Difusin para semiconductores.

Es el proceso mediante el cual los tomos se mueven de una regin de alta concentracin a una de baja a
travs del cristal semiconductor. En el proceso de manufactura la difusin es un mtodo mediante el cual se
introducen tomos de impurezas en el Silicio para cambiar su resistividad; por lo tanto, para acelerar el
proceso de difusin de impurezas se realiza a altas temperaturas (1000 a 1200 C), esto para obtener el perfil
de dopaje deseado. Las impurezas ms comunes utilizadas como contaminantes son el Boro (tipo p), el
Fsforo (tipo n) y el Arsnico (tipo n). Si la concentracin de la impureza es excesivamente fuerte, la capa
difundida tambin puede utilizarse como conductor.

Inter difusin para generar cupronqueles

El fenmeno de la difusin se puede demostrar mediante el par difusor formado por la unin de dos metales
(Cu y Ni) puestos en contacto a travs de las dos caras. Este par se calienta a elevada temperatura (por
debajo de la temperatura de fusin de ambos metales) durante un largo perodo de tiempo y luego se enfra a
temperatura ambiente.
Los tomos de cobre han migrado o difundido dentro del nquel y que el nquel ha difundido dentro del cobre.
Este proceso, en que los tomos de un metal difunden en el otro, se denomina inter difusin o difusin de
impurezas.

Difusin superficial para generar superconductores

Los procesos de difusin superficial incorporan especies qumicas las que consiguen, con o sin tratamientos
trmicos adicionales, incrementar las caractersticas de la capa superficial modificada.
El Vanadio-Galio (V3) se puede preparar mediante la difusin superficial, donde el componente de alta
temperatura como slido se baa en el otro elemento en estado lquido o gas.

Teora de bandas de energa

La conductividad vara enormemente entre aislantes y conductores. El cuociente de conductividades

entre los mejores conductores (como el cobre a bajas temperaturas) y los mejores aisladores
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Cu / aislador 10 representa el rango de valores ms amplio para una propiedad fsica de los slidos. La
enormidad de este rango constituye un fuerte indicio de que las propiedades de trasporte de carga no son
susceptibles de una explicacin basada en un modelo clsico. Como veremos a continuacin, una adecuada
explicacin para este fenmeno solo puede ser proporcionada por la mecnica cuntica.

La teora cuntica nos ensea que los tomos tienen niveles de energa discretos cuando estn aislados unos
de otros. Sin embargo, si consideramos una gran cantidad de tomos la situacin cambia dramticamente.
Realicemos un experimento imaginario en el que un conjunto de N tomos idnticos inicialmente aislados son
gradualmente acercados entre s para formar una red cristalina. Observaremos los siguientes cambios en la
estructura electrnica:
 Cuando los N tomos se encuentran muy prximos, las funciones de onda electrnicas se empiezan a
traslapar y la interaccin entre ellos ocasiona que cada nivel energtico se divida en N niveles con energas
ligeramente diferentes.
En un slido macroscpico, N es del orden de 1023 de modo que cada nivel se divide en un nmero muy
grande de niveles energticos llamados una banda. Los niveles estn espaciados casi continuamente dentro
de una banda.
Las bandas de energa, llamadas tambin bandas permitidas, se encuentran separadas unas de otras por
brechas, denominadas bandas prohibidas. El ancho de estas bandas depender del tipo de tomo y el tipo de
enlace en el slido. Las bandas se designan por las letras s, p, d etc. De acuerdo con el valor del momentum
angular orbital del nivel energtico al cual estn asociadas.

De acuerdo con el principio de exclusin de Pauli, si consideramos un cristal compuesto por N tomos, cada
banda podr acomodar un mximo de 2(2 l+1) N electrones, correspondientes a las dos orientaciones

del espn y a las 2l+1 orientaciones del momentum angular orbital.

Metales, semiconductores y aisladores

Las bandas asociadas con las capas completas internas en los tomos originarios tienen las cuotas exactas
de electrones que les permite el principio de exclusin de Pauli. En estas bandas los orbitales no sufren
alteraciones significativas y retienen su carcter atmico al formarse el slido. Sin embargo, la banda
correspondiente a la capa atmica ms externa, ocupada por los electrones de valencia, es la ms interesante
en lo que se refiere a las propiedades de los slidos. Si la banda ms externa no est completamente llena, se
denomina banda de conduccin. Pero, si est llena, se llama banda de valencia y la banda vaca que queda
inmediatamente encima de esta ltima recibe el nombre de banda de conduccin.
Estamos ahora en condiciones de definir los distintos tipos de materiales de acuerdo a sus propiedades de
trasporte de corriente elctrica:

Conductor es toda sustancia en que la energa del primer estado electrnico vaco se encuentra
inmediatamente adyacente a la energa del ltimo estado electrnico ocupado. En otros trminos, un
conductor es un material en el cual la ltima banda ocupada no est completamente llena.
Aislador es toda sustancia en que la energa del primer estado electrnico vaco se encuentra separada, por
una brecha finita, de la energa del ltimo estado electrnico ocupado.
Semiconductor es un material aislador en que el ancho de banda prohibida es menor que 1eV.

