1.1.

CLASSIFICAO DOS MATERIAIS

CAP I- INTRODUO

Por convenincia, a maioria dos materiais de

A produo e transformao de materiais em
engenharia classificada em trs classes principais,
bens acabados, constituem uma das mais
quais sejam: materiais metlicos, materiais
importantes atividades de uma economia moderna.
polimricos (plsticos) e materiais cermicos.
Um produto, para ser manufaturado, requer uma
Esta classificao baseada principalmente no tipo
etapa de planejamento de seu processo de produo.
de estrutura atmica.
Nesta etapa so selecionados diversos materiais, de
acordo com custos e, principalmente, com as Em adio a estes trs tipos, um estudo mais
necessidades tcnicas exigidas. A elaborao dessa abrangente deve incluir um outro tipo, que exibe,
etapa exige que o responsvel pela mesma tenha atualmente, grande importncia tecnolgica: os
noo das estruturas internas dos materiais, pois o materiais compsitos, semicondutores e
conhecimento das mesmas, aos nveis biomateriais.
submicroscpicos, permite prever o comportamento
do material em servio, bem como possibilita
programar e controlar suas propriedades e
Classificao dos Materiais
caractersticas.
A produo e transformao de materiais em
Metais
bens acabados, constituem uma das mais
Cermicas Classificao Clssica
importantes atividades de uma economia moderna.
Polmeros
Um produto, para ser manufaturado, requer uma
etapa de planejamento de seu processo de produo.
Nesta etapa so selecionados diversos materiais, de
Compsitos
acordo com custos e, principalmente, com as
Semicondutores
necessidades tcnicas exigidas. A elaborao dessa Biomateriais (Mat. Biocompatveis)
etapa exige que o responsvel pela mesma tenha
noo das estruturas internas dos materiais, pois o 1.1.1. MATERIAIS METLICOS
conhecimento das mesmas, aos nveis
submicroscpicos, permite prever o comportamento
do material em servio, bem como possibilita Os materiais metlicos so substncias
programar e controlar suas propriedades e inorgnicas compostas por um ou mais elementos
caractersticas. metlicos e podem, tambm, conter elementos no-
A cincia dos materiais est associada gerao metlicos. Exemplos de materiais metlicos: ao,
de conhecimento bsico sobre a estrutura interna, cobre, alumnio, nquel e titnio. Elementos no-
propriedades e processamento de materiais. Ela tem metlicos como carbono, nitrognio e oxignio
ainda como objetivo, compreender a natureza dos podem estar contidos em materiais metlicos.
materiais, estabelecendo conceitos e teorias que Os metais tm uma estrutura cristalina, na
permitam relacionar a estrutura dos materiais com qual os tomos esto arranjados de maneira
suas propriedades e comportamento. A cincia dos ordenada. Eles, em geral, so bons condutores
materiais est associada gerao de conhecimento trmicos e eltricos. Quase todos os metais so
bsico sobre a estrutura interna, propriedades e mecanicamente resistentes, dcteis e muitos
processamento de materiais. Ela tem ainda como mantm esta resistncia mesmo em altas
objetivo, compreender a natureza dos materiais, temperaturas.
estabelecendo conceitos e teorias que permitam
relacionar a estrutura dos materiais com suas
propriedades e comportamento

1
1.1.2. MATERIAIS POLIMRICOS (PLSTICOS)
A maioria dos materiais polimricos consiste
de cadeias moleculares orgnicas (carbono) de longa
extenso. Estruturalmente, a maioria destes materiais
no cristalina, porm alguns exibem uma mistura de
regies cristalinas e no-cristalinas. A resistncia
mecnica e ductilidade dos materiais polimricos
variam enormemente. Devido natureza da estrutura
interna, a maioria dos plsticos conduz eletricidade
e calor de maneira extremamente precria. Isto
permite que os mesmos sejam freqentemente
utilizados como isolantes, tendo grande importncia
na confeco de dispositivos e equipamentos
eletrnicos. Em geral, os materiais polimricos tm
baixo peso especfico e apresentam temperatura de
decomposio relativamente baixa.
1.1.3. MATERIAIS CERMICOS
Os cermicos so materiais inorgnicos
constitudos por elementos metlicos e no-metlicos
unidos por meio de ligaes qumicas. Estes materiais
podem ser cristalinos, no-cristalinos ou uma mistura
de ambos. A maioria dos cermicos apresenta alta
dureza e elevada resistncia mecnica, mesmo em
altas temperaturas. Entretanto, tais materiais so,
normalmente, bastante frgeis. Uma gama bastante
ampla de novos materiais cermicos est sendo
desenvolvida, tendo como objetivo diversas
aplicaes, como o caso de peas para motores de
combusto interna. Neste caso, este material tem a
vantagem do baixo peso, resistncia e dureza
elevadas, alto resistncia ao calor e propriedades
isolantes.
O fato de ser um bom isolante trmico, bem
como ser resistente ao calor, permite que os materiais
cermicos tenham importante papel na construo de
fornos usados na indstria metalrgica. Uma
aplicao recente, que retrata com fidelidade o
potencial dos materiais cermicos, o uso dos
mesmos na construo do nibus espacial
americano. A estrutura deste veculo de alumnio
revestida por milhares de pastilhas cermicas. Estas
pastilhas do proteo trmica ao nibus durante a
subida e por ocasio da reentrada do mesmo na
atmosfera.
1.2. Propriedades dos materiais- Conceitos de
bsicos.
1.2.1. Principais Propriedades Mecnicas:
- Dutibilidade: capacidade do material em
deformar plasticamente sem ruptura , quando
submetido a esforo de trao. expressa em
porcentagem.
- Maleabilidade: a capacidade do material em
deformar plasticamente sem ruptura , quando
submetido a esforo de compresso.
- Tenacidade: a medida da energia necessria
para fraturar um corpo de prova padro.
- Modulo de Elasticidade (YOUNG) : a relao
entre a tenso(s) aplicada e a deformao
elstica(e) que ela produz.
Est relacionado diretamente com as foras das
ligaes interatmicas (entre tomos).
Indica a rigidez do material.
- Limite de resistncia trao ou tenso de
deformao (se): representa a tenso a partir da
qual o material sofre deformao plstica. uma
das mais importantes propriedades de engenharia,
pois so utilizados em clculos de estruturais.
Limite de resistncia ruptura (sr): representa a
tenso a partir da qual o material sofre ruptura.
- Resilincia: Corresponde capacidade do
material de absorver energia quando este
deformado elasticamente. Materiais resilientes so
aqueles que tm alto limite de elasticidade e baixo
mdulo de elasticidade (como os materiais
utilizados para molas)
- Dureza:
- Materiais Frgeis: capacidade do material resistir
abraso superficial.
- Material no frgeis: a medida da resistncia
de um material deformao plstica
(permanente).
- Resistncia flexo: definida com a tenso
mxima que um corpo de prova suporta antes
de romper quando sujeito a um esforo de flexo.
Utilizado para avaliar a resistncia mecnica de
materiais cermicos, principalmente para
revestimentos e telhas.
2
- Resistncia compresso: definida com a Difusividade trmica (h)
tenso mxima antes da ruptura, que um corpo de
prova pode resistir quando submetido a esforos de h= K K- condutividade trmica
compresso. Este ensaio utilizado principalmente Cp. r Cp- capacidade trmica
para avaliar a resistncias de tijolos, blocos e r- densidade
concreto.
h- Difusividade trmica
- Fluncia: limite de resistncia deformao em
temperaturas elevadas.
Choque trmico
- Fadiga: limite de resistncia fratura de materiais
submetidos a carregamentos cclicos. IRCT = h . S
a.E
1.2.2. Propriedades Trmicas: h- Difusividade trmica
S- limite de resistncia
a- dilatao trmica
- Capacidade trmica: ela representa a quantidade E- Modulo de elasticidade
de energia necessria para aumentar a IRCT- ndice de resistncia ao choque trmico
temperatura.
C = dQ dQ- variao de calor (energia)
Propriedades Eltricas:
dT dT- variao de temperatura
As unidades de energia so calorias ou joule Condutividade eltrica (s): indica a facilidade com
que um material conduz corrente eltrica, o
inverso da resistividade (r). A unidade da
- Dilatao ou expanso Trmica: representa a condutividade (Wm ) -1 .
variao dimensional de um material, quando este s = 1
submetido a um resfriamento ou aquecimento. r

a= DL
Li . DT
a - coeficiente de dilatao- C -1
Li - Comprimento inicial m, cm, mm
Lf - Comprimento final m, cm, mm
DT - (Tf Ti)- Variao de temperatura C
DL - (Lf-Li)- Variao de comprimento
m, cm, mm
- Condutividade Trmica: o fenmeno pelo qual
calor transportado das regies de maior
temperatura para as regies de menor temperatura.
A propriedade que caracteriza a habilidade de um
material transferir calor a condutividade trmica
(k).
Rigidez dieltrica: indica em que grau o material
isolante, ela uma medida da tenso mxima que
um material pode suportar antes de perder suas
caractersticas de isolante.
Termoeletricidade: a propriedade que apresenta
um material em gerar uma corrente eltrica quando
submetido a gradientes de temperaturas. A tenso
produzida depende do tipo de material e da
diferena de temperatura.
Piezeletricidade: indica a capacidade de um
material produzir uma polarizao (energia eltrica)
quando aplicamos uma fora.

q = - k. dT q fluxo de calor (J/m2 ou W/M2)

dx k condutividade trmica (W/m)
dt/dx- gradiente de temperatura no
meio condutor

3
CAP II- LIGAES ATMICAS Eltrons de
valncia
2. INTRODUO
Os materiais slidos so formados por tomos que
so unidos por foras eltricas, formando o que
chamamos de ligaes qumicas. Estas interaes
eltricas podem ser obtidas de diversas formas,
formando diferentes tipos de ligaes.
O comportamento de um material pode ser
eficientemente previsto a partir da anlise do mesmo
aos nveis subatmico, atmico e microscpico.
Assim, torna-se necessrio examinar o mesmo, no
tocante aos tomos que constituem o material, bem
Energia de Ligao
como o comportamento eletrnico dos mesmos. A
estrutura de qualquer material diretamente
dependente dos tipos de tomo envolvidos e das
Porque os tomos se unem:
ligaes atmicas que eles formam.
Por que ao se unir os tomos diminuem a energia
A base de qualquer unidade estrutural em cincia e
interna.
engenharia de materiais o tomo. O tomo
consiste basicamente de trs partculas
subatmicas: prtons, eltrons e nutrons. No
centro do tomo localiza-se o ncleo, que tem
dimetro prximo a 10-14 m. Este ncleo envolvido
por uma nuvem de eltrons de densidade varivel,
que resulta em um dimetro atmico final de 10-10m.
No ncleo, onde residem prtons e nutrons, est a Distancia inter atmica
quase totalidade da massa atmica. A massa de um
prton igual a 1,673x10-24g e sua carga eltrica de
+1,602x10-19 Coulomb (C). O nutron pouco mais
pesado que o prton e tem massa igual a 1,675x10-
24
g, porm eletricamente neutro. O eltron tem
massa de 9,109x10-28g e carga igual a -1,602x10-19
Coulomb. Portanto, a quase totalidade do volume Figura 2.2. Diagrama de energia em funo da
atmico concentra-se na nuvem de eltrons, porm, distancia inter atmicas.
esta colabora com apenas uma pequena parte da
massa final do tomo. Os eltrons, particularmente
os mais externos, determinam a maioria das Relao entre energia de ligao e algumas
caractersticas eltricas, mecnicas, qumicas e propriedades:
trmicas dos tomos e assim, o conhecimento
bsico do mesmo necessrio no estudo dos
materiais. Resistncia mecnica: aumenta com a fora
mxima e com a profundidade do poo da curva de
A estrutura interna dos materiais resultado da
energia de ligao.
agregao de tomos obtida atravs de foras de
ligao interatmicas. Esta agregao, em funo Pontos de fuso e de ebulio: aumentam com a
das caractersticas de tais ligaes, pode resultar profundidade do poo da curva de energia de
nos estados slidos, lquido e gasoso. ligao.

4
Coeficiente de expanso trmica: diminui com a
profundidade do poo da curva de energia de ligao.
Uma outra classe de ligaes, denominadas de
ligaes fracas, pode ser encontrada em algumas
substncias. Estas ligaes contribuem para a
atrao entre molculas e so classificadas como
foras de Van Der Walls (ligao secundaria). Estas
molculas so atradas, pois nelas podemos ter
polarizao induzida ou permanente. Quanto maior
esta polarizao mais forte fora de ligao entre
as molculas.

2.1. LIGAO INICA: envolve a transferncia de

eltrons de um tomo para outro

Figura 2.3. Diagrama de energia de ligao de dois

materiais.

Ligaes Qumicas
Basicamente, os tomos podem atingir uma
configurao denominada de estvel (menor energia)
a partir de trs maneiras, quais sejam: ganho de
eltrons, perda de eltrons ou compartilhamento de Figura 2.4- Formao da ligao inica.
eltrons. A facilidade em ganhar eltrons caracteriza
o tomo como elemento eletronegativo; a facilidade
Para o cloreto de sdio, tanto o ction Na+ quanto
em perder eltrons o caracteriza como sendo um
o nion Cl- ficam com seus orbitais externos
elemento eletropositivo. Existem tambm os tomos
completos.
que no apresentam facilidade em perder ou ganhar
eltrons. Estas caractersticas atmicas resultam na
existncia de trs tipos de ligaes atmicas,
LIGAO INICA - caractersticas:
denominadas como primrias ou fortes, que so :

ELEMENTO Metal (esquerdo TP) + no-metal (direito

ELETROPOSITIVO + TP)
LIGAO INICA
ELEMENTO Envolve a transferncia de eltrons de um
ELETRONEGATIVO tomo para outro

ELEMENTO Resulta da interao eletrosttica entre um

ELETROPOSITIVO + on positivo e um on negativo
LIGAO
ELEMENTO METLICA A ligao no-direcional
ELETROPOSITIVO a ligao predominante nos materiais
cermicos
ELEMENTO
ELETRONEGATIVO + Os materiais so duros e quebradios
LIGAO
ELEMENTO COVALENTE Bons isolantes trmicos e eltricos nos
ELETRONEGATIVO slidos, mas em solues aquosas e no
estado de fuso so bons condutores
eltricos.
5
 PROPRIEDADES GERAIS DOS COMPOSTOS
COVALENTES

Compostos Covalentes que formam molculas

(Ex: Cl2, HCl)

Na molcula, existem foras covalentes que

mantm os tomos unidos;
Figura 2.5- Estrutura inica - Cloreto de sdio No estado slido, as molculas so mantidas por
foras de Van der Waals fracas (mais fraca do que
a atrao eletrosttica dos ons);
2.2. LIGAO COVALENTE
Em virtude disto, para fundir ou evaporar
Na ligao covalente est envolvido o compostos covalentes precisa-se de energia (DH)
compartilhamento de par(es) de eltron(s) entre os suficiente apenas para romper as foras de Van der
tomos ligantes. Waals.
Covalente (normal): cada um dos tomos participa Em virtude da fraca atrao intermolecular, os
da ligao com um eltron para a formao do par compostos covalentes se apresentam como:
eletrnico compartilhado;
Lquidos, com baixo ponto de ebulio, ou gases
Covalente dativa: apenas um tomo estabelece a temperatura ambiente;
ligao com o outro tomo compartilhando seus
eltrons de valncia para a formao do par Compostos slidos que possuem baixa dureza e
eletrnico. baixo ponto de fuso.

Na formao das ligaes qumicas (covalente e Isolantes: no conduzem corrente eltrica.

covalente dativa) entre os tomos de oxignio com
o enxofre (tomo central) todos os tomos adquirem
Compostos Covalentes formam estrutura (Ex:
a estabilidade eletrnica, ou seja, ambos ficam com
SiC, C -Diamante)
a ltima camada eletrnica totalmente preenchida,
semelhante distribuio eletrnica de um gs
nobre.
Os tomos so mantidos unidos por ligaes
covalentes(fortes), formando estruturas
cristalinas.
Em virtude da alta energia da ligao covalente,
os compostos covalentes apresentam como:
Compostos slidos que possuem alta dureza e
alto ponto de fuso.
Isolantes: no conduzem corrente eltrica.

