U.N.M.S.

M
FACULTAD DE ING. ELECTRNICA, ELCTRICA Y DE
TELECOMUNICACIONES

APELLIDOS Y NOMBRES MATRICULA

ASIS JIMENEZ JUNIOR ALEXANDER 15190243

CURSO TEMA

LABORATORIO DE DISPOSITIVOS
EL TRANSISTOR BIPOLAR PNP
ELECTRNICOS

INFORME FECHAS NOTA

PREVIO REALIZACIN ENTREGA

NUMERO 24 DE
20 DE JUNIO JUNIO

6 DEL 2016 DEL

2016

GRUPO10 PROFESOR

VIERNES DE 2-4 PM ING. LUIS PARETTO QUISPE

 I. TEMA: TRANSISTOR BIPOLAR PNP.
II. OBJETIVOS:

Verificar las condiciones de un transistor bipolar PNP.

Comprobar las caractersticas de funcionamiento de un transistor bipolar
PNP.

III. Introduccin terica.

TRANSISTOR BIPOLAR PNP

Un transistor bipolar est formado por dos uniones pn en contraposicin.
Fsicamente, el transistor est constituido por tres regiones
semiconductoras denominadas emisor, base y colector.
Existen 2 tipos de transistores bipolares, los denominados
PNP. A partir de este punto nos centramos en el estudio de
los transistores bipolares NPN, siendo el comportamiento
de los transistores PNP totalmente anlogo.

El emisor en un transistor NPN es la zona semiconductora

ms fuertemente dopada con donadores de electrones,
siendo su ancho intermedio entre el de la base y el
colector. Su funcin es la de emitir electrones a la base. La
base es la zona ms estrecha y se encuentra dbilmente
dopada con aceptores de electrones. El colector es la zona
ms ancha, y se encuentra dopado con donadores de
electrones en cantidad intermedia entre el emisor y la
base.

CONDICIONES DE FUNCIONAMIENTO
Las condiciones normales de funcionamiento de un transistor NPN se dan cuando
el diodo B-E se encuentra polarizado en directa y el diodo B-C se encuentra
polarizado en inversa. En esta situacin gran parte de los electrones que fluyen del
emisor a la base consiguen atravesar sta, debido a su poco grosor y dbil
dopado, y llegar al colector.

El transistor posee tres zonas de funcionamiento:

1. Zona de saturacin: El diodo colector est polarizado directamente y es
transistor se comporta como una pequea resistencia. En esta zona un
aumento adicionar de la corriente de base no provoca un aumento de la
corriente de colector, sta depende exclusivamente de la tensin entre
emisor y colector. El transistor se asemeja en su circuito emisor-colector a
un interruptor cerrado.
2. Zona activa: En este intervalo el transistor se comporta como una fuente
de corriente, determinada por la corriente de base. A pequeos aumentos
de la corriente de base corresponden grandes aumentos de la corriente de
colector, de forma casi independiente de la tensin entre emisor y colector.
 Para trabajar en esta zona el diodo B-E ha de estar polarizado en directa,
mientras que el diodo B-C, ha de estar polarizado en inversa.
3. Zona de corte: El hecho de hacer nula la corriente de base, es equivalente
a mantener el circuito base emisor abierto, en estas circunstancias la
corriente de colector es prcticamente nula y por ello se puede considerar
el transistor en su circuito C-E como un interruptor abierto.

IV. RESOLUCION TERICA DE LOS SIGUENTES CIRCUITOS:

Trabajamos con el transistor AF178

POLARIDAD: PNP
MATERIAL: GERMANIO (Ge)
GANANCIA DE CORRIENTE () = 50

Datos del circuito:

Re=330
Rc=1k
R1=56K
R2= 22K.
Vcc= -12v

Hacemos el equivalente de Thevenin del

circuito:
 ( R 1+ P 1) R 2
Rb = ( R 1+ P 1)+ R 2

R 2 Vcc
V = ( R 1+ P 1)+R 2

Con este nuevo circuito procedemos a realizar las operaciones de las siguientes tablas.
OBSERVACIN: El transistor AF127 est hecho de GERMANIO y es PNP, entonces su
VBE (activa) y su es respectivamente:

VBE= -0.2v = 40

TABLA 2

(Para P1 = 0 y R1 = 56k )
Hallando el Rb: V V BE
Ib= Rb+ ( +1 )
R1R2
Rb = R 1+ R 2
3.384(0.2)
Ib= 15.794 103 + ( 40+1 ) 330
56 K 22 K
Rb = (56+ 22) K
Ib = -100.085 A
Rb = 15.794k Hallando Ic:..( Ic = Ib)
Hallando el V:
Ic = (-100.085 A)(40)
R 2 Vcc Ic = -4.0034 mA
V= R 1+ R 2
Hallando VCE: (Ic = Ie)
22 k (12) Vcc= IcRc + VCE + IcRe
V= (56+22) k
VCE=Vcc Ic (Rc+Re)
V = - 3.3846 v 3
10
VCE = -12 (-4.0034
Hallando Ib: (1000+330)
 VCE = -6.6754v VE = V - VBE
Hallando VE: VE = - 3.3846 (-0.2)

VBE = VB - VE. (VB = V) VE = -3.1846 v

Valores
IC(mA.) Ib(uA.) VCE(v.) VBE(v.) VE(v.)
(R1= 56K )

