 2
) (1 ) = L
2 2
s21 1 S( 2
) (1 )
L
2
1 s22 L 1 IN S
2 2
(1 s11 S ) (1 s22 L ) s21 s12 S L 2
*
Z S = Z IN
Condiciones de estabilidad incondicional: *
K >1
ZL = Z OUT
GP = G p , MAX = G = GMAX =
s21
s12
(
K K 2 1 = MAG )
Factor de Rollet
s21 2 2 2
= figura de mrito 1 s11 s 22 +
s12 K =
2 s12 s 21

CONCEPTO DE GANANCIA EN UN AMPLIFICADOR (VIII):
CONDICIONES DE UNILATERALIDAD
En el caso unilateral se puede aproximar el parmetro s12=0.

L expresiones
Las i de
d la
l gananciai se simplifican
i lifi all precio
i de d aparecer un error que
hay que analizar si es tolerable o no.
Ganancia de transduccin
GTU = G =
2 2
s21 1 S 1 L ( 2
)( )
(1 s11 S ) (1 s22 L ) 2
Ganancia de potencia 2
s21 1 L
2
( )
GPU = 2
1 s22 L 1 s11
2
;
( )
Figura de mrito unilateral s12 s 21 s11 s 22
U=
(1 s ) (1 s )
11
2
22
2
Error cometido
1 GT 1
< <
(1 + U )2 GTU (1 U )2

ESTABILIDAD EN AMPLIFICADORES (I):
CIRCUNFERENCIAS DE ESTABILIDAD
Definicin: un amplificador es estable cuando la potencia reflejada en la puerta del
amplificador es menor que la potencia incidente.
Condicin:
di i ell mdulo
d l del
d l coeficiente
fi i de
d reflexin
fl i es menor que 1.
IN =
(s11 L ) < 1 (s22 S ) < 1
OUT =
1 s 22 L 1 s11 L
Los valores de los coeficientes de reflexin que definen la condicin de estabilidad
dependen de las condiciones de carga a la entrada y a la salida que, a su vez, son los
j
objetivos de diseo del amplificador
p para
p unas determinadas caractersticas.
Objetivo: determinar las cargas L (ZL) (circunferencia de estabilidad de carga) y S (ZS)
(circunferencia de estabilidad de fuente) que hacen que IN y OUT son menores que 1.
Transformacin bilineal entre L y IN: circunferencia en el plano IN se transforma en
circunferencia en el plano L
LC =
(s22 s11* )
2 2
*
RLC =
s12 s21
SC =
s11 ( s * *
22 )
RSC =
s12 s21
2 2
s22 2
s22
2 2
s11
2
s11
Transformacin de regiones (para el crculo de estabilidad de carga): el valor L =0
resulta en el plano IN en IN=s11. Si |s11|<1 la regin en que est L =0 es estable (que
pueded ser iinterior
i o exterior i all crculo
l de d estabilidad
bilid d de
d carga))
ESTABILIDAD EN AMPLIFICADORES (II):
ESTABILIDAD INCONDICIONAL (I)
()
Hay dos situaciones: circunferencia de estabilidad exterior a la carta de Smith

carta de Smith interior a la circunferencia de estabilidad
j1
|LC| RLC j1
RLC
j0.5 j2 j0.5 j2
j0.2 j0.2
0
0.2 0.5 1 2
0
0.2 |LC|
0.5 1 2
-j0.2 -j0.2
-j0.5 -j2 -j0.5 -j2
-j1 -j1
|LC|>1+RLC |LC|+1<RLC

ESTABILIDAD EN AMPLIFICADORES (III):
ESTABILIDAD INCONDICIONAL (II)
( )
Condiciones necesarias y suficientes para estabilidad incondicional

2 2 2
1 s11 s 22 +
Factor de Rollet K = >1
2 s12 s 21
s11 < 1; s 22 < 1
2
s12 s 21 < 1 s11 (1)
2
s12 s 21 < 1 s 22 (2)
Sumando (1) y (2) se puede poner
2
1
K > 1+
2 s12 s21
= s11 s22 s12 s21
ESTABILIDAD EN AMPLIFICADORES (IV):
PROPIEDADES DEL FACTOR DE ROLLET
2r11r22 Re(z12 z 21 )
K ]z =
z12 z 21
R ( y12 y21 )
2 g11 g 22 Re
K ]y =
y12 y21
Si se conectan en serie con la entrada y la salida sendas resistencias el factor K

queda
d aumentado
t d ya que no se ve modificado
difi d ell parmetro
t z12 (K>K)
K no cambia si se aaden al cuadripolo elementos reactivos puros
K es invariante con cualquier cambio de referencia de los parmetros S