Figura 2.6. Estrutura de uma ligao covalente, gs

metano.

6
2.3. LIGAO METLICA
Esse tipo de ligao normalmente encontrado em
metais e envolve a interao de elementos
eletropositivos. A ligao metlica resultado da ao
entre eltrons livres (nuvem eletrnica) e ons
positivos. Estes eltrons livres so originrios da
ltima camada de valncia, fracamente presos ao
tomo, e que esto livres dentro da estrutura
metlica. A figura abaixo mostra as ligaes metlicas
observadas em metais.
Figura 2.7. Representao esquemtica da ligao
metlica.
Caractersticas e propriedades dos compostos
formados por ligaes metlicos:
Os tomos de um metal esto unidos atravs da
nuvem eletrnica, formando estrutura cristalina
compactas.
Em virtude de possuir eltrons livres as ligaes
metlicas possuem as seguintes propriedades:
Slidos cristalinos, de alto ponto de fuso e
ebulio;
So bons condutores de calor e energia;
Possuem elevada plasticidade e dutibilidade;
Formam estruturas opacas.
2.4. LIGAES SECUNDRIAS
At agora, temos considerado apenas a ligao
primaria entre tomos, e vimos como ela depende da
interao entre os eltrons de valncia. A fora
motora para a ligao atmica primaria a
diminuio de energia que sofre os eltrons ligantes.
Contratando com as ligaes primarias, as ligaes
secundarias so relativamente fracas, com energias
de apenas cerca 4 a 40Kj/mol. A fora motora para
as ligaes secundrias a atrao entre dipolos
eltricos que existem nos tomos e molculas.
Em geral, h dois tipos principais de ligaes
secundrias entre tomos ou molculas, envolvendo
dipolos eltricos: dipolos flutuantes (ou induzidos) e
dipolos permanentes. costume designar
coletivamente estas ligaes secundrias dipolares
por ligaes de Van der Waals.
Dipolos Induzidos
So foras de ligao muito fracas entre elementos
de gs nobre, os quais possuem camadas completas
de eltrons de valncia. Estas ligaes surgem por
causa da forma assimtrica da distribuio de cargas
eletrnicas destes tomos, a qual origina dipolos
eltricos. Em qualquer instante, h uma elevada
possibilidade de existir maior carga eltrica de um
lado do tomo do que do outro. Por isso, num dado
tomo, a nuvem de carga eltrica sofrendo
alteraes no tempo, criando um dipolo flutuante. Os
dipolos formados nos tomos podem originar atrao
entre si, de que resultam fracas ligaes
interatmicas no direcionais.
Dipolos permanentes
So foras de ligao mais fortes que as ligaes por
dipolos induzidos que se desenvolvem entre
molculas formadas por ligaes covalentes, quando
estas molculas formam dipolos permanentes.
7
 H H

H C H H C Cl

H H tomo de hidrognio (eletronegatividade-2.1)

CH4 CH3Cl tomos de cloro (eletronegatividade-3.0)

tomos de carbono (eletronegatividade-2.5)

Figura 2.10. Representao esquemtica da

estrutura do PVC

- +

Momento dipolar nulo Momento dipolar

Figura 2.8. Estrutura molecular do metano e

clorometano.

Figura 2.8. Representao esquemtica da

estrutura do PVC

+. Atrao
Observando as duas estruturas, notamos que no
, entre plos
PVC existem tomos de hidrognio e cloro na
+ positivos e
cadeia de carbono, isto provoca uma polarizao
negativos da molcula, pois o cloro mais eletronegativo que
hidrognio. Esta polarizao provoca uma grande
fora de atrao entre as cadeias de carbono, o
produz um plstico duro.
Figura 2.9. Representao esquemtica da ligao
secundria. Enquanto o polietileno apresenta apenas tomos
de hidrognio na cadeia, no formando
polarizao, por isto a fora de atrao entre as
molculas menor, produzindo um plstico mais
mole.

8
CAP III- ESTRUTURA CRISTALINA
3. INTRODUO
Dependendo da composio qumica ou do
processo de fabricao os tomos na solidificao
ou em tratamentos trmicos podem se arranjar de
maneira ordenada (estrutura cristalina) ou
desordenada (estrutura vtrea).
Estrutura cristalina Estrutura vtrea
Figura 3.1. Estrutura cristalina e estrutura vtrea
tomos, ons ou molculas, que se repete nas trs
dimenses. Os arranjos atmicos em um slido
cristalino podem ser descritos usando, como
referncia, os pontos de interseco de uma rede
de linhas nas trs dimenses. Em um cristal ideal,
o arranjo destes pontos em torno de um ponto
particular deve ser igual ao arranjo em torno de
qualquer outro ponto da rede cristalina. Dessa
maneira, possvel descrever um conjunto de
pontos ou posies atmicas repetitivo,
denominado de clula unitria. Uma clula unitria
tambm definida como a menor poro do cristal
que ainda conserva as propriedades originais do
mesmo. Atravs da adoo de valores especficos,
como parmetros axiais e ngulos interaxiais,
pode-se obter clulas unitrias de diversas
naturezas. O estudo da estrutura interna dos
materiais necessita da utilizao de 7 arranjos
atmicos bsicos, que podem representar as
estruturas de todas as substncias cristalinas
conhecidas.
Tabela 3.1. Geometria dos sistemas cristalinos.

Estrutura cristalina: compostos por tomos, SISTEMAS EIXOS NGULOS

AXIAIS
molculas ou ons arranjados de uma forma
peridica em 3 dimenses. CBICO a=b=c Todos os
ngulos = 900
As posies que so ocupadas seguem uma
ordenao que se repete ao longo de grandes TETRAGONAL a=bc Todos os
distncias ngulos = 900
Distncia entre planos de tomos iguais. ORTORRMBICO abc Todos os
ngulos = 900
MONOCLNICO abc 2 ngulos = 900
Materiais Vtreos (amorfos): compostos por e 1 ng. 900
tomos, molculas ou ons que no apresentam
uma ordenao de longo alcance. TRICLNICO abc Todos ngulos
Z e nenhum
Distncia entre planos atmicos diferentes igual a 900
HEXAGONAL a1=a2= 3 ngulos = 900
3.1. ESTRUTURA CRISTALINA a3c 1 ngulo = 1200

ROMBODRICO a=b=c Todos os

ngulos iguais,
A estrutura fsica dos materiais slidos depende
mas de 900
fundamentalmente do arranjo estrutural de seus
tomos, ons ou molculas. A grande maioria dos
materiais comumente utilizados em engenharia, Estes 7 arranjos atmicos bsicos definem 7
particularmente os metlicos, exibe um arranjo sistemas cristalinos. Partindo desses sistemas, A.
geomtrico de seus tomos bem definido, J. Bravais derivou 14 clulas unitrias, que
constituindo uma estrutura cristalina. Os materiais
permitem descrever qualquer estrutura cristalina
cristalinos, independentes do tipo de ligao
encontrada no mesmo, caracterizam-se por possvel.
apresentar um agrupamento ordenado de seus
9
 3.1.1.1. Estrutura Cbica de Corpo Centrado-
CCC

Neste arranjo estrutural existe um tomo em

cada vrtice de um cubo e um outro tomo no
centro do mesmo, como mostra a figura 3.4.
Esta estrutura pode ser encontrada no
tungstnio, tntalo, brio, nibio, ltio, potssio,
vandio, cromo, etc.

Figura 3.2. Arranjos atmicos-clulas unitrias.

ESTRUTURA CRISTALINA DOS

MATERIAIS DOS MATERIAIS

Fatores que definem o arranjo mais estvel dos Figura 3.3. Estrutura CCC
tomos de um cristal:

Preservar a neutralidade eltrica;

Satisfazer o carter direcional das ligaes
covalentes;
Minimizar a repulso on-on;
Ajustar os tomos do modo mais compacto
possvel;
Relao entre tamanho de tomos;

Figura 3.4. Modelo demonstrando a posio dos

3.1.1. Materiais Metlicos
tomos da Estrutura CCC

As Ligaes metlicas por no apresentarem

carter direcional, no impe restries a tomos
vizinhos e tambm por se formados por tomos
iguais ou semelhantes, cristalizam-se em
estruturas simples e compactas. Os metais se
cristalizam nas seguintes estruturas: Hexagonal
Compacta, Cbica de Face Centrada e Cbica de
Corpo Centrado.

10
 ouro, platina, chumbo, etc. Neste caso existe um
total de quatro tomos no interior da clula unitria.

Figura 3.5. Clula Unitria Estrutura CCC

Caractersticas da estrutura CCC

Relao entre raio e aresta da clula unitria:

(
a2 + a 2 )2 = (4R )2 a =
4R
3
Figura 3.6. Estrutura CFC

R- raio atmico
a- aresta da clula unitria

Numero de tomos por clula unitria: 2

tomos
Fator de empacotamento atmico (F.E.)= 0,68
N VA
F. E. =
VC

Figura 3.7. Modelo demonstrando a posio dos

onde: N = Nmero de tomos que efetivamente tomos da Estrutura CFC
ocupam a clula;
VA = Volume do tomo (4/3.p.R3);
VC = Volume da clula unitria(a3).

3.1.1.2. Estrutura Cbica de Face Centrado-

CFC

Figura
Este arranjo caracteriza-se por exibir os mesmos 3.8. Clula unitria Estrutura CFC
tomos nos vrtices encontrados nos outros dois
arranjos cbicos e mais 1 tomo em cada face do
cubo. A estrutura cbica de face centrada a
estrutura do alumnio, clcio, nquel, cobre, prata,

11
Caractersticas da estrutura CFC

Relao entre raio e aresta da clula unitria:

a 2 + a 2 = (4R ) a = 2 2R
2

R- raio atmico
a- aresta da clula unitria
Numero de tomos por clula unitria: 4
tomos
Fator de empacotamento atmico (F.E.)= 0,74
ou 74% Figura 3.10. Modelo demonstrando a posio dos
tomos da Estrutura HC
3.1.3. Estrutura Hexagonal Compacta
Caractersticas da estrutura CFC
A estrutura hexagonal compacta formada por
dois hexgonos sobrepostos e um plano Numero de tomos por clula unitria: 6
intermedirio de 3 tomos. Nos hexgonos, tomos
novamente, existem 6 tomos nos vrtices e um
outro no centro. Fator de empacotamento atmico (F.E.)=
A estrutura cristalina hexagonal compacta 0,74 ou 74%
pode ser observada na figura 3.10. Neste caso, o
parmetro "a" diferente do parmetro "c". Os
ngulos basais so novamente iguais a 1200 e os Comparaes entre estruturas CCC, CFC e
verticais de 900. A estrutura HC pode ser HC
observada no berlio, berqulio, ltio, magnsio, Tabela 3.2. Comparao entre estruturas
cdmio, cobalto, etc. O nmero de tomos que metlicas.
efetivamente encontram-se dentro de uma clula
unitria HC igual a 6. Estrutura CFC CCC HC

Dutibilidade Boa Ruim Ruim

FEA 0,74 0,68 0,74

Dureza Baixa Alta Alta

Coef. Dilatao maior menor maior

FEA Fator de empacotamento atmico

ALOTROPIA

Diversos elementos, bem como compostos

Figura 3.9. Estrutura HC
qumicos apresentam mais de uma forma
cristalina, dependendo de condies como
presso e temperatura envolvidas. Este fenmeno
denominado de alotropia ou polimorfismo. Metais
de grande importncia industrial como o ferro, o
12
titnio e o cobalto apresentam transformaes
alotrpicas em temperaturas elevadas. A tabela 3.3
mostra alguns metais que exibem variaes
alotrpicas e suas temperaturas de transformao.
A variao alotrpica encontrada em
cristais de ferro pode ser considerada como um
clssico exemplo de polimorfismo. Esta variao
alotrpica muito importante em processos
metalrgicos, pois permite a mudana de certas
propriedades do ao (Fe + C), atravs de
tratamentos trmicos.
encontrado como diamante, que o material mais
duro na natureza e na grafite, um material de
baixssima dureza, que pode ser usado como
lubrificante. O diamante duro porque todas as
suas ligaes so covalentes. Por outro lado, a
grafite tem ligaes covalentes apenas em alguns
planos. Estes planos so agregados a outros
planos atravs de foras secundrias e assim,
fcil provocar o deslizamento dos mesmos. A
figura III.10 apresenta as estruturas do diamante e
da grafite.

Tabela .3.3. Formas alotrpicas de alguns metais.

Metal Estrutura Em outras
na temp. temperaturas
ambiente
Ca CFC CCC (>4470C)
Co HC CFC (>4270C) a b

Hf HC CFC (>17420C) Figura 3.11- Estrutura: a-diamante b- grafite

0
Fe CCC CFC (912-1394 C)
0
CCC (>1394 C) 3.1.2. Estrutura Cristalina dos Materiais
Li CCC 0
HC (<-193 C) Cermicos

Na CCC HC (<-2330C)
A estrutura dos materiais cermicos pode ser
Tl HC CCC (>2340C)
extremamente complexa medida que um nmero
Ti HC CCC (>8830C) elevado de tomos, com diferentes funes, pode
formar a mesma. Tal estrutura, como de outros
Y HC CCC (>14810C) materiais (metlicos e polimricos) determinada
Zr HC CCC (>8720C) pela natureza das ligaes atmicas presentes,
bem como das caractersticas dos elementos
envolvidos em tais ligaes. Na maioria dos
materiais cermicos, a estrutura resultado da
O ferro apresenta os arranjos CCC e CFC quantidade relativa de ligaes inicas e
na faixa de temperaturas que vai da temperatura covalentes presentes. As parcelas inica e
ambiente at a temperatura de fuso do mesmo covalente dependem basicamente da
(15390C). O ferro a existe de -273 a 9120C e tem eletronegatividade dos tomos envolvidos.
estrutura cristalina CCC. Entre 768 e 9120C, o ferro
a deixa de ser magntico e, algumas vezes, O carter inico ou covalente define, em parte, o
chamado de ferro b. O ferro g existe de 912 a tipo de estrutura que o composto cermico exibe.
13940C e tem estrutura CFC. O ferro d existe de Como na maioria dos compostos cermicos o
1394 a 15390C, apresentando, novamente, carter inico predominante, a estrutura dos
estrutura CCC. A diferena entre as estruturas mesmos determinada por dois fatores
CCC do ferro a e do ferro d reside no valor do fundamentais. No caso de compostos inicos
parmetro de rede dos dois casos. Na faixa de simples, do tipo AB, o arranjo dos ons definido
temperaturas mais baixa, o parmetro de rede pelos seguintes fatores:
menor. a. A relao entre os raios do ction e do
Um outro exemplo clssico de polimorfismo a nion;
variao alotrpica do carbono. Este elemento
13
 b. A necessidade de existir um balano de Tabela 3.5. Raios inicos de alguns ctions e
cargas no slido inico. nions.
Ction Raio Inico nion Raio Inico
Como os slidos inicos exibem tendncia a formar
(nm) (nm)
estruturas altamente compactas, o limite de tal
Cs+ 0,170 Br- 0,196
compactao dado pela relao entre raios
K+ 0,138 Cl- 0,181
inicos e pelo balano eletrosttico dos ons
envolvidos. Alm disso, para que a ligao inica Na+ 0,098 F- 0,133
ocorra necessrio que os ctions e nions Ni2+ 0,069 I- 0,220
estejam em contato. Mg2+ 0,072 S2- 0,184
Assim, para o caso de uma estrutura onde os Mn2+ 0,067 O2- 0,140
ons so iguais, fcil perceber que o nmero de
coordenao ser igual a 12 (estruturas CFC ou
HC). Se os ons so diferentes, o N.C. depender Exemplos de Estrutura Cristalina dos
Materiais Cermicos
da relao entre seus raios r/R, onde r o raio do
ction e R do nion. Existe uma relao (r/R)ideal,
onde o ajuste geomtrico perfeito, como mostra Materiais com ligaes inicas
a tabela 3.4. Quando as dimenses dos ons so
comparadas, observa-se que os nions so,
Estrutura do NaCL
geralmente, maiores que os ctions. Este fato est
relacionado fora que o ncleo exerce em
relao a eletrosfera. Com a perda de eltrons
(gerando ctions), os eltrons restantes so
atrados em direo ao ncleo de maneira mais
forte, o que reduz o raio inico. O fenmeno
oposto, ou seja, o aumento do raio inico ocorre
com o ganho de eltrons e a formao de nions. A
tabela 3.5 exibe valores do raio inico de alguns
ctions e nions formadores de estruturas
cermicas simples.

