Coleccin Problemas

Dispositivos Electrnicos y
Fotnicos II

R. Alcubilla
A. Rodrguez
1. En un MESFET defina, explicando su sentido fsico y obteniendo expresiones que
permitan calcularlos, los siguientes parmetros:
a) Tensin de pinch-off VPO.
b) Tensin de saturacin VDSAT.

2. Considrese el MESFET de la figura, donde la zona activa es de AsGa tipo N (con

Nd=1016 cm-3) y el espesor A=1m:
G
S D

Semiaislante

Se pide:
a) Calcular VPO (tensin de pinch-off).
b) Si VGS= -3V y la tensin Vbi del diodo Schottky es de 0.7V, para qu tensin
VDS satura el dispositivo?
c) Obtenga la expresin de IDS=f(VDS,VG) en zona hmica.
d) Por qu el MESFET es utilizado en aplicaciones de alta frecuencia en lugar
del JFET?
e) D una expresin para la corriente IDS en saturacin.
f) Obtenga una expresin para la transconductancia en zona lineal.

3. Sea el transistor bipolar de la figura:

B1 B2

C
Se pide:
a) Suponga que los terminales B1 y B2 estn cortocircuitados entre si formando
un nico terminal B. La estructura se polariza con VE=0, VB=0.7V, VC=5V. En
estas condiciones, cunto valen las densidades de corriente JB y JC? Para
obtenerlas analice la seccin vertical punteada y desprecie los efectos de dos
dimensiones. Si utiliza alguna aproximacin justifquela.
b) Si el rea efectiva del dispositivo es de 100 m2, calcule el valor de los par-
metros siguientes del modelo hbrido en : gm, r, C.
c) Suponga ahora que los terminales E y C estn cortocircuitados entre s (a este
nodo nico lo llamaremos en adelante G) y conectados a un potencial VG>0.
Suponga asimismo VB1= 0V, VB2> 0. Describa el funcionamiento del dispositivo
en esta nueva configuracin y dibuje de forma cualitativa la evolucin de la
corriente IB2 en funcin de VB2 tomando VG como parmetro.

Datos: NE=1018 cm-3, NB=1017 cm-3, NC=1016 cm-3, We=1m; Wb=0.5 m, Wc=10 m,
ni=1.5 1010 cm-3, VT=0.025V, LPE=0.1m, PE=350 cm2/Vs, LNB=1m, NB=103 cm2/Vs

4. Sea el sistema MOS de la figura, donde el semiconductor es Si tipo P (con =1

.cm) y no hay cargas en el xido:

VG
Metal

P-type Si SiO2

Metal

Se pide:
a) Calcule la tensin umbral.
b) Calcule el potencial de superficie en funcin de VG. En particular especifique
los valores tomados por el potencial de superficie cuando VG=0V y VG=1V.

Datos: ni= 1.5 1010 cm-3, Eg=1.1 eV, VT=0.025V (300K), Si = 4.15 eV, m= 6 eV,
ox= 3.9, o= 8.85 10-14 F/cm, Xox= 1000 , p= 350 cm2/Vs.

5. Sea un transistor nMOS que tiene los siguientes parmetros:

Substrato: Na = 1016 cm-3, r =11.9, n =1000 cm2/Vs, ni = 1.45 1010 cm-3.

 xido: r=3.9, tox =300 .
Puerta: Polisilicio N+, L= 1m, W = 5m.
Constantes: q=1.6 10-19 C, o =8.85 10-14 F/cm, Eg=1.12 eV, kT/q=0.025V.

Se pide:
a) Calcular la tensin umbral suponiendo que no hay cargas en el oxido.
b) Suponiendo que la tensin umbral es 1V, calcular el incremento relativo en la
corriente del transistor debido al estrechamiento del canal entre las siguientes
polarizaciones: VD=5V y VD en el umbral de saturacin.

6. Sea un transistor nMOS que tiene los siguientes parmetros:

Substrato: Na = 1016 cm-3, r =11.9, n =1000 cm2/Vs, ni = 1.45 1010 cm-3.

xido: r=3.9, tox =300 .
Puerta: Polisilicio N+, L= 1m, W = 5m.
Constantes: q=1.6 10-19 C, o =8.85 10-14 F/cm, Eg=1.12 eV, kT/q=0.025V.

