Professional Documents
Culture Documents
Rpublique Algrienne
Dmocratique et Populaire
Ministre de l'Enseignement Suprieur et de la Recherche Scientifique
Comit Pdagogique National du domaine Sciences et Technologies
HARMONISATION
OFFRE DE FORMATION
MASTER ACADEMIQUE
2016 - 2017
Sciences
et Electronique Microlectronique
Technologies
Page |2
Rpublique Algrienne
Dmocratique et Populaire
Ministre de l'Enseignement Suprieur et de la Recherche Scientifique
Comit Pdagogique National du domaine Sciences et Technologies
2017-2016
Page |3
Conditions daccs
(Indiquer les spcialits de licence qui peuvent donner accs au Master)
Classement
Coefficient
Licences ouvrant accs selon la
Filire Master harmonis affect la
au master compatibilit de
licence
la licence
Electronique 1 1.00
Physique des
matriaux (Domaine 2 0.80
SM)
Chimie Matriaux
3 0.70
Electroni Microlectroni (Domaine SM)
que que Tlcommunications 3 0.70
Gnie biomdical 3 0.70
Autres licences du
5 0.60
domaine ST
Autres licences du
5 0.60
domaine ST
Page |5
Semestre 1
Travail
Volume Complment
Horaire aire
Volume horaire Semestrie en
Coefcient
Matires l Mode dvaluation
Unit hebdomadaire
Crdits
Consultation
d'enseigneme (15
(15
nt semaines)
semaines)
Contrl
Cour
Intitul TD TP e Examen
s
Continu
UE Physique des
Fondamentale 1h3
composants 6 3 3h00 67h30 82h30 40% 60%
Code : UEF 0
semiconducteurs 1
1.1.1
Crdits : 10 1h3
Coefcients : Couches minces 4 2 1h30 45h00 55h00 40% 60%
0
5
UE Procds dlaboration des 1h3
4 2 1h30 45h00 55h00 40% 60%
Fondamentale dispositifs semiconducteurs 0
Code : UEF
1.1.2
Crdits : 8
Conception des circuits 1h3
4 2 1h30 45h00 55h00 40% 60%
Coefcients :
intgrs analogiques 0
4
UE TP Physique des
Mthodologiq 1h3
composants 2 1 22h30 27h30 100%
ue 0
semiconducteurs 1
Code : UEM
TP Conception des CI 1h3
1.1 2 1 22h30 27h30 100%
intgrs analogiques 0
Crdits : 9
Coefcients : TP proprits optiques 2 1 1h3 22h30 27h30 100%
Page |7
des SC 0
Semestre 2
Travail
Volume Complment
Horaire aire
Volume horaire Semestrie en
Coefcient
Matires l Mode dvaluation
Unit hebdomadaire
Crdits
Consultation
d'enseignem (15
(15
ent semaines)
semaines)
Contrl
Cour
Intitul TD TP e Examen
s
Continu
UE Physique des
Fondamental 1h3
composants 6 3 3h00 67h30 82h30 40% 60%
e 0
semiconducteurs 2
Code : UEF
1.2.1
Crdits : 10 1h3
Outils de simulation 4 2 1h30 45h00 55h00 40% 60%
Coefcients : 0
5
UE Techniques de
1h3
Fondamental caractrisation des 4 2 1h30 45h00 55h00 40% 60%
dispositifs semiconducteurs
0
e
Code : UEF
1.2.2 Dispositifs 1h3
Crdits : 8 4 2 1h30 45h00 55h00 40% 60%
photovoltaques 0
Coefcients :
4
UE TP Physique des composants 1h3
2 1 22h30 27h30 100%
Mthodologiq SC 2 0
ue TP Outils de simulation 2 1 1h3 22h30 27h30 100%
Code : UEM 0
Page |9
TP Caractrisation des
1h3
SC/ TP Dispositifs 2 1 22h30 27h30 100%
0
photovoltaques
1.2 Conception des circuits
Crdits : 9 1h0
intgrs analogiques 3 2 1h30 37h30 37h30 40% 60%
Coefcients : 0
MOS
5
UE Matire au choix 3 1 1 1h30 22h30 02h30 100%
Dcouverte
Code : UED
1.2
Crdits : 2 Matire au choix 4 1 1 1h30 22h30 02h30 100%
Coefcients :
2
UE
Transversale
Code : UET
Ethique, dontologie et
1.2 1 1 1h30 22h30 02h30 100%
proprit intellectuelle
Crdits : 1
Coefcients :
1
Total 3 13h3 6h0 5h3
17 375h00 375h00
semestre 2 0 0 0 0
P a g e | 10
Semestre 3
Travail
Volume Complment
Horaire aire
Volume horaire Semestrie en
Coefcient