ESTABILIDAD EN AMPLIFICADORES (V):
ESTABILIDAD CONDICIONAL
Para un dispositivo inestable existen cuatro posibles configuraciones de las
circunferencias, de las cuales ser ms importante la ltima configuracin.
C
Crculol de
d estabilidad
bilid d cae totalmente
l fuera
f de
d la
l carta de
d Smith
S i h y |s
| 11|>1:
| 1 corresponde
d aK
K<-1,
1
|s22|<|| j1
j0.5 j2
j0.2
0
0.2 0.5 1 2
-j0.2
-j0.5 -j2
-j1
j1
Crculo de estabilidad encierra la carta de Smith y |s11|>1; K<-1 j0.5 j2
j0.2
0
0.2 0.5 1 2
-j0.2
-j0.5 -j2
-j1

ESTABILIDAD EN AMPLIFICADORES (VI):
ESTABILIDAD CONDICIONAL
El crculo de estabilidad cae totalmente dentro de la carta de Smith: puede haber
valores estables dentro o fuera de la carta de Smith dependiendo de s11
j1
j0.5 j2
j0.2
0
0.2 0.5 1 2
-j0.2
-j0.5 -j2
-j1
El crculo
l de d estabilidad
t bilid d es secante
t a la
l carta
t de
d Smith
S ith (-1<K<1).
( 1<K<1) HHay ddos situaciones,
it i
que incluya al origen o que no lo incluya. j0.5
j1
j2
j1
j0.5 j2
j0.2
j0.2
0
0.2 0.5 1 2
0
0.2 0.5 1 2
-j0.2
-j0.2
j0 2
-j0.5 -j2
-j1
-j0.5 -j2
s11 > 1 exterior inestable

-j1
s11 > 1 interior inestable
L = 0 IN = s11 L = 0 IN = s11
s11 < 1 exterior estable s11 < 1 interior
i t i estable
t bl
EJEMPLO CON EL TRANSISTOR MESFET DE AVAGO
ATF34143: p
parmetros S

Tema 9:Dispositivos semiconductores en Microondas
CIRCUNFERENCIAS DE ESTABILIDAD CON
MICROWAVE OFFICE PARA EL ATF34143
Transistor condicionalmente estable con regin estable en el plano L interior

a la circunferencia de estabilidad y en el plano S exterior a la otra circunferencia de estabilidad
GANANCIA DE POTENCIA EN AMPLIFICADORES (I)
Gp
Ganancia de potencia normalizada gP = 2 que si se desarrolla, resulta en:
s 21
( ) (
g p s22 s11* L + g p s22
*
*
s *
) 1 s( 2
)
g p + 1
( )
11 11
L L
*
=0
L
2 2
s 22 g p + 1
Vemos que es una circunferencia en el plano de impedancias de carga L
( *
s22 * s11 ) g P 1 2 + (2

2
)
1/ 2
( )
LG = K g s12 s 21 g s
p 12 s 21
=
( )
P
2 2
s22 g P + 1 R LG 2 2
s22 g P + 1
Comentarios:
Cuando gp tiende a infinito la circunferencia degenera en la de estabilidad de carga.
Cuando gp=0, LG=0, RLG=1, que es la carta de Smith
Suele ser normal dibujar las circunferencias a saltos de 1 dB desde el mximo:
A partir de la MAG para incondicionalmente estables
A partir de la figura de mrito para transistores condicionalmente estables.
La ecuacin de los centros de las circunferencias de ganancia constante estn sobre la
misma recta que los de estabilidad.
Las expresiones de ganancia disponible seran duales a las de potencia.
potencia
GANANCIA DE POTENCIA EN AMPLIFICADORES (II):
PROPIEDADES DE LOS CRCULOS DE GANANCIA
DISPOSITIVOS INCONDICIONALMENTE ESTABLES
Cuando el dispositivo es estable un conjunto de crculos cae dentro de la carta de Smith:
gP =
(K K 2 1 )
s12 s21