Tabela 3.4.Nmero de coordenao para as

relaes entre raios metlicos ou inicos.
Figura 3.12. Diagrama da ligao inica - Cloreto
Nmero de Relao (r/R)ideal
de Sdio
Coordenao

3 0,155 r/R= 0,564

4 0,225-0,414 N.C = 6

6 0,414-0,732
Neste tipo de estrutura existe um nmero
8 0,732-1,00 equivalente de ctions e nions. O nmero de
coordenao, que obtido da relao r/R e
12 1,00
resulta no valor de 0,564 conforme dados obtidos
na tabela V.5, igual a 6. Como o nmero de
ctions igual ao de nions, o nmero de

14
coordenao 6 igual para ambos os ons. A
estrutura desse composto gerada a partir de um
arranjo CFC dos nions, tendo em seus
interstcios, os ctions, como mostra a figura 3.11.
Alm do NaCl, o MgO, o MnS e o LiF tambm
apresentam este tipo de arranjo estrutural.
Materiais com ligaes covalentes
Figura 3.13a. Estrutura do diamante
Figura 3.13b. Estrutura cristalina do SiO2
Os materiais cermicos formados estritamente
por ligaes covalentes apresentam altos pontos
de fuso e elevada dureza. Estas propriedades
so oriundas da alta fora de ligao e da
simetria da estrutura.
3.1.3. Estrutura Cristalina dos Silicatos Os
silicatos
constituem a classe de maior importncia,
representando cerca de 25% dos minerais
conhecidos e quase 40% dos minerais comuns.
Os silicatos constituem cerca de 95% do volume
da crosta terrestre, dos quais cerca de 59,5%
so representados por feldspatos, 16,8% por
anfiblios e piroxnios, 12% por quartzo e 3,8%
pelas micas, os outros minerais (silicatos e no
silicatos) perfazendo o volume de
aproximadamente 7,9%. Dessa maneira, a
grande maioria das rochas formada por
silicatos, sendo raras as rochas magmticas,
metamrficas e sedimentares que no possuem
como minerais essenciais silicatos. Assim sendo,
impossvel classificar rochas sem possuir uma
boa base de mineralogia dos silicatos.Muitos
materiais cermicos tm estruturas do tipo
silicato. Muitos minerais que aparecem na
natureza tais como argila, feldspato, talco, micas
so silicatos.
3.1.3.1. Unidade estrutural bsica do Silicato
As estruturas de silicatos restringem-se ao silcio
tetracoordenado, tetradrico, exceto em fases
estveis sob altas presses, bastante raras.
A unidade [SiO4] formada por um tomo de
silcio no centro e os tomos de oxignio nos
vrtices. Cada tomo de oxignio compartilhado
contribui com um eltron em cada ligao ao
silcio, portanto cada oxignio terminal, isto ,
no compartilhado, provoca o aparecimento de
uma carga negativa na unidade. Assim, o
4-
ortossilicato descrito como [SiO4] [1].
4-
Figura 3.14. Estrutura do ortossilicato [SiO4]
15
3.1.3.1. Principais estruturas dos silicatos Metassilicato ( Si2O7) -6 : Quando dois radicais
ortossilicato se ligam entre si, usando um
oxignio como ponte.
Estrutura Tridimensional SiO2 : Cada Silcio
Exemplo: Ca2Mg Si2O7
est cercado por quatro oxignios e cada
oxignio est ligado por dois tetraedros.

Exemplo: Quartzo e Tridimita

Silcio
Oxignio

Figura 3.18. Estrutura do metassilicato

(a) Cristobalita (b) Tridimita

Piroxnios (SiO3) -2: Unidades de (SiO4) -4

Figura 3.15. Estrutura cristalina da Cristobalita e
unidas em cadeias
tridimita.
Exemplo:Mg SiO3 (enstetita)
Ortossilicato (SiO4) -4 : um tomo de silcio se
liga a 4 tomos de oxignio
Exemplo: Mg2SiO4 (fosterita)

Estrutura em Cadeias simples (piroxnios)

Figura 3.16. Estrutura do ortossilicato

Estrutura em cadeias duplas (anfiblios)

Figura 3.19. Estrutura dos silicatos em cadeia

simples e duplas.

16
Estrutura em Camada: Quando os trs tomos
do tetraedro (SiO4)-4 esto ligados a trs
tetraedros, formando uma
estrutura lamelar.
Exemplo: Argilominerais, talco

a- Grupo tetradrico silcio

b- Lmina tetradrica
Figura 3.20. Estrutura lamelar

3.3. Estruturas dos argilominerais

Argilominerais definio: aluminossilicatos

hidratados que podem ser dispersos em
partculas finas e desenvolvem plasticidade
quando misturados com gua.
Exemplos: caulinita, halloysita, pirofilita,
montmorillonita, mica, ilita, etc...

As estruturas cristalinas dos argilominerais so c- Grupo octadricos alumnio

constitudas por camadas tetradricas de silcio d- Lmina octadricas
(tetracoordenado) e octadricas de alumnio
(hexacoordenado). Os vrtices dos grupos
tetradricos e octadricos so compostos por Figura 3.21. Modelo esquemtico da camada
tomos ou ons oxignio e por ons hidroxila, que estrutural bsica de uma argila
esto ao redor de pequenos ctions,
principalmente Si4+ e Al3+, ocasionalmente Fe3+ e
Fe2+, nos grupos tetradricos Al3+, Mg2+, Fe2+,
Fe3+, Ti4+, ocasionalmente Cr3+, Mn2+, Zn2+, Li+,
nos grupos octadricos, geralmente com um certo
grau de substituio isomrfica. Essas
substituies isomrficas so responsveis pelo
excesso de cargas eltricas negativas na
superfcie das plaquetas.

Modelo estrutural de um argilomineral tipo 1:1.

17
 Tipo: Silicatos de alumnio anidros
Composio:
K2OAl2O36SiO2 (ortoclsio) K2OAl2O36SiO2
(albita), CaOAl2O32SiO2 (anortita)

Reaes:
800-1000C apresenta uma composio prxima
do euttico (ortoclsio, feldspato potssico)

Figura 3.22. Modelo estrutural de um Propriedades e aplicao:

argilomineral tipo 1:2. Fundentes, insolveis em gua, formadores de
fase vtrea em corpos cermicos e esmaltes

3.1.4. Estrutura dos principais argilominerais

Tabela 3.7. Formulas qumicas dos feldspatos
Mineral Frmula qumica
Caulinita (estrutural ou em xidos)
Ortoclsio K(AlSi3)O8 ou 1/2K2O1/2Al2O33SiO2

Tipo: Silicato de alumnio hidratado de estrutura Albita Na(AlSi3)O8 ou 1/2Na2O1/2Al2O33SiO2

lamelar, argilomineral. Estrutura 1:1
Anortita Ca(Al2Si2)O8 ou CaOAl2O32SiO2
Composio: Al 2(Si2O5)(OH)4
Reaes:
>500C se decompe em
metacaulinita, Al2O32SiO2
>900C forma mulita, 3Al2O32SiO2, e
alumina
>1150C forma cristobalita
Propriedades e aplicao:
Plasticidade na etapa de conformao

7,1

Figura 2.24. Estrutura da caulinita

18
3.2. CRISTALOGRAFIA E DETERMINAO DE
ESTRUTURAS CRISTALINAS
3.2.1. Posies, Direes e Planos em Cristais
Freqentemente, necessrio identificar posies,
direes e planos em um cristal. Isto
particularmente importante no caso de metais e
suas ligas, que apresentam propriedades que
variam com a orientao cristalogrfica. Por
exemplo, a existncia de determinados conjuntos
de planos e direes definidos como compactos,
desempenham importante papel durante a
deformao plstica de metais. A existncia de
propriedades dependentes da orientao
cristalogrfica resulta na necessidade de se
determinar posies, direes e planos em um
cristal.
Posies em Cristais Cbicos
A localizao de posies atmicas em uma clula
unitria de um cristal cbico obtida pelo uso de
um sistema de eixos cartesiano. Em cristalografia,
o eixo x a direo perpendicular ao plano do
papel, o eixo y a direo direita do papel e o
eixo z a direo para cima, como mostra a figura
3.29. As direes negativas destes eixos so
opostas s direes mencionadas. As posies
atmicas em uma clula unitria so definidas pelo
uso de unidades de distncias ao longo dos eixos
x, y e z. Por exemplo, as coordenadas das
posies atmicas em uma clula CCC so
mostradas na figura 3.29. As posies dos tomos
nos oito vrtices do cubo tm as coordenadas:
(0,0,0), (1,0,0), (0,1,0), (0,0,1), (1,1,1), (1,1,0),
(1,0,1) e (0,1,1).
figura 3.29- Posies atmicas de uma clula
CCC
Direes em Cristais Cbicos
No sistema cbico, as direes cristalogrficas so
obtidas a partir das componentes da direo em
questo, tomadas nos trs eixos cartesianos. Para
indicar esquematicamente uma direo em uma
clula unitria, desenha-se um vetor que parte da
origem e atinge a posio definida pelas
coordenadas consideradas. Assim, para se obter
uma direo em um cristal, deve-se observar que:
a. Os eixos cristalinos so utilizados como
direes bsicas;
b. As coordenadas de um ponto so
medidas em relao ao parmetro de cada eixo e
assim, no representam valores reais de distncia;
c. A direo [222] idntica direo [111]
e dessa forma, a combinao dos menores
nmeros inteiros deve ser utilizada;
d. As direes negativas so indicadas
com um trao sobre o ndice;
e. Uma direo representada por ndices
entre colchetes.
Por exemplo, considerando a figura 3.30, as
coordenadas do vetor OR, que passa pela origem
so (1,0,0). Assim, a direo do mesmo passa a
ser [100]. As coordenadas do vetor OT so (1,1,1)
e sua direo dada por [111].
19
 famlia de planos, como a dos que passam pelas
faces do cubo ou (100), (010), (001), etc,
representada pela notao {100}. Da mesma
forma, a famlia de planos que dividem o cubo em
duas partes iguais dada por {110}.

Planos em Cristais Cbicos

Figura 3.30 Direes em clulas unitrias cbicas Em determinadas situaes necessrio definir
planos atmicos dentro de uma estrutura cristalina.
Planos em Cristais Cbicos Para identificar planos cristalinos em cristais
cbicos, o sistema de notao dos ndices de
Em determinadas situaes necessrio definir Miller deve ser utilizado. Os ndices de Miller de
planos atmicos dentro de uma estrutura cristalina. um plano cristalino so definidos como sendo os
Para identificar planos cristalinos em cristais inversos das coordenadas de interceptao do
cbicos, o sistema de notao dos ndices de Miller plano com os eixos x, y e z. O procedimento
deve ser utilizado. Os ndices de Miller de um plano bsico para determinar os ndices de Miller para
cristalino so definidos como sendo os inversos um cristal cbico so:
das coordenadas de interceptao do plano com os a. Escolha de um plano que no passe
eixos x, y e z. O procedimento bsico para pela origem (0,0,0);
determinar os ndices de Miller para um cristal b. Determinao dos pontos de
cbico so: interceptao do plano com os eixos x, y e z;
a. Escolha de um plano que no passe pela c. Obteno dos inversos das
origem (0,0,0); interceptaes;
b. Determinao dos pontos de d. Obteno dos menores nmeros inteiros
interceptao do plano com os eixos x, y e z; para representar o plano;
c. Obteno dos inversos das e. Apresentao dos ndices obtidos entre
interceptaes; parnteses.
d. Obteno dos menores nmeros inteiros Genericamente, as letras h, k e l so
para representar o plano; usadas para indicar os ndices de Miller de um
e. Apresentao dos ndices obtidos entre plano, o que resulta em (hkl). A figura 3.31 mostra
parnteses. trs dos mais importantes planos das estruturas
Genericamente, as letras h, k e l so cbicas.
usadas para indicar os ndices de Miller de um
plano, o que resulta em (hkl). A figura 3.31 mostra
trs dos mais importantes planos das estruturas
cbicas. Considerando o plano indicado na figura
3.31..a, nota-se que o mesmo intercepta x em 1, y
em e z tambm em . Tomando os inversos
pode-se obter os ndices de Miller, que resulta em
(100). Como estes ndices no envolvem fraes, ,1, 11, 1 ,1, 1
os mesmos so usados para representar o referido 0, 1, 0 1, 1, 0 1, 1, 1
plano. Considerando o plano da figura 3.31.b., (010) (110) (111)
observa-se que o mesmo intercepta os eixos em 1,
1 e . Os inversos fornecem 1, 1 e 0, que resultam a b c
em (110). Finalmente, o plano apresentado pela
figura 3.31.c intercepta os eixos em 1, 1 e 1, que Figura 3.31.- Principais planos das estruturas
resulta nos ndices de Miller (111). cbicas: (010), (110) e (111)
Quando necessrio representar um
conjunto de planos equivalentes dentro de um
cristal, so utilizadas as famlias de planos. Uma