Matires l Mode dvaluation
Unit hebdomadaire
Crdits
Consultation
d'enseignem (15
(15
ent semaines)
semaines)
Contrl
Cour
Intitul TD TP e Examen
s
Continu
UE Physique des
Fondamental 1h3
composants 6 3 3h00 67h30 82h30 40% 60%
e 0
semiconducteurs 3
Code : UEF
1.3.1 Conception des CI
Crdits : 10 1h3
analogiques numriques 4 2 1h30 45h00 55h00 40% 60%
Coefcients : CMOS
0
5
UE Matriaux pour 1h3
4 2 1h30 45h00 55h00 40% 60%
Fondamental llectronique 0
e
Code : UEF
1.3.2 1h3
Crdits : 8 Optolectronique 4 2 1h30 45h00 55h00 40% 60%
0
Coefcients :
4
UE TP Htrostructures 1h3
Mthodologiq 2 1 22h30 27h30 100%
semiconducteurs 0
ue TP Conception des CI 2 1 1h3 22h30 27h30 100%
Code : UEM analogiques numriques 0
1.3 CMOS
P a g e | 11
1h3
TP Optolectronique 2 1 22h30 27h30 100%
0
Crdits : 9 Simulation des 1h0
3 2 1h30 37h30 37h30 40% 60%
Coefcients : composants SC 0
5
UE
Matire au choix 5 1 1 1h30 22h30 02h30 100%
Dcouverte
Code : UED
1.3
Crdits : 2 Matire au choix 6 1 1 1h30 22h30 02h30 100%
Coefcients :
2
UE
Transversale
Code : UET Recherche
1.3 documentaire et 1 1 1h30 22h30 02h30 100%
Crdits : 1 conception de mmoire
Coefcients :
1
Total 3 13h3 6h0 5h3
17 375h00 375h00
semestre 3 0 0 0 0
P a g e | 12
Semestre 4
Stage en entreprise sanctionn par un mmoire et une soutenance.
Semestre: 1
Unit denseignement: UEF 1.1.1
Matire 1: Physique des composants semiconducteurs 1
VHS: 67h30 (Cours: 3h00, TD: 1h30)
Crdits: 6
Coefficient: 3
Objectifs de lenseignement:
Connatre les phnomnes physiques se manifestant dans les matriaux
semiconducteurs qui sont utiliss pour raliser les composants de la
microlectronique. Comprendre le principe de fonctionnement des composants
lectroniques de base : jonction PN, diode Schottky, JFET.
Contenu de la matire:
Introduction
Jonction PN lquilibre
Jonction PN polarise
Calcul du courant : diode idale (courant de diffusion), courant de gnration /
recom-binaison, Claquage de la jonction)
Capacit de la jonction PN : Capacit de transition, Capacit de diffusion
Modle de la jonction PN : Modle grands signaux basse frquence, Modle
petits signaux basse frquence, Modle petits signaux haute
frquence
Chapitre 6. La diode Schottky
(2 Semaines)
Diagrammes de bandes
Extension de la zone de dpltion
Variation de la barrire de potentiel avec la tension applique
Mcanismes de conduction
Influence des tats dinterface
Comparaison avec la diode jonction PN
Chapitre 7. Le JFET
(1 Semaines)
Mode dvaluation:
Contrle continu: 40% ; Examen: 60%.
Rfrences bibliographiques:
1. J.P. Collinge Physique des dispositifs semiconducteurs, De Boeck Universit, 1998
2. H. Mathieu, Physique des semiconducteurs et des composants lectroniques, 6 e
dition, Cours et exercices corrigs, Dunod 2009
3. P. Leturcq, Physique des composants actifs semiconducteurs, Dunod 1978
4. H. Ng, Introduction la physique des semiconducteurs. Cours et exercices
corrigs, Dunod
5. S.M. Sze, Physics of semiconductor devices, John Wiley
6. A. Vapaille, Physique des dispositifs semiconducteurs, Masson 1970
7. B. Sapoval, Physique des semiconducteurs, Ellipses.
8. J. Singh, Semiconductors devices: an introduction, Mc Graw Hill, 1994
9. D. A. Neaman, Semiconductor physics and device: basic principle, Mc Graw Hill,
2003
10.A. Vapaille, Dispositifs et circuits intgrs semiconducteurs, Dunod, 1987.
11.M. Mebarki, Physique des semiconducteurs OPU, Alger, 1993.