GANANCIA DE POTENCIA EN AMPLIFICADORES (III):
PROPIEDADES DE LOS CRCULOS DE GANANCIA
DISPOSITIVOS CONDICIONALMENTE ESTABLES
Propiedades:
K<1
El crculo de ganancia cortar en dos puntos la carta de Smith que coinciden con el crculo de
estabilidad. Estos dos puntos son invariantes

CIRCUNFERENCIAS DE GANANCIA DE POTENCIA
CON MICROWAVE OFFICE PARA EL ATF34143
Transistor condicionalmente estable, las circunferencias de ganancia de potencia estn

en el plano L y se cortan en los dos puntos invariantes con la de estabilidad de carga.
Se muestra una mxima ganancia de potencia de 18.85 dB y luego saltos de 0.5 dB
CIRCUNFERENCIAS DE GANANCIA DISPONIBLE CON
MICROWAVE OFFICE PARA EL ATF34143
Transistor condicionalmente estable, las circunferencias de ganancia disponible estn

en el plano S y se cortan en los dos puntos invariantes con la de estabilidad de carga.
Se muestra una mxima ganancia disponible de 18.85 dB y luego saltos de 0.5 dB
GANANCIA EN AMPLIFICADORES UNILATERALES (IV):
CRCULOS DE GANANCIA EN CONDICIONES DE
UNILATERALIDAD
Se puede aproximar s12=0. Pueden aparecer nuevas circunferencias de
transformacin completamente diferentes a las bilaterales que se han presentado
Expresin de la ganancia de transduccin:
GT =G =
(
1 ) s (1 )
S
2
21
=
(
1 )
2
s L
2
S
2
2

(1 )
L
2
= GS G0 GL
2 2 2 21 2
1 IN S 1 s22 L 1 s11 S 1 s22 L
Nuevos crculos:
*
g S s11 (
1 g S 1 s11
2
) gS =
GS
1 (1 g s ) s11 1 (1 g s ) s11
2 2 GSmax
*
g L s22 (
1 g L 1 s 22
2
) gL =
GL
1 (1 g L ) s22
2
1 (1 g L ) s 22
2 GLmax
Los centros de cada familia caen sobre rectas con ngulo s*11 s*22
La mxima ganancia se da cuando gS gL=1 corresponde al punto s*11 s*22

RUIDO EN AMPLIFICADORES (I)
INTRODUCCIN
Definiciones:
R
Ruido
id trmico
t i es ell resultante
lt t del
d l movimiento
i i t ded los
l electrones
l t en una resistencia
it i
debido a la agitacin trmica. Se refleja en un voltaje aleatorio en dicha resistencia.
No hay forma analtica de definirlo por lo que estadsticamente se considera como un
proceso ergdico
di cuya densidad
d id d espectrall ded potenciai (a
( frecuencias
f i inferiores
i f i a 1000
GHz) es constante (funcin de correlacin delta en el origen)
S e ( ) = 4kTR
Dicha funcin es par por lo que podemos modelarla para f>0:
S i ( ) = 4kT
Para un margen de frecuencias: PN=4kTRf R
k = 1.38 10 23 J / K
Ruido shot: debido a la naturaleza discreta de los portadores que constituyen la
corriente en las uniones p-n. Su valor es proporcional a la tensin de polarizacin y
tiene densidad espectral plana.
Ruido flicker: proporcional a 1/f
En alta frecuencia, en amplificadores, influyen el shot y el trmico: habr que buscar
un punto de polarizacin que con buena ganancia (valor importante de la
trasconductancia) tenga el menor ruido shot posible
RUIDO EN AMPLIFICADORES (II)
Caracterizacin del ruido:
Figura
g de ruido a una frecuencia dada es la relacin entre la ppotencia de ruido
existente a la salida del cuadripolo en los casos en que el cuadripolo fuera real e idea.
kT0 BG + N in kT0 BG + kTeq BG Teq
f = = =1+
kT0 BG kT0 BG T0
Teq = T0 ( f 1)
Los dispositivos de muy bajo nivel de ruido se representan en funcin de Teq
Cuando hay varias etapas, interesa amplificadores con un factor de ruido lo ms bajo
posible lo que supone que la primera etapa tenga el menor ruido posible.
f 1 f3 1
f = f1 + 2 + + ...
g1 g1 g 2
I1 I2
Modelado del ruido +
E Cuadripolo
Sin V1 = AV2 + BI 2 + E
ruido
id I1 = CV2 + DI 2 + I
V1 I V2