Se pide:
a) Calcular la tensin umbral suponiendo que no hay cargas en el xido.
b) Calcular la variacin en la tensin umbral al pasar la temperatura de 300 K a
400 K

7. Sea la estructura MOS de la figura:

VG
Metal

P-type Si
SiO2
Na=5 1016 cm-3

Metal

Se pide:
a) Calcule el valor del potencial en el volumen del semiconductor B, tomando
como referencia de potenciales el nivel de Fermi intrnseco.
b) Dibuje cualitativamente la evolucin del potencial de superficie S para valores
de VG crecientes a partir de 0V. Para ello suponga VT= 1V y que para VG= 0
estamos en situacin de banda plana.
c) Teniendo en cuenta que para VG= 0 las bandas son planas, cunto vale la con-
centracin de cargas en el xido? Y el espesor del xido?
 Datos: ni= 1.5 1010 cm-3, Eg=1.1 eV, VT=0.025 V, Si =4.15 eV, m=6 eV, ox= 3.9,
o= 8.85 10-14 F/cm.

8. Sea el sistema MOS de la figura:

VG
Poly N+

P-type Si
SiO2
Na=5 1016 cm-3

Metal

Se pide:
a) Calcular la caida de potencial en el xido y en el semiconductor en la frontera
de fuerte inversin (momento en que se considera formado el canal)
b) Calcule la tensin umbral VTO en ausencia de cargas en el xido.
Sugerencia: al estar el contacto de puerta realizado mediante polisilicio N+ con-sidere
que el nivel de Fermi en el polisilicio coincide con EC. La afinidad electr-nica en el
polisilicio es la misma que en al Silicio.
Datos: ni= 1.5 1010 cm-3, Eg=1.1 eV, VT=0.025V (a 300K), Si = 11.2, Si = 4.15 eV,
ox= 3.9 , o= 8.85 10-14 F/cm, q = 1.6 10-19 C, tox = 750 .

9. Suponga un transistor MOS de canal N, sin cargas en el xido y con MS nula. La

tensin umbral es de 1V. Calcule el nuevo valor de la tensin umbral si el espesor del
xido disminuye a la mitad
Datos: substrato = 1 .cm, n = 1000 cm2/Vs, p = 300 cm2/Vs, ox= 3.9, o= 8.85 10-14
F/cm, ni =1.5 1010 cm-3, VT = 0.025V (300 K).

10. Si en un transistor MOS aumentamos el dopado del sustrato, cmo varan los
valores absolutos de los diferentes trminos que intervienen en la expresin de VT?

QB Qox
VT = M S 2 B
Cox Cox
11. Sea la estructura MOS de la figura:

VG
Metal

Si
SiO2

Metal

Datos: ni= 1.5 1010 cm-3, Eg=1.1 eV, VT=0.025 V, Si =4.15 eV, m=6 eV, ox= 3.9,
o= 8.85 10-14 F/cm., si= 11, tox=1000 Armstrongs, Qox= 10-8 C/cm2
Se pide:
a) Sabiendo que la tensin Vg necesaria para conseguir que las bandas sean planas
es de 0.71 V, calcule el dopado del substato y diga si es de tipo P o N.
En lo sucesivo suponga substrato tipo P con un dopado de 1016 cm-3.
b) Calcule la tensin umbral VT.
c) Si deseamos ajustar la tensin umbral a 1V . Qu dosis debe implantarse por
unidad de superficie ? De qu tipo deben ser las impurezas implantadas?.

12-Un fotoconductor (dimensiones: W, L, D) est formado por un material intrnseco de