12.C. Ng et H. Ng, Physique des semi-conducteurs, 4 e dition, Dunod.
P a g e | 17
P a g e | 18
Semestre: 1
Unit denseignement: UEF 1.1.1
Matire 2: Couches minces
VHS: 45h00 (Cours: 1h30, TD: 1h30)
Crdits: 4
Coefficient: 2
Objectifs de lenseignement:
Apprendre ltudiant lessentiel sur la fabrication des couches minces, leurs
proprits ainsi que les mthodes dveloppes pour leur caractrisation.
Contenu de la matire:
Mode dvaluation:
Contrle continu: 40% ; Examen: 60%.
Rfrences bibliographiques:
1. Emmanuel Defa, Intgration des couches minces ferrolectriques et
pizolectriques, Editions Wiley, 2011
2. Kurt Randerath, Chromatographie sur couches minces
3. A. Richardt, A.M.Durand, Les couches minces, les couches dures, dition In Fine
1994
4. A. Cornet, Physique et ingnierie de surfaces, EDP Sciences 1998
P a g e | 19
Semestre: 1
Unit denseignement: UEF 1.1.2
Matire 3: Procds dlaboration des dispositifs semiconducteurs
VHS: 45h00 (Cours: 1h30, TD: 1h30)
Crdits: 4
Coefficient: 2
Objectifs de lenseignement:
Aborder l'ensemble des tapes technologiques en dtaillant pour chacune d'elles les
mcanismes physico-chimiques mis en jeu, les prcautions qu'elles ncessitent et les
contraintes ventuellement qu'elles imposent vis--vis des autres tapes.
Contenu de la matire:
Mode dvaluation:
Contrle continu: 40% ; Examen: 60%.
Rfrences bibliographiques:
1. R. Levy, Microelectronic Materials and Processes.
2. C. Grovenor, Microelectronic materials.
3. G. Rebeiz, RF MEMS, theory, Design, and Technologies, Wiley.
4. Mohamed Gad-el-Hak, MEMS Introduction and Fundamentals. The MEMS
Handbook, 2nd Ed.
5. J. Ramsden, Nanotechnology, an introduction, Elsevier.
P a g e | 20
Semestre: 1
Unit denseignement: UEF 1.1.2
Matire 4: Conception des circuits intgrs analogiques
VHS: 45h00 (Cours: 1h30, TD: 1h30)
Crdits: 4
Coefficient: 2
Objectifs de lenseignement:
Matriser le Design Flow de la conception des circuits intgrs analogiques
Contenu de la matire:
Mode dvaluation:
Contrle continu: 40 % ; Examen: 60 %.
Rfrences bibliographiques:
1. D.A. Johns, Analog Integrated Circuit Design, Wiley, 1997
2. T.C. Carusone, Analog Integrated Circuit Design
3. P.R. Gray, Analysis and Design of Analog Integrated Circuits, Wiley, 2001
4. B. Razavi, Design of Analog Integrated Circuits, McGraw Hill, 2001
P a g e | 21
Semestre: 1
Unit denseignement: UEM 1.1
Matire 1: TP Physique des composants semiconducteurs 1
VHS: 22h30 (TP: 1h30)
Crdits: 2
Coefficient: 1
Objectifs de lenseignement:
Contenu de la matire:
Mode dvaluation:
Contrle continu: 100%
Rfrences bibliographiques
P a g e | 22
Semestre: 1
Unit denseignement: UEM 1.1
Matire 2: TP Conception des CI intgrs analogiques
VHS: 22h30 (TP: 1h30)
Crdits: 2
Coefficient: 1
Objectifs de lenseignement:
Contenu de la matire:
Mode dvaluation:
Contrle continu: 100 %
Rfrences bibliographiques:
P a g e | 23
Semestre: 1
Unit denseignement: UEM 1.1
Matire 3: TP proprits optiques des SC
VHS: 22h30 (TP: 1h30)
Crdits: 2
Coefficient: 1
Objectifs de lenseignement:
Contenu de la matire:
Mode dvaluation:
Contrle continu: 100%
Rfrences bibliographiques:
P a g e | 24
Semestre: 1
Unit denseignement: UEM 1.1
Matire 4: Programmation orient objet en C++
VHS: 37h30 (Cours : 1h30, TP: 1h00)
Crdits: 3
Coefficient: 2
Objectifs de lenseignement :
Apprendre ltudiant les fondements de base de la programmation oriente objets
ainsi que la maitrise des techniques de conception des programmes avancs en
langage C++.
Connaissances pralables recommandes :
Programmation en langage C.