20
Densidade Atmica em Cristais
Dentre os planos e direes de um cristal, alguns
revelam ser mais compactos, ou seja, possuem
mais tomos por unidade de comprimento ou de
rea. Assim no sistema CS, as direes mais
compactas so as da famlia <100> e os planos
mais compactos so os da famlia {100}.
A definio de uma direo compacta envolve a
definio de densidade linear de tomos. Esta
densidade obtida determinando o nmero de
tomos que efetivamente esto contidos em um
determinado comprimento. Assim, a densidade
linear da famlia de direes <100>, no sistema CS
(figura 3.33) igual a:
1 1
n o de atomos + 1
2 2
D linear = = =
comprimento a a
(III.9)
Da mesma forma, um plano compacto
determinado calculando-se o nmero de tomos
que efetivamente ocupam uma certa rea. Assim, a
densidade planar de tomos da famlia de planos
{100}, no sistema CS (figura 3.33 igual a:)
1 1
n o de atomos + +
= = 4 4 4
Dplanar
area a2
Fi
gura 3.32. Plano e direo 100 da estrutura cbica
simples .
Os planos e direes compactos so importantes
porque desempenham papel significativo no
estudo da deformao plstica de metais. Os
tomos de um cristal solicitado mecanicamente
escorregam ao longo de planos compactos,
seguindo direes compactas.
3.2.2. Anlise de Estruturas Cristalinas
1 1
+
4 = 1
Grande parte do conhecimento adquirido sobre
a2
estruturas cristalinas resultado da utilizao de
tcnicas de difrao de raios-X. Estas tcnicas
permitem obter informaes detalhadas sobre
dimenses, presena de defeitos e orientao da
rede cristalina. O uso do raios-X no estudo de
cristais deve-se ao fato de que esta radiao tem
comprimento de onda prximo aos valores de
distncias entre planos cristalinos.
A utilizao de raios-X iniciou-se logo em
seguida a sua descoberta em 1895, por
Roentgen. Apesar de, naquela poca, a natureza
desta radiao no ser conhecida em detalhes
(razo do nome "raios-X"), o raios-X foi ento,
aplicado em estudos da estrutura interna de
materiais opacos (radiografia) devido ao seu alto
poder de penetrao. Desde aquela poca, esta
radiao era conhecida por propagar-se em linha
reta, sensibilizar filmes fotogrficos e apresentar
velocidade de propagao definida. Os raios-X
empregados em tcnicas de difrao so ondas
eletromagnticas com comprimento de onda na
faixa de 0,05 a 0,25nm (0,5 a 2,5 ). Como
21
comparao, o comprimento de onda da luz
visvel da ordem de 600nm (6.000 ).
3.2.2.1. Obteno de Raios-X
A obteno de raios-X para difrao envolve a
aplicao de tenses da ordem de 35kV entre um
catodo e um anodo, dentro de um sistema
apresentando alto vcuo. A figura 3.33 mostra um
diagrama esquemtico de um equipamento de
raios-X.
Figura 3.33. Diagrama esquemtico de um
sistema de gerao de raios-X.
O funcionamento do mesmo bastante
simples: Ao ser aquecido, o filamento de
tungstnio (catodo) libera eltrons por emisso
termo-inico. Devido elevada diferena de
potencial (35kV), os eltrons liberados so
acelerados, ganham energia cintica e a distncia entre dois planos com ndices (hkl), a
movimentam-se em direo ao anodo
(molibdnio). Ao colidirem com o anodo, tais
eltrons provocam a emisso de raios-X.
Entretanto, em torno de 98% da energia cintica
dos eltrons transformada em calor, o que torna
necessrio o emprego de um sistema de
refrigerao do anodo.
3.2.2.2. Difrao de Raios-X
Em 1912, a partir da teoria eletromagntica da
luz, foi possvel prever que o raios-X podia ser
difratado por estruturas cristalinas. Este fato foi
inicialmente implementado experimentalmente na
investigao da estrutura cristalina do NaCl, KCl e
KBr. At aquela poca, a estrutura cristalina de
metais era desconhecida.
Se um feixe de raios-X monocromtico
(freqncia nica) incide sobre um tomo
isolado, eltrons do mesmo so excitados e
vibram com a mesma freqncia do feixe
incidente. Tais eltrons em vibrao emitiro
raios-X em todas direes com a mesma
freqncia do feixe incidente. Assim, o tomo
isolado espalha o feixe incidente em todas as
direes. Entretanto, quando o mesmo feixe
incide sobre um conjunto de tomos ordenados,
como o caso da estrutura cristalina e se este
feixe monocromtico tiver comprimento de onda
com valor semelhante aos espaamentos entre
tais tomos, ento ocorrer interferncia
construtiva em algumas direes e destrutiva em
outras. A figura 3.34 ilustra casos de interferncia
destrutiva (figura 3.34.a) e construtiva (figura
3.34.b).
Observando esta mesma ilustrao
(figura III.19.c), nota-se que a interferncia
construtiva de dois raios monocromticos (raio 1
e 2) ocorrer quando os mesmos permanecerem
em fase. Isto acontecer quando o raio 2
percorrer uma distncia extra MP+PN,
equivalente a um nmero inteiro de
comprimentos de ondas (l). Ento:
nl = MP + PN
(IIII.11)
onde n=1,2,3,... e chamado ordem de difrao.
Como MP e PN so iguais a dhlksenq, onde dhlkl
condio necessria para ocorrer interferncia
construtiva dever ser:
nl = 2 d hkl senq
(III.12)
Esta equao conhecida como lei de Bragg e
relaciona comprimento de onda (l) e ngulo do
feixe (q) de raios-X incidente e distncia
interplanar dhkl. Como na maioria dos casos a
ordem de difrao 1, a lei de Bragg torna-se
igual a:
l = 2 d hkl senq (III.13)
A tabela 3.8 apresenta a relao entre
espaamento interplanar (dhkl), parmetros da
clula unitria (a, b, c), ngulos a (entre os eixos
y e z), b (entre os eixos x e z) e g (entre os
eixos x e y) e planos cristalinos (h k l).
22
Tabela 3.8 Relao entre parmetros de difrao 3.2.2.4. Anlise De Estruturas Cbicas
de raios-X e os de planos cristalinos.
SISTEMA RELAO Um ensaio de raios-X executado com o
CRISTALINO
emprego de um dispositivo denominado de
gonimetro, conforme mostra a figura III.20.
CBICO 1 2 +
k 2 + l 2 Um cruzeiro Nesse equipamento, a amostra colocada no
= h
d 2
a2 ponto O e girada para que o ngulo de
incidncia do feixe de raios-X (T) seja variado.
TETRAGONAL 1 2 + 2 2 O feixe de raios-X difratados medido atravs do
= h 2 k + l 2 Dois cruzeiros
d2 a c detector C. Em funo das caractersticas de um
gonimetro, em geral, o ngulo de difrao
HEXAGONAL 4 h 2 + hk + k 2 medido como 2q. A figura 3.36 apresenta um
1 l2
= + 2 Trs
d 2 3 a 2
c difratograma resultante de um ensaio de raios-X
cruzeiros do tungstnio. A intensidade de difrao maior
para os planos de alta densidade de tomos.
Como, geralmente, a distncia entre planos
compactos grande, a anlise da equao III.13,
permite concluir que os planos de maior
intensidade de difrao correspondem a baixos
ngulos.
Na anlise de estruturas cbicas, apenas
alguns planos podem provocar difrao. No caso
das estruturas CCC, a difrao possvel
quando a soma dos ndices de Miller resulta em
um nmero par. Para as estruturas CFC, a
difrao ocorre quando todos os ndices so
a- raios refletidos no em fase, por isto no pares ou todos so impares. A tabela III.4 mostra
haver reflexo, interferncia destrutiva. os planos de difrao nas estruturas cbicas.

Tabela 3.9. Famlia de planos em estruturas

cbicas que provocam difrao.
Planos
I. Miller (h2+k2+l2) Planos de Difrao
{hkl} CCC CFC
{100} 1
{110} 2 1
{111} 3 1
b- raios refletidos em fase, por isto haver {200} 4 2 2
reflexo, interferncia construtiva. {210} 5
{211} 6 3
{220} 8 4 3
{221} 9
{310} 10 5

Figura 3.34. Reflexo de raios-X de natureza

monocromtica por planos de um cristal.
23
 Como l e a so constantes, ento:

sen 2 q1 h 1 2 + k 1 2 + l1 2
=
Amostra sen 2 q 2 h 2 2 + k 2 2 + l2 2
(III.16)
Fonte Onde q1 e q2 esto associados aos
principais planos de difrao. A aplicao da
equao III.16 associada tabela III.4 permite
prever que os dois primeiros planos de uma
estrutura CCC resulta no valor sen2q1/sen2q2=0,5.
No caso das estruturas CFC, a relao
sen2q1/sen2q2=0,75.

Detector Exemplo de Exerccios:

Figura. 3.35. Gonimetro empregado em ensaios
de difrao de raios-X Um espectro de difrao de raios-x de um
elemento com estrutura cristalina apresentam os
seguintes picos de difrao para os seguintes
A tcnica de difrao de raios-X pode ser valores de ngulo:
facilmente empregada para diferenciar estruturas Pico ngulo de
CCC e CFC. Analisando a tabela 3.9, observa-se difrao (2q)
que para as estruturas cbicas vale a relao:
1 h2 + k 2 + l2 1o 40,00
=
d2 a2 2o 58,00
(III.14)
3o 73,00

4o 86,8

Obs : Comprimento de onda l = 0,154056 nm

12000
Intensidade do feixe

10000

8000

6000

4000

2000

0
Figura 3.36. Difratograma de raios-X do 0 20 40 60 80 100 120
Angulo de Difrao 2O

tungstnio
Com base nos dados acima determine:
Combinando as equaes III.13 e III.14 e
elevando ambos os lados ao quadrado, pode-se 1 - a estrutura cristalina
obter:
2 - a distancia interplanar entre do 1o Pico
l2
sen 2 q =
2 (
h 2 + k 2 + l2 ) 3 - o parmetro de rede(aresta)
4a 4- o raio do metal
(III.15) 5- o metal

24
 Comparando o raio calculado com uma tabela de
raio atmico, observamos que o metal o
1 Para determinar a estrutura devemos calcular a tungstnio.
relao entre o quadrado do seno do ngulo do 1
pico com o quadrado do 2.
3.2.2.4. Identificao de minerais
Pico 2q q
1 20 Para identificar um mineral ou argilomineral
40,00
2 29 devemos comparar os picos do difratograma com
58,00
padres conhecidos. O difratograma uma
3 36
73,00 digital do material.
Os trs picos mais intensos so utilizados para
(sen 20)2 = 0,117 = 0,498 = 0,5
iniciar o procedimento de identificao, na sua
(sen29)2 0,235
ordem de intensidade, comparando-os com
A estrutura CCC pois o quociente 0,50. dados dos arquivos PDF (powder difraction file
do ICDD, International Centre for Diffraction
Data, www.icdd.com). Se elas coincidirem com
2-Utilizando esta equao l = 2 d hkl senq ,
uma substncia, as posies e intensidades dos
podemos determinar a distncia interplanar demais picos so comparadas com as do
arquivo.
dhkl = . l .
2.senq

d110= 0,154056 nm = 0,225 nm

2.sen 20

3- Para calcular o parmetro de rede(aresta)

devemos utilizar a formula:
1
= h2 + k 2 + l 2
d2 a2

a = dhkl. (h2 + k2 +l2) 0,5

O valor de h , k e l, determinado na tabela 3.9 na
pagina 23. Figura 3.8. Difratograma de raios-x do BaSO4
2 2 2 0,5
a = 0,225.(1 +1 +0 ) =
a= 0,225.(2) 0,5 = 0,3185nm

a= 4R/ 30,5
R= a. 30,5 = 0,318. 1,732 = 0,1377nm
4 4

25
Tabela 3.10- Distancia Interplanar dos picos de
identificao de alguns minerais e argilominerais.

distancias interplanares difratadas

Mineral d int d int d int
Caulim 7,13 x 3,56 x 4,41 6
Ilita 2m 2,56 x 4,49 7 3,35 7
Moscovita 10,1 x 3,36 x 4,49 9
Ilita 1m 4,43 x 2,56 6 3,66 8
Vermicosita 14,2 x 1,53 7 4,57 6
Albita 3,18 x 3,75 3 3,21 3
Ortoclase 3,31 x 3,77 8 4,22 7
Leocita 3,27 x 3,44 9 5,38 8
Nefekina 3 x 3,83 8 3,26 8
Corderita 4,13 x 8,54 8 8,45 8
Calcita 3,04 x 2,29 2 2,1 2
Mulita 3,39 x 3,43 x 2,21 6
Dolomita 2,89 x 2,19 5 1,79 4
Magnetita 2,74 x 2,1 5 1,7 4
Talco 9,35 x 1,53 6 4,59 5
Montimorilonita 13,6 x 4,47 2 3,34 1
Wolastonita 2,98 x 3,32 3 3,52 2
Arnotita 2,85 x 1,75 4 3,07 3
Quartzo 3,34 x 4,26 4 1,82 2
Cristobalita 4,05 x 2,49 2 2,84 1
Tridimita 4,27 x 4,08 9 3,8 9
Fosterita 2,46 x 3,88 7 2,51 7
Esteatita 2,87 x 3,17 8 3,15 5