ancho de banda Eg y concentracin intrnseca ni. La movilidad de los electrones es n y
la de los huecos p, el tiempo de vida de los electrones es n y el de los huecos p .
Se ilumina de forma pulsada con una potencia ptica Popt a una longitud de onda . La
duracin de los pulsos es mucho mayor que el tiempo de vida de los portadores. El
coeficiente de reflexin de la superficie del semiconductor a dicha longitud de onda es
R y el coeficiente de absorcin del material a dicha longitud de onda es . La tensin de
polarizacin del circuito es V.
Se pide obtener, teniendo en cuenta la contribucin de los dos tipos de portadores:
a) Conductividad en oscuridad.
b) Tensin en terminales del fotoconductor en oscuridad.
c) Conductividad en iluminacin (en rgimen permanente). Suponga una
generacin externa uniforme con la distancia e igual al valor medio.
d) Caida de tensin en terminales del fotoconductor en iluminacin (en rgimen
permanente).
e)A priori puede encontrar algn criterio para elegir el valor de R?
f)Existe algn valor de R que maximice la diferencia entre las caidas de tensin
en el fotoconductor en condiciones de iluminacin y oscuridad?
g) Discuta el efecto de disminuir la temperatura de operacin del fotoconductor.
13-Sea un fotoconductor de longitud L (distancia entre contactos) anchura D y 5 m de
espesor. El material es Si intrnseco (ni= 1.5 1010cm-3) y el tiempo de vida tanto de los
electrones como de los huecos es =10-6 s.
Se ilumina monocromticamente con una potencia de 1W/cm2. La longitud de onda de
la luz incidente es = 0.83 m . El coeficiente de absorcin del Silicio a esta longitud
de onda es de 105cm-1
Se pide:
Calcular el valor numrico del cociente Rosc/Rilum. Siendo Rosc la resistencia del
fotoconductor en condiciones de oscuridad y Rilum la resistencia del mismo al
estar iluminado.

Datos: h= 6.62 10-34 J s; c=3 1010 cm/s; q= 1.6 10-19 C

14-En un material dopado tipo N coexisten varios mecanismos de recombinacin de

forma simultnea:Recombinacin radiativa caracterizada por una constante de tiempo
1 = 10-7s. Recombinacin Shockley-Read-Hall caracterizada por una constante de
tiempo = 10-7s. Recombinacin Auger caracterizada por una constante de tiempo
2
3=10-6 s.
a) Es posible caracterizar la recombinacin global a travs de una nica
constante de tiempo?. Si es as de que valor?
b) Dar un valor para la eficiencia cuntica de emisin definida como la fraccin
de recombinaciones radiativas sobre el total de recombinaciones.
c) Como influira un incremento del dopado en cada una de las constantes de
tiempo asociadas a los distintos mecanismos de recombinacin?
d) En el material en cuestin y en t=0 se crea un exceso uniforme de minoritarios
n= 1017cm-3. Cunto valdr dicho exceso al cabo de 0.1 s.

15 Sea un fotodiodo PIN de Silicio.:

El rea del dispositivo es de 104 m2. supondremos el rea del contacto despreciable.
La zona llamada intrnseca en realidad es de tipo N con un dopado muy dbil de 1013
cm-3.
a)- Explique de forma cualitativa su funcionamiento, precisando los siguientes
aspectos:
Qu longitudes de onda son detectables?
Para qu sirve la zona llamada intrnseca?
Dnde se produce de forma mayoritaria la absorcin de luz?
Qu ventajas ofrece respecto a un fotodiodo P/N clsico?
b)- Calcule la capacidad de transicin de esta estructura para V=50 V y comprela
con la capacidad de transicin de la misma estructura en ausencia de la zona I.
 c)-Si la capacidad de transicin es el elemento capacitivo dominante y el
fotodiodo est conectado a una carga de 50 analice las limitaciones
frecuenciales del circuito.
d)-D una expresin aproximada de la eficiencia cuntica para la misma tensin
de polarizacin. Justifique las aproximaciones que haga

Datos: Eg 1.1 eV, h = 6.62 10-34 J.s, c= 3 1010 cm/s, kT/q= 25 mV

= 10-12 F/cm , ni= 1.5 1010 cm -3, W=350 m

16 Se desea disear un fotodiodo P+N-N+ en donde el grosor de las zonas P+ y N+ sea

despreciable frente al de la zona N-. Como objetivo de diseo se pretende que en las
condiciones de operacin la zona de carga de espacio se extienda por toda la zona N-.
a) Justifique en 5 lneas la pertinencia de dicho objetivo.
b) Calcule el grosor de dicha zona N- para que una iluminacin de = 620 nm
(rojo) sea absorbida en un 85% suponiendo nulo el coeficiente de reflexin.
c) Calcule el dopado necesario de la zona N- para que el objetivo perseguido se
cumpla bajo una polarizacin de 10 V.
d) Cuanto vale la capacidad equivalente del fotodiodo en estas condiciones de
polarizacin. Suponiendo que la seal del fotodiodo ataca una carga de 50
discuta las limitaciones frecuenciales del detector.
e)Para que longitudes de onda la eficiencia cuntica bajar por debajo del 10%.
Sugerencia: busque en alguna referencia bibliogrfica el coeficiente de absorcin
del Silicio en funcin de la longitud de onda de la luz incidente