A fin de precisar nuestra definicin de semiconductor recordemos que a temperatura ambiente

(T 300 K ) la energa trmica transferida a un electrn de la red es del orden de K B T 0.025 eV Un
clculo estadstico que omitiremos muestra que esta energa es suficiente para que una pequea fraccin de
los electrones en la banda de valencia pueda saltar a la banda desocupada. Sin embargo, a temperatura

nula ningn electrn podr ocupar la banda superior. Por lo tanto, los semiconductores a T 0 K son
aisladores. Esto nos permite definir los semiconductores como aisladores de banda prohibida angosta. La
Figura 2 muestra esquemticamente las diferencias existentes entre las tres clases de slidos de acuerdo con
sus propiedades de transporte de carga.

Semiconductores extrnsecos
Hasta ahora slo hemos hablado acerca de materiales semiconductores naturales, los que definimos como
aisladores de banda prohibida angosta; ellos reciben el nombre de semiconductores intrnsecos. Sin embargo,
existe la posibilidad de disear y fabricar materiales con caractersticas elctricas especficas a la medida
agregando, de manera controlada, impureza a semiconductores. Este proceso de introduccin de impurezas
extraas se denomina dopado.
Consideremos los efectos de estas impurezas en el silicio (Si), uno de los semiconductores de uso ms
frecuente (vase la Figura 3). La configuracin electrnica del Si es [ Ne ] 3 s 2 3 p2 de modo que tiene
cuatro electrones de valencia. Para fijar ideas, veamos que sucede si remplazamos algunos de los tomos de
Si por tomos de fsforo (P) que tienen cinco electrones de valencia y cuya configuracin electrnica es
[ Ne ] 3 s 2 3 p3

Por cada tomo de P que se agrega aparece un estado electrnico nuevo y adicional en la banda prohibida.
Este nivel se ubica justo por debajo de la banda de conduccin del Si.
Cada tomo de P utiliza cuatro de sus cinco electrones de valencia para formar enlaces con cuatro tomos de
Si vecinos, quedando un electrn extra que necesita liberar para alcanzar su configuracin ms estable de
ocho electrones. La energa trmica es suficiente para que el electrn extra sea transferido a la banda de
+
conduccin dejando atrs un in positivo P inmvil.
Los tomos de P se llaman tomos dadores, y la conductividad elctrica en este tipo de semiconductores
implica fundamentalmente movimiento de electrones procedentes de los tomos dadores a travs de la banda
de conduccin. Este tipo de semiconductores se denomina de tipo-n, donde n se refiera a negativo, el tipo de
carga elctrica que transportan los electrones.
Reemplacemos ahora algunos tomos de Si por tomos de aluminio (Al) cuya configuracin electrnica es
[ Ne ] 3 s 2 3 p1 de manera que tiene tres electrones de valencia.
 Por cada tomo de Al que se agrega aparece un estado electrnico nuevo que se encuentra justo por encima
de la banda de valencia del Si.
Cada tomo de Al utiliza sus tres electrones de valencia para formar enlaces con tres tomos de Si vecinos.
La capa externa del Al tratar de capturar un electrn extra de la banda de valencia para conformar una capa
estable de ocho electrones.
Un electrn se trasfiere con facilidad desde la banda de valencia hasta el nivel aceptor formando un in
negativo inmvil. Cuando esto ocurre, se crea una vacante positiva en la banda de valencia. Debido a que en
este tipo de semiconductores la conductividad elctrica consiste fundamentalmente en la transferencia de
vacantes positivas, se les denomina semiconductores de tipo-p

APLICACIONES DE LOS SEMICONDUCTORES

Cuando un semiconductor de tipo n y otro de tipo p se unen del modo indicado en la Figura 4, las
concentraciones inicialmente desiguales de electrones y vacantes dan lugar a una trasferencia de electrones a
travs de la unin desde el lado p al n y de vacantes desde el lado n al p. Como resultado, se crea una doble
capa de carga en la unin semejante a la de un condensador de placas paralelas, siendo negativo el lado p y
positivo el lado n.
Existe por tanto una diferencia de potencial V a travs de la unin que tiende a inhibir una transferencia
posterior. La regin de la unin se llama regin de agotamiento porque est desprovista de portadores de
carga.
Establezcamos ahora una diferencia de potencial externa a travs de la unin pn mediante una batera.
Cuando el terminal (+) de la batera se conecta al lado p de la unin como se muestra en la Figura 5, se dice
que la unin est sometida a una polarizacin directa. Este tipo de polarizacin disminuye el potencial a travs
de la unin. La transferencia de electrones y vacantes se incrementa, por tanto, en un intento de restablecer el
equilibrio, dando lugar a una corriente en el circuito.
Si el terminal (+) de la batera se conecta al lado n de la unin, como se ilustra en la Figura 5, se dice que la
unin est inversamente polarizada. La polarizacin inversa tiende a incrementar la diferencia de potencial a
travs de la unin, inhibiendo, por tanto, la transferencia posterior. Esencialmente, la unin conduce en una
sola direccin.
Bibliografa
http://www6.uniovi.es/usr/fblanco/Tema5.Difusion.ProcesamientoMaterialesCeramicos.pdf
http://ocw.uc3m.es/ciencia-e-oin/tecnologia-de-materiales-industriales/material-de-clase-1/Tema4-Difusion.pdf
http://www4.ujaen.es/~egimenez/FUNDAMENTOSFISICOS/semiconductores.pdf