26
CAP IV - IMPERFEIES DA ESTRUTURA
CRISTALINA
4.1. INTRODUO
Durante a solidificao, os Materiais sofrem o
rearranjo de seus tomos que determina a
estrutura cristalina dos mesmos. Dependendo do
modo com que o lquido transforma-se em slido,
podem ocorrer defeitos no empilhamento e
organizao dos tomos, resultando em
imperfeies estruturais. O tipo e a quantidade
destas imperfeies afetam decisivamente algumas
propriedades e o comportamento dos materiais
cristalinos.
Com exceo de alguns poucos produtos
conformados por sinterizao (metalurgia do p),
todos os produtos metlicos passam
necessariamente pelo processo de solidificao,
em algum estgio de sua fabricao. Em geral, o
processo de solidificao pode ser dividido em
duas etapas:
a. Formao de embries de cristais
estveis dentro do lquido ou etapa de nucleao,
como mostra figura 4.1;
b. Transformao dos ncleos em cristais,
ou etapa de crescimento.
Figura 4.1 Nucleao e crescimento das
estruturas cristalinas.
A transformao lquido/slido e a conseqente
formao da estrutura cristalina observada na
prtica em duas situaes diferentes, quais sejam:
solidificao com nucleao e crescimento
controlados e solidificao com nucleao e
crescimento no-controlados. O primeiro caso
envolve situaes onde existe a necessidade de
se produzir um slido, onde a caracterstica
principal do mesmo a qualidade do arranjo
cristalino. Esta situao geralmente encontrada
na obteno de insumos bsicos para
microeletrnica, onde a necessidade de
monocristais perfeitos de silcio, acineto de glio,
etc, fundamental.
4.2. Imperfeies Estruturais
As estruturas cristalinas analisadas at aqui
apresentam como caracterstica bsica, arranjos
cristalinos muito bem definidos. Entretanto, os
cristais observados na prtica nunca so
totalmente perfeitos, exibindo defeitos de
diversas naturezas. Tais imperfeies afetam
diretamente vrias caractersticas dos materiais,
como os parmetros envolvidos na deformao
plstica, na condutividade eltrica de
semicondutores, na corroso em metais e em
processos de difuso atmica.
As imperfeies presentes em estruturas
cristalinas podem ser de trs tipos bsicos, quais
sejam:
defeitos pontuais;
defeitos em linha;
defeitos de superfcie.
4.2.1. Defeitos Pontuais
Os cristais podem apresentar defeitos em pontos
isolados de sua estrutura, dando lugar s
imperfeies de ponto.
Dentre as imperfeies pontuais, as mais
importantes so:
vacncias ou vazios;
tomos intersticiais;
tomos substitucionais..
O tipo de defeito mais simples a vacncia. As
vacncias so vazios pontuais causados pela
ausncia de tomos em algumas posies da
rede cristalina, como mostra a figura 4.2. Este
tipo de defeito pode ser produzido durante o
processo de solidificao, como resultado de
perturbaes locais no crescimento do cristal.
Uma outra causa destas imperfeies o
rearranjo atmico de um cristal j existente,
devido mobilidade de seus tomos. Nos metais,
a concentrao de vacncias raramente passa
de 1 para cada 104 tomos. As vacncias podem
27
ainda ser resultantes da deformao plstica, do
resfriamento rpido e do bombardeamento da
rede cristalina por partculas atmicas, como
nutro
Figura 2.1. Defeito pontual - Vacncia
Em cristais inicos, os defeitos pontuais exibem
carter mais complexo devido necessidade de
manter a neutralidade eltrica do sistema. Mesmo
assim, pode-se observar defeitos estruturais, como
o caso em que dois ons de cargas opostas
perdidos dentro da estrutura entram em contato,
criando uma vacncia dupla. Este tipo de defeito
conhecido como imperfeio de Schottky. Quando
um on positivo move-se para uma posio
intersticial do cristal inico, uma "vacncia ction"
criada, conhecida como imperfeio de Frenkel. Os
defeitos de Schottky e Frenkel so mostrados na
figura 4.3 A presena dos defeitos de Schottky e
Frenkel em cristais inicos aumenta a
condutividade eltrica dos mesmos.
Figura 4.4. Defeitos de Frenkel e Schottky.
Uma outra classe de defeitos so os tomos
substitucionais e intersticiais estranhos rede
cristalina. Os tomos intersticiais so
imperfeies causadas pela presena de tomos
estranhos nos interstcios da rede cristalina e os
tomos substitucionais so defeitos provocados
pela existncia de tomos estranhos nos prprios
vrtices da rede cristalina, em substituio aos
tomos que al deveriam estar se no existissem
vacncias. Defeitos dessa natureza podem
modificar o comportamento de certas
propriedades. Por exemplo, a presena de uma
quantidade muito pequena de tomos estranhos
rede cristalina do silcio pode afetar, de modo
significativo, a condutividade eltrica do mesmo.
Estes dois tipos de defeitos pontuais so
freqentemente observados durante a formao
das ligas metlicas, na forma de solues slidas.
Na maioria das aplicaes de engenharia,
a necessidade de propriedades especficas, faz
com que o uso de materiais metlicos nem sempre
esteja restrito aos metais puro. Na verdade,
apenas em um nmero bastante limitado de
aplicaes, os metais podem ser encontrados na
forma pura ou quase pura. Por exemplo, o cobre
de alta pureza (99,99%) usado na confeco de
fios eltricos devido a sua elevada condutividade
eltrica. O alumnio superpuro (99,99%) usado
na fabricao de objetos decorativos, pois o
mesmo permite obter uma superfcie melhor
acabada. Por outro lado, a maioria dos materiais
metlicos usados em engenharia, esto
combinados com outros metais ou no-metais.
Estas combinaes, denominadas de ligas
metlicas, tm o objetivo de aumentar a
resistncia mecnica, a resistncia corroso ou
melhorar outras propriedades.
Uma liga metlica, ou simplesmente uma
liga, a mistura de dois ou mais metais ou metais
e no-metais. Estas ligas podem ter estruturas
relativamente simples, como a de uma pea de
bronze. O bronze essencialmente uma liga
binria (dois metais), contendo 70% em peso de
Cu e 30% em peso de Zn. Por outro lado, certas
ligas podem ser extremamente complexas como
as superligas base de nquel, denominadas
comercialmente de Inconel 718 e usadas na
confeco de peas de motores a jato. Estas ligas
contm nominalmente em torno de 10 elementos.
Um outro exemplo de liga metlica pode ser
observado no ao, onde as estruturas CFC e CCC
do ferro abrigam tomos de carbono. Esta
combinao permite obter um material
extremamente verstil, com aplicaes bastante
diversificadas.
O tipo mais simples de liga metlica
aquele que forma uma soluo slida. Uma
soluo slida um slido que consiste de dois ou
mais elementos atomicamente dispersos em uma
28
estrutura monofsica. Em geral existem dois tipos Tabela 4.1. Solubilidade de elementos CFC no
de solues slidas: substitucional e intersticial. cobre, em funo de seus raios atmicos.
Nas solues slidas substitucionais SOLUTO SOLVENT RELAO SOLUBILIDAD
formadas por dois elementos, os tomos do soluto E E
podem ser substitutos dos tomos do solvente na DE RAIOS % % AT
rede cristalina. Na figura 3.4 mostrado um plano PESO
(111) de um cristal CFC contendo tomos do soluto
substituindo os tomos do solvente. Neste caso, a Ni (CFC) Cu (CFC) 1,24 =0,98 100 100
estrutura do solvente no alterada, sendo comum 1,27
a distoro da rede cristalina, j que os tomos do
soluto nem sempre exibem o mesmo dimetro Al (CFC) Cu (CFC) 1,43=1,12 9 19
atmico dos tomos do solvente. 1,27
A frao de tomos de um elemento que
pode ser dissolvida em outro, definida como Ag (CFC) Cu (CFC) 1,44=1,14 8 6
solubilidade. O termo solubilidade significa a 1,27
quantidade de um certo material A (soluto) que
pode ser dissolvido em outro B (solvente) e varia Pb (CFC) Cu (CFC) 1,75=1,37 0 0
de um valor muito pequeno, prximo de zero, at 1,27
100%. A solubilidade dada em "% peso" e "%
atmica".
Assim, uma liga cobre-zinco com 20% em
peso de zinco, possui, em 100 gramas da liga, 20
gramas de zinco e 80 gramas de cobre. Do mesmo
modo, uma liga com 20% em tomos de zinco
apresenta em cada 100 tomos de liga, 20 tomos
de zinco e 80 tomos de cobre. Como as
densidades dos materiais so diferentes,
evidente que 20% de zinco em peso no
correspondem a 20% de zinco em tomos.
Para o caso de formao de uma soluo slida
substitucional, a solubilidade de um elemento em
outro ser elevada, desde que as seguintes
condies sejam satisfeitas: Figura 3.4. Plano (111) de um cristal CFC com o
a. Os raios dos tomos dos dois elementos
soluto substituindo o solvente.
no devem diferir em mais de 15%;
b. A estrutura cristalina dos dois elementos
deve ser a mesma;
c. No deve existir diferena significativa O soluto intersticial o que fica nos "vos" da
entre a eletronegatividade dos dois elementos, matriz. Estes vos ou vazios so chamados de
assim compostos no sero formados; interstcios. As solues slidas intersticiais so
d. Os dois elementos devem ter a mesma formadas quando um tomo muito maior que o
valncia. outro. Por exemplo, o ferro a 10000C apresenta
Na tabela 4.1 observa-se que a facilidade estrutura CFC com o maior vo de dimetro igual
de um elemento dissolver-se em outro, maior se a 1,0 . Assim estes "buracos" abrigam facilmente
o seu dimetro for prximo do dimetro do o hidrognio (d=0,9 ), o boro (d=0,92 ) e com
solvente, no caso o cobre. certa dificuldade, o carbono (d=1,5 ). Entretanto,
apesar dessa diferena, um mximo de 2,08 % em
peso de carbono pode ser dissolvido
intersticialmente no ferro a 11480C. A figura 4.5
ilustra esquematicamente a distoro da rede
cristalina do ferro quando o carbono ocupa
posies intersticiais na mesma. Na figura 4.6 so
apresentadas as estruturas CFC e CCC do ferro,
29
com os interstcios tetradricos e octadricos.
Apesar da clula unitria CCC apresentar diversos
vos, a solubilidade de carbono no Fe maior em
clulas CFC, pois as mesmas concentram o
espao vazio da clula, nos vos octadricos.
Figura 3.5. Diagrama esquemtico de uma soluo
slida de carbono em ferro CFC, mostrando o
plano (100). Note a distoro da rede cristalina do
ferro.
Figura 4.6. Interstcios da estrutura do Fe CFC e
CCC. (+) octadrico e () tetradrico.
4.3. Defeitos Lineares (Discordncias)
Os cristais podem apresentar defeitos alinhados e
contnuos em sua estrutura, dando origem s
imperfeies de linha. Os defeitos de linha,
tambm chamados de discordncias so defeitos
que causam a distoro da rede cristalina em torno
de uma linha e caracterizam-se por envolver um
plano extra de tomos. Estas imperfeies podem
ser produzidas durante a solidificao, na
deformao plstica de slidos cristalinos ou ainda
como resultado da concentrao de vacncias.
A presena deste defeito a responsvel pela
deformao, falha e rompimento dos materiais
A quantidade e o movimento das discordncias
podem ser controlados pelo grau de deformao
(conformao mecnica) e/ou por tratamentos
trmicos, podendo desta forma endurecer os
materiais metlicos.
Os trs principais tipos de defeitos em linha so
conhecidos como: discordncia em cunha,
discordncia em hlice e discordncia mista.
4.3.1. Discordncia em Cunha
Ocorre pela interrupo de um plano atmico
como mostra a figura 4.7.
A distncia de deslocamento dos tomos ao redor
da discordncia denominada de vetor de Burgers
(b) e neste caso esse vetor perpendicular linha
de discordncia.
Figura 4.7. Ilustrao de uma discordncia em
cunha, que ocorre pela interrupo de um plano
atmico. A letra b corresponde ao vetor de
Burgers.
30
4.3.2. Discordncia em Hlice discordncias apresentam uma nica linha de
discordncia.
Uma discordncia helicoidal quando o
empilhamento feito como se fosse uma mola.
Neste caso, o vetor de Burgers paralelo linha
de discordncia, conforme mostra a figura 4.8.

Figura 4.9. Discordncia mista, que produzida

durante a solidificao do material ou quando se
aplica uma tenso cisalhante sobre o mesmo. A
discordncia mista formada por uma
discordncia em cunha associada a uma
discordncia em hlice.

4.4. Defeitos de Superfcies

Os cristais tambm apresentam defeitos que se

estendem ao longo de sua estrutura, formando
superfcies e denominados de imperfeies de
superfcie.
Figura 4.8. Discordncia em hlice. O vetor de Esse tipo de imperfeio cristalina pode ser de trs
Burgers paralelo linha de discordncia. tipos:
superfcies livres;
4.3.3. Discordncia Mista (Cunha + Hlice) contornos de gro;
maclas.
As discordncias so produzidas durante
solidificao do material ou quando aplicada uma
tenso cisalhante sobre o mesmo, como mostra a
figura 4.9. A discordncia mista formada por uma
discordncia em cunha associada a uma
discordncia em hlice. Neste caso, as duas
31
4.4.1. Superfcies Livres
Apesar de serem consideradas o trmino da
estrutura cristalina, as superfcies externas de um
cristal so consideradas defeitos cristalinos, j que
o nmero de vizinhos de um tomo superficial no
o mesmo de um tomo no interior do cristal
(figura 4.10). Os tomos superficiais possuem
vizinhos apenas de um lado, tem maior energia e
assim, esto ligados aos tomos internos mais
fragilmente.
Figura 4.10. Apesar de ser considerada o trmino
da estrutura cristalina, as superfcies externas de
um cristal so consideradas defeitos cristalinos, j
que o nmero de vizinhos de um tomo superficial
no o mesmo de um tomo no interior do cristal.
4.4.2. Contornos de Gro
Uma barra de cobre puro, embora contenha um
nico elemento, possui vrios gros, ou seja,
regies onde a estrutura cristalina tem a mesma
orientao. Durante a solidificao, vrios ncleos material atravs da limitao do movimento de
slidos surgem no interior do lquido, como
apresentado na figura 4.11.
Numa fase seguinte, denominada de crescimento,
estes ncleos crescem e se juntam, formando
nestas "juntas", uma regio conhecida como
contorno de gro. Como os diversos gros no
apresentam necessariamente a mesma orientao
cristalogrfica, como pode ser visto na figura 4.12,
o encontro dos mesmos cria superfcies de contato
dentro do cristal.
Figura 4.11. Formao de um material
policristalino: (a) Etapa de nucleao; (b) Etapa de
crescimento; (c) Material policristalino.
Figura 4.12. Os gros de um material policristalino
no apresentam uma mesma orientao
cristalogrfica.
O tamanho de gro de um material policristalino
importante ser conhecido, j que o nmero de
gros tem papel significativo em muitas
propriedades dos materiais, especialmente na
resistncia mecnica. Em baixas temperaturas, at
metade da temperatura de fuso do material, os
contornos de gro aumentam a resistncia do
discordncias. Em altas temperaturas pode ocorrer
o escorregamento de contornos de gro ou seja o
mecanismo de deformao plstica nestas
temperaturas o de fratura intergranular. Este
mecanismo um dos responsveis pela queda da
resistncia mecnica do material em temperaturas
elevadas. Na produo de peas submetidas a
temperaturas mais prximas a de fuso do
material, como o caso de turbinas de avio, so
utilizados processos de fundio com crescimento
direcional e controlado. Isto permite obter um
32
slido com um nmero de gros pequeno e microscpio devido a menor capacidade de
indicado para temperaturas de trabalho elevadas. A reflexo de luz da mesma (figura 4.14).
tabela 4.2 apresenta a padronizao do tamanho
de gro cristalino segundo a ASTM. Nesta tabela, o Tabela 4.2. Tamanho de gro segundo a ASTM.
nmero do tamanho de gro pode ser determinado
pela equao:
Nmero do Quantidade Mdia de
Tamanho de Gros
N = 2 n-1 (IV.1)
Gro (n) Por mm2 X Por pol2 X
onde n um nmero inteiro definido como o 1 100
nmero do tamanho de gro da ASTM (American
Society for Testing and Materials) e N o nmero 1 15,5 1,0
de gros por pol2, em um material polido, atacado
quimicamente e observado com o aumento de 2 31,0 2,0
100X. A figura 4.13 mostra micrografias de ao 4 124 8,0
baixo carbono, atacado com NITAL (H2NO3 e
lcool) e o respectivo tamanho de gro segundo a 6 496 32,0
ASTM.
10 7940 512

O contorno gro tem tomos fragilmente

interligados e assim, em tal local mais fcil
"arrancar" os tomos da estrutura cristalina em
comparao com o interior do gro.

a b c

Figura 4.14. A regio do contorno de gro aparece

mais escura no microscpio devido menor
Figura 3.13. Micrografias de ao baixo carbono, capacidade de reflexo de luz da mesma.
atacado com Nital (H2NO3 + lcool) e o respectivo (a) material no atacado quimicamente
tamanho de gro segundo a ASTM (X 100): (b) material atacado quimicamente monofsico
(c) material atacado quimicamente difsico
Como os contornos de gro so regies onde os
tomos esto fragilmente ligados uns aos outros, a
ao de um ataque qumico permite revelar o
mesmo, pois nestes pontos mais fcil "arrancar"
os tomos, em comparao com regies no interior
do gro, como mostra a figura 4.13. A regio do
contorno de gro aparece mais escura no
33
4.4.3. Maclas
4.5. Relao entre defeitos e propriedades
As maclas constituem um outro tipo de defeito de
mecnicas
superfcie e podem surgir a partir de tenses
trmicas ou mecnicas. Tal defeito de superfcie
ocorre quando parte da rede cristalina Discordncias
deformada, de modo que a mesma forme uma
imagem especular da parte no deformada (figura
4.16). Interferem na deformao plstica dos
O plano cristalogrfico de simetria entre as materiais.
regies deformadas e no deformada, chamado
de plano de maclao. A maclao, ocorre em Sua presena facilita a deformao
direes especficas chamadas de direes de
maclao.

Figura 4.17- Distoro na estrutura causado

pela discordncia.

A quantidade e o movimento das discordncias

podem ser controlados pelo grau de
deformao (conformao mecnica) e/ou por
tratamentos trmicos (contorno de gros,
solues slidas etc..).
Os defeitos causados pelas solues slidas
(intersticiais e substitucionais), contorno de gro
e deformao mecnica causam deformao na
estrutura cristalina dificultando a movimentao
das discordncias aumentando a resistncia
deformao do material.

Figura 4.16. Diagrama esquemtico do defeito de

maclao

34
 Numa liga de cobre com prata se colocarmos
at 8% de prata formamos uma soluo slida,
se colocarmos mais que 8%(limite de
solubilidade da prata no cobre, conforme tabela
4.1) comeamos a formar uma segunda fase ou
seja comeamos a formar uma estrutura de
prata, que chamamos de precipitado.

Resistncia deformao
precipitados

S. Solida intersticiais

S. Solidas Sub.
Ra#Rb
S. Solidas Sub.

Figura 4.18 . Deformao da estrutura causada Ra@ Rb

pela presena de impurezas substitucionais.

% de elemento de liga
Quando um tomo de uma impureza esta
presente, o movimento da discordncia fica
restringido, ou seja, deve-se fornecer energia Figura 4.20. Comparativo entre resistncia a
adicional para que continue havendo deformao e tipo de defeito.
escorregamento. Por isso solues slidas de
metais so sempre mais resistentes que seus
metais puros constituintes. O contorno de gro interfere no movimento das
discordncias, ao alcanar um contorno h uma
Quando a solubilidade da soluo slida
mudana de direo dos cristais, e para esta
ultrapassada, comear a se formar dentro da
discordncia continuar se movimentando ela
estrutura uma nova fase, esta causar uma
dever mudar de direo.
descontinuidade na estrutura dificultando a
movimentao das discordncias, aumentando
Contorno
consideravelmente a resistncia deste material.
de gro

Precipitados de Ag no cobre Figura 4.21. Movimentao de uma discordncia

Figura 4.19-Precipitados de prata no cobre em material policristalino.