Datos: h = 6.62 10-34 J s; c = 3 1010 cm /s, 0 = 8.85 10-14 F/cm ; r =12

q = 1.6 10-19 C

17- Sea un fotodiodo P+N zona P+ de 1m de espesor y zona N de 350 m de grosor

a)-Proponga una expresin para la corriente fotogenerada en la zona de carga de

espacio. Suponga iluminacin monocromtica de longitud de onda , coeficiente
de reflexin R y flujo de fotones recibidos en la cara frontal (zona P+) 0.
b)-Cuantifique y proponga una expresin para la dependencia con la tensin
aplicada de la corriente fotogenerada en la zona de carga de espacio.
c)-De una expresin de la capacidad equivalente del fotodiodo en funcin de la
tensin aplicada (dentro del margen de polarizaciones realista desde el punto de
vista de las aplicaciones).
d)-Al analizar un fotodiodo, en primera aproximacin, se supone la corriente
generada independiente de la tensin aplicada. Hasta que punto es esta
aproximacin vlida?. Vara en realidad a corriente fotogenerada con la tensin
aplicada, en qu sentido? Justifique las afirmaciones que haga.
 e)-En el extremo de la zona N existe un contacto hmico y por tanto el exceso de
minoritarios es nulo. Suponga que se crea una zona N+de 1m de espesor entre la
zona N y el contacto, la corriente fotogenerada tendra tendencia a aumentar o
disminuir?. Justifquelo.
f)- Discuta las limitaciones frecuenciales del fotodiodo propuesto, Qu papel
juega la capacidad de transicin? Juega algn papel el tiempo de vida de los
minoritarios en las caractersticas frecuenciales?.
g)-Teniendo en cuenta las respuestas a los apartados anteriores. Qu ventajas
presenta la estructura PIN sobre el fotodiodo convencional?

18- Sea un fotodiodo P+N-N+. El dopado residual de la zona N- es de 1014 cm-3 . La

anchura de la zona N- es de 50 m . El dopado de la zona P+ es de 1019 cm-3, = 10-12
F/cm
Se pide :
a) A que tensin sera conveniente polarizarlo si deseamos que la zona de carga
de espacio se extienda por toda la zona dbilmente dopada
b) Que capacidad presenta el fotodiodo en estas condiciones si el rea es de 500
m2.

19 En el proceso de fabricacin de un LED, sobre un sustrato de GaAs de tipo crecemos

por epitaxia en fase lquida las capas siguientes:
-2 micras de GaAs tipo N como capa buffer o tampn.(1017 /cm3)
-2 micras de Al 0.4 Ga0.6 As tipo N .(1018 /cm3)
-0.2 micras de GaAs tipo N (51017/cm3)
-2 micras de Al0.4 Ga0.6As tipo P (1018/cm3)
-3 micras de GaAs tipo P+(1019/cm3)
a)- Explique brevemente la funcin de cada capa.
b)-Con los datos que se citan al final del enunciado dibuje el diagrama de bandas
de la estructura.
c)- En qu longitud de onda emitir ?
d)- Explique razonadamente y de forma independiente cmo influirn en la
potencia de luz emitida los siguientes factores:
-Longitud de difusin de los portadores minoritarios en la zona activa.
-Velocidad de recombinacin superficial equivalente en la frontera de la
heterounin isotipo.
-Dopado de la zona activa.
-Tiempo de vida de los portadores minoritarios, relacinelo con la importancia
relativa de los mecanismos de recombiacin dominantes.
 e)- Si las dos capas de Al 0.4 Ga0.6 As fueran sustituidas por dos capas iguales de
Al0.2 Ga0.6 As. Cmo se vera afectado el funcionamiento del dispositivo?.
Raznelo.
f)-Supuesto que a este dispositivo se le dota de una cavidad resonante adecuada.
Discuta las posibilidades de que se produzca emisin LASER
Datos: GaAs: Afinidad electrnica (ev) 4.1; Gap (ev) 1,4; Concentracin
intrnseca (/cm3) 2 106; Densidad efectiva de estados banda de conduccin
(/cm3) 4.7 1017.; Densidad efectiva de estados banda de valencia (/cm3) 7 10 18.
Al0.4 Ga0.6 As : Afinidad electrnica (ev) 3.6 ; Gap (ev) 1.9; Concentracin
intrnseca (/cm3) 2 102
Constante de Planck h= 6.62 10-34 J.s Velocidad de la luz c= 3 1010 cm/s k.T =
25 e-3 (ev)

