Universidad Politcnica Salesiana.

Juan Jara 1

Practica #1 Polarizacin del Transistor FET

Jara Juan, jjarac2@est.ups.edu.ec
Universidad Politcnica Salesiana

Laboratorio de Analgica II

Resumen. En la electrnica analgica es importante

realizar circuitos que nos ayuden a comprender el
funcionamiento de los diferentes elementos en este caso se
realizaron polarizaciones con los transistores FET, en los
cuales se realizaron diferentes polarizaciones las cuales nos
ayudan a comprender de una mejor manera el funcionamiento
para luego poder aplicar en los diferentes campos que se
necesiten en este caso se realizaron las polarizaciones con
variaciones a la salida de la recta de carga.

I. OBJETIVOS
Disear, calcular y comprobar el funcionamiento de los
siguientes circuitos de polarizacin con transistores FET.
Fig. 1. Smbolos de los transistores JFET

a) Polarizacin con 2 fuentes de alimentacin

(Punto de trabajo a la salida al centro de la recta Curva Caracterstica
de carga).
b) Auto polarizacin con resistencia de source Las curvas de caractersticas elctricas de un JFET son
(Punto de trabajo a la salida al 25% de la recta de muy similares a las curvas de los transistores bipolares.
carga). Sin embargo, los JFET son dispositivos controlados por
c) Polarizacin con divisor de tensin (Punto de tensin a diferencia de los bipolares que son dispositivos
trabajo a la salida 75% a la recta de carga). controlados por corriente.
d) Polarizacin con fuente doble simtrica (Punto Por ello, en el JFET intervienen como parmetros: ID
de trabajo a la salida al centro de la recta de (intensidad drain o drenador a source o fuente), VGS
carga). (tensin gate o puerta a source o fuente) y VDS (tensin
e) Polarizacin con divisor de tensin y punto de drain o drenador a source o fuente). Se definen cuatro
trabajo a la salida regulable de 1/3 a 2/3 de la regiones bsicas de operacin: corte, lineal, saturacin y
recta de carga. ruptura. A continuacin se realiza una descripcin breve
de cada una de estas regiones para el caso de un NJFET.
II. MARCO TERICO [2]
Transistores FET
El transistor JFET es un dispositivo mediante el cual se
puede controlar el paso de una cierta cantidad de corriente
haciendo variar una tensin, esa es la idea principal;
existen 2 tipos de JFET los de canal n y los de canal p, se
comentar para el caso de JFET de canal n, lo que se
comente para el de canal n, es similar para el de canal p, la
diferencia ser el sentido de las corrientes y las tensiones
sobre el JFET; constan de 3 pines, los cuales reciben los
nombres de drenaje(D), compuerta(G) y fuente(S); lo que
hace el JFET es controlar la cantidad de corriente que
circula entre el drenaje y la fuente, esa corriente se
controla mediante la tensin que exista entre la
compuerta y la fuente.[1]
Fig. 2. Curva caracterstica
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Polarizaciones transistor JFET

Polarizacin por Divisor de Tensin

En este tipo de polarizacin es muy importante tener en

cuenta el punto de operacin del JFET pues este se ve
menos afectado cuando se cambia un transistor por otro,
siendo ambos de la misma familia, en este casi se polariza
el JFET con una sola fuente de alimentacin, en la
siguiente figura se presenta la polarizacin. [3]

Fig. 4. Auto polarizacin

III. MATERIALES Y HERRAMIENTAS

Transistor JFET
Fuente variable
Multmetro
Resistencias
1 K
10 K
330
530
820
Fig. 3. Polarizacin por divisor de tensin 3.9 K

Auto polarizacin con resistencia al source

IV. DESARROLLO
Para este tipo de polarizacin se necesita nicamente se
necesita una fuente de alimentacin como se muestra en Polarizacin con 2 fuentes de alimentacin (Punto de
la figura, este tipo de arreglo para un JFET de canal n, es trabajo a la salida al centro de la recta de carga).
muy similar para el caso del JFET de canal p, con la
diferencia de que hay que invertir las polaridades.[3]
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Recta de carga