35
 CAP V- DIFUSO ATMICA
5.1. INTRODUO
A difuso atmica pode ser definida como um
mecanismo pelo qual a matria transportada
atravs da matria. Os tomos em gases, lquidos
e slidos esto em constante movimento. O
movimento atmico em gases relativamente
rpido. O movimento atmico em lquidos , em
geral, mais lento que em gases, como pode ser
observado durante o movimento de um corante
em gua. O movimento atmico em slidos
bastante restrito, j que as foras de ligao
atmicas so elevadas e tambm, devido
existncia de posies de equilbrio bem
definidas. Entretanto, vibraes atmicas de
origem trmica existentes em slidos permitem
movimentos atmicos limitados. A difuso
atmica em metais e ligas particularmente
importante, pois a maioria das reaes de estado
slido, que so fundamentais em metalurgia,
envolve movimentos atmicos. Exemplos de
reaes de estado slido so obtidos na
nucleao e crescimento de novas fases em
slidos cristalinos, no tratamento trmico de aos,
na produo de circuitos eletrnicos, etc.
5.2. Mecanismos do Movimento Atmico
Os tomos apenas esto em repouso absoluto
quando a temperatura igual a zero absoluto (-
2730C). Acima desta temperatura os tomos
comeam a vibrar e saem de suas posies
originais. medida que a temperatura aumenta,
esse movimento atmico torna-se mais intenso.
Existem dois mecanismos bsicos de difuso de
tomos em um slido cristalino, quais sejam:
mecanismo substitucional ou de vazios e
mecanismo intersticial. Alm desses dois, o
movimento atmico pode-se dar atravs do
mecanismo de anel, que de ocorrncia mais
difcil.
5.2.1. Mecanismo Substitucional ou de Vazios
Os tomos podem mover-se no interior de um
cristal, de uma posio atmica para outra se os
mesmos apresentam energia de vibrao
suficiente e se existem posies atmicas vazias
ou defeitos cristalinos na estrutura atmica. Esta
energia de vibrao resultante da energia
trmica dos tomos. Os vazios ou vacncias em
metais e ligas so defeitos de equilbrio e assim,
esto sempre presentes para permitir o
movimento atmico pelo mecanismo
substitucional. Com o aumento da temperatura
em metais, mais vacncias podem ser
observadas e mais energia trmica estar
disponvel. Assim, a taxa de difuso atmica
aumentar com a temperatura. Considere o
processo de difuso apresentado na figura 5.1.
Se um tomo prximo vacncia tem energia
suficiente, ele poder mover-se at a posio
vazia. As diferenas de tamanho atmico e
energias de ligao so fatores que afetam a
taxa de difuso atmica atravs de vazios.
Figura 5.1. Mecanismo de difuso atmica de
vazios ou substitucional
5.2.2. Mecanismo Intersticial
A difuso de tomos intersticiais em um slido
cristalino ocorre quando um tomo se move de
uma posio intersticial para outra posio
vizinha intersticial, sem que exista deslocamento
de tomos da matriz cristalina, como mostra a
figura 5.2. Para que o mecanismo de difuso
intersticial seja ativo, o tamanho do tomo em
difuso deve ser relativamente pequeno
quando comparado com os tomos da matriz.
Pequenos tomos como o hidrognio, oxignio,
nitrognio e carbono podem apresentar difuso
intersticial em alguns slidos cristalinos. Por
exemplo, o carbono pode difundir-se
intersticialmente no ferro a e no ferro g. Na
difuso intersticial de carbono em ferro, os
36
tomos de carbono so comprimidos entre a outras palavras, mover-se na rede cristalina.
matriz atmica do ferro. Porm, aumentando-se a temperatura do
sistema, a energia de cada tomo aumenta e
assim, alguns tomos que no podiam saltar
de suas posies, podem agora faz-lo. Isto
significa que a energia dos mesmos maior
que a energia de ativao, como mostra a
figura 5.4.
Fazendo uso de anlise estatstica possvel
determinar a parcela de tomos com energia
suficiente para apresentar movimento atmico.
Boltzmann estudou o efeito da temperatura na
energia das molculas em um gs. Usando os
Figura 5.2. Mecanismo de difuso atmica fundamentos estatsticos empregados por
intersticial Boltzmann, pode-se calcular o nmero de
tomos com energia maior que a energia de
5.2.3. Mecanismo De Anel ativao:

EA
n = aN exp - (V.1)
Este mecanismo mais raro devido a suas kT
particularidades. A difuso atmica atravs deste
mecanismo envolve a rotao de trs ou quatro
tomos simultaneamente. onde k=1,38x10-23 [Joule/tomo.K], n o nmero
de tomos com energia maior que a de ativao,
5.3. Distribuio De Energia Trmica N o nmero total de tomos do slido, a uma
constante tpica do sistema, EA a energia de
Os tomos dentro de um material, em uma
ativao e T a temperatura absoluta.
determinada temperatura, apresentam diferentes
nveis de energia, sendo esta uma distribuio
estatstica, como mostra a figura 5.3.

Figura 5.4. Distribuio de energia dos tomos

Figura 5.3. Distribuio de energia dos tomos de de um material para duas temperaturas
um material. diferentes.

Nesta distribuio, nota-se que poucos tomos

possuem energia de ativao suficiente para
"saltar" fora de sua posies originais, ou em

37
5.4. Coeficiente De Difuso 5.5. Primeira Lei de Fick

A anlise estatstica de Boltzmann aplicada ao

movimento atmico permite estabelecer a O fenmeno de difuso atmica pode ser
analisado considerando o movimento de tomos
intensidade de difuso atmica em materiais. A
entre duas regies em contato, como mostra a
difuso de um material A (soluto) dentro de um
figura 5.5. Assumindo que as concentraes de
outro material B (solvente) representada pelo tomos de soluto nas regies 1 e 2 no sofrem
coeficiente de difuso (D), definido como: alteraes com o tempo, o sistema pode ser
considerado como em regime permanente ou
Q estacionrio. A figura 5.6 mostra um processo de
D = D 0 e- RT (V.2) difuso em regime permanente, provocado pelo
gradiente de concentrao (C2-C1)/(x2-x1). Um
caso semelhante observado quando um gs
onde D o coeficiente de difuso, D0 constante
difunde-se atravs de uma folha fina de metal,
do sistema soluto/solvente, Q a energia de como o caso do hidrognio difundindo-se por
ativao e R a constante molar dos gases uma folha fina de Paldio.
(8,314 J/mol.K ou 1,987 cal/mol.K). O movimento de tomos por difuso atmica
Pela equao V.2, observa-se que o coeficiente ocorre devido vibrao trmica do tomo. Tal
de difuso depende da temperatura, aumentando vibrao faz com que cada tomo permanea
quando a mesma aumenta. Na tabela 5.1 so "saltando" de uma posio a outra. O
apresentados os valores de Q e D0 para alguns equacionamento do fluxo atmico em regime
sistemas em difuso. permanente, que dado pela 1 lei de Fick,
implementado pela definio das seguintes
Soluto Matriz D0 Q variveis:
10-5 10-19 Dx - Espessura das regies 1 e 2;
m2/s J/tomol A - rea de contato entre as regies 1 e 2;
f - Freqncia de saltos dos tomos (saltos/s),
C Fe CFC 2,0 2,4
iguais em todas as direes;
C Fe CCC 22,0 2,0 C1 - Concentrao de tomos de soluto na regio
Fe Fe CFC 2,2 4,5 1 (t./cm3);
Fe Fe CCC 20,0 4,0 C2 - Concentrao de tomos de soluto na regio
N Fe CFC 7,7 4,6 2 (t./cm3).
Zn Cobre 3,4 3,2 J - Fluxo de tomos entre as regies 1 e 2
Cu Cobre 2,0 3,3 (t./cm2.s)
Ag Ag 4,0 3,1
(Cristal)
Ag Ag 1,4 1,5
(Cont.Gro.)
Si Si 320 6,8
P Si 3,9 5,0
Bo Si 140 5,9
Tabela 5.1. Coeficientes de difuso para diversos
sistemas solvente/soluto.

Figura 5.5. Diagrama esquemtico do fluxo de

tomos entre duas regies, em contato, de
concentraes diferente.

38
 ou
f
J = K( C1 - C 2) Dx (V.5)
6

Desta equao possvel prever que se as

concentraes das regies 1 e 2 so iguais, o
fluxo de massa entre elas ser nulo. Por outro
lado, se existe um gradiente de concentrao de
tomos de soluto, o fluxo de tomos ser
diferente de zero. Uma relao entre as
concentraes C1 e C2 pode ser obtida se a
concentrao contnua ao longo da direo x
(paralelo ao fluxo de tomos), ou seja:

C
C 2 = C1 + Dx (V.6)
x t

Figura 5.6. Difuso atmica em regime

Substituindo o valor de C2, o fluxo de tomos
estacionrio provocada pelo gradiente de
concentrao (C2-C1)/(x2-x1). entre as regies 1 e 2 torna-se igual a:

f C
Considerando o movimento atmico espacial, um J = - K ( Dx ) 2 (V.7)
tomo tem a possibilidade de saltar em seis 6 x t
diferentes direes. Assim, entre as regies 1 e 2,
a freqncia de saltos pode ser dada por f/6 e
conseqentemente, em um intervalo de tempo Dt, Esta equao conhecida como a 1 lei de Fick
o nmero de tomos saltando da regio 1 para a e o coeficiente de difuso atmica, D, dado por:
regio 2 proporcional aos valores de C1, de Dt,
de f, e do volume da regio 1, que pode ser f
D = K ( Dx ) 2 (V.8)
representado por sua espessura, Dx, pois a rea 6
de contato igual para as duas regies:

f Se no sistema em difuso considerado no

N12 = K C1 Dt Dx (V.3) ocorrem reaes qumicas entre os tomos do
6
soluto e os do solvente, a diferena de
onde K uma constante. concentrao entre as regies 1 e 2 resultar em
um fluxo atmico que vai do ponto de maior para
o de menor concentrao. O fluxo de tomos
O fluxo de tomos entre as regies 1 e 2 dado
neste tipo de sistema pode ser representado pela
pela diferena entre os tomos que saltam da
equao:
regio 1 para a regio 2 e aqueles que fazem o
caminho inverso. Assim,
C
J = -D (V.9)
x
f f
JDt = N12 - N 21 = K C1 Dt Dx - K C 2 Dt Dx
6 6
(V.4) onde J o fluxo de tomos, D o coeficiente de

39
difuso e C/x o gradiente de concentrao. Tabela 5.2. Coeficientes de difuso atmica para
Tomando a direo x como referncia, o sinal 5000C e 10000C.* metaestvel.
negativo mostra que o fluxo de massa tem Soluto Solvente Coeficiente de
sentido contrrio ao aumento da concentrao e Difuso (m2/s)
usado porque o fluxo de tomos vai da maior para 5000C 10000C
a menor concentrao e o mesmo tende a anular
C F CFC* 5x10-15 3x10-11
o gradiente de concentrao.
C Fe CCC 10-12 2x10-9
A equao V.9 denominada de 1 lei de Fick e -23
define que para condies estacionrias ou F Fe CFC* 2x10 2x10-16
permanentes (concentraes constantes com o F F CCC 10-20 3x10-14
tempo), o fluxo de tomos por difuso atmica N Fe CFC* 10-23 2x10-16
igual difusividade D multiplicada pelo gradiente Mn F CFC* 3x10-24 10-16
de concentrao. No sistema SI, esta equao Zn Cu 4x10-18 5x10-13
-14
dada por: Cu Al 4x10 10-10
Cu Cu 10-18 2x10-11
Ag Ag 10-17 10-12
atomos m2 C atomos 1 (Cristal)
J = -D x Ag Ag 10-11 -
m2 .s s x m3 m
(Cont.Gro)
(V.10)
C Ti 3x10-16 2x10-11

A tabela 5.2 lista valores de difusividade atmica 5.6. Segunda Lei de Fick
para alguns sistemas. A difusividade atmica
depende de diversos fatores, sendo que os mais
O movimento atmico em condies
importantes so:
estacionrias no comum em engenharia de
a. Tipo de mecanismo de difuso
materiais. Na maioria dos casos, este movimento
(substitucional ou intersticial) - Dependendo dos
ocorre em regime transitrio ou em situaes
tamanhos atmicos envolvidos, o mecanismo de
onde as concentraes mudam com o tempo.
difuso influencia a intensidade de difuso.
Por exemplo, se o carbono est sendo difundido
tomos de tamanhos prximos tem difuso
atravs da superfcie de uma engrenagem de
elevada quando o mecanismo substitucional.
ao para cementar a mesma, a concentrao de
Quando os tomos apresentam tamanhos muito
carbono no interior da pea ser alterada
diferentes, o mecanismo apropriado o
medida que o tempo de processamento
intersticial, sendo que tomos de menor tamanho
aumenta, como mostra a figura V.8. Nestes
tem mais facilidade de se difundir;
casos, onde o regime no permanente,
b. Temperatura na qual a difuso ocorre - A
interessante determinar a evoluo da varivel
temperatura aumenta a difuso;
composio em funo do tempo de
c. Tipo de estrutura cristalina do solvente -
processamento e da posio de um dado ponto a
Estruturas compactas (CFC, HC) dificultam a
ser estudado.
difuso atmica;
Considere uma barra de um material
d. Tipo e quantidade de imperfeies presentes
qualquer de concentrao C, exibindo transporte
na rede cristalina - Defeitos como discordncias e
de massa do soluto por difuso, como mostra o
vazios aumentam a intensidade de difuso.
diagrama da figura 5.9. Considere tambm a
e. Fora de ligao atmica do soluto
existncia de um elemento de volume de largura
fora de ligao maior dificuldade de difuso
Dx e rea da seco transversal A. Suponha que
em tal elemento est entrando fluxo de massa J1
e deixando o mesmo, o fluxo de massa J2. Aps

40
um intervalo de tempo, Dt, a variao na permite obter:
concentrao de soluto em tal elemento dada J
- DxADt = ADxDC (VIII.13)
por: x t

J 1 A D t - J 2 A Dt = A D x D C (V.11)

onde: Fazendo Dt tender a zero,

J - Fluxo de tomos do soluto (t/cm2.s) J C
- = (V.14)
2
A - rea (cm ) x t t x
Dx - largura (cm)
Dt - Intervalo de tempo (s) O fluxo de tomos pode ser dado pela 1 lei de
DC - Variao na concentrao de soluto Fick. Substituindo V.9 em V.14, obtm-se:
3
(t/cm )

J C
- = D (V.15)
x x x
ou

C 2 C
= D 2 (V.16)
t x

Esta equao denominada de 2 lei de Fick e

aplicada a casos de difuso atmica em regime
transitrio. Em funo das condies de contorno
do problema tratado, esta equao apresenta
vrios tipos de soluo. Em termos prticos, dois
tipos de problema podem ser abordados atravs
da equao V.16: cementao de aos e
tratamento de homogeneizao de peas
fundidas.

Figura 5.7. Modelo para aplicao da segunda lei

de Fick.

Se o fluxo atmico contnuo ao longo de

x, pode-se escrever:
J Figura 5.8. Diagrama do fluxo de tomos na
J 2 = J 1 + Dx formulao da 2a lei de Fick
x
(V.12)
A substituio de J2 na equao V.11
41
5.7. Cementao de Aos
O tratamento da cementao de aos atravs das
equaes de difuso envolve o emprego da
"funo erro". A figura 5.9 exibe um diagrama
esquemtico de um processo de cementao.
Com a soluo da equao V.16 possvel
descrever o perfil de concentrao de carbono em
aos durante o processo. Esta soluo dada
por:

x
C(x, t) = CS - ( CS - C0) erf
2 Dt
(V.17)

na qual C(x,t) a concentrao de carbono num

determinado ponto "x", para um certo tempo "t" de
cementao (% em peso), C0 a concentrao
inicial de carbono (% em peso), CS a
concentrao de carbono na superfcie da pea,
D o coeficiente de difuso do carbono em ao
(m2/s), x a distncia a partir da superfcie (m) e t
o tempo de cementao (s). A funo erro, "erf",
uma funo matemtica com valores tabelados
da mesma forma que funes trigonomtricas.

