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Los tiristores
Un tiristor es un interruptor electrnico utilizados en circuito electrnicos de potencia, tiene tres
terminales un nodo, un ctodo, y una compuerta, un tiristor conduce siempre que el terminal del
nodo tenga mayor potencial que el ctodo.
Los tiristores se dividen en:
1) Tiristor conmutado forzado.
Esta clase de tiristores suele funcionar a la frecuencia de lnea, y se apagan por conmutacin
natural. Un tiristor inicia la conduccin en sentido directo, cuando se aplica un pulso de disparo
de corriente de la compuerta al ctodo, y se llega y se mantiene con rapidez a la conduccin total,
con una cada pequea de voltaje en sentido directo [1].
El BCT es un concepto nuevo para control por fase con alta potencia. Su smbolo se ve en la
figura 1 .Es un dispositivo nico que combina las ventajas de tener dos tiristores en un
encapsulado, permitiendo disear equipos ms compactos, simplificando el sistema de
enfriamiento y aumentando la fiabilidad del sistema. Los BCT permiten a los diseadores cumplir
con mayores demandas de tamao, integracin, fiabilidad y costo del producto final [1].
Son adecuados en aplicaciones tales como compensadores estticos de volt-amperes reactivos
(VAR), interruptores estticos, arrancad ores suaves y controles de motor [1] [2] .
Encendido y apagado: Un BCT tiene dos compuertas: una para encender e iniciar el flujo de la
corriente en sentido directo, y una para corriente en sentido inverso. Este tiristor enciende con un
pulso de corriente a una de sus compuertas. Se desactiva si la corriente andica baja del valor de
la corriente de detencin, por el comportamiento natural del voltaje o la corriente [1].
2,200 A suele ser de 1.7 V. Los tiristores inversores, con posibilidades muy limitadas de bloqueo
en sentido inverso, normalmente de 10 V, Y que tienen un tiempo de apagado muy corto, de 3 a
5 us, se llaman tiristores asimtricos (ASCRS). En la figura 2 se ven tiristores de conmutacin
rpida, de varios tamaos [1].
Este dispositivo enciende por irradiacin directa, con luz, de la oblea de silicio. Los pares
electrn-hueco que crea la radiacin producen la corriente de disparo, bajo la influencia del campo
elctrico. La estructura de la compuerta se disea para proporcionar la sensibilidad suficiente para
hacer la activacin con fuentes luminosas normales (por ejemplo, diodo emisor de luz, LED), y
para obtener grandes capacidades de las tasas di/dt y dv/dt [1] .
Los LASCR se usan en aplicaciones de alto voltaje y gran corriente, por ejemplo HVDC,
transmisin y compensacin de potencia o VAR re activos. Un LASCR ofrece un aislamiento
elctrico completo entre la fuente luminosa de activacin y el dispositivo de conmutacin de un
convertidor de potencia, que flota a un potencial hasta de algunos pocos kilo volts. La
especificacin de voltaje de un LASCR podra llegar a 4 kV a 1500 A, con potencia de la luz
[1].
Un TRIAC puede conducir en ambas direcciones, y se usa normalmente para control por fase.
Como un TRIAC es un dispositivo bidireccional, no se puede decir que sus terminales sean nodo
y ctodo. Si la terminal MT2 es positiva con respecto a la terminal MT1, el TRIAC se puede
encender aplicando una seal positiva entre la compuerta G y la terminal MTl. Si la terminal MT2
es negativa con respecto a la terminal MT}, se enciende aplicando una seal negativa entre la
compuerta G y la terminal MTl. No es necesario tener las dos polaridades de seal de compuerta,
y un TRIAC se puede encender con una seal de compuerta que puede ser positiva o negativa
[1].
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Encendido. El OTO tiene una estructura muy digital, sin compuerta regenerativa, como se ver
despus en la figura 7.19. En consecuencia, se requiere un pulso grande inicial de disparo, para
activarlo [1].