RUIDO EN AMPLIFICADORES (III)
La red libre (de ruido) no modifica el ruido luego su figura de ruido ser la de la
parte ruidosa
I1 E Cuadripolo
I2 I s2 + I + YS E =
2
+
Sin 2
ruido I s2 + I 2 + YS E 2 + YS* I E * + YS I * E
V1 I V2 I + YS E
2
f =1+
I s2
Descomponemos I en una parte incorrelada con E y otra totalmente correlada

I n* E = 0; I n* (I I n ) = 0

I E = E (I I n ) = Y E
*
* * 2

E 2 = 4kT R B
I 2 = (I I n ) + I n = Y E 2 + I n 2
2 2 2 2 0 n
2
I n = 4kT0Gn B
2
Y + YS E + I n
2

f =1+ 2

IS
RUIDO EN AMPLIFICADORES (IV)
f =1+
Gn Rn
+
GS GS
[
(GS + G ) + (BS + B )
2 2
]
Si se busca el mnimo de la anterior funcin, resulta para GS=Go
[ ]
1/ 2
Gn + Rn G2
Go =
Rn
; Bo = B

f = f o +
rn
( g S g o )2
+ (bS bo )2
gS
Expresando las admitancias en funcin de los coeficientes de reflexin
4 rn S o
2
(f f 0 ) 1 + o
2
S o
2
f = fo +
(1 ) 1 +
S
2
o
2
; Ni =
4 rn
=
(1 )
S
2
P una fi
Para figura de
d ruido
id constante resulta l un conjunto
j de
d circunferencias
i f i
Ci =
opt
Ri =
(
N i N i + 1 OPT
2
N =
f fo
)1 +
2

i o
Ni + 1 Ni + 1 R
4 n
Zo
Los centros estn sobre la recta cuyo vector de direccin es o
Ruido mnimo fi =fo se reduce al punto o
CIRCUNFERENCIAS DE RUIDO CON MICROWAVE
OFFICE PARA EL ATF34143
Transistor
T i condicionalmente
di i l estable,
bl las
l circunferencias
i f i de d gananciai disponible
di ibl estn

en el plano S y se cortan en los dos puntos invariantes con la de estabilidad de carga.
Tambin se muestran las circunferencias de ruido que, al estar en el mismo plano que
l de
las d gananciai disponible,
di ibl tienen
ti interseccin.
i t i
CIRCUNFERENCIAS DE RUIDO CON MICROWAVE
OFFICE PARA EL ATF34143
Transistor condicionalmente estable,, las circunferencias de gganancia de ppotencia estn

en el plano L y se cortan en los dos puntos invariantes con la de estabilidad de carga.
Tambin se muestran las circunferencias de ruido que NO se cortan con las
de g
ganancia de ppotencia ppor estar en pplanos distintos. S habra interseccin con las
transformadas conjugadas de ganancia de potencia que se muestran a continuacin.
DESADAPTACIN EN AMPLIFICADORES (I):
TRANSFORMACIN DE CRCULO DE GANANCIA
Objetivo anterior de diseo: elegir cargas de salida y entrada que cumplan unas
determinadas especificaciones de ganancia o de ruido y de estabilidad.
estabilidad
Adems: mxima transferencia de energa (en la medida de lo posible) lo que
supondra adaptacin entrada y/o salida.
Herramienta: transformacin del crculo de ganancia del plano L al plano de
entrada
Nuevo crculo por la transformacin bilineal
(*
L*
*
s11 ) in*,c =
2
RLg ( )(
s22 * + s22 Lg 1 s11
*
)R
* Lg
*
=
s12 s 21 R Lg
in* = * 2 2
in 2 2
s22 L* 1 RLg s22 s22 Lg 1 R Lg s 22 s 22 Lg 1
Las anteriores cargas estn en el plano de entrada.