Figura 5.9. Modelo de anlise do processo de

cementao de aos.777

42
CAP VI- PROPRIEDADES DOS MATERIAIS
6.1. INTRODUO
Todos os ramos da engenharia, principalmente os
relacionados com estruturas, mquinas, etc.,
esto intimamente ligados aos materiais
utilizados, ou seja, s suas propriedades. As
propriedades caractersticas de cada material so
de importncia fundamental para que se
estabelea um critrio de aceitao e
especificao. As propriedades que os materiais
devem possuir so determinadas atravs de
ensaios adequados.
Propriedades dos Materiais
Os Materiais podem ser classificados, segundo
suas propriedades, da seguinte maneira:
Propriedades fsicas em geral: dimenses,
forma, densidade, porosidade, misturas
constituintes, macro e micro estrutura.
Propriedades qumicas e fsico-qumicas:
componentes qumicos, acidez e resistncia
corroso, etc.
Propriedades mecnicas: resistncia mecnica
(esttica e dinmica), elasticidade, plasticidade,
fragilidade (tenacidade), ductibilidade.
Propriedades eltricas:Condutividade,Rigidez
dieltrica, Termoeletricidade e Piezeletricidade.
Propriedades Trmicas: Calor especifico,
dilatao trmica, resistncia a termoclase e
condutividade trmica,.
Para se determinar qualquer uma dessas
propriedades faz-se necessrio realizar um
ensaio especfico.
6.2. Propriedades Mecnicas dos Materiais
O comportamento de um material sob
solicitao mecnica fundamental na
identificao de propriedades de interesse em
engenharia mecnica. Tal comportamento
funo direta de trs fatores bsicos ligados s
caractersticas do material, ou seja: o tipo e a
intensidade das ligaes envolvendo tomos ou
molculas; a natureza do arranjo dos tomos ou
molculas e a natureza e quantidade de defeitos
no arranjo dos tomos ou molculas do material.
Alm desses trs fatores, o processamento a que
o material foi submetido, determina intensamente
a definio das propriedades do mesmo. Uma
das caractersticas mais importantes dos materiais
no estado slido a capacidade dos mesmos em
resistir ou transmitir tenses. A resposta desses
materiais sob tenso est intimamente relacionada
com a propriedade do material em se deformar
elasticamente ou plasticamente. Quando um
material submetido a esforos mecnicos, ele
deforma-se de duas maneiras: elasticamente e
plasticamente. Considera-se que um
material exibe comportamento elstico, quando o
mesmo, ao ser submetido a esforos mecnicos,
apresenta deformaes no-permanentes, ou seja,
ao se remover tais tenses, o material retorna as
suas dimenses originais. Ao nvel atmico, a
deformao elstica observada quando as
clulas unitrias alteram suas dimenses,
alongando, se o esforo for de trao ou
comprimindo, se o esforo for de compresso,
como apresenta a figura 6.1. Quando os esforos
de trao ou compresso cessam, as clulas
cristalinas voltam s formas e dimenses originais.
Figura 6.1. Deformao elstica em cristais: (a)
Cristal sem deformao; (b) Cristal deformado
por trao; (c) Cristal deformado por compresso
O comportamento plstico observado quando o
mesmo material submetido a tenses mais
elevadas e suas dimenses so alteradas
permanentemente, ou seja, cessados os esforos,
o material no retorna as suas dimenses
originais. Ao nvel atmico, a deformao plstica
principalmente observada quando planos
atmicos so deslizados uns sobre os outros, de
tal maneira que ao se remover os esforos
mecnicos, o material no exibe suas dimenses
originais.
43
6.3. Tipos de Esforos que Podem Deformar
ou Romper um Material
Representao esquemtica de alguns tipos de
esforos que afetam os materiais:
6.4. Principais Propriedades Mecnicas
Em funo do comportamento mecnico dos
materiais, as seguintes propriedades mecnicas
podem ser definidas:
a. Elasticidade - Capacidade do material ser
deformado elasticamente, sem atingir o campo
plstico. A relao entre tenso e deformao
elstica (s/e) definida como mdulo de
elasticidade (E).
b. Ductilidade - Capacidade do material ser
deformado plasticamente, sem atingir a ruptura.
Pode ser obtida da anlise do alongamento e da
estrico.
c- Resilincia: Corresponde capacidade do
material de absorver energia quando este
deformado elasticamente. Materiais resilientes
so aqueles que tm alto limite de elasticidade e
baixo mdulo de elasticidade (como os materiais
utilizados para molas)
d. Fluncia - Capacidade do material se deformar
lentamente, quando submetido a tenses menores
que a de escoamento, sob temperaturas elevadas.
e. Tenacidade - Capacidade de um material em
armazenar energia sem se romper. Pode ser
quantificada atravs do clculo da rea sob a
curva tenso/deformao.
f. Dureza - Capacidade de um material em resistir
penetrao de sua superfcie, est intimamente
relacionada com a tenso de escoamento do
material.
g. Resistncia flexo: definida com a
tenso mxima que um corpo de prova suporta
antes de romper, quando sujeito a um esforo de
flexo. Utilizado para avaliar a resistncia
mecnica de materiais cermicos, principalmente
para revestimentos e telhas.
h. Resistncia compresso: definida com a
tenso mxima antes da ruptura, que um corpo
de prova pode resistir quando submetido a
esforos de compresso. Este ensaio utilizado
principalmente para avaliar a resistncias de
tilojos, blocos e concreto.
44
6.5. Ensaios Mecnicos 6- Permite a comparao de resultados obtidos
em diferentes laboratrios, pela adoo
Todos os ramos da engenharia, principalmente os do mesmo mtodo.
relacionados com estruturas, mquinas, etc.,
esto intimamente ligados aos materiais 6.6. Tipos De Ensaios Mecnicos
utilizados, ou seja, s suas propriedades. As
propriedades caractersticas de cada material so Ensaio de Trao
de importncia fundamental para que se Ensaio de dureza
estabelea um critrio de aceitao e Ensaio de Impacto
especificao. As propriedades que os materiais Ensaio de Flexo
devem possuir so determinadas atravs de Ensaio de compresso
ensaios, que na maioria das vezes imitam os Ensaio de Fluncia
esforos que os materiais sofrem na pratica. Ensaio de Fadiga

Os ensaios mecnicos tm as seguintes 6.6.1. Ensaio de Trao

finalidades:
1- Permitir a obteno de informaes rotineiras
da qualidade de um determinado produto
ensaio de controle.
2- Desenvolver novas e melhores informaes
sobre materiais conhecidos, ou ento desenvolver
novos materiais.
3- Obter medio precisa das propriedades ou
constantes fsicas.
5.5.1. Normalizao dos Ensaios
A caracterizao do comportamento mecnico de
um material pode ser implementada pelo emprego
do ensaio de trao do mesmo (figura 6.2). A
aplicao de uma fora em um material provoca
tenses e deformaes (permanentes ou no) no
mesmo, como mostra a figura 6.3.
A tenso, s, definida como fora por unidade de
rea, ou:

Evidentemente, os ensaios no traduzem valores F

s =
absolutos e imutveis. Os ensaios quando A
realizados na prpria estrutura, tem significado
(X.1)
mais expressivo, porem so valores obtidos de
uma situao particular. Quando generalizamos o onde:
resultado de um ensaio realizado em um corpo de s = Tenso (Pa = N/m2);
prova devemos tomar cuidados, utilizando um F = Fora Aplicada (N);
fator de segurana para evitar surpresas A = rea do Plano (m2).
desagradveis, e mais, devemos normalizar o A deformao (e) definida como o efeito
ensaio, ou seja, especificar o mtodo empregado, da tenso em um material, relaciona-se
dimenses do corpo de prova, mtodo de alterao nas dimenses originais do material e
fabricao do mesmo, etc. expressa como variao do comprimento inicial,
A normalizao dos materiais leva a inmeras ou:
vantagens entre as quais pode-se mencionar: DL
e =
1- Reduz o desentendimento entre o produtor e o L0
consumidor;
2- Torna a qualidade da produo mais uniforme; (X.2)
3- Reduz os tipos similares de peas e materiais; onde:
4- Diminui o custo unitrio de produo; e = Deformao (%);
5- Orienta o projetista na escolha do material DL = (L - L0) = Variao de comprimento
existente; (m);
L0 = Comprimento inicial (m);
45
 L = Comprimento final (m).
O ensaio de trao revela duas fases distintas: a
elstica e a plstica. Na fase elstica um dos
principais parmetros que o ensaio de trao
permite revelar o mdulo de elasticidade do
material.
Figura 6.2. Diagrama esquemtico de um ensaio
de trao: (a) Sem deformao; (b) Com
deformao.
(a) (b) (c)
Figura 6.3. Curvas tenso-deformao relativa: (a)
Material no-dctil sem deformao plstica (ex.:
ferro fundido); (b) Material dctil com ponto de
escoamento definido (ex.: ao de baixo carbono);
(c) Material dctil sem ponto de escoamento
definido (ex.: alumnio).
Deformao Elstica
Se um material apresenta comportamento elstico,
o mesmo segue a lei de Hook, que estabelece
que sua deformao varia linearmente com a
tenso aplicada. A relao entre tenso aplicada
e deformao resultante constante e
denominada de Mdulo de Elasticidade (E), ou:
s
E =
e
(X.3)
O mdulo de elasticidade de um material a
medida de rigidez do mesmo. Se um material
exibe valor elevado desse parmetro, isso significa
que uma tenso mecnica elevada ser
necessria para deform-lo. Como visto no estudo
das foras interatmicas, o mdulo de elasticidade
est diretamente relacionado com a variao de
FTotal (equao 6.3), em relao distncias
interatmicas ou,
( Z e)( Z2 e) nb
d 1 + n+1
4p e 0 a 2
= -
d FTotal a
da da
(X.4)
A temperatura influencia intensamente o mdulo
de elasticidade, e quanto mais elevada for a
mesma, menor ser o mdulo de elasticidade.
Como o mdulo de elasticidade varia com a
direo em um cristal (depende da densidade
linear de tomos), a anisotropia dos cristais
permite que o mesmo varie intensamente com a
orientao do cristal. Como exemplo, o ferro tem
um mdulo de elasticidade mdio de cerca de 205
MPa. Porm, o mdulo real de um cristal de ferro
varia de 208 MPa na direo [111], para apenas
125 GPa na direo [100]. A tabela 6.1 apresenta
valores de mdulo de elasticidade de diversos
materiais.
46
Tabela 6.1. Valores do mdulo de elasticidade de
diversos materiais.
Material Mdulo de
elasticidade (GPa)
Borracha Sinttica 0,004 - 0,075
Nylon 2,8
Borracha Vulcanizada 3,5
Chumbo 14
Magnsio 45
Ligas de Alumnio 72,4 Figura 6.4. Diagrama tensox deformao,
ilustrando a rea onde ocorre a deformao
Cobre 110 elstica (reversvel) e a deformao plstica
Ao de Baixo Carbono 200 (permanente).
Ao Inoxidvel 193
Titnio 117 6.6.1.1. Propriedades mecnicas obtidas do
ensaio de trao (tensoxdeformao)
Quartzo (SiO2) 310
Alumina (Al2O3) 350 6.6.1.1.1. Limite(Tenso) de escoamento: a
tenso mnima necessria para deformar
Tungstnio 400 permanentemente o material, este valor
utilizado no dimenciomamento de equipamentos.
o limite entre a deformao elstica e plstica
Deformao Plstica do material.
Este limite caracterizado pelo final da tendncia
Na fase plstica do material, ocorrem as linear do grfico.
deformaes permanentes no mesmo. Neste caso,
planos atmicos do material so deslocados Interseco da reta com o grfico
determina a tenso escoamento
permanentemente de suas posies originais. que igual a 106MPa
Existem dois mecanismos de deformao plstica,
quais sejam: o deslizamento de planos cristalinos e 140
a maclao. Em ambos os casos, a deformao
120
ocorre devido s componentes de cisalhamento
Tenso( MPa)

das tenses aplicadas. A deformao permanente 100

de um material submetido a ensaio de trao pode 80

ser tratada como o alongamento, que a
60
quantidade de deformao permanente observada
antes da ruptura ou estrico, que a reduo da 40
rea da seco transversal, observada antes da 20
Origem da
ruptura. reta 0,2%
0
0 2 4 6 8 10
deformao (%)

Figura 6.5. Diagrama tensox deformao,

indicando a tenso de escoamento.

Para se determinar este valor, como regra geral

se traar uma reta que tem como origem uma
47
deformao de 0,2%(0,002m/m) e seja paralela s - Tenso necessria para causar a deformao
ao segmento linear do grfico, a interseco elstica.
desta reta com a curva, determina a tenso de
escoamento (tenso deformao, limite de
resistncia ao escoamento). Ex: No exemplo da figura 6.5 uma tenso de
100MPa deforma 2% o material, ento o modulo
6.6.1.1.2. Tenso mxima de resistncia (smr): :
determinada atravs to ponto mais alto do 2% = 2/100= 0,02
grfico.
Ex: Na figura 6.6 a smr=130 MPa
E = s = 100 MPa = 5.000MPa
6.6.1.1.3. Tenso de ruptura (sr) :
e 0,02
determinado pelo final do grfico.
Ex: Na figura 6.6 a sr=110 MPa
2/100

Ponto de
ruptura 6.6.1.1.5. Ductibilidade:

Capacidade do material ser deformado

plasticamente, sem atingir a ruptura. Pode ser
140 obtida da anlise do alongamento e da estrico
smr do corpo de prova.
120
sr No diagrama se determina atravs da interseo
do eixo X(deformao) com uma reta que tem
100
origem no ponto onde houve a ruptura e seja
Tenso( MPa)

80 paralela a parte linear do grfico.

Ex: Na figura 6.6 a ductibilidade 6%
60

40 No ensaio se determina medindo o corpo de prova

antes do ensaio e aps a ruptura.
20

0
Ductibilidade(%) = (L-Lo)x100
0 2 4 6 8 10 Li
deformao (%) L0 = Comprimento inicial (m);
Figura 6.6. Diagrama tensox deformao, L = Comprimento final (m).
indicando a tenso mxima de ruptura (smr) e
tenso de ruptura(sr) e ductibilidade.

6.6.1.1.4. Modulo de elasticidade

a relao entre tenso aplicada e deformao

elstica sofrida .

s
E =
e
Figura 6.7. (a) Corpo de prova antes do ensaio;
E Modulo de elasticidade (b) corpo de prova depois de romper.
e - Deformao

48
Ex: Na figura 6.7 o Lo= 50mm e L= 75mm, ento
a ductibilidade :

Duc.(%) = (L-Lo)x100 = (75-50).100= 50%

Li 50

Resilincia(Ur): Corresponde capacidade do

material de absorver energia quando este
deformado elasticamente. Materiais resilientes
so aqueles que tm alto limite de elasticidade e
baixo mdulo de elasticidade (como os materiais
utilizados para molas) Figura6.9. Diagrama tensoxdeformao,
indicando a tenacidade do material.