Contenu de la matire :
Chapitre 1. Introduction la programmation oriente objets (POO)
(2 semaines)
Principe de la POO, Dfinition et Mise en route de langage C++, Le noyau C du
langage C++.
Chapitre 2. Notions de base
(2 semaines)
Les structures de contrle, Les fonctions, Les tableaux, La rcursivit, Les fichiers,
Pointeurs, Pointeurs et rfrences, Pointeurs et tableaux, L'allocation dynamique.
Chapitre 3. Classes et objets
(3 semaines)
Dclaration de classe, Variables et mthodes d'instance, Dfinition des mthodes,
Droits d'accs et encapsulation, Sparations prototypes et dfinitions, Constructeur et
destructeur, Les mthodes constantes, Association des classes entre elles, Classes et
pointeurs.
Chapitre 4. Hritage et polymorphisme
(3 semaines)
Hritage, Rgles d'hritage, Chanage des constructeurs, Classes de base,
Prprocesseur et directives de compilation, Polymorphisme, Rgles suivre, Mthodes
et classes abstraites, Interfaces, Traitements uniformes, Tableaux dynamiques,
Chanage des mthodes, Implmentation des mthodes virtuelles, Classes imbriques.
Chapitre 5. Les conteneurs, itrateurs et foncteurs
(3 semaines)
Les squences et leurs adaptateurs, Les tables associatives, Choix du bon conteneur,
Itrateurs : des pointeurs boosts, La pleine puissance des list et map, Foncteur : la
version objet des fonctions, Fusion des deux concepts.
Chapitre 6. Notions avances
(2 semaines)
La gestion des exceptions, Les exceptions standard, Les assertions, Les fonctions
templates, La spcialisation, Les classes templates.
Mode dvaluation :
Contrle continu : 40% ; Examen : 60%.
P a g e | 25
Rfrences bibliographiques:
1. Bjarne Stroustrup (auteur du C++), Le langage C++, Pearson.
2. Claude Delannoy, Programmer en langage C++, 2000.
3. Bjarne Stroustrup, Le Langage C++, dition (2000) ou Pearson Education France
(2007).
4. P.N. Lapointe, Pont entre C et C++ (2me dition), Vuibert, Edition 2001
P a g e | 26
Semestre : 1
Unit denseignement : UED 1.1
Matire : Matire 1 au choix
VHS : 22h30 (Cours : 1h30)
Crdits : 1
Coefficient : 1
Semestre : 1
Unit denseignement : UED 1.1
Matire : Matire 2 au choix
VHS : 22h30 (Cours : 1h30)
Crdits : 1
Coefficient : 1
P a g e | 27
Semestre : 1
Unit denseignement : UET 1.1
Matire : Anglais technique et terminologie
VHS : 22h30 (Cours : 1h30)
Crdits : 1
Coefficient : 1
Objectifs de lenseignement:
Initier ltudiant au vocabulaire technique. Renforcer ses connaissances de la langue.
Laider comprendre et synthtiser un document technique. Lui permettre de
comprendre une conversation en anglais tenue dans un cadre scientifique.
Contenu de la matire:
- Expression crite : Extraction des ides dun document scientifique, Ecriture dun
message scientifique, Echange dinformation par crit, rdaction de CV, lettres de
demandes de stages ou d'emplois.
Mode dvaluation:
Examen: 100%.
Rfrences bibliographiques :
- P.T. Danison, Guide pratique pour rdiger en anglais: usages et rgles, conseils
pratiques, Editions d'Organisation 2007
- A. Chamberlain, R. Steele, Guide pratique de la communication: anglais, Didier
1992
- R. Ernst, Dictionnaire des techniques et sciences appliques: franais-anglais,
Dunod 2002.
- J. Comfort, S. Hick, and A. Savage, Basic Technical English, Oxford University
Press, 1980
- E. H. Glendinning and N. Glendinning, Oxford English for Electrical and
Mechanical Engineering, Oxford University Press 1995
- T. N. Huckin, and A. L. Olsen, Technical writing and professional communication
for nonnative speakers of English, Mc Graw-Hill 1991
P a g e | 28
Semestre: 1
Unit denseignement: UED 1.1
Matire 1: Technologie du vide et Salle blanche
VHS: 22h30 (Cours: 1h30)
Crdits: 1
Coefficient: 1
Objectifs de lenseignement:
Familiarisation avec les exigences dune salle blanche : accs, quipements, produits
chimiques,
Contenu de la matire:
Mode dvaluation:
Examen: 100%.