Hay expresiones equivalentes para la transformacin de las circunferencias de
ganancia disponible en el plano OUT

DESADAPTACIN EN AMPLIFICADORES (II):
CRCULOS DE DESADAPTACIN
Objetivo: disear un amplificador con una ROE(in o out) determinada a partir de una
carga L S ya seleccionada.
Parmetros conocidos y expresiones de partida:
=
ROE 1
M =
2
1 IN 1 S (2
= 1 2)( )
2
ROE + 1 1 IN S
En el caso de un criterio de desadaptacin a la entrada, se conoce una carga de
salida determinada L1 que se corresponde con un IN1 N . La expresin de
desadaptacin resulta una circunferencia en el plano S.
1 M 1 1 in
2
*
M 1 in*
sM
M = R sM =
1 (1 M 1 )
2
1 (1 M 1 ) in*
2
in*
Lo mismo se p
puede hacer para
p la desadaptacin
p a la salida:
1 M 2 1 out
2
*
M2 *
lM =
out
RlM =
1 (1 M 1 ) * 2
1 (1 M 2 ) out
2
*
out

AMPLIFICADORES DE VARIAS ETAPAS:
CONSIDERACIONES DE GANANCIA
La ganancia total del amplificador es el producto de las ganancias parciales slo en los
casos de las ganancias de potencia y disponible ya que slo dependen de una de las cargas.
cargas
No se puede afirmar lo mismo para la ganancia de transduccin que depende de las cargas
en los dos planos.
L
La afirmacin
fi i anterior
i se puede
d aplicar
li a la
l gananciai de
d transduccin
d i en ell caso ded que exista
i
adaptacin conjugada simultnea a la entrada y a la salida.
Si no existe adaptacin conjugada simultnea la afirmacin sobre los productos de ganancias
parciales no es cierta porque se consideraran los coeficientes de desadaptacin (Mi) dos veces
veces.
Para un amplificador de dos etapas puede ponerse que:
n n
G p = G pi = G p1 G p 2 ; Ga = Gai = Ga1 Ga 2
i =1 n=2 i =1 n=2
PL 2 Pin 2 GP 2 Pdg1 M 1 GP1 GP 2

GT = = = = GT 1 G p 2 = Ga1 GT 2
Pdg1 Pdg1 Pdg1

AMPLIFICADORES DE VARIAS ETAPAS:
CONSIDERACIONES DE RUIDO
Potencia de ruido de la primera etapa: Pn1,out = G p1 G p 2 f1 k T f M 1

Potencia de ruido de la segunda etapa: Pn 2,out = G p 2 ( f 2 1) k T f M 2
Potencia de ruido total a la salida:
Pn ,out = G p1 G p 2 f1 k T f M 1 + G p 2 ( f 2 1) k T f M 2
Potencia de ruido a la salida asociado a una nueva figura de ruido F:
Pn ,out = G p1 G p 2 f k T f M 1
p es de laa figura
Expresin gu a de ruido
u do para
pa a dos etapas. Figura
gu a de ruido u do para
pa a n etapas:
1 f = f1 + ( f 2 1) + ( f 3 1)
M2 M3
f = f1 + ( f 2 1) = f1 + ( f 2 1)
M2 + ...
M 1 GP1 Ga1 M 1 GP1 M 1 GP1 GP 2
I1 E Cuadripolo I2 E Cuadripolo
C di l I3
+ + Sin
Sin
ruido ruido
V1 I V2 I V3
GP1 GP2
AMPLIFICADORES DE BANDA ANCHA
Un amplificador ideal debera tener una ganancia constante a lo largo de toda la

banda Esto no es as por el decrecimiento del parmetro s21 con la frecuencia.
banda. frecuencia
MAG
f
f1 fo f2
Estrategias para la construccin de un amplificador de banda ancha:
Redes de adaptacin reactivas que compensen variaciones de s21. Se traduce en una
prdida de adaptacin.
Redes
R d ded adaptacin
d i con prdidas:
did buena
b adaptacin
d i pero disminuye
di i la
l ganancia i y
aumenta la figura de ruido.
Realimentacin negativa: aplana la respuesta y mejora la adaptacin y estabilidad del
dispositivo.
AMPLIFICADORES BALANCEADOS
Son considerados en ocasiones amplificadores de banda ancha.