20 Dibuje de forma simplificada el diagrama de bandas de la estructura siguiente

correspondiente a un LED.
-2 m Al 0.4 Ga 0.6 As tipo P ( 10 18 cm-3).
-0.2 m GaAs tipo P ( 5 1018 cm-3)
-2 m Al 0.4 Ga 0.6 As tipo N ( 10 18 cm-3)
Datos: GaAs ; Afinidad electrnica 4.1 ev.; Gap 1.4 ev. Concentracin intrnseca
2 106 cm-3; Densidad efectiva de estados en la banda de conduccin 4.710 17 cm-
3
; Densidad efectiva de estados en la banda de valencia 10 18 cm-3.
Al 0.4 Ga0.6 As;Afinidad electrnica 3.6 ev.; Gap 1.9 ev. Concentracin intrnseca
2102 cm-3; Densidad efectiva de estados en la banda de conduccin 4.71017 cm-3;
Densidad efectiva de estados en la banda de valencia 10 18 cm-3.

21- Sea un diodo de heterounin que se quiere utilizar como LED.

Zona N: Dopado 1018cm-3 .Grosor 1 m. Material Ga0.8Al0.2As. Ancho de banda
prohibida 1.6 eV
Zona P: Dopado 1017cm-3 .Grosor 5 m. Material GaAs. Ancho de banda prohibida
1.4 eV
a) Donde tendr lugar de forma predominante la recombinacin radiativa
b) Cuanto vale la potencia de luz emitida por unidad de superficie si la tensin
de polarizacin es de 1 V.? Tener en cuenta la existencia de dos contactos
hmicos en los extremos
c) Calcular un valor aproximado del redimiento definido como Potencia
pticaemitida/Potencia consumida. Justifique las aproximaciones realizadas.
d) Comente el resultado obtenido en el apartado anterior.
Datos: kT/q= 0.025 V (300 K); ni(GaAs) = 10 7 cm-3 ni(GaAlAs x=0.2) = 105
cm-3; Ln=Lp = 10 m; n= 1s; p=2s
22- Sea la estructura siguiente:
-2 m Al 0.4 Ga 0.6 As tipo P ( 10 18 cm-3).
-0.2 m GaAs tipo P ( 10 18 cm-3)
-2 m Al 0.4 Ga 0.6 As tipo N ( 1018 cm-3)
GaAs ; Afinidad electrnica 4.1 ev.; Gap 1.4 ev. Concentracin intrnseca 210 6
cm-3; Densidad efectiva de estados en la banda de conduccin 4.71017 cm-3;
Densidad efectiva de estados en la banda de valencia 10 18 cm-3. Tiempo de vida
de los minoritarios (electrones): 2ns. Longitud de difusin de los electrones 1m.
Al 0.4 Ga 0.6 As;Afinidad electrnica 3.6 ev.; Gap 1.9 ev. Concentracin intrnseca
2 10 2 cm-3; Densidad efectiva de estados en la banda de conduccin 4.71017 cm-
3; Densidad efectiva de estados en la banda de valencia 10 18 cm-3.

a)-Evale de forma aproximada la tensin que se le debe aplicar para que se

produzca emisin LASER.
b)- Calcule de forma aproximada la densidad de corriente que circula para la
polarizacin calculada en el apartado anterior, suponiendo que para valores de
corriente justo por debajo de la corriente umbral todas las recombinaciones son
espontneas. Suponga una velocidad de recombinacin nula en la interficie de la
heterounin confinante. Razone todas las aproximaciones que haga.

