Professional Documents
Culture Documents
Define-se material intrnseco como sendo o cristal com elevado nvel de pureza formado por
tomos com quatro eltrons na camada de valncia. Neste cristal todos os tomos possuem
quatro ligaes covalentes com seus tomos vizinhos. Dessa forma cada tomo passa a ter 8
eltrons na ultima camada. Nenhum eltron sobra ou falta, pois todos pertencem a dois
tomos de semicondutor.
O material do tipo p formado pela dopagem de um cristal puro com tomos de impureza que
possuem trs eltrons de valncia. Agora o nmero de eltrons insuficiente para completar
as ligaes covalentes da trelia recm-formada. O espao vazio resultante chamado de
lacuna. A lacuna resultante aceitar prontamente um eltron livre
Num material isolante existe uma grande banda de energia entre a banda de conduo e a
banda de valncia denominada banda proibida. Deste modo, necessria uma grande
quantidade de energia para um eltron passar da banda de valncia para a banda de conduo
e a temperatura ambiente pouqussimos eltrons estaro disponveis para conduzir corrente
eltrica.
No material condutor existe uma sobreposio das bandas de valncia e de conduo, assim
todos os eltrons da banda de valncia j esto na banda de conduo de forma que, ao
ficarem sujeitos a um campo eltrico, facilmente se deslocam pelo metal, constituindo uma
corrente eltrica.
J o material semicondutor tem uma banda proibida de valor intermedirio de modo que a
temperatura ambiente alguns eltrons estaro disponveis para a conduo de corrente
eltrica.
????
Se um potencial externo de V volts for aplicado juno p-n de modo que o terminal positivo
seja ligado ao material do tipo n e o terminal negativo ao material do tipo p, o nmero de ons
positivos descoberto na regio de depleo do material do tipo n aumentar devido ao grande
nmero de eltrons livres atrados para o potencial positivo da tenso aplicada. Por razes
semelhantes, o nmero de ons negativos descoberto aumentar no material do tipo p.
Nos diodos zener ocorre a mesma coisa, porm esse componente semicondutor fortemente
dopado o que torna a tenso de ruptura (Vz) bem menor que nos diodos convencionais, da
mesma forma a rea da juno aumentada o que facilita a dissipao da potncia.
Ao polarizar um diodo zener com uma tenso reversa igual a Vz h o rompimento das ligaes
covalentes no semicondutor, esse efeito se chama ruptura zener e depende do grau de
dopagem do material semicondutor.
Com o aumento da tenso reversa sobre o diodo tambm h um aumento da velocidade das
cargas eltrica no semicondutor. Esse aumento de velocidade faz com que os choques dos
eltrons livres contra a rede cristalina produzem energia suficiente para libertar eltrons da
camada de valncia (ionizao). O Eltron que foi libertado tambm acelerado libertando
outros eltrons, isso da origem a uma reao em cadeia conhecida como efeito avalanche.
11) Explique porque a dopagem de um cristal de silcio altera sua resistividade.
1
=
q(p.p + n.n)
= resistividade
q mdulo da carga eltrica do eltron
n concentrao de eltrons livres
p concentrao de lacunas
n mobilidade dos eltrons livres (1350 cm2/(V.s))
p mobilidade das lacunas (500 cm2/(V.s))