Requiere la utilizacin de hbridos de 90 y mediante una redundancia que da
robustez en caso de ruptura de uno de los amplificadores se consigue una
ganancia igual a la del amplificador del que proceden.
L etapas
Las t individuales
i di id l se pueden d optimizar
ti i despreocupndonos
d d de
d la
l
desadaptacin: las reflexiones se absorbern por los acopladores.
Si una seccin falla se traduce en una prdida de 6 dB
El ancho de banda viene limitado por el del hbrido.
GA 50
Hbrido Hbrido
90 90
50 GB
DISEO DE UN AMPLIFICADOR DE MICROONDAS
Tipo: bipolar, FET

Configuracin: EC, BC Clculo de impedancias
Clase: A, AB, B, C Sntesis de las redes
Fabricante Seleccin substrato
Eleccin
El i del
d l Caracterizacin
C i i Redd de
R d Diseo
Di dde redes
d Medida
M did y
Tecnologa
dispositivo del dispositivo polarizacin de adaptacin ajuste
Datos del fabricante Elementos ajustables

o caracterizacin propia Seleccin del punto de trabajo
Circuito DC para obtenerlo
p
Red de desacoplo
Red de polarizacin independiente del circuito
POLARIZACIN DE AMPLIFICADORES
Funciones: (4)
(2)
Fija el punto de polarizacin del circuito:
Circuito de polarizacin (fija Vg y Vd) (1)
La seal RF no debe introducirse en el
circuito DC (2)
El circuito RF no debe verse afectado por
el circuito DC: reduce el efecto de las
descargas transitorias y garantiza un corto
en RF (3)
Los circuitos RF exteriores no deben
verse afectados por la polarizacin del VG VD
circuito
i it en cuestin:
ti asla
l etapas
t de
d RF
(4)
Se pueden utilizar dos fuentes de
polarizacin
l i i o una (autopolarizado)
( t l i d )
Estructura:
Elementos concentrados.
Elementos distribuidos. (1)
(3)
EJEMPLO DE TRAZADO FSICO PARA UN RADIADOR
ACTIVO EN RECEPCIN (AMPLIFICADOR SIN RED
DE ADAPTACIN EN LA ENTRADA
Punto
P t de
d conexin
i
a antena
Red de
radiofrecuencia
di f i
Red de polarizacin

AMPLIFICADOR DE BAJO RUIDO (Centro Astronmico
Yebes))

AMPLIFICADOR DE BAJO RUIDO (II) (Centro
Astronmico Yebes))

AMPLIFICADORES DE POTENCIA
S = P SAL
Z
P CC
CAR
=
P SAL
AAD
P CC
+ P EN

Clasificacin:
Amplificadores
Clases Clases Clases

no Saturadas Saturadas y Sobreexcitadas No Convencionales
ngulo de conduccin ngulo de Conduccin ngulo de Conduccin ngulo de Conduccin Modos

Completo Reducido Completo Reducido No Convencionales
Clase A Clase AB Clase B Clase C Clase A Clase A Clase D Clase F Clase E Clase C-E Modos BAR
St d
Saturada S t y Sobre.
Sat. Sb
Alto rendimiento ( No linealidad)

Amplificador Clase A:

Amplificador Clase B:
Topologa
p g Push-Pull

Amplificador Clase C:

Eficiencia y componentes de Fourier de la

corriente de colector o drenador.
drenador

Necesidad de combinar para obtener potencias elevadas:
Amplificador Dougherty:

Otros Amplificadores. Clase E


Modelos para BJT y FET en

distintas zonas de funcionamiento
Existen diferentes modelos: Gummel-pool

Curtice
Statz
Polarizacin:
Determina el p
posible funcionamiento
Distorsiona
Establece las condiciones de carga
g

Condiciones de carga

Tcnicas de Linearizacin o Predistorsin:
Callum
Predistorsin Adaptativa

Clase A saturada y sobreexcitada

Clase A saturada y sobreexcitada
Tensin de 10 V
alimentacin
Ganancia 10.5 dB
Potencia de
desalida
salida 0.75W
0.75 W
Eficiencia 69.5%
Frecuencia de trabajo 1650-1700 MHz

Clase D. Fuentes cc
Tensin de entrada 165 a 265 VAC
Tensin de salida 7 5 V 2%
7.5
Potencia de salida 7.5 W

