UNIVERSIDAD NACIONAL DE CHIMBORAZO

TRANSISTORES DE EFECTO DE CAMPO (GRAFICAS EN

MATLAB)

Introduccin
Daremos a conocer cmo reaccionan los transistores J-FET y el comportamiento
de cada onda simulando en el software en Matlab.
El JFET (Junction Field-Effect Transistor, en espaol transistor de efecto de
campo de juntura o unin) es un dispositivo electrnico, es un dispositivo que,
segn unos valores elctricos de entrada, reacciona dando unos valores de
salida. En el caso de los JFET, al ser transistores de efecto de campo elctrico,
estos valores de entrada son las tensiones elctricas, en concreto la tensin
entre los terminales S (fuente) y G (puerta), V GS. Segn este valor, la salida del
transistor presentar una curva caracterstica que se simplifica definiendo en
ella tres zonas con ecuaciones definidas: corte, hmica y saturacin.

Mediante MATLAB realizaremos las curvas caractersticas para demostrar el

funcionamiento de los transistores de efecto de campo como se comportan,
cabe indicar que estos dispositivos se activan mediante voltaje.

Objetivos generales.
Utilizar de manera correcta el matlab para realizar las curvas de los JFET.
Conocer cules son los parmetros de cuales depende los JFET para
llegar a corte y saturacin.

Objetivos especficos.

Realizar las curvas de los transistores de efecto de campo utilizando las

ecuaciones de la Id (Vds).
Conocer cmo utilizar correctamente la ecuacin de shockley.
Conocer cul es la ecuacin a utilizar para determinar las zonas de corte
y saturacin de un jfet en matlab.

Materiales
Soware MATLAB.

Marco terico

1
 UNIVERSIDAD NACIONAL DE CHIMBORAZO
.

Historia.-Desde 1953 se propuso su fabricacin por Van Nostrand (5 aos

despus de los BJT). Aunque su fabricacin no fue posible hasta mediados de
los aos 80's.
Funcionamiento.- El transistor de efecto campo (Field-Effect Transistor o FET,
en ingls) es en realidad una familia de transistores que se basan en el campo
elctrico para controlar la conductividad de un "canal" en un material
semiconductor. Los FET pueden plantearse como resistencias controladas por
diferencia de potencial.
Tienen tres terminales, denominadas puerta (gate), drenador (drain) y fuente
(source). La puerta es la terminal equivalente a la base del BJT. El transistor de
efecto de campo se comporta como un interruptor controlado por tensin,
donde el voltaje aplicado a la puerta permite hacer que fluya o no corriente
entre drenador y fuente.
Estos dispositivos se dividen en 2 que son JFET de canal N y canal P.
Lo que le caracteriza al JFET es su alta impedancia de entrada que posee una
baja ganancia de entrada con respecto ac y son controlados por voltaje.

Un transistor de efecto de campo, es decir, su funcionamiento se basa en las

zonas de deplexin que rodean a cada zona P al ser polarizadas inversamente.
Cuando aumentamos la tensin en el diodo compuerta-fuente, las zonas de
deflexin se hacen ms grandes, lo cual hace que la corriente que va de fuente
a drenaje tenga ms dificultades para atravesar el canal que se crea entre las
zonas de deplexin, cuanto mayor es la tensin inversa en el diodo compuerta-
fuente, menor es la corriente entre fuente y drenaje.

APLICACIN DE LA ECUANCION DE SHOCKLE

2
 UNIVERSIDAD NACIONAL DE CHIMBORAZO
.

Para utilizar la ecuacin de shockle lo nico que nosotros necesitamos es dar

valores a Idss y Vp.

Ecuaciones del FET.

Esta expresin dice lo siguiente:

donde:

ID = Corriente de Drenaje

IDSS = Corriente de Drenaje de Saturacint

VGS = Voltaje Puerta-Fuente

VP = Voltaje de ruptura o Pinch Voltage.

Curvas caractersticas del Transistor de Efecto de Campo.

Son solo dos las curvas que se manejan habitualmente para caracterizar los
transistores JFET. En primer lugar, en la representacin ID v/s VGS para un VDS
dado, se aprecia claramente el paso de la regin de corte a la regin de
saturacin. En la prctica slo se opera en el segundo cuadrante de la grfica,
puesto que en el primero, VGS positiva hace crecer rpidamente a IG.

En la caracterstica VDS v/s ID del JFET canal N, se observa la diferencia entre

las regiones lineal y de saturacin. En la regin lineal, para un determinado

3
 UNIVERSIDAD NACIONAL DE CHIMBORAZO
.

valor de VGS, la corriente crece proporcionalmente a la tensin VDS. Sin

embargo este crecimiento se atena hasta llegar a ser nulo. Se alcanza el valor
de saturacin cuando ID slo depende de VGS.