Rfrences bibliographiques:
P a g e | 31
Semestre: 1
Unit denseignement: UED 1.1
Matire 2: Biomatriaux
VHS: 22h30 (Cours: 1h30)
Crdits: 1
Coefficient: 1
Objectifs de lenseignement:
Comprhension des concepts de biocompatibilit et de bio fonctionnalit des
matriaux.
Contenu de la matire:
Mode dvaluation:
Examen: 100%.
Rfrences bibliographiques:
P a g e | 32
Semestre: 2
P a g e | 33
Objectifs de lenseignement:
Connatre les phnomnes physiques se manifestant dans les matriaux
semiconducteurs qui sont utiliss pour raliser les composants de la
microlectronique. Comprendre le principe de fonctionnement des composants
lectroniques de base : transisistors bipolaire, structure MIS, transsistor MESFET,
MOSFET et les composants optolectroniques.
Contenu de la matire:
Rfrences bibliographiques:
13.J.P. Collinge Physique des dispositifs semiconducteurs, De Boeck Universit, 1998
14.H. Mathieu, Physique des semiconducteurs et des composants lectroniques, 6 e
dition, Cours et exercices corrigs, Dunod 2009
15.P. Leturcq, Physique des composants actifs semiconducteurs, Dunod 1978
16.H. Ng, Introduction la physique des semiconducteurs. Cours et exercices
corrigs, Dunod
17.S.M. Sze, Physics of semiconductor devices, John Wiley
18.A. Vapaille, Physique des dispositifs semiconducteurs, Masson 1970
19.B. Sapoval, Physique des semiconducteurs, Ellipses.
20.J. Singh, Semiconductors devices: an introduction, Mc Graw Hill, 1994
21.D. A. Neaman, Semiconductor physics and device: basic principle, Mc Graw Hill,
2003
22.A. Vapaille, Dispositifs et circuits intgrs semiconducteurs, Dunod, 1987.
23.M. Mebarki, Physique des semiconducteurs OPU, Alger, 1993.
24.C. Ng et H. Ng, Physique des semi-conducteurs, 4 e dition, Dunod.
P a g e | 36
Semestre: 2
Unit denseignement: UEF 1.2.1
Matire 2: Outils de simulation
VHS: 45h00 (Cours: 1h30, TD: 1h30)
Crdits: 4
Coefficient: 2
Objectifs de lenseignement:
Contenu de la matire:
Mode dvaluation:
Contrle continu: 40% ; Examen: 60%.
Rfrences bibliographiques:
1.
P a g e | 37
Semestre: 2
Unit denseignement: UEF 1.2.2
Matire 3 : Techniques de caractrisation des dispositifs
semiconducteurs
VHS: 45h00 (Cours: 1h30, TD: 1h30)
Crdits: 4
Coefficient: 2
Objectifs de lenseignement:
Un aspect important dans lvaluation de la qualit du matriau et de la fiabilit dun
composant lectronique est le dveloppement et lutilisation de techniques de
caractrisation rapides, non-destructives et prcises afin de dterminer les paramtres
essentiels. Pour ce faire, amener ltudiant comprendre le principe des techniques
de caractrisation et leur intrt dans le domaine des dispositifs semiconducteurs.
Dterminer la (ou les) mthode(s) de caractrisation appliquer sur un chantillon
semiconducteur afin den extraire les proprits fondamentales souhaites.
Contenu de la matire:
Chapitre 1: Introduction
Intrt de ltude des techniques de caractrisation, diffrents types de
techniques et leur classification, leur rle dans ltude des dispositifs
microlectroniques semiconducteurs.
Mode dvaluation:
Contrle continu: 40% ; Examen: 60%.
Rfrences bibliographiques:
Semestre: 2
Unit denseignement: UEF 1.2.2
Matire 4: Dispositifs Photovoltaques
VHS: 45h00 (Cours: 1h30, TD: 1h30)
Crdits: 4
Coefficient: 2
Objectifs de lenseignement:
Cette matire prsente un cours qui explique les cellules solaires depuis la physique
des semiconducteurs jusquau fonctionnement des modules photovoltaques. Les
diffrentes filires base des semiconducteurs ordonns et dsordonns utiliss dans
les cellules solaires sont galement traites. Les aspects socio-conomiques et
environnementaux du photovoltaque sont abords.
Contenu de la matire:
Mode dvaluation:
Contrle continu: 40% ; Examen: 60%.
Rfrences bibliographiques:
Semestre: 2
Unit denseignement: UEM 1.2
Matire 1: TP Physique des composants semiconducteurs 2
VHS: 22h30 (TP: 1h30)
Crdits: 2
Coefficient: 1
Objectifs de lenseignement:
Contenu de la matire:
Mode dvaluation:
Contrle continu: 100%
Rfrences bibliographiques
P a g e | 44
Semestre: 2
Unit denseignement: UEM 1.2
Matire 2: TP Outils de simulation
VHS: 22h30 (TP: 1h30)
Crdits: 2
Coefficient: 1
Objectifs de lenseignement:
Consolider par la pratique les concepts thoriques appris en cours.