(continua)
Potencia de salida 15 W
(pico)
Eficiencia 94 %
Rizado 20 mV

CONCLUSIONES
Se ha abordado el diseo de amplificadores en microondas

El objetivo
bj i ha h sido
id ell diseo
di ded cargas de
d entradad y salida
lid que lleven
ll all
dispositivo transistor a cumplir unas caractersticas de estabilidad, ganancia,
ruido, desadaptacin, anchura de banda y potencia determinadas.
Herramientas matemticas a utilizar: carta de Smith y transformacin bilineal.
Redes implicadas:
D
De adaptacin
d t i para sintetizar
i t ti las
l impedancias
i d i requeridas.
id
De polarizacin para poner al dispositivo en unas condiciones de trabajo dadas.
Ambas tienen que estar perfectamente aisladas entre s.
Amplificadores de varias etapas

BIBLIOGRAFA
R. E. Collin, Foundations
Foundations for microwave engineering
engineering,, segunda edicin, 1992,
Wiley.
D. M. Pozar, Microwave engineering, tercera edicin, 2007, Wiley.
G. Gonzlez, Microwave transistor amplifiers, analysis and design, segunda
edicin, Prentice Hall, 1984.
P. Colantonio, F. Giannini, E. Limiti, High
High efficiency RF and microwave solid
state power amplifiers, Wiley 2009.
I. Bahl, P. Bhartia, Microwave solid state circuit design, Segunda Edicin,
Wil 2003.
Wiley, 2003


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C t l 10:

Objetivo: Diseo de amplificadores de microondas. Se partir de los

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Se abordar el diseo de amplificadores basados en dispositivos semiconductores. El

Grupo de Radiofrecuencia, UC3M, Septiembre 2009. Microondas-10- 4

Tipo: bipolar, FET

Datos del fabricante Elementos ajustables

La tecnologa bipolar se utiliza para aplicaciones de hasta 8 GHz, en

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A partir de este instante se prestar atencin al diseo de la red de

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Algebraicamente: circunferencias del plano Z se transforman en circunferencias

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PROPIEDAD CARACTERSTICA PLANO S PLANO L

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Grupo de Radiofrecuencia, UC3M, Septiembre 2009. Microondas-10- 13

Se anticipa el concepto de estabilidad en un amplificador para poder generalizar las

Ganancia en condiciones de estabilidad incondicional. Independientemente de la carga que

Grupo de Radiofrecuencia, UC3M, Septiembre 2009. Microondas-10- 14

La figura muestra el conjunto de cargas y de transformaciones entre ellas que

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s12 s21 L (s11 L ) ZL + ZOUT

Grupo de Radiofrecuencia, UC3M, Septiembre 2009. Microondas-10- 19

En el caso unilateral se puede aproximar el parmetro s12=0.

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Hay dos situaciones: circunferencia de estabilidad exterior a la carta de Smith

-j0.5 -j2 -j0.5 -j2

Grupo de Radiofrecuencia, UC3M, Septiembre 2009. Microondas-10- 22

Condiciones necesarias y suficientes para estabilidad incondicional

Sumando (1) y (2) se puede poner

Si se conectan en serie con la entrada y la salida sendas resistencias el factor K

Grupo de Radiofrecuencia, UC3M, Septiembre 2009. Microondas-10- 24

Crculo de estabilidad encierra la carta de Smith y |s11|>1; K<-1 j0.5 j2

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s11 > 1 exterior inestable

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Transistor condicionalmente estable con regin estable en el plano L interior

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Grupo de Radiofrecuencia, UC3M, Septiembre 2009. Microondas-10- 31

Transistor condicionalmente estable, las circunferencias de ganancia de potencia estn

Transistor condicionalmente estable, las circunferencias de ganancia disponible estn

Grupo de Radiofrecuencia, UC3M, Septiembre 2009. Microondas-10- 34

Grupo de Radiofrecuencia, UC3M, Septiembre 2009. Microondas-10- 36

Descomponemos I en una parte incorrelada con E y otra totalmente correlada

Transistor condicionalmente estable,, las circunferencias de gganancia de ppotencia estn

Las anteriores cargas estn en el plano de entrada.

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PL 2 Pin 2 GP 2 Pdg1 M 1 GP1 GP 2

Grupo de Radiofrecuencia, UC3M, Septiembre 2009. Microondas-10- 43

Potencia de ruido de la primera etapa: Pn1,out = G p1 G p 2 f1 k T f M 1

Un amplificador ideal debera tener una ganancia constante a lo largo de toda la

Son considerados en ocasiones amplificadores de banda ancha.

Tipo: bipolar, FET

Datos del fabricante Elementos ajustables

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