Fig. 6. Recta de carga

Fig. 5. Polarizacin con doble fuente de alimentacin

Datos: Fig. 7. Recta de carga

VDD=10V
ID=5mA Auto polarizacin con resistencia de source (Punto de
Vp=-8.7V trabajo a la salida al 25% de la recta de carga).
VDS=5V
IDS=10mA

Clculos:

2
VGS
(
I D =I Dss 1
VP )

VGS=Vp 1
ID
IDSS( )
VGS=2.54 V
VDDRDIDVDS =0
10 V RD5 mA 5 V =0
RD5 mA=5V
RD=1000
En la siguiente tabla se mostraran los diferentes valores
medidos

Valores Calculado Medidos

medidos s
VDS 5V 5.09 V Fig. 8. Auto polarizacin con resistencia al source
ID 5 mA 5.15mA
Tabla #1
Clculos
VDD=10V
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ID=5mA
Vp=-8.7V
VDS=5V
IDS=10mA
2
VGS
I D =I Dss ( 1
VP )

VGS=Vp 1
ID
IDSS ( )
VGS=2.54 V
Fig.8 . Recta de carga

VGS=IDRS Polarizacin con divisor de tensin (Punto de trabajo a

la salida 75% a la recta de carga).
VGs
RS=
ID

2.55 V
RS=
2.5 mA
RS=1020
En la siguiente tabla se mostraran los diferentes valores
medidos
Valores Calculado Medidos
medidos s
VDS 7.5V 7.08 V
ID 2.5mA 2.6mA
Tabla # 2

Recta de carga

Fig 9. Polarizacin con Divisor de Tensin

Clculos

VDD=10V
ID=5mA
Vp=-8.7V
Fig. 7. Recta de carga VDS=5V
IDS=10mA

1010 K
VG=
R 1+10 K
R 1=23.3 K

3VRS VGS=0
3ISDRS2.55=0
0.45IDRS=0
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7.5 mARS=0.45
0.45
RS=
7.5 mA
RS=60

IDRD + IDRS=10
ID ( RD + RS )=10
10
RD+ RS=
7.5 mA
RD=1.2 K

Valores Calculado Medidos

medidos s
VDS 7.5V 8V
ID 2.5 mA 2.76mA
Tabla # 3

Diagramas
Fig. 10. Polarizacin con fuente simtrica

Clculos

VDD=10V
ID=5mA
Vp=-8.7V
VDS=5V
IDS=10mA

2.55=105 mARS
Fig. 8. Recta de carga
12.55=VSSIDRS
12.55=105 mARS
RS=2.18 K

10VRDVDSVRS+ VSS=0
105 mARD55 mA (2.18 K ) +10=0
155 mARD10.9=0
2.455 mARD=0
RD=490

Fig. 9. Recta de carga

Polarizacin con fuente doble simtrica (Punto de En la siguiente tabla mostraremos los valores que fueron
trabajo a la salida al centro de la recta de carga). medidos.

Valores Calculado Medidos

medidos s
VDS 5V 5.6 V
ID 5 mA 5.5 mA
Tabla #4
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Diagramas 1010 K
VG=
R 1+10 K
R 1=23.3 K

3VRSVGS=0
3ISDRS2.55=0
0.45IDRS=0
7.5 mARS=0.45
0.45
RS=
7.5 mA
Fig. 10. Recta de carga RS=60
IDRD + IDRS=10
ID ( RD + RS )=10
10
RD+ RS=
7.5 mA
RD=1.2 K
Valores Calculado Medidos
medidos s
VDS 6.5V 6.1V
ID 3.3 mA 3.1 mA
Tabla #5