Estado de encendido. Una vez que el GTO se activa, debe continuar la corriente en sentido
directo de la compuerta durante todo el periodo de conduccin, para asegurar que el dispositivo
permanezca en conduccin. En caso contrario, no puede permanecer en conduccin durante el
periodo en estado de encendido [1].
Apagado. El funcionamiento de un GTO en el apagado est influido por las caractersticas del
circuito de apagado de compuerta. En consecuencia, estas ltimas caractersticas deben coincidir
con los requisitos de apagado. El proceso de apagado implica extraccin de la carga de la
compuerta, el periodo de avalancha en la compuerta y la disminucin de la corriente andica.
La cantidad de extraccin de carga es un parmetro del dispositivo, y su valor no se afecta en
forma importante por las condiciones del circuito externo [1].
El MTO fue desarrollado por Silicon Power Company (SPCO). Es una combinacin de un GTO
y un MOSFET, que juntos superan las limitaciones de capacidad de apagado del GTO. El
inconveniente principal de los GTO es que requieren un circuito de encendido con grandes pulsos
de corriente, para la compuerta de baja impedancia. El circuito de la compuerta debe proporcionar
la corriente de apagado de compuerta, cuya amplitud pico tpica es 35% de la corriente que se va
a controlar [1].
Encendido. Como un GTO, el MTO enciende aplicando un pulso de corriente a la compuerta de
encendido. Este pulso enciende el transistor npn Q1, que entonces a su vez enciende al transistor
pnp Q2 y retiene al MTO [1].
Apagado. Para apagar el MTO se aplica un pulso de voltaje en la compuerta del MOSFET.
Al encenderse el MOSFET, se ponen en corto el emisor y la base del transistor npn Q1, deteniendo
as el proceso de retencin. En contraste, un GTO se apaga extrayendo la corriente suficiente de
la base del emisor del transistor npn con un pulso negativo grande, para detener la accin de
retencin regenerativa [1][3].
El ETO es un dispositivo hbrido de MOS y GTO en el que se combinan las ventajas del GTO
y del MOSFET. El ETO fue inventado en el Virginia Power Electronics Center, en colaboracin
con SPCO .Un ETO tiene dos compuertas: una normal, para encenderlo, y una con un MOSFST
en serie, para apagarlo. Se han demostrado ETO de alta potencia , con especificaciones de
corriente hasta de 4 kA Y de voltaje hasta de 6 kV.[1][4][5][6]
Activacin. Un ETO se enciende aplicando voltajes positivos a las compuertas 1 y 2. Con un
voltaje positivo en la compuerta 2 el ctodo QE de MOSFET se enciende y apaga la compuerta
QG del MOSFET. Una inyeccin de corriente a la compuerta del GTO (a travs de la compuerta
1) enciende al ETO, debido a la existencia del GTo [1].
Apagado. Cuando se aplica una seal de apagado, con voltaje negativo, al ctodo QE del
MOSFET, se apaga y toda la corriente se desva del ctodo (emisor n del transistor npn del GTO)
hacia la base a travs de la compuerta QG del MOSFET. Esto detiene el proceso de retencin
regenerativo y el resultado es una apagado rpido [1].
El SITH, llamado tambin diodo controlado-limado (FCD, de filed-controlled dio de) fue
introducido por Teszner en la dcada de 1960. Un SITH es un dispositivo de portadores
minoritarios. En consecuencia, tiene baja resistencia o cada de voltaje en estado activo, y se
puede fabricar con mayores especificaciones de voltaje y corriente. Tiene grandes velocidades de
conmutacin y mayores capacidades de las tasas dv/dt y di/dt. El tiempo de conmutacin es del
orden de 1 a 6 s. La especificacin de voltaje puede llegar hasta a 2500 V, Y la de corriente se
limita a 500 A. Este dispositivo tiene una sensibilidad extremadamente alta al proceso, y pequeas
perturbaciones en su manufactura producen grandes cambios en sus caractersticas [9][10][11].