Contenu de la matire:
Est expose ci-dessous une liste de TPs rpondant aux objectifs de la matire. Les
quipes de formation sont pries de raliser au moins 4 TPs (voire plus, si cela est
possible) en fonction de la disponibilit des logiciels. Par ailleurs, il est permis de
rajouter ou remplacer quelques TPs de la liste jointe par dautres TPs en relation avec
la matire. Prcision : Tout changement apport cette liste doit tre signal au
CPND de manire en faire profiter les autres tablissements.
Mode dvaluation:
Contrle continu: 100%
Rfrences bibliographiques :
P a g e | 45
Semestre: 2
Unit denseignement: UEM 1.2
Matire 3: TP Caractrisation des dispositifs SC / TP Dispositifs
Photovoltaques
VHS: 22h30 (TP: 1h30)
Crdits: 2
Coefficient: 1
Objectifs de lenseignement:
Acqurir des notions fondamentales et thoriques sur les diffrentes techniques de
caractrisation lectrique des matriaux semiconducteurs.
Au moyen de Travaux Pratiques mis en uvre sous environnement technologique et
lectrique utilisant le TCAD (Technology Computer Aided Design)- Silvaco (ATHENA-
ATLAS), ltudiant simule et dtermine les caractristiques et les paramtres
lectriques des structures tudies.
Contenu de la matire:
Sont exposes ci-dessous deux listes de TPs rpondant aux objectifs de la matire.
Les quipes de formation sont pries de choisir entre 2 et 4 TPs (voire plus, si cela est
possible) de chaque liste en fonction de la disponibilit des quipements tant
matriels que logiciels. Par ailleurs, il est permis de rajouter ou remplacer quelques
TPs de la liste jointe par dautres TPs en relation avec la matire. Prcision : Tout
changement apport ces listes doit tre signal au CPND de manire en faire
profiter les autres tablissements.
TP Dispositifs Photovoltaques
TP 0 : Simulation analytique avec PSPICE (diodes, BJT, MOS,)
TP 1 : Simulation numrique avec PC-1D de cellules photovoltaques, photodiode,
phototransistor)
TP 2: Simulation numrique avec AFORS-HET des htrojonctions,
surfacephotovoltage (ID-SPV, VD-SPV, WD-SPV), quasisteady-state photoconductance
(QSSPC), impedance (IMP, ADM, C-V, C-T, C-f) et photo-electro-luminescence (PEL)
TP 3 : Caractrisation cellule solaire
TP 4 : Optimisation des paramtres de sortie d'une cellule solaire base de silicium
monocristallin avec PC1D
TP 5 : Caractrisation d'un module photovoltaque.
P a g e | 46
Mode dvaluation:
Contrle continu: 100%
Rfrences bibliographiques :
Semestre: 2
Unit denseignement: UEM 1.2
Matire 4: Conception des circuits intgrs analogiques MOS
VHS: 37h30 (Cours: 1h30, TP: 1h00)
Crdits: 3
Coefficient: 2
Objectifs de lenseignement:
Matriser le Design Flow de la conception des circuits intgrs analogiques.
Contenu de la matire:
Est expose ci-dessous une liste de TPs rpondant aux objectifs de la matire. Les
quipes de formation sont pries de raliser au moins 4 TPs (voire plus, si cela est
possible) en fonction de la disponibilit des logiciels. Par ailleurs, il est permis de
rajouter ou remplacer quelques TPs de la liste jointe par dautres TPs en relation avec
la matire. Prcision : Tout changement apport cette liste doit tre signal au
CPND de manire en faire profiter les autres tablissements.
Mode dvaluation:
Contrle continu: 40 % ; Examen: 60 %.