Procedimiento
1. La primera grafica que realizaremos es:

Para ello debemos tomar en cuenta que la curva depende mucho con relacin a
mediante la ecuacin que le daremos a .
Por tal razn la curva caracterstica tendr un punto de inicio y un punto de
saturacin que al llegar a este punto se volver constante.
Al realizar esta grafica en MATLAB necesitaremos de la siguiente ecuacin:

A continuacin la programacin en MATLAB.

num=[1];
den=[0.5 0.11];
n=[0.44];
d=[1 0.112];
nu=[2];
de=[1 0.111];
w=[2];
e=[1 0.111];
t=0:0.01:100;
[y,x,t]= step(num,den,t);
[h,x,t]=step(n,d,t)
[z,x,t]=step(nu,de,t);
[e,x,t]=step(w,e,t);
plot(t,y,t,h,t,z,t,e)
title('Ecuacion Shockley (VDS vs ID)');
xlabel('VDs(V)')
ylabel('IDs(mA)')

4
 UNIVERSIDAD NACIONAL DE CHIMBORAZO
.

2. La segunda grafica que realizaremos es la de resistencia de

drenador:

En esta grafica observamos que la resistencia va hacer controlado por el voltaje

para ello utilizaremos la siguiente formula:

k= 0:0.1:550
j= 9:0.01:20
c= 2.718281828
k=k/90
a= (c.^k)/50
f= 1.12+5
plot (k,a,'b',f,j,'b')
title('Ecuacion Shockley (RDS vs VDS)');
xlabel('VDS(V)')
ylabel('RDS(ohmios)')

5
 UNIVERSIDAD NACIONAL DE CHIMBORAZO
.

3. Graficaremos la ecuacin de shockle mediante la ecuacin y los

siguientes parmetros:

La ecuacin utilizada es:

VDD = 0:.1:4
VPP=4
IDDSS=0.008
Icc =IDDSS*(1-(VDD/VPP)).^2
plot( VDD, Icc)
title('Ecuacion Shockley (VGS vs ID)');
xlabel('VGS(V)')
ylabel('IDs(A)')

4. Graficaremos la ecuacin de shockle mediante la ecuacin y los

siguientes parmetros:

6
 UNIVERSIDAD NACIONAL DE CHIMBORAZO
.

VGS = -6:1:0
Vp=-6
Idss=0.012
Idj =Idss*(1-(VGS/Vp)).^2
plot( VGS,Idj)
title('Ecuacion Shockley (VGS vs ID)');
xlabel('VGS(V)')
ylabel('IDs(A)')

5. Graficaremos la ecuacin de shockle conjunto con la ecuacin de

:

a=0:0.01:20
b=0
num=[1];
VDD = -4:0.1111:0
VPP=-4
IDDSS=8
Icc =IDDSS*(1-(VDD/VPP)).^2
den=[0.5 0.11];
n=[0.44];
d=[1 0.112];
nu=[2];
de=[1 0.111];
w=[2];
e=[1 0.111];
t=0:0.01:100;
[y,x,t]=step(num,den,t);
[h,x,t]=step(n,d,t)
[z,x,t]=step(nu,de,t);

7
 UNIVERSIDAD NACIONAL DE CHIMBORAZO
.

[e,x,t]=step(w,e,t);
plot(VDD,Icc,t,y,t,h,t,z,t,e,b,a,'-')
title('Ecuacion Shockley (VDS vs ID)');
xlabel('VDs(V)')
ylabel('IDs(mA)')

1. Abrimos el programa de Matlab.

2. PROCEDEMOS ABRIR EL EDITOR DE MATLAB.

8
 UNIVERSIDAD NACIONAL DE CHIMBORAZO
.

3. CALCULOS PARA REFLEJAR LAS CURVAS CARACTERISTICAS.

4. PROCEDEMOS A PROGRAMAR.

9
 UNIVERSIDAD NACIONAL DE CHIMBORAZO
.

Recomendaciones.

Se recomienda utilizar la ayuda de MATLAB al tener una duda referente

algn comando.
Tomar en consideracin que los JFET Son activados por voltaje y no por
corriente.
Es muy importante que los dispositivos electrnicos siempre trabajen en
sus puntos Q de operaciones para que el transistor no llegue a un estado
de saturacin.
Conclusiones
La curva caracterstica llega a su punto de saturacin y se vuelve
constante en todos los casos de las curvas.
Todos los voltajes dependen de la corriente del drenador fuente.
Podemos determinar las zonas de corte y saturacin en el programa
Matlab.
Mediante la regin hmica podemos determinar la zona de saturacin de
un transistor J-FET.
Bibliografa

http://www.inele.ufro.cl/bmonteci/semic/applets/pagina_jfet/JFet.htm
http://pendientedemigracion.ucm.es/info/electron/laboratorio/componente
s/codigos/pag07-03.htm
http://www.electronicafacil.net/tutoriales/TRANSISTOR-FET.php
http://www.fdi.ucm.es/profesor/msantos/manuales/manual_matlab_cpd.pd
f
Libro Electrnica de Boylestad edicin 08

10