Fig. 11. Recta de carga Valores Calculado Medidos

Polarizacin con divisor de tensin y punto de trabajo medidos s
VDS 3.3V 3.6V
a la salida regulable de 1/3 a 2/3 de la recta de carga.
ID 6.5 mA 6.8 mA
Tabla #6

Diagramas

Fig. 12. Recta de carga

Fig. 12. Polarizacin con variacin en la recta de carga

VDD=10V
ID=5mA
Vp=-8.7V
VDS=5V
IDS=10mA
Fig. 13. Recta de carga
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Auto Polarizacin con resistencia en el source

Fig. 14. Recta de carga

V. SUMULACIONES

Polarizacin de doble fuente de alimentacin

Fig. 16. Simulacin de auto polarizacin con resistencia en el source

medicin voltaje

Fig. 14. Simulacin de la polarizacin de doble fuente de alimentacin

medicin voltaje

Fig. 17. Simulacin de auto polarizacin con resistencia en el source

medicion corriente

Fig. 15. Simulacin de la polarizacin de doble fuente de alimentacin

medicin corriente
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Polarizacin con Divisor de Tensin Polarizacin con fuente simtrica

Fig. 18. Simulacin de polarizacin con divisor de tensin medicin

voltaje Fig. 20. Simulacin de polarizacin con fuente simtrica medicin
voltaje

Fig. 19. Simulacin de polarizacin con divisor de tensin medicin

corriente

Fig. 21. Simulacin de polarizacin con fuente simtrica medicin

corriente

Polarizacin con divisor de tensin y punto de trabajo

a la salida regulable de 1/3 a 2/3 de la recta de carga.
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Fig. 22. Simulacin de polarizacin con divisor de tensin en 2/3
Fig. 23. Simulacin de polarizacin con divisor de tensin en 1/3
Fig. 24. Simulacin de polarizacin con divisor de tensin en 1/3
9
Fig. 24. Simulacin de polarizacin con divisor de tensin en 2/3
Anlisis de Resultados
Luego de haber realizado diferente clculos y mediciones
podemos decir que para variar el funcionamiento del
transistor se modifica el voltaje del gate este ayuda a
cambiar las caractersticas de las diferentes
configuraciones.
After having performed other calculations and
measurements can say that to vary the operation of the
transistor are modified the voltage of the gate this help to
change the characteristics of the various configurations.
VI. COCLUSIONES
Luego de haber realizado la prctica que nos permiti
determinar e identificar el principio de funcionamiento de
los transistores FET, para poder identificar los distintos
fenmenos producidos por estos tipos de transistores fue
necesario realizar diferentes tipos de polarizaciones , en
donde se dieron los voltajes de VDS en donde se puede a
preciar que este voltaje es la mitad del voltaje aplicado en
la fuente , de la misma manera suceda con la corriente ,
para poder realizar esta prctica es necesario tomar en
cuenta que no todos los FET son iguales por lo que es
recomendable realizar un clculo previo para poder
trabajar con estos dispositivos, adems de eso se
realizaron rectas de carga las cuales nos ayudan apreciar
de una mejor manera este tipo de fenmeno producido por
este transitor.
After completing the practice that allowed us to determine
S. and identify the principle of operation of the FET
produced by these types of Transistors were necessary
Different Types of polarizations, where voltages occurred
VDS is where a preciar Que esta voltage can is half the
voltage applied at the source, the same was happening
way with the current, para Power Perform esta practical is
necessary to take into account that not all child FETs
equal so is Calculation Perform recommended UN para
Prior to working with these devices ,: Besides that load
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lines which help us to appreciate in a better way This type

of phenomenon produced by this transistor is made.

VII. BIBLIOGRAFIA Y REFENCIAS

[1] Robert L. Boylestad 2004, Electrnica: Teora de

Circuitos y Dispositivos Electrnicos, Editorial
Pearson Education.

[2]http://monografias.com/trabajos_89/Amplificador//pot
encia clase b 18/12/15

[3] http://ecurde.cu/amplificador_clase_B 18/12/15

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