Rfrences bibliographiques:
1. R. Jacob Baker, CMOS Circuit Design, Layout and Simulation, Wiley, 3 rd
ed., 2010
2. D.A. Johns, Analog Integrated Circuit Design, Wiley, 1997
3. T.C. Carusone, Analog Integrated Circuit Desig
4. P.R. Gray, Analysis and Design of Analog Integrated Circuits, Wiley, 2001
5. B. Razavi, Design of Analog Integrated Circuits, McGraw Hill, 2001
P a g e | 49
Semestre : 2
Unit denseignement : UED 1.2
Matire : Matire 3 au choix
VHS : 22h30 (cours : 1h30)
Crdits : 1
Coefficient : 1
Semestre : 2
Unit denseignement : UED 1.2
Matire : Matire 4 au choix
VHS : 22h30 (cours : 1h30)
Crdits : 1
Coefficient : 1
P a g e | 50
Semestre : 2
Unit denseignement : UET 1.2
Matire : thique, dontologie et proprit intellectuelle
VHS : 22h30 (Cours : 1h30)
Crdit : 1
Coefficient : 1
Objectifs de lenseignement:
Dvelopper la sensibilisation des tudiants aux principes thiques. Les initier aux
rgles qui rgissent la vie luniversit (leurs droits et obligations vis--vis de la
communaut universitaire) et dans le monde du travail. Les sensibiliser au respect et
la valorisation de la proprit intellectuelle. Leur expliquer les risques des maux
moraux telle que la corruption et la manire de les combattre.
Aucune
Contenu de la matire :
A- Ethique et dontologie
1 Introduction
1. Dfinitions : Morale, thique, dontologie
2. Distinction entre thique et dontologie
2 Charte de lthique et de la dontologie du MESRS : Intgrit et honntet.
Libert acadmique. Respect mutuel. Exigence de vrit scientifique,
Objectivit et esprit critique. Equit. Droits et obligations de ltudiant, de
lenseignant, du personnel administratif et technique.
3 Ethique et dontologie dans le monde du travail
Confidentialit juridique en entreprise. Fidlit lentreprise. Responsabilit
au sein de lentreprise, Conflits d'intrt. Intgrit (corruption dans le travail,
ses formes, ses consquences, modes de lutte et sanctions contre la
corruption)
B- Proprit intellectuelle
3. Brevet
Dfinition. Droits dans un brevet. Utilit dun brevet. La brevetabilit. Demande
de brevet en Algrie et dans le monde.
Mode dvaluation :
Examen : 100 %
Rfrences bibliographiques:
5 Racine L., Legault G. A., Bgin, L., thique et ingnierie, Montral, McGraw Hill,
1991.
6 Siroux, D., Dontologie : Dictionnaire dthique et de philosophie morale, Paris,
Quadrige, 2004, p. 474-477.
7 Medina Y., La dontologie, ce qui va changer dans l'entreprise, ditions
d'Organisation, 2003.
8 Didier Ch., Penser l'thique des ingnieurs, Presses Universitaires de France,
2008.
9 Gavarini L. et Ottavi D., ditorial. de lthique professionnelle en formation et en
recherche, Recherche et formation, 52 | 2006, 5-11.
10 Car C., Morale, thique, dontologie. Administration et ducation, 2e trimestre
2002, n94.
11 Jacquet-Francillon, Franois. Notion : dontologie professionnelle. Le tlmaque,
mai 2000, n 17
12 Carr, D. Professionalism and Ethics in Teaching. New York, NY Routledge. 2000.
13 Galloux, J.C., Droit de la proprit industrielle. Dalloz 2003.
14 Wagret F. et J-M., Brevet d'invention, marques et proprit industrielle. PUF 2001
15 Dekermadec, Y., Innover grce au brevet: une rvolution avec internet. Insep
1999
16 AEUTBM. L'ingnieur au cur de l'innovation. Universit de technologie Belfort-
Montbliard
17 Fanny Rinck et lda Mansour, littratie lre du numrique : le copier-coller
chez les tudiants, Universit grenoble 3 et Universit paris-Ouest Nanterre la
dfense Nanterre, France
18 Didier DUGUEST IEMN, Citer ses sources, IAE Nantes 2008
19 Les logiciels de dtection de similitudes : une solution au plagiat lectronique?
Rapport du Groupe de travail sur le plagiat lectronique prsent au Sous-
comit sur la pdagogie et les TIC de la CREPUQ
20 Emanuela Chiriac, Monique Filiatrault et Andr Rgimbald, Guide de ltudiant:
lintgrit intellectuelle plagiat, tricherie et fraude les viter et, surtout,
comment bien citer ses sources, 2014.
21 Publication de l'universit de Montral, Stratgies de prvention du plagiat,
Intgrit, fraude et plagiat, 2010.