23- Suponga un LED de doble heterounin.

a) Explique brevemente la funcin de cada capa. Indique la longitud de onda de
emisin (Datos: h=6.62 10-34 J.s; c=3 1010 cm/s)
b) Dibuje lo ms exactamente posible el diagrama de bandas de la estructura.
El tiempo de vida correspondiente a recombinaciones radiativas es en la zona
activa de r=5 ns . El tiempo de vida correspondiente a recombinacin SRH es de
SRH= 10 ns.
La velocidad de recombinacin interficial en las fronteras AlxGa1-xAs/AsGa la
suponemos nula. En estas condiciones:
c) Calcular el ancho de banda de modulacin. f. Qu significado tiene dicho
parmetro?
d) Cmo vara dicho parmetro al aumentar el nivel de inyeccin? Por qu?
Nota: Si es posible d una expresin cuantitativa.
e) El tiempo de vida correspondiente a recombinacin SRH vara con el dopado
de la forma siguiente:
8
2 10
SRH = (s)
N
1 + 17
10
Siendo N el dopado de la zona en cuestin expresado en (cm-3).
Dibuje la dependencia del ancho de banda de modulacin con el dopado de la
zona activa.
 f) Razone como evolucionar la potencia ptica emitida ( a corriente constante )
con el dopado de la zona activa.

24- Suponga un LED de doble heterounin

-2 m Al 0.4 Ga 0.6 As tipo P ( 10 18 cm-3).
-0.2 m GaAs tipo P ( 5 1017 cm-3)
-2 m Al 0.4 Ga 0.6 As tipo N ( 10 18 cm-3)
a)Suponiendo una velocidad de recombinacin infinita en la interficie entre la
zona activa y la zona de confinamiento. Calcule el rendimiento definido como
Potencia ptica emitida/ Potencia elctrica consumida. Justifique las
aproximaciones que haga
b) Repita el clculo anterior pero ahora suponiendo velocidad de recombinacin
nula en la misma interficie. Justifique las aproximaciones que haga siendo
cuidadoso con su aplicabilidad. Comente el resultado obtenido.
Datos: GaAs ; Afinidad electrnica 4.1 ev.; Gap 1.4 ev. Concentracin intrnseca
2 106 cm-3; tn=2 ns; Ln= 2 m
Al 0.4 Ga0.6 As;Afinidad electrnica 3.6 ev.; Gap 1.9 ev. Concentracin intrnseca
2.102 cm-3;

25. Sea un diodo P+N. Sea el campo de ruptura Ecrit.

a) Encontrar la expresin de la tensin de ruptura del diodo en funcin del dopado
de la base.
b) Encontrar la resistividad de la zona N en funcin de la tensin de ruptura. Le
sugiere el valor encontrado algn comentario?
c) Intente encontrar una nueva expresin de la tensin de ruptura imponiendo la
condicin de avalancha, es decir que la integral del coeficiente de ionizacin en la
zona de carga de espacio sea igual a la unidad. Utilice para el coeficiente de
ionizacin la expresin, donde E es el campo elctrico expresado en V/cm:
i 1.8 10 35 E 7 / cm

26. Considere un diodo P+N. Se pide:

a) Realice una bsqueda bibliogrfica de las condiciones de contorno utilizables
en la zona N en muy alta inyeccin.
b) A partir de lo anterior calcule la corriente que circula por el diodo en estas
condiciones (suponiendo contacto hmico en el extremo)
Sugerencia: En un diodo P+N la corriente total es prcticamente slo corriente de
huecos inyectados en la zona N y por tanto podemos considerar Jn=0.
27. Considere una estructura PN-N+ que para simplificar puede ser considerada como
PIN. En la zona intermedia tenemos corrientes de huecos y electrones importantes y por
tanto se puede aplicar la ecuacin de difusin ambipolar que deber obtener de la
bibliografia. Se pide obtener la distribucin de portadores en la zona central. Justifique
las aproximaciones que haga y los razonamientos efectuados.

28. Referente a la modulacin de conductividad, comente los siguientes aspectos: a)

Definicin; b) Ventajas que se derivan de la adecuada utilizacin del fenmeno en
dispositivos de potencia; c) Inconvenientes.