Ur = se2 = se. e a propriedade que melhor expressa a resistncia

mecnica do material.
2E 2
Ur- Modulo de resilincia
6.6.2. Dureza
se Tenso de escoamento
E- Modulo de elasticidade
a medida da resistncia de um material
e - deformao
deformao permanente ( deformao plstica)

Nos Materiais Cermicos a dureza avalia:

Resistncia ao risco
Resistncia ao desgaste
Resilincia

Teste de dureza:

Figura 6.8- Diagrama tensoxdeformao,

indicando a resilincia do material.
. Tenacidade - Capacidade de um material em
armazenar energia sem se romper. Pode ser
quantificada atravs do clculo da rea sob a curva
tenso/deformao.
So amplamente utilizados para especificao de
materiais.
Engenharia - controle de qualidade
Pesquisa - testar materiais
Relao de dureza - Curva de trao
A presso aplicada na impresso
1/3 produz deformao plstica - 1/3 P ~ se

49
6.2.1. Tipos de ensaio de dureza:
Escala mohs- mat. cermicos
Dureza Brinell
Dureza Vickers
Mat metlicos
Microdureza Knoop
Dureza Rockwell
6.2.2. Dureza Mohs
Compara-se a dureza do material a ser ensaiado
com a dureza de uma escala de minerais com
diversas durezas. baseada na capacidade de
um material riscar o outro. utilizada somente
para avaliar dureza de materiais cermicos.
6.2.3. Ensaio de Dureza- Brinell
Consiste em comprimir uma esfera de ao, de
dimetro D, sobre uma superfcie plana por meio
de uma aplicao de carga Q.
impresso d
Figura 6.9. Ilustrao esquemtica do identador e
da impresso produzida na escala Brinell.
Observaes: o dimetro do identador e a
intensidade da carga aplicada dependem do tipo
de material que vai ser analisado. O dimetro da
impresso dever sempre ficar entre 2,5 a
6,0mm.
6.2.4. Ensaio de Dureza- Vicker
Introduzida para medir materiais duros que no
podiam ser medidos pela dureza Brinell.
Apresenta uma nica escala contnua para testar
todos os materiais.
Identador: pirmide de diamante
formando 136 entre as faces opostas
Figura 6.10. Ilustrao esquemtica do identador
e da impresso produzida na amostra no ensaio
Vicker.
As cargas geralmente usadas so: 50 N, 100 N,
300 N, 500 N.
50

6.6.5. Ensaio de Dureza- Rockwell
Este ensaio utiliza a profundidade de penetrao,
sob ao de uma carga constante,
como medida de dureza.
A medida da dureza direto no painel.
Indentador:
Esferico-esfera de ao
Conico-cone de diamante
A desvantagem desta tipo de ensaios que
dependendo do material se usa uma determinada
escala.
Figura 6.11. Ilustrao esquemtica do identador
e da impresso produzida na amostra no ensaio
Rockwell
Escala Aplicaes:
A - Aos tratados superficialmente
B - Al, Cu, Aos recozidos, Fofo malevel
C - Aos com dureza acima de 100 HRb, aos
com
camadas espessas, Ti, etc.
D - Aos com camadas endurecidas
intermedirias, Fofo malevel perltico
E - Fofo, Al, Mg, aos para rolamento
F - Cobre recozido, chapas de metal macio
G - Ligas de bronze-fsforo, Cu-Be, Ferro
malevel
H - Al, Zn, Pb
K,L,M,P R,S,V - Metais muito macios. Usar a
menor esfera e mais alta carga para evitar
escorregamento.
6.6.6. Ensaio de Dureza- Shore
um tipo de ensaio dinmico por choque que
produz uma impresso na pea ou corpo de prova
por meio de um penetrador. Esse choque pode ser
produzido por meio de um pndulo (j
abandonado) ou pela queda livre de um mbolo,
tendo na ponta um penetrador.
Em 1907, Shore props uma medida de dureza
por choque que mede a altura do ressalto de um
peso que cai livremente at bater na superfcie lisa
e plana de um corpo de
prova. Esta altura de ressalto mede a perda de
energia cintica do peso, absorvida pelo corpo de
prova.
Utilizado principalmente para materiais
polimricos.
6.6.3. Ensaios De Impacto
Um fator muito importante que contribui para o
aparecimento de fraturas do tipo frgil em peas
a alta velocidade de aplicao da carga, isto ,
carga aplicada por impacto.
Faz-se necessrio padronizar um tipo de Ensaio
para determinar a resistncia ao Impacto (ou
choque), ou melhor, a energia absorvida pelo
corpo de prova por ao de impacto, expressos
em Nm.
Como a energia do impacto medida depende das
condies do ensaio (forma e dimenso do corpo
de prova, maneira de aplicao da carga) h
necessidade da padronizao dos tipos de
ensaios para permitir, posteriormente, a
comparao entre os valores obtidos para o
mesmo ou diferentes materiais.
51
Existem, portanto, diversos mtodos de ensaios, A Resistncia flexo definida com a tenso
mas os principais so: mxima que um corpo de prova suporta antes de
Mtodo de impacto com trao; romper quando sujeito a um esforo de flexo
Mtodo Charpy;
Mtodo Izod. P

Mtodo CHARPY
d
Consiste em se percutir um corpo de prova, de
b
dimenses padronizadas, convenientemente
apoiado, com um martelo de dimenso tambm L
padronizado, e medir a energia desprendida na
ruptura. Os resultados dos ensaios indicam se o
material tem um comportamento dctil, isto se Figura 6.13. Diagrama esquemtico do ensaio de
absorve muita energia de deformao, ou ento, flexo.
se o comportamento frgil isto , se absorve
pouca energia de deformao.
MOR = 3. P. L
APLICAO: 2.b.d2
Depois de processos de tratamento trmico.
Para comprovar o envelhecimento do material.
MOR Modulo de ruptura (kgf/cm2)
P - Carga para romper (kgf)
L - Distancias entre os apoios (cm)
d - espessura do corpo de prova (cm)
b- largura do corpo de prova(cm)

6.6.5. Ensaio de Resistncia Compresso

definida com a tenso mxima que um corpo

de prova pode resistir quando submetido a
esforos de compresso. Este ensaio utilizado
principalmente para avaliar a resistncias de
Figura 3.12. Mquina de ensaio de Impacto tijolos, blocos e concreto.

A energia necessria para fraturar o corpo de P

prova (fig.6.12) dada por:
E= G (h1 - h2) Nm
Onde
E = energia em Nm
G = peso do martelo em N
h1 = posio inicial do pndulo
h2 = posio final do pndulo Corpo de
6.6.4. Ensaio de Resistncia Flexo
prova

Para os materiais frgeis, como os materiais

cermicos, a determinao das propriedades
mecnicas feita atravs dos ensaios de
resistncia flexo e compresso. Figura 6.13. Diagrama esquemtico do ensaio de
compresso.

52
 RC = P
A

RC- Resistncia a compresso (MPa)

P- Carga mxima de ruptura (N)
A- rea da seo transversal(m2)

Resistncia compresso lquida

RCL = Carga de ruptura

rea liquida do bloco

Resistncia compresso bruta

RCB = Carga de ruptura

rea bruta do bloco

53
7. PROPRIEDADES
ELTRICAS E TRMICAS
7.1. Propriedades Eltricas
Condutividade Eltrica (s):
movimento de cargas eltricas (eltrons ou ons)
de uma posio para outra.
s = 1/r= n.q.m
s= condutividade eltrica (ohm-1.cm-1)
r= resistividade eltrica (ohm.cm)
n= n de portadores de carga por cm3
q= carga carregada pelo portador (Coulomb) [q
do =1,6x10-19 C]
m= mobilidade dos portadores de carga (cm2/V.s)
R = r . l/A
Figura 7.1. Representao esquemtica de um
sistema para medir a resistividade eltrica.
A condutividade eltrica de um material depende:
Tipo de transportador de carga (q-carga)
Numero de condutor por unidades
volume(n).
Mobilidade do condutor(m).
s = n.q.m
7.1.2. Condutividade Eltrica nos Metais
Os eltrons de valncia no esto ligados a
nenhum tomo especfico (esto livres). H
atrao entre os eltrons livres (de valncia)
o e os ons positivos (ncleo mais eltrons de
valncia)
Os metais tm elevada condutividade eltrica,
devido os eltrons estar livres para moverem-
se (alta mobilidade).
7.1.3. Resistividade Eltrica nos Metais
A resistividade eltrica dos metais depende de
um componente trmica (rT) resultante das
vibraes dos eltrons e um componente
residual (rR) que devido a defeitos estruturais.
r = rT + rR
Efeito da temperatura na condutividade dos
metais:
A agitao trmica reduz o livre percurso mdio
dos eltrons, a mobilidade dos mesmos e como
conseqncia a condutividade.
de
ESTRUTURA PERFEITA A
BAIXA TEMPERATURA
MOVIMENTO DOS ELTRONS A MAIS
ALTA TEMPERATURA
Figura 7.2 Movimentao dos eltrons num
metal: (a) baixa temperatura,(b) alta temperatura
54
7.1.4. Efeito dos defeitos na condutividade dos 7.1.5. Condutividade eltrica nos materiais
metais inicos

A conduo eltrica nos slidos inicos

Os Defeitos nas estruturas cristalinas
dificultam a mobilidade dos eltrons,
diminuindo assim a condutividade eltrica.
A presena de tomos de soluto (intersticiais
e substitucionais), ir aumentar
possibilidade de colises entre os eltrons e
os tomos de soluto.
resultado da soma de duas contribuies: a
contribuio eletrnica e a contribuio
inica(mais importante).
As difuses dos ons dependem da
a existncia de defeitos puntiformes,
principalmente lacunas catinicas e aninicas
na rede cristalina

ri = Ne2D
kT

A condutividade eltrica nos compostos inicos

aumenta com o aumento da temperatura. Ao se
fundir um composto inico aumenta bruscamente
MOVIMENTO DOS ELTRONS
EM UMA ESTRUTURA COM IMPUREZAS
condutividade eltrica, devido a criaes de ons.

7.1.6. Condutividade eltrica nos materiais

Figura 7.3 Movimentao dos eltrons numa liga
com presena de tomos intersticiais.
A presena de defeitos na estrutura
(discordncias, contorno de gros etc) reduz a
condutividade pois aumentam o risco de
colises dos eltrons com o ncleo dos
tomos.
60
50
Resistividade Eletrica
covalentes
Nos compostos covalentes os eltrons esto
fortemente ligados aos tomos em cuja ligao
covalente intervm, e no esto livres para que
possam conduzir eletricidade. Para liberar um
eltron capaz de conduzir necessria uma
grande energia.
Os defeitos cristalinos e a temperatura
aumentam a condutividades eltrica dos
polmeros.
7.1.7. Materiais semicondutores

40 Tem resistividade entre metais e isolantes

30

20 10-6-10-4 W.cm 1010-1020 W.cm

10 EXEMPLOS DE SEMICONDUTORES
Silcio, Germnio (Grupo IV da Tabela
0 Peridica)
0 10 20 30 40 50 60 GaAs, GaN, InP, InSb, etc. (Grupo III-V da
Composio da Liga de CuNi (%Ni) Tabela Peridica)
PbS, CdTe, galena, (Grupo II-VI da Tabela
Figura 7.4. Resistividade eltrica de uma liga de Peridica)
cobre e nquel em funo da composio 95% dos dispositivos eletrnicos so
qumica. fabricados com Silcio
65% dos dispositivos de semicondutores do
grupo III-V so para uso militar
55
7.2. Propriedades Trmicas

Dilatao a -Coef.de dilatao linear (oC-1)

Condutividade DL- Dilatao linear ( m,mm )
Difusibilidade Trmica Lo Comprimento inicial
Resistncia ao Choque Trmico DT Variao de Temp. (oC)

7.2.1. Dilatao Trmica

0,008
A dilatao que a maioria dos materiais sofre por
ao do calor uma conseqncia do aumento dL/Lo
0,006
de sua energia interna, que implica em uma maior
amplitude das vibraes moleculares e, portanto,
0,004
um maior distanciamento entre seus constituintes
estruturais.
0,002

0
T1
a =0 tg q200 400 600 800 1000 1200
Lo
TEMPERATURA
T2
Figura 7.5. Curva de dilatao linear de um
DL material cermico contendo quartzo livre.

L
DL = Lo.a . (T2-T1)
L = Lo + DL
7.2.1.1 Dilatao Linear
Este aumento dimensional caracterstico de
cada material e expresso por um fator que
depende da temperatura, denominado coeficiente
de dilatao. Esse coeficiente pode referir-se ao
volume (coeficiente de dilatao volumtrico),
superfcie (coeficiente de dilatao superficial), ou
a uma dimenso (coeficiente de dilatao linear).
A variao dimensional de um material em
funo da temperatura praticamente linear
desde que no ocorram mudanas estruturais.
Entretanto, se durante seu aquecimento ocorrem
algumas transformao (modificaes
polimorficas, cristalizao ou devitrificao,
pontos de transio, etc.), estas aparecem na
curva dilatomtrica como uma mudana de
inclinao, sendo esta tanto mais pronunciada
quanto mais intensa for a transformao
O Coeficiente de Dilatao Linear depende:
Da fora de ligao atmica
Da compactao da Estruturas

7.2.1.2. Coeficiente de Dilatao Linear

7.2.1.3. Relao entre fora de ligao atmica
uma relao que expressa qual a variao X coeficiente de dilatao trmica:
dimensional que um material sofre quando
aquecido ou resfriado. Existe uma correlao entre o coeficiente de
dilatao e a energia de ligao (temperatura de
a = DL fuso), materiais com alta energia de ligao
Lo.DT apresentam coeficientes de ligaes trmicas
baixos.
Fora de ligao P. fuso

56
Tabela 7.1. Dilatao trmica e Ponto de fuso de
alguns metais q = - k. dT
dx
Coefiente Temperatura
-1
Material de dilatao(C ) de fuso (C)
Magnesio 26 x 10-6 650
Aluminio 23 x 10-6 660
q fluxo de calor (J/m2 ou W/M2)
-6 k condutividade trmica (W/m)
Prata 19 x 10 961
dt/dx- gradiente de temperatura no Meio
Ferro 13 x 10-6 1536 condutor
Platina 9 x 10-6 1769
Molibidenio 7 x 10-6
2610 7.2.2.1. Mecanismo de transporte de calor
Carbeto de W 5 x 10-6 2850
Nos slidos o calor pode ser transportado de
duas maneiras:
7.2.1.4. Relao entre fator de empacotamento
X coeficiente de ligao Pela movimentao de eltrons livres

Quanto maior o fator de empacotamento atmico, Por vibraes quantizadas da rede (fnons)
maior o coeficiente de dilatao, pois os tomos
esto mais prximos e conseqentemente a
repulso atmica maior. k = kf + ke

A condutividade total de um material a soma da

dl/lo ( 10-3 )

45
condutividade eletrnica mais a condutividade
40 pelas vibraes.
35
7.2.2.2. Conduo trmica nos metais
30
25 Nos metais a conduo de calor realizada
principalmente por eltrons livres.
20
15 ke >>> kf
10 Como na conduo eltrica os defeitos de
5 estrutura diminuem o livre caminho mdio dos
eltrons diminuindo assim a condutividade
0 trmica.
0 300 600 900 1200 1500 1800
Temperatura (C)
kao comum > k ao inox
Figura 7.6. Curva de dilatao linear de uma liga
de ferro.
7.2.2.3. Conduo trmica nos cermicos

7.2.2. Condutividade Trmica

Nos materiais cermicos por no
o fenmeno pelo qual calor transportado das apresentarem eltrons livres os
regies de maior temperatura para as regies de fnons(vibraes no reticulo) so os
menor temperatura. principais meios de conduo trmica
A propriedade que caracteriza a habilidade de
um material transferir calor a condutividade
trmica ( k ).
57
Irregularidades no reticulo cristalina afetam a
condutividade trmica, pois os defeitos difratam 7.2.4. Choque trmico (Resistncia a
os fnons (ondas). termoclasse)

kfonons >>> keletrons Quando um corpo slido aquecido ou resfriado,

o gradiente interno de temperatura ir depender
do seu tamanho, da taxa de variao de
kcristal > kvidro temperatura da difusibilidade trmica. Os
gradientes de temperatura ao longo de um corpo,
Exemplo: A alumina que um matria cermico causado pelo rpido aquecimento ou
altamente cristalino tem uma condutividade resfriamento causaro tenses internas
trmica em torno de 40W/m-K, enquanto o vidro provocadas por diferenas de retrao ou
um material amorfo tem condutividade abaixo de expanso trmica. A capacidade de resistir a
2,0W/m-K. O diamante material extremamente estas variaes bruscas de temperatura
cristalino possui uma condutividade superior a conhecido por choque trmico.
1400W/m-K.

7.2.2.4. Outros fatores que afetam a conduo RCT = h . S

trmica a.E

Temperatura RCT- resistncia ao choque trmico

Normalmente a condutividade decresce com h- Difusividade trmica
temperatura, com exceo nos materiais S- limite de resistncia
amorfos. a- dilatao trmica
Nos materiais metlicos a temperatura tem E- Modulo de elasticidade
pouca influencia na conduo.

Poros

A presena de poros reduz a condutividade

trmica dos materiais.

7.2.3. Difusividade trmica (h)

A difusibilidade trmica a propriedade que o

material possui em difundir calor no seu interior,
ela depende da: condutividade trmica,
capacidade calorfica e da densidade.

h= K K- condutividade trmica
Cp. r Cp- capacidade trmica
r- densidade
h- Difusividade trmica

58