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Un tiristor requiere un tiempo mnimo para repartir por igual la conduccin de la corriente en las
uniones. Si la rapidez de aumento de la corriente andica es muy alta, en comparacin con la
velocidad de reparticin de un proceso de activacin, puede presentarse un calentamiento
localizado, o "punto caliente" debido a alta densidad de corriente, y el dispositivo puede fallar
como resultado de una temperatura excesiva.
Se deben proteger los dispositivos prcticos contra una alta tasa di/dt. Por ejemplo, veamos el
circuito de la figura 7. Bajo operacin de estado permanente, Dm conduce cuando el tiristor TI
est apagado. Si se dispara TI cuando Dm todava est conduciendo, la tasa di/dt puede ser muy
alta, y slo la limita la inductancia parsita del circuito. En la prctica, la tasa di/dt se limita
agregando un inductor L, en serie, como se ve en la figura 7. La tasa di/dt en sentido directo es
Fig. 7. Circuito de Conmutacin para tiristor, con inductores limitadores de la tasa di/dt [1].
0.632 0.632
= = . 1 [1]
El valor de la constante de tiempo del amortiguador, T = RsCs, se puede determinar con esta
ecuacin, para un valor conocido de la tasa dv/dt. El valor de R, se determina a partir de la
corriente de descarga ITD.
= . 2 [1]
Es posible usar ms de un resistor para la tasa dv/dt y descargar, como se ve en la figura 8d. La
tasa dv/dt se limita con R, y Cs. La suma (Rl + R2) limita la corriente de descarga, de tal modo
que
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= . 3[1]
1 + 2
La carga puede formar un circuito en serie con la red amortiguadora, como se ve en la figura 8e.
La relacin de amortiguamiento de una ecuacin de segundo orden es
+
= = . 3 [1]
2 +
Para aplicaciones en alto voltaje se pueden conectar dos o ms tiristores en serie, para alcanzar
la especificacin de voltaje. Sin embargo, debido a las variaciones en la produccin, no son
idnticas las caractersticas de los tiristores. La figura 9 muestra las caractersticas de estado de
apagado de dos tiristores. Para la misma corriente de estado de apagado, son distintos sus voltajes
de estado de apagado [1].
En el caso de los diodos slo deben compartirse los voltajes de bloqueo en sentido inverso,
mientras que en el caso de los tiristores se requieren redes de voltaje de bloqueo compartido, para
las condiciones de bloqueo inverso y de estado de apagado [1].
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Si I1 es la corriente a travs del resistor R en paralelo con TI, y las corrientes por otros resistores
son iguales, de tal modo que I2 = i3 = In, el intervalo de corriente en estado de apagado es
= 2 1 = 2 + 1 = 1 2 . 4 [1]
Es igual a
2 = 1 . 5 [1]
= 1 . 6[1]
(max)
Operacin de Tiristores en Paralelo
Cuando se conectan los tiristores en paralelo, la corriente de la carga no se comparte por igual,
por diferencias en sus caractersticas. Si un tiristor conduce ms corriente que la que pasa por
otros, aumenta su disipacin de potencia y con ello aumenta la temperatura de la unin y
disminuye la resistencia interna. Esto ltimo, a su vez, hace aumentar la corriente compartida y
puede daar al tiristor [1] .
Se puede conectar una pequea resistencia, como se ve en la figura 11 a, en serie con cada tiristor,
para forzar la divisin igual de la corriente, pero puede haber una prdida considerable de potencia
en las resistencias en serie. Un mtodo frecuente para compartir corriente de tiristores es usar
inductores acoplados magnticamente, como los que se ven en la figura 11 b.
Si aumenta la corriente por el tiristor TI, se puede inducir un voltaje de la polaridad contraria en
los devanados del tiristor Tb y se puede reducir la impedancia a travs de la trayectoria por T2
aumentando as el flujo de corriente por T2 [1].
REFRENCIAS BIBLIOGRAFICAS.