29. Establezca una clasificacin entre los siguientes dispositivos de potencia: tiristores,
MOS, transistores bipolares y tiristores GTO, atendiendo a los siguientes conceptos:
margen de frecuencias, tensiones de ruptura soportadas y corrientes controlables (1 para
el mayor, 4 para el menor).

frec. V I
GTO
MOS
BJT
Tiristor

30. Sea el tiristor de la figura:

50 m 100 m 40 m 10 m

P1 N1 P2 N2
A K

Dopados: P1=1018 cm-3, P2=1017 cm-3, N2=1020 cm-3,.

Otros datos: q =1.6 10-19 C, =10-12 F/cm, Ecrtico=105 V/cm.

Se pide:
a) Calcule el valor de la tensin de ruptura en inversa del tiristor en funcin del
dopado de la zona N1.
 b) Suponga en lo sucesivo que el dopado de la zona N1 es 1014 cm-3. Calcule el
valor de en el transistor P1N1P2. Datos: LpN1= 200 m, LnP1= 10 m). Tenga en
cuenta en el clculo de la la recombinacin en la zona N1.
c)-Qu es la off del tiristor?. Calclela. Datos: off=2/(1+2-1)), LnP2=80 m.

31. Sea el tiristor de la figura:

50 m 100 m 40 m 10 m

P1 N1 P2 N2
A K

Dopados: P1=1018 cm-3, P2=1018 cm-3, N2=1020 cm-3,.

Otros datos: q =1.6 10-19 C, =10-12 F/cm, Ecrtico=105 V/cm.

Se pide:
a) Cunto vale la tensin de ruptura en inversa del tiristor cuando el dopado de la
zona N1 vale 1013 cm-3?
b) Repetir el clculo anterior cuando el dopado de la zona N1 vale 1015 cm-3.
c) Cuanto vale la del transistor P1N1P2? Para simplificar los clculos suponga
la distribucin de minoritarios en la zona N1 lineal y la inyeccin en P1 desde N1
nula. Dato: LpN1=200 m.

32. Considere una estructura VDMOS tpica. Se pide:

a) Describa cualitativamente el funcionamiento del dispositivo.

b) Justifique la presencia de la difusin P+.
c) Justifique la presencia del cortocircuito entre las zonas P+ y N+.
d) Justifique la presencia continua del xido de puerta y del polisilicio por encima
de la zona N.

33. Indicar si las siguientes afirmaciones son verdaderas o falsas (V o F)

I) En un MESFET disminuir el grosor de la zona activa Aumenta el valor de la

tensin de pinch-off.
II) En un MESFET disminuir el grosor de la zona activa aumenta el valor de
VDSAT para un mismo valor de VG.
III) En un transistor MOS de canal N, aumentar el dopado del sustrato aumenta
el potencial de sustrato B.
IV) En un transistor MOS de canal N, aumentar el dopado del sustrato aumenta
el valor absoluto de la carga almacenada en el volumen del semiconductor.
V) Las uniones planas presentan una tensin de ruptura mayor que las uniones
cilndricas o esfricas.
VI) Los transistores bipolares son ms adecuados que los MOS para conectarse
en paralelo y controlar mayores corrientes.
VII) En un diodo PIN de potencia, la caida de tensin en la zona intrnseca,
cuando sta se encuentra en alta inyeccin, crece con la corriente que circula.
VIII) En un diodo PIN de potencia, la tensin que es capaz de bloquear depende
principalmente de los dopados de las zonas P y N y en particular del menor de ellos.
IX) La modulacin de conductividad acelera la conmutacin en dispositivos
bipolares de potencia.
X) En un tiristor, los valores de las tensiones de ruptura en directa y en inversa
son diferentes, siendo ms pequea la correspondiente a polarizacin directa.
XI) En un diodo PN-N, aumentar el dopado de la zona N- aumenta la tensin de
ruptura.
XII) En un diodo PN-N, para conseguir bajas prdidas hmicas en conduccin
directa, es necesario que la longitud de difusin en la zona menos dopada sea grande
en comparacin con su longitud fsica.
XIII) En un diodo PN-N es posible, mediante un adecuado diseo del
dispositivo, conseguir que las prdidas hmicas en la zona menos dopada sean
prcticamente independientes de la corriente circulante.