Tericos -4.0034 -100.085 40 -6.6754 -0.2 3.1846

TABLA 3
(Para P1 = 0 y R1 = 68k )

Hallando el Rb: V V BE
Ib= Rb+ ( +1 )
R 1 R 2
Rb = R 1++ R 2
2.934(0.2)
Ib= 16.623 10 3+ ( 40+1 ) 330
68 K 22 K
Rb = (68+ 22) K
Ib = -90.067 A
Rb = 16.623k
Hallando Ic:..( Ic = Ib)
Hallando el V:

R 2 Vcc Ic = (-90.067 A) (40)

V= R 1+ R 2 Ic = -3.6026mA

22 k (12) Hallando VCE: (Ic = Ie)

V= (68+22) k Vcc= IcRc + VCE + IcRe

V = - 2.934 v VCE=Vcc Ic (Rc+Re)

Hallando Ib:
 3
VCE = -12 (-3.6026 10
(1000+330)

VCE = -7.208 v

Hallando VE:

VBE = VB - VE. (VB = V)

VE = V - VBE

VE = - 2.934 (-0.2)

VE = -2.734 v
 Valores
IC(mA.) Ib(uA.) VCE(v.) VBE(v.) VE(v.)
(R1= 68K )

Tericos -3.6026 -90.067 40 -7.208 -0.2 2.734

TABLA 5

(Para P1 = 100K y R1 = 56k )

Hallando el Rb:

(R 1+ P 1) R 2
Rb = R 1+ P 1+ R 2

156 K 22 K
Rb = (56+100+22)K

Rb = 19.2808k
 Hallando el V: Ib = -30.910 A

R 2 Vcc Hallando Ic:..( Ic = Ib)

V= R 1+ P 1+ R2
Ic = (-30.910 A) (40)
22 k (12)
V= (56+100+22)k Ic = -1.564mA

Hallando VCE: (Ic = Ie)

V = -1.483 v
Vcc= IcRc + VCE + IcRe
Hallando Ib:
VCE=Vcc Ic (Rc+Re)
V V BE
Ib= Rb+ ( +1 )
VCE = -12 (-1.564 103
(1000+330)
Ib=
VCE = -9.919v
1.483(0.2)
3
19.2808 10 + ( 40+1 ) 330

(Para P1 = 250K y R1 = 56k )

 R 2 Vcc
V= R 1+ P 1+ R2

22 k (12)
V= (56+250+22)k

V = -0.8048 v

Hallando Ib:

V V BE
Ib= Rb+ ( +1 )

0.8048(0.2)
Ib= 20.524 103 + ( 40+1 ) 330

Ib = -10.776 A

Hallando Ic:..( Ic = Ib)

Hallando el Rb:
Ic = (-10.776 A) (40)

(R 1+ P 1) R 2
Rb = Ic = -0.43104 mA
R 1+ P 1+ R 2
Hallando VCE: (Ic = Ie)
306 K 22 K
Rb = (56+250+22) K Vcc= IcRc + VCE + IcRe

VCE=Vcc Ic (Rc+Re)
Rb = 20.524k

VCE = -12 (-0.43104 103

(1000+330)

VCE = -11.426 v
Hallando el V:
 (Para P1 = 500K y R1 = 56k )

Hallando el V:

R 2 Vcc
V= R 1+ P 1+ R2

22 k (12)
V= (56+500+22)k

V = -0.4567 v

Hallando Ib:

V V BE
Ib= Rb+ ( +1 )

0.4567(0.2)
Ib= 21.162 103 + ( 40+1 ) 330
Hallando el Rb:

Ib = -7.3994 A
(R 1+ P 1) R 2
Rb = R 1+ P 1+ R 2
Hallando Ic:..( Ic = Ib)

556 K 22 K
Rb = Ic = (-7.3994 A) (40)
(56+500+22)K
Ic = -0.2959mA
Rb = 21.162k
Hallando VCE: (Ic = Ie)

Vcc= IcRc + VCE + IcRe

 VCE=Vcc Ic (Rc+Re) VCE = -12 (-0.2959
3
10
(1000+330)

VCE = -11.6064 v

(Para P1 = 1M y R1 = 56k )

1056 K 22 K
Rb = (56+1000+22)K

Rb = 21.551k

Hallando el V:

R 2 Vcc
V= R 1+ P 1+ R2

22 k (12)
V= (56+1000+22) k

Hallando Rb:
V = -0.245 v
(R 1+ P 1) R 2
Rb = Hallando Ib:
R 1+ P 1+ R 2

V V BE
Ib= Rb+ ( +1 )
 0.245(0.2) Hallando VCE: (Ic = Ie)
Ib= 21.551 103 + ( 40+1 ) 330
Vcc= IcRc + VCE + IcRe

Ib = -1.2827 A VCE=Vcc Ic (Rc+Re)

Hallando Ic:..( Ic = Ib) 103

VCE = -12 (-0.0513

(1000+330)
Ic = (-1.2827 A)(40)
VCE = -11.931771 v
Ic = -0.0513mA

Procedemos a llenar la tabla con los datos tericos obtenidos:

P1 100K 250K 500K 1M

Ic(mA) -1.564 -0.43104 -0.2959 -0.0513

Ib(uA) -30.910 -10.776 -7.3994 -1.2827

VCE (v.) -9.919 -11.426 -11.6064 -11.931771