22 Pierrick Malissard, La proprit intellectuelle : origine et volution, 2010.
23 Le site de lOrganisation Mondiale de la Proprit Intellectuelle
www.wipo.int
24 http://www.app.asso.fr/
P a g e | 53
Semestre : 2
Unit denseignement : UED 1.2
Matire 3: Gestion des dchets lectriques et lectroniques
VHS : 22h30 (Cours : 1h30)
Crdit : 1
Coefficient : 1
Objectifs de lenseignement:
Connaitre les grands principes relatifs llimination des dchets et la rcupration
des matriaux. Prvenir (ou rduire) la production et la nocivit des dchets,
notamment en agissant sur la fabrication et sur la distribution des produits. Savoir
comment organiser le transport des dchets et le limiter. Savoir valoriser les dchets
par remploi, recyclage ou toute autre action visant obtenir partir des dchets des
matriaux rutilisables et connaitre les effets sur l'environnement et la sant publique
des oprations de production et d'limination des dchets.
Contenu de la matire :
Introduction
1. Dfinitions
2. Quelques chiffres
3. La rglementation mondiale sur la gestion des dchets lectriques et lectroniques
DEEE .
4. Organisation de la filire DEEE
La collecte des DEEE
Le tri des DEEE
La vente des DEEE
Liste des quipements concerns par le recyclage des DEEE
5. Enjeux conomiques
6. Impact environnemental
7. Entreprises de Collecte et de recyclage des dchets lectriques et lectroniques
(DEEE, D3E) en Algrie.
Mode dvaluation :
Examen : 100 %
Rfrences bibliographiques:
Semestre : 2
Unit denseignement : UED 1.2
Matire 4: Introduction aux Nanotechnologies
VHS : 22h30 (Cours : 1h30)
Crdit : 1
Coefficient : 1
Objectifs de lenseignement:
Au terme de lenseignement de cette matire, ltudiant est cens avoir des notions
sur les sciences des nanotechnologies et des nanostructures.
Contenu de la matire :
- Introduction la nanotechnologie
- Phnomnes dans les nanostructures et tude lchelle nanomtrique
- Notions sur la croissance et la nanofabrication des nano matriaux
- Notions sur les nanotubes et transistors molculaires
- Techniques danalyse des nano matriaux (Photomission des RX, MEB, )
- Notions sur les techniques de caractrisations des nano objets
- Nanolectronique et les capacits de stockage de donnes
- Impact sur lindustrie future.
Mode dvaluation :
Examen : 100 %
Rfrences bibliographiques:
Semestre : 2
Unit denseignement : UED 1.2
Matire : Les matriaux intelligents
VHS : 22h30 (Cours : 1h30)
Crdit : 1
Coefficient : 1
Objectifs de lenseignement:
Introduire le concept dadaptabilit des matriaux. Dcouvrir les diffrents types des
matriaux intelligents. Dfinir les caractristiques et les applications de chaque type
de matriau.
Contenu de la matire :
Chapitre 2 : Pizolectricit
1. La pizolectricit
2. Proprits mcaniques dun matriau pizolectrique
3. Matriaux pizolectriques
4. Applications des matriaux pizolectriques
Chapitre 3 : Pyrolectricit
1. La pyrolectricit
2. Applications des matriaux pyrolectriques
3. Matriaux pyrolectriques
Chapitre 4 : Ferrolectricit
1. Ferrolectricit et applications lectroniques
2. Ferrolectricit et applications optiques
3. Progrs sur les matriaux ferrolectriques en couches minces
Chapitre 5 : Magntolectricit
1. Gnralits sur leffet magntostrictif
2. Magntolectricit
3. Applications
Mode dvaluation :
Examen : 100 %
Rfrences bibliographiques:
P a g e | 58
Semestre : 2
Unit denseignement : UED 1.2
Matire : Les matriaux
VHS : 22h30 (Cours : 1h30)
Crdit : 1
Coefficient : 1
Objectifs de lenseignement:
Sont prsentes dans ce cours les grand es classes de matriaux, mtaux, alliages,
cramiques, verres, polymres avec leurs principales caractristiques et mthodes
dlaboration les plus courantes, ceci afin dinitier ltudiant dvelopper une
mthodologie de choix des matriaux pour une application donne faisant intervenir
plusieurs proprits simultanment. Les matriaux mergents sont aussi introduits
dans ce cours.
Contenu de la matire :
Mode dvaluation :
Examen : 100 %
Rfrences bibliographiques:
Semestre : 2
Unit denseignement : UED 1.2
Matire : Appareillages et Techniques de caractrisation
VHS : 22h30 (Cours : 1h30)
Crdit : 1
Coefficient : 1
Objectifs de lenseignement:
Faire acqurir aux tudiants la matrise des appareils de caractrisation que lon
trouve dans les laboratoires de microlectronique, des mthodes et des protocoles de
mesure.
Contenu de la matire :
Mode dvaluation :
Examen : 100 %
Rfrences bibliographiques: