Repblica Bolivariana de Venezuela

Universidad Nacional Experimental Politcnica

Vicerrectorado Barquisimeto

Integrantes:

ngela Arenas
Gnesis Brizuela
Isamar Gonzlez
Luis Snchez
Ma. Valentina Cordero
Marianny Rodrguez
Marianny Snchez
Michelle Crespo

1. estado slido
 Los slidos se caracterizan por tener forma y volumen constantes. Esto se debe a que
las partculas que los forman estn unidas por unas fuerzas de atraccin grandes de modo
que ocupan posiciones casi fijas.
En el estado slido las partculas solamente
pueden moverse vibrando u oscilando alrededor de
posiciones fijas, pero no pueden moverse
trasladndose libremente a lo largo del slido.
Las partculas en el estado slido propiamente
dicho, se disponen de forma ordenada, con una
regularidad espacial geomtrica, que da lugar a
diversas estructuras cristalinas.
Al aumentar la temperatura aumenta la vibracin
de las partculas

- Tipos de Slidos
Cristales Inicos: El cristal est formado por iones positivos y negativos unidos entre s
mediante fuerzas de naturaleza electrosttica.
Hay que decir que este tipo de cristal son malos
conductores del calor y de la electricidad ya que
carecen de electrones libres. Pero cuando el cristal es
sometido a una temperatura elevada los iones adquieren
movilidad y aumenta su conductividad elctrica.
Ejemplos: KCl, CsCl, ZnS y CF2

Cristales Moleculares: Son sustancias cuyas molculas

son no polares, la caracterstica fundamental de este
tipo de cristal es que las molculas estn unidas por las
denominadas fuerzas de Van der Waals; estas fuerzas
son muy dbiles y correspondes a fuerzas de dipolos elctricos.
Su conductividad es nula; es decir no son conductores ni
del calor y la electricidad y son bastante deformables.
Ejemplos: el yodo (I2), la sacarosa (C12H22O11) y el naftaleno
(C12H10)

Slidos de Redes Covalentes:Los tomos que forman estas sustancias estn unidos por
una red continua de enlaces covalentes, formando lo que se denomina una red cristalina.
Entre las sustancias que forman slidos de red covalente se encuentran tanto elementos, por
ejemplo el diamante (C), como compuestos, por ejemplo el cuarzo (SiO2).
Son muy duros.
Tienen elevado punto de fusin, con frecuencia alrededor de 1.000 C o mayores.
Esto es debido a que para fundir el slido, deben romperse los fuertes enlaces covalentes
entre sus tomos. Los slidos de este tipo son notablemente diferentes de los slidos
moleculares, que tienen puntos de fusin mucho ms bajos.
Son insolubles en todos los disolventes
comunes. Para que se disuelvan, tienen que romperse
los enlaces covalentes de todo el slido.
Son malos conductores de la electricidad. En la mayora
de las sustancias de red covalente no hay electrones
mviles que puedan transportar una corriente.

Cristales Metlicos: Los materiales metlicos pueden estar constituidos por elementos
metlicos puros o combinaciones de ellos (aleaciones), pero tambin pueden contener
pequeas proporciones de elementos no metlicos.
Son buenos conductores del calor y de la electricidad. Son opacos a la luz visible y sus
superficies pulidas son altamente reflectantes (brillo metlico). Son resistentes, aunque
deformables, lo que los convierte en excelentes
candidatos para las aplicaciones estructurales. Algunos
de ellos tienen interesantes propiedades magnticas
(imanes permanentes, ncleos de transformadores, etc.).
La tendencia a la cristalizacin de los materiales
metlicos es muy elevada, por lo que en general su
estructura atmica es ordenada. Slo si se someten a
velocidades de enfriamiento muy severas puede
invertirse esta tendencia y obtenerse un metal amorfo.

2. Propiedades de los Slidos

 - Macroscpicas:
Es aquella propiedad que se puede distinguir a simple vista.
Macroscpicamente, la materia msica se presenta en el sistema solar, en uno de cuatro
estados de agregacin molecular: slido, lquido, gaseoso y plasma (se puede considerar
como una forma especial del estado gaseoso)

Slidos
Forma Tiene forma propia
Volumen Tiene volumen propio
Compresibili Casi no se pueden comprimir
dad
Dilatacin Se dilatan muy poco
- Densidad Poseen elevada densidad
Clasificacin de los Slidos:
Las propiedades macroscpicas de un slido estn determinadas por su estructura a
nivel molecular.
Para determinar el arreglo de los tomos en los compuestos slidos y para medir
las longitudes y los ngulos del enlace, se utiliza la difraccin de rayo x.
El fenmeno de difraccin es la interferencia entre las ondas que se generan
cuando hay un objeto en su trayecto.
La difraccin ocurre cuando la longitud de onda () de la radiacin es comparable
con los espacios caractersticos dentro del objeto que causa la difraccin.

- Microscpicas:
Todo aquello que no se puede ver a simple vista y que para poder verlo es necesario
aumentar la forma de verlo mediante un microscopio. Segn esta definicin un cuerpo es
microscpico cuando solo es posible verlo mediante un microscopio.
Una manera de diferenciar a los slidos es clasificarlos en cristalinos y amorfos.

Slidos Cristalinos: los iones, tomos o molculas que lo componen tienen un orden de
largo alcance y forman una red cristalina. Sus propiedades fsicas son anisotrpicas y tienen
un punto de fusin definido.

Slidos Amorfos: No tienen orden de largo alcance y sus propiedades fsicas son
isotrpicas y no tienen un punto de fusin definido.
Propiedades Microscpicas de los slidos
Partculas muy juntas, vibran en posicin fija.
Fuerza de atraccin intermolecular intensas.
Las partculas de los slidos se presentan fuertemente unidas unas a otras. Por ello estas
partculas no pueden desplazarse y slo pueden vibrar en torno a sus posiciones de
equilibrio.

3. Leyes que Rigen el Comportamiento de Solidos

El comportamiento de los slidos parte de varios hombres quienes implementaron ciertas
reglas o leyes.
- Leyes de Fick: la velocidad con que se difunden los tomos, iones, partculas u
otras especies en un material se puede medir con el flujo J. lo que interesa
principalmente es la difusin de iones o tomos. El flujo J se define como la
cantidad de tomos que
atraviesan un plano o un rea
unitaria por unidad de tiempo

Primera Ley de Fick:

Explica el flujo neto de tomos:
dc
J =D
dx
2

Donde J es el flujo, D es la difusividad o coeficiente de difusin ( )

cm y
s (dcdx )
es el gradiente de concentracin (cmatomos
3
. cm) . El signo negativo, hace el gradiente de

concentracin negativo e indica que se difunde es de concentraciones de mayores a

menores.
La energa trmica causa el movimiento aleatorio de los tomos. A escala
microscpica, la fuerza termodinmica impulsora de la difusin es el gradiente de la
concentracin.

Segunda Ley de Fick:

Describe la difusin dinmica, o estado no estacionario, de los tomos, la ecuacin
diferencial es:
c c
=
t x (D
x )
 Se puede plantear una versin simplificada de la segunda ley de Fick, tomando en
cuenta que el coeficiente de difusin D no es una funcin de la ubicacin x ni de la
concentracin (c) de la que se difunde, tenemos que:

c 2

t x( )
=D c2

Composicin

Difusin de tomos en la superficie de un material, para ilustrar la aplicacin de la

segunda ley de Fick.

La solucin de esta ecuacin depende de las condiciones a la frontera para un caso

particular. Una solucin es:
CsCx x
CsCo
=erf (
2 Dt )
En donde Cs es una concentracin constante de los tomos que se difunden en la
superficie del material.
Co es la concentracin inicial uniforme de los tomos que se difunden en el material.
Cx es la concentracin del tomo que se difunde en el lugar x debajo de la superficie,
despus del tiempo t.

De lo explicado anteriormente se ha supuesto, en forma bsica, un modelo

unidimensional; es decir, se supone que los tomos u otras especies que se difunden slo se
mueven en la direccin de x. la funcin erf es la funcin de error y se puede evaluar en la
siguiente tabla
Valores de la funcin de error para la segunda ley de Fick
Argumento de Valor de la
funcin
la funcin de error de
error
x x
2 Dt erf 2 Dt

0
0
0.10
0.1125
0.20
0.2227
0.30
0.3286
0.40
0.4284
0.50
0.5205
0.60
0.6039
0.70
0.6778
0.80
0.7421
0.90
0.7970
1.00
0.8427
1.50
0.9661
2.00
0.9953

Tngase en cuenta que los valores de la

funcin
De error se encuentran en muchos paquetes
 de
Programa en las computadoras personales

- Ley de Bragg

Cuando los rayos X son dispersados por una red cristalina, se observan picos de
intensidad dispersada, que corresponden a las siguientes condiciones:

a. El ngulo de incidencia = ngulo de dispersin.

b. La diferencia de longitud de trayectorias es igual a un nmero entero de longitudes
de onda.
La condicin de mxima intensidad contenida en la ley de Bragg de arriba, nos permite
calcular detalles sobre la estructura cristalina, o si se conoce la estructura cristalina,
determinar la longitud de onda del rayo X incidente sobre el cristal.
 Para una longitud de onda = 0.0709 nm y orden N = 1
Un espaciamiento de red de d= 0.04627668840682928 nm
Dara la mxima difraccin a = 50 grados

Este desarrollo est diseado para calcular la longitud de onda, la separacin de los planos
de cristal o el ngulo de difraccin.

- Ley de Schmidt
Podemos comprender el comportamiento de los metales que tienen estructuras
cristalinas distintas examinando la fuerza que se requiere para iniciar el proceso de
deslizamiento. Suponga que aplicamos una fuerza unidireccional F a un cilindro de metal
que est formado por un solo cristal. Podemos orientar el plano y la direccin de
deslizamiento respecto a la fuerza aplicada definiendo los ngulos y , es el ngulo
entre la direccin de deslizamiento y la fuerza aplicada y es el ngulo entre la
perpendicular al plano de deslizamiento y la fuerza aplicada.

Para que la dislocacin se mueva en este sistema de deslizamiento, la fuerza aplicada debe
producir una fuerza cortante actuando en la direccin del deslizamiento. Esta fuerza
resultante F est dada por:
Fr=Fcos

Si dividimos la ecuacin entre el rea del plano de deslizamiento, A=A0/cos obtendremos

la ley de Schmidt:
 =cos cos

Donde:

Fr F
= =
A A0

4. Estructuras Cristalinas a Escala Atmica y Molecular

- Redes Cristalinas:
La red cristalina est formada por iones de signo opuesto, de manera que cada uno crea
a su alrededor un campo elctrico que posibilita que estn rodeados de iones contrarios.
Los slidos cristalinos mantienen sus iones prcticamente en contacto mutuo, lo que
explica que sean prcticamente incompresibles. Adems, estos iones no pueden moverse
libremente, sino que se hallan dispuestos en posiciones fijas distribuidas desordenadamente
en el espacio formando retculos cristalinos o redes espaciales. Los cristalgrafos clasifican
los retculos cristalinos en siete tipos de poliedros llama sistemas cristalogrficos. En cada
uno de ellos los iones pueden ocupar los vrtices, los centros de las caras o el centro del
cuerpo de dichos poliedros. El ms sencillo de stos recibe el nombre de celdilla unidad.
Uno de los parmetros bsicos de todo cristal es el llamado ndice de coordinacin
que podemos definir como el nmero de iones de un signo que rodean a un ion de signo
opuesto. Podrn existir, segn los casos, ndices diferentes para el catin y para el anin.
El ndice de coordinacin, as como el tipo de estructura geomtrica en que
cristalice un compuesto inico dependen de dos factores:
Tamao de los iones. El valor del radio de los iones marcar las distancias de equilibrio a
que stos se situarn entre s por simple cuestin de cabida en un espacio de la red.
Carga de los iones. Se agruparn los iones en la red de forma que se mantenga la
electroneutralidad del cristal.

El ejemplo del cloruro de sodio vemos que la relacin de cargas anin-catin es 1:1,
observndose adems que el ion Cl- podra rodearse de 12 iones Na+ puesto que la relacin
de tamaos as lo permite. Pero como alrededor de cada ion Na+ slo caben 6 iones Cl-,
este valor mnimo ser el que limite el nmero de iones de un signo que rodearn a uno del
otro (I.C. = 6).
As, se formar una estructura de red cbica centrada en las caras cuya frmula debiera ser
NanCln, y que por simplicidad se escribe NaCl.

- Celda unitaria:
 Se define como celda unitaria, la porcin ms simple de la estructura cristalina que al
repetirse mediante traslacin reproduce todo el cristal. Todos los materiales cristalinos
adoptan una distribucin regular de tomos o iones en el espacio.
La estructura atmica influye en la forma en que los tomos se unen entre s; esto
adems nos ayuda a comprender la clasificacin de los materiales como metales,
semiconductores, cermicos y polmeros y nos permite llegar a ciertas conclusiones
generales referentes a propiedades mecnicas y comportamiento fsico de estas cuatro
clases de materiales.
La estructura electrnica del tomo, que queda descrita por cuatro nmeros cunticos
ayuda a determinar la naturaleza de los enlaces atmicos y las propiedades fsicas y
mecnicas de los materiales.

Tipo P: Se denomina primitiva y tiene puntos de red en los vrtices de la celda.

Tipo I: Red centrada en el interior. Esta presenta puntos de red en los vrtices de la celda y
en el centro de la celda.
Tipo F: Red centrada en todas las caras. Presenta puntos de red en los centros de todas las
caras, as como en los vrtices.
Tipo C: Red centrada en la base. Una red tipo C se refiere al caso en el que la simetra
traslacional coloca puntos de red en los centros de las caras delimitados por las direcciones
A y B as como en el origen.

- Redes de Bravals:
En geometra y cristalografa las redes de Bravals son una disposicin infinita de puntos
discretos cuya estructura es invariante bajo cierto grupo de traslaciones. En la mayora de
casos tambin se da una invariancia bajo rotaciones o simetra rotacional. Estas propiedades
hacen que desde todos los nodos de una red de Bravals se tenga la misma perspectiva de la
red. Se dice entonces que los puntos de una red de Bravals son equivalentes.
De la combinacin de los 7 sistemas cristalinos con los 4 tipos de celdas unitarias,
respetando las reglas de simetra, se obtienen 14 redes de Bravals.
De la combinacin de las 14 redes de Bravals y todos losposibles elementos de
simetra se obtienen 230 grupos espaciales tridimensionales que las estructuras cristalinas
pueden adoptar.
Un ejemplo de este tipo de sistema cristalino es el que forma el cloruro de cesio (CsCl). Si
en vez de colocar un tomo en el centro del cubo lo colocamos sobre las caras tenemos una
estructura FCC o FaceCenteredCubic. Un ejemplo es el cloruro sdico (NaCl) o sal comn.

5. Estructuras Cristalinas Comunes y Sistemas de Cristalizacin:

 a. Estructuras de empaquetamiento compacto.

Empaquetamiento compacto
Es el arreglo ms eficiente de esferas de denomina empaquetamiento compacto, y
puede darse de dos formas diferentes:
Estructura hexagonal compacta (hcp)
Estructura cbica compacta (que no es ms que la cbica centrada en las caras
ccp).

Estructura hexagonal compacta.

Esta estructura est determinada por un tomo en cada uno de los vrtices de un
prisma hexagonal, un tomo en las bases del prisma y tres tomos dentro de la celda
unitaria.
Cada tomo est rodeado por doce tomos y estos estn en contacto segn los lados
de los hexgonos bases del prisma hexagonal.

Si observamos la primera imagen, que representa

una estructura hexagonalcompacta, se observa que a partir
de la primera capa, la segunda se ubica en los huecos de

sta. Luego la
tercera capa
se ubica de
tal manera que cada

esfera quede

directamente sobre una esfera de la primera capa (la primera y la tercera capa se
ubican de la misma manera ABA).
Los metales que cristalizan en esta forma de estructura son: titanio, magnesio, cinc, berilio,
cobalto, circonio y cadmio.

Estructura cbica centrada en las caras.

Cada tomo est rodeado por doce tomos adyacentes y los tomos de las caras
estn en contacto.

Est constituida por un tomo en cada vrtice y un tomo en cada cara del cubo.

En la segunda imagen se representa una estructura cbica compacta.

Nuevamente la segunda capa se ubica en los huecos de la primera
capa. Pero en esta oportunidad, la tercera capa se ubica en los huecos
que estn directamente sobre la primera capa de esferas (ABC).

Los metales que cristalizan en esta estructura son: hierro gama, cobre, plata, platino, oro,
plomo y nquel.

Para ambas estructuras cada esfera est en contacto con otras doce esferas; es decir, que
tiene un nmero de coordinacin de doce (cada esfera est en contacto con seis esferas de
su misma capa, tres de la capa superior y tres de la inferior). Como se dijo, son las formas
ms eficientes de empacar esferas idnticas en una celda unitaria, por lo que no es posible
aumentar el nmero de coordinacin ms all de doce.

b. Estructuras relacionada con las redes de empaquetamiento compacto.

Redes espaciales de Bravals:14 celdas unidad estndar pueden describir todas las unidades
reticulares posibles de puntos equivalentes en una red tridimensional. La estructura
cristalina se especifica indicando la adecuada malla de Bravals y las posiciones de los
tomos en la celda unitaria.

Los nudos de las distintas celdillas, sealados por bolitas negras en las figuras de las redes
de Bravals, son todos equivalentes y no estn ocupados necesariamente por un nico
tomo. En determinados materiales cada nudo puede tener asociado una molcula, un grupo
de tomos, o incluso, un grupo de molculas. Esto es particularmente frecuente en el caso
de materiales cermicos y polimricos.

Al tomo, molcula o grupo de tomos o de molculas que se debe asociar a cada nudo de
la red para reproducir todo el cristal se lo denomina base o motivo. As pues,
una estructura cristalina real un cristal se construye colocando una base en cada una
de las posiciones marcadas por la red de Bravals correspondiente (o sea en sus nudos). Es
decir, los trminos red y estructura no son sinnimos y no deberan confundirse,
aunque es relativamente frecuente verlos empleados de modo incorrecto.

Esquemticamente, podemos resumir esta idea diciendo

que estructura cristalina = red espacial + base.

Los conceptos de red espacial, base y estructura cristalina, particularizados para una
estructura cbica simple tomada como ejemplo

c. Ordenamiento de empaquetamiento local.

En los materiales cristalinos, las partculas componentes muestran

un ordenamiento regular que da como resultado un patrn que se repite en las tres
dimensiones del espacio, y a lo largo de muchas distancias atmicas. Los slidos cristalinos
poseen internamente un orden de largo alcance. La situacin en un cristal es tal que el
entorno de un determinado tipo de tomo siempre es el mismo (los mismos tomos vecinos
y a idnticas distancias).
 En los materiales amorfos, los tomos siguen un ordenamiento muy localizado,
restringido a pocas distancias atmicas y que, por tanto, no se repite en las tres dimensiones
del espacio. Se habla de un orden local o de corto alcance. En la siguiente figura se ilustran
los conceptos de largo y corto alcance, en un esquema bidimensional.

Ilustracin de los conceptos: (izq.) de orden de largo alcance y (dcha.) de corto alcance.
Obsrvese cmo en este ltimo el orden slo se restringe a ciertas zonas. Los puntos
pueden representar un tomo, una molcula o un grupo de tomos o molculas.

6. Defectos de las Estructuras Cristalinas

- Defectos De Puntos (Puntos Defectuosos):

Defectos de puntos: Los defectos puntuales son discontinuidades de la red que involucran
uno o quiz varios tomos. Estos defectos o imperfecciones, pueden ser generados en el
material mediante el movimiento de los tomos al ganar energa por calentamiento; durante
el procesamiento del material; mediante la introduccin de impurezas; o intencionalmente a
travs de las aleaciones.

Huecos: Un Hueco se produce cuando falta un tomo en un sitio normal. Las vacancias se
crean en el cristal durante la solidificacin a altas temperaturas o como consecuencia de
daos por radiacin. A temperatura ambiente aparecen muy pocas vacancias, pero stas se
incrementan de manera exponencial conforme se aumenta la temperatura.

Defectos intersticiales: Se forma un defecto intersticial cuando se inserta un tomo

adicional en una posicin normalmente desocupada dentro de la estructura cristalina. Los
tomos intersticiales, aunque mucho ms pequeos que los tomos localizados en los
puntos de la red, an as son mayores que los sitios intersticiales que ocupan; en
consecuencia, la red circundante aparece comprimida y distorsionada. Los tomos
intersticiales como el hidrgeno a menudo estn presentes en forma de impurezas; los
tomos de carbono se agregan al hierro para producir acero. Una vez dentro del material, el
nmero de tomos intersticiales en la estructura se mantiene casi constante, incluso al
cambiar la temperatura.

Defectos sustitucionales:Se crea un defecto sustitucional cuando se remplaza un tomo por

otro de un tipo distinto. El tomo sustitucional permanece en la posicin original. Cuando
estos tomos son mayores que los normales de la red, los tomos circundantes se
comprimen; si son ms pequeos, los tomos circundantes quedan en tensin. En cualquier
caso, el defecto sustitucional distorsiona la red circundante. Igualmente, se puede encontrar
el defecto sustitucional como una impureza o como un elemento aleante agregado
deliberadamente y, una vez introducido, el nmero de defectos es relativamente
independiente de la temperatura.

- Defectos De Lnea: (Dislocaciones):

Defectos Lineales o Dislocaciones:Las dislocaciones son imperfecciones lineales en una

red que de otra forma sera perfecta. Generalmente se introducen en la red durante el
proceso de solidificacin del material o al deformarlo. Aunque en todos los materiales hay
dislocaciones presentes, incluyendo los materiales cermicos y los polmeros, son de
particular utilidad para explicar la deformacin y el endurecimiento de los metales.
Podemos identificar dos tipos de dislocaciones: la dislocacin de tornillo y la dislocacin
de borde.

Dislocacin de tornillo:La dislocacin de tornillo se puede ilustrar haciendo un corte

parcial a travs de un cristal perfecto, torcindolo y desplazando un lado del corte sobre el
otro la distancia de un tomo.
Dislocaciones de borde:Una dislocacin de borde se puede ilustrar haciendo un corte
parcial a travs de un cristal perfecto, separndolo y rellenando parcialmente el corte con
un plano de tomos adicional. El borde inferior de este plano adicional representa la
dislocacin de borde.

Dislocaciones mixtas:Las dislocaciones mixtas tienen componentes tanto de borde como

de tornillo, con una regin de transicin entre ambas. El vector de Burgers, sin embargo, se
conserva igual para todas las porciones de la dislocacin mixta.

- Importancia de las Dislocaciones:

Aunque en algunos materiales cermicos y polmeros puede ocurrir deslizamiento, el
proceso de deslizamiento es de particular utilidad para entender el comportamiento
mecnico de los metales.
En primer trmino, el deslizamiento explica por qu la resistencia de los metales es mucho
menor que el valor predecible a partir del enlace metlico. Si ocurre el deslizamiento, slo
es necesario que se rompa en algn momento una pequea fraccin de todas las uniones
metlicas a travs de la interface, por lo que la fuerza requerida para deformar el metal
resulta pequea.
Segundo, el deslizamiento le da ductilidad a los metales. Si no hay dislocaciones
presentes, una barra de hierro sera frgil; los metales no podran ser conformados
utilizando los diversos procesos, que involucran la deformacin para obtener formas tiles,
como la forja.
En tercer lugar, controlamos las propiedades mecnicas de un metal o aleacin al
interferir el movimiento de las dislocaciones. Un obstculo introducido en el cristal
impedir que en una dislocacin se deslice, a menos que apliquemos mayor fuerza. Si es
necesario aplicar una fuerza superior, entonces el metal resulta ser ms resistente. Estos
obstculos pueden ser defectos puntuales o borde de grano.
En cuarto lugar, se puede prevenir el deslizamiento de las dislocaciones achicando el
tamao de grano o introduciendo tomos de diferente tamao, que son las aleaciones.

- Defectos De Plano: (superficies externas y limite de grano)

Defectos De Superficie:

Modelo de cristalizacin en la solidificacin de metales

 La estructura final resultante est constituida por un
agrupamiento de granos o cristales de forma irregular pero
guardando cada uno una orientacin fija y bien
determinada.

Los defectos de superficie son las fronteras o planos

que separan un material en regiones de la misma estructura cristalina pero con
orientaciones cristalogrficas distintas, y la superficie externa de un material. En las
superficies externas del material la red termina de manera abrupta. Cada tomo de la
superficie ya no tiene el mismo nmero de coordinacin y se altera el enlace atmico.
Asimismo, la superficie puede ser muy spera, contener pequeas muescas y quiz ser
mucho ms reactiva que el interior del material. En lquidos, los tomos en la superficie
tienen mayor energa porque no tienen todos sus tomos vecinos. Esto hace que al tratar de
minimizar la energa se tiende a reducir el nmero de tomos en esta condicin, por lo tanto
tienden a reducir la superficie respecto al volumen, esto geomtricamente corresponde a
una esfera.

- Cristalizacin:

El crecimiento de los cristales que se inicia en los

centros o ncleos de cristalizacin en el metal lquido, no puede
ser uniforme a causa de los diferentes factores de la
composicin del metal, la velocidad de enfriamiento y las
interferencias que se producen entre ellos mismos durante el
proceso de crecimiento.

- Limites de Grano:

La microestructura de la mayor parte de los materiales est formada por muchos

granos. Un grano es una porcin del material dentro del cual el arreglo atmico es idntico.
Sin embargo, la orientacin del arreglo atmico, o de la estructura cristalina, es distinta
para cada grano. En la figura se muestran de manera esquemtica tres granos; la red de cada
uno de ellos es idntica pero estn orientados de manera distinta. La frontera de grano, que
es la superficie que separa los granos, es una zona estrecha en la cual los tomos no estn
correctamente espaciados. Esto quiere decir que, en algunos sitios, los tomos estn tan
cerca unos de otros en la frontera de grano que crean una
regin de compresin y en otras reas estn tan alejados
que crean una regin de tensin.

FIGURA: Los tomos cerca de las fronteras

de los tres granos no tienen un

espaciamientoo arreglo de equilibrio.

Un mtodo para controlar las propiedades de un material es controlando el tamao de los

granos. Reduciendo el tamao de stos se incrementa su nmero y, por tanto, aumenta la
cantidad de fronteras de grano. Cualquier dislocacin se mover solamente una distancia
corta antes de encontrar una frontera de grano, incrementando as la resistencia del metal.
Se puede relacionar el tamao de grano con la tensin de fluencia del material. Los lmites
de grano tienen una influencia importante sobre las propiedades del metal, su nmero y
tamao esta en funcin de la tasa de enucleacin y los ndices de crecimiento de este. Una
vez que el metal se ha solidificado, se puede modificar el tamao y numero de granos, ya
sea por deformacin o tratamiento trmico, lo cual permitir que sus propiedades
mecnicasvaren considerablemente, la siguiente ecuacin muestra su influencia en el
esfuerzo de cedencia:

= K1 + K2/ D - 2

Donde es el esfuerzo de Cedencia; K1 y K2 corrientes del Material; D es el tamao del

Grano.

7. Propiedades trmicas de los slidos

- Propiedades Trmicas de los Materiales:

La temperatura es un factor externo de enorme importancia, ya que afecta a
prcticamente todas las caractersticas de los materiales. Las propiedades mecnicas,
elctricas o magnticas sufren importantes cambios cuando la temperatura vara, por lo que
los efectos trmicos sobre estas propiedades debern tenerse en cuenta siempre a la hora de
dimensionar o seleccionar el material idneo.
En efecto, cuando un slido recibe energa en forma de calor, el material absorbe calor,
lo transmite y se expande. Estos tres fenmenos dependen respectivamente de tres
propiedades caractersticas del material: la capacidad calorfica o su equivalente calor
especfico, de su conductividad trmica y de su coeficiente de dilatacin. Analizaremos por
separado cada uno de ellos.

- Capacidad Calorfica y Calor Especfico:

Se define la capacidad calorfica o capacidad trmica molar como la energa necesaria para
hacer variar en 1 K la temperatura de un mol de material. En los slidos se trabaja
usualmente con el valor Cp, definido como al capacidad calorfica a presin constante.
Desde el punto de vista de la ingeniera de materiales es ms usual trabajar con el
concepto de calor especfico a presin constante Ce, que se define como la energanecesaria
para hacer variar en 1 K la temperatura de un gramo del material. La relacin entre Ce y
Cp viene dada por:

(Siendo Pa el peso atmico del material).

- Dilatacin Trmica:
Al aumentar la temperatura, los tomos vibran con mayor amplitud alrededor de su
posicin de equilibrio, provocando un incremento en la distancia interatmica d0de
equilibrio, y por tanto haciendo aumentar las dimensiones del material.
El cambio de dimensin dL por unidad de longitud y por grado centgrado (o
absoluto) de temperatura est dado por la expresin:

(Donde a se define como el coeficiente de expansin trmica o coeficiente de dilatacin).

El conocimiento del coeficiente de expansin trmica o coeficiente de dilatacin
permite determinar los cambios dimensionales que sufre el material como consecuencia de
un cambio en su temperatura.

La determinacin experimental del coeficiente de dilatacin correspondiente a un

material en un rango de temperaturas dado se realiza con ayuda de un dilatmetro. Los
fundamentos de la dilatometra y los registros caractersticos se presentaron en la unidad
correspondiente a las transformaciones isotrmicas de la austenita, como herramienta para
la determinacin de cambios de fases en estado slido.

- Conductividad Trmica:
La conductividad trmica k es una propiedad de los materiales que determina la
velocidad a la que el calor se transmite en el material, siendo un factor de mxima
importancia en aplicaciones que involucren la transferencia de calor: moldes de
solidificacin, intercambiadores, pantallas aislantes, etc.
La ecuacin fundamental que regula el flujo de calor Q por unidad de tiempo a
travs de una seccin A, cuando existe un gradiente de temperatura dT/dx, viene dada por
la expresin, ya conocida por fsica fundamental:

- Ley de Distribucin de Boltzmann

La distribucin de Boltzmann o distribucin de Maxwell-Boltzmann es una distribucin
de probabilidad de las velocidades de un gas asociada a la estadstica de Maxwell-
Boltzmann para dicho sistema.
Tcnicamente el trmino distribucin de Boltzmann se reserva para la funcin de
probabilidad de la energa de las partculas, mientras que el trmino distribucin de
Maxwell-Boltzmann se reserva para la distribucin de probabilidad de la velocidad de las
partculas (obviamente existe una relacin matemtica fija entre ambas).
La distribucin de Maxwell-Boltzmann es la funcin de distribucin clsica, para la
distribucin de una cantidad de energa entre partculas idnticas pero distinguibles.

Adems de la presuncin de distinguibilidad, la fsica estadstica clsica postula que:

No hay ninguna restriccin sobre el nmero de partculas que pueden ocupar un estado
dado.
En el equilibrio trmico, la distribucin de partculas entre los estados de energa
disponibles, se llevar a cabo con la distribucin ms probable, la cual es consistente con la
energa total disponible y el nmero total de partculas.
Cada estado especfico del sistema tiene la misma probabilidad.
Una de las ideas generales contenidas en estos postulados, es que es poco probable
que cualquier partcula consiga una energa muy por encima de la media (es decir, mucho
ms de lo que le corresponde). Las energas ms bajas que la media, se ven favorecidas
debido a que hay ms maneras de conseguirlas. Si por ejemplo, una partcula tiene una
energa de 10 veces el promedio, entonces, reduce el nmero de posibilidades para la
distribucin del resto de la energa. Por lo tanto, es poco probable ya que la probabilidad de
ocupacin de un estado dado, es proporcional al nmero de formas en que se puede
conseguir.
 - Ley de Dulong-Petit:
El calor especfico de los slidos (igual que el de los gases y lquidos) es funcin creciente
de la temperatura, tendiendo a cero cuando sta se aproxima a los 0 K. El crecimiento de
este calor a partir de 0 K es inicialmente muy rpido, hacindose despus ms lento hasta
que se alcanza una temperatura que puede corresponder a la de fusin, a la de
descomposicin o a un cambio de estructura.1
En 1819, los fsicos y qumicos franceses Pierre Louis Dulong (1785-1835) y Alexis
ThrsePetit (1791-1820) establecieron la ley que lleva sus nombres.
El calor especfico atmico de todos los elementos en estado slido (con pocas
excepciones) presenta valores prximos a 25 J/ (molK) ( sea, 6 cal/ (molK), cuando
aumenta considerablemente su temperatura.
 Dependencia del calor
especfico de algunos
Materiales y elementos slidos
con la temperatura

8. Enlace Metlico
La idea central que subyace en la
descripcin de la estructura electrnica de los slidos metlicos es la de que los electrones
de valencia de cada tomo se distribuyen a travs de toda la estructura. Este concepto se
expresa, de una manera ms formal, haciendo una simple extensin de la Teora de
Orbitales Moleculares, en la que el slido se trata como molcula infinitamente larga. Estos
principios pueden tambin aplicarse a la descripcin de slidos no metlicos como los
slidos inicos o los slidos moleculares.

- Formacin de la banda mediante el solapamiento orbital.

El solapamiento de un gran nmero de orbitales atmicos conduce a un conjunto de
orbitales moleculares que se encuentran muy prximos en energas y que forman
virtualmente lo que se conoce como una banda. Las bandas se encuentran separadas entre s
mediante espacios energticos a los que no les corresponde ningn orbital molecular
(Figura 2).
 Figura 2. La estructura electrnica de un slido se caracteriza
por la existencia de bandas de orbitales.

Para poder visualizar la formacin de una

banda considrese una distribucin lineal de tomos
(slido unidimensional), separados todos a la misma distancia (a), en los que cada
tomo posee un orbital de tipo s. Cada orbital de tipo s de un tomo solapar con
el orbital s del tomo vecino. As, si slo hubiera dos tomos en el conjunto el
solapamiento conducira a la formacin de 2 orbitales moleculares, uno de enlace
y otro de anti enlace. Si tenemos 3 tomos, el solapamiento de los 3 orbitales de
tipo s originara la formacin de 3 orbitales moleculares, de enlace, de no enlace y
de anti enlace. A medida que se van aadiendo tomos al conjunto cada uno
contribuye con su orbital molecular al solapamiento y en consecuencia se obtiene
un nuevo orbital molecular. As, cuando el conjunto est formado por N tomos se
obtienen N orbitales moleculares. El orbital molecular de menor energa no
presenta ningn nodo entre los tomos vecinos, mientras que el orbital molecular
de mayor energa presenta un nodo entre cada par de tomos vecinos.

Los restantes orbitales van teniendo sucesivamente 1, 2, 3... No dos

internucleares y sus energas estn comprendidas entre la del orbital ms
enlazante (de menor energa) y la del ms anti enlazante (mayor energa). La
diferencia de energa entre los N orbitales moleculares es tan pequea que se
forma una banda o continuo de niveles de energa. La anchura total de la banda
depende de la fuerza de la interaccin entre los orbitales atmicos de los tomos
vecinos, de forma que, cuanto mayor sea la interaccin, mayor ser el
solapamiento entre los orbitales y mayor ser la anchura de la banda resultante (o
separacin entre el orbital molecular ms enlazante y el ms anti enlazante). La
anchura de una banda es, por lo general, una medida del grado de localizacin del
enlace. Una banda estrecha representa un alto grado de localizacin de un enlace
y a medida que se va haciendo ms ancha los enlaces se hacen ms
deslocalizados.

Figura 3. Formacin de
una banda de orbitales
moleculares.

La banda que se ha descrito se ha formado a partir del solapamiento de orbitales s y

se denomina, por tanto, banda s (Figura 4). Si en los tomos existen orbitales de tipo p
disponibles, stos pueden solapar originando una banda p (Figura 5). Como los orbitales p
poseen mayor energa que los orbitales s de la misma capa, se observa a menudo la
separacin entre la banda s y la banda p. Pero si las bandas son anchas y las energas de los
orbitales s y p de la misma capa no difieren mucho entonces ambas bandas se solapan
(Figura 6). Este solapamiento es el responsable de que los elementos del grupo 2 de la
Tabla Peridica tengan un comportamiento metlico. De la misma forma, la banda d est
formada por el solapamiento de orbitales atmicos d.
Figura 4. Orbitales moleculares y banda s Figura 5. Orbitales moleculares y banda p.