TEC. Esquivel, Arias.
Circuitos de polarizacin de transistores JFET
Diseo de circuitos de polarizacin de transistores JFET
Fabin Esquivel Arias
correo: fabiesqui22@gmail.com
Peter Andrs Arias Gmez
correo: 77parias@gmail.com
RESUMEN: En este experimento se disearn
los componentes necesarios para el
funcionamiento de circuitos bsicos de
polarizacin de transistores: Polarizacin fija,
Polarizacin por divisor de tensin y
Autopolarizacin.
1. INTRODUCCION
En este informe se muestra como disear
circuitos para los transistores JFET y sus
formas de polarizarlos con anlisis de CD
matemtico y grfico. Se analizaran dichos
diseos para as encontrar las diferencia que
puedan presentarse en los experimentos, as
como el comportamiento terico y
experimental de las diferentes
configuraciones dispuestas para los
dispositivos JFET.
2. MARCO TERICO
Adems de los transistores BJT existe otro
tipo de transistor, el cual est basado en el
efecto de campo. Estos transistores se
conocen como transistores de efecto de
campo (FET). Estos transistores se
diferencian de los BJT principalmente porque
el transistor BJT es un dispositivo controlado
por corriente, en tanto que el transistor JFET
es un dispositivo controlado por voltaje. [1]
Su control se basa en las cargas presentes
generan un campo elctrico el cual controla
el paso de corriente del circuito a la salida,
esto sin establecer contacto directo entre las
cantidades de control y las controladas. [1]
En este captulo presentamos tres tipos de
FET: el transistor de efecto de campo de
unin (JFET), el transistor de efecto de
campo semiconductor de xido metlico
(MOSFET), y el transistor de efecto de
campo semiconductor metlico (MESFET). [1]
Para este experimento se analiz
exclusivamente el transistor de efecto de
campo de unin.
La estructura de los JFET est formada
mayormente por un material tipo n, el cual
J7
forma el canal entre las capas de sustrato
incrustadas de material p. La parte superior
del canal tipo n est conectada mediante un
contacto hmico a un material conocido
como drenaje (D) [1], en tanto que el extremo
inferior del mismo material est conectado
mediante un contacto hmico a una terminal
conocida como fuente (S). Los dos
materiales tipo p estn conectados entre s y
a la terminal de compuerta (G). En esencia,
por consiguiente, el drenaje y la fuente estn
conectados a los extremos del canal tipo n y
la compuerta a las dos capas de material tipo
p, [1] tal como se muestra en la figura 1.
Figura 1. Estructura de transistor de efecto
de campo de unin.
Para el funcionamiento de estos transistores
tienen algunos conceptos importantes los
cuales son:
1. La corriente mxima para cualquier
JFET se designa IDSSat y ocurre
cuando VGS = 0 V.
2. La corriente mnima para un JFET
ocurre en el momento en que se da
el estrangulamiento definido por
VGS = Vp (Pinch off voltage).
3. La relacin entre la corriente de
drenaje y el voltaje de la compuerta a
la fuente de un JFET es no lineal
definida por la ecuacin de Shockley
VGS
ID = IDSS ( 1 - Vp ).
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Anlisis CD de los transistores JFET

Para el anlisis en CD se debe tomar en

cuenta las siguientes relaciones:
1. IG = 0 A, esto pues al trabajar con
efecto de campo elctrico, la
corriente por la compuerta es
inexistente
2. Por la deduccin anterior tambin se
considera que ID = IS , pues la prdida
o ganancia de corriente s casi nula.

Existen varias formas de polarizar los

transistores FET, en este informe se
experimentan tres formas de polarizacin: Figura 3. Grfica ecuacin de Shockley para
polarizacin fija, autopolarizacin y el circuito de polarizacin fija.
polarizacin por divisor de tensin.
B) Autopalarizacin
A) Polarizacin Fija
La configuracin de autopolarizacin elimina
Esta es la configuracin de polarizacin la necesidad de dos fuentes de cd. El voltaje
ms simple para el JFET de canal n (figura de control de la compuerta a la fuente ahora
2.). lo determina el voltaje a travs de un resistor
RS (figura 4).

Figura 2. Circuito de polarizacin fija. Figura 4. Circuito de autopolarizacin.

Para este anlisis se considera que la Considerando que la corriente IS=ID ,

tensin VRG = 0 A pues como se mencion entonces se tiene que VRS = ID RS, analizando
anteriormente la corriente por la compuerta la malla de la figura 5 se tiene que V GS = -VRS
es inexistente. Por tanto, VGG = -VGS por lo tanto VGS = - IDRS.
analizado por LTK. Con la ecuacin de
VGS
Shockley ID = IDSS (1 - Vp ), se puede

obtener por medio de una malla que: V DS = -

IDRD + VDD pues VS = 0 V , lo que nos lleva a
concluir que : VD = VDS y VG = VGS. La figura 3
representa la grfica de la ecuacin de
Shockley. [1]
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Figura 6. Circuito de polarizacin por divisor

de tensin.

Realizando un anlisis de mallas como se

muestra en la figura 7, se denota la ecuacin
de Kirchhoff VG - VGS - VRS = 0, despejando
obtenemos que; VGS = VG - IDRs

Figura 5. Anlisis CD del circuito de

autopolarizacin.

La tensin en el drain puede deducirse por

LTK pues ID = IS, entonces VDS = VDD ID(RS +
RD2), VS=IDRS lo cual supone que VD = VDS +
VS = VDD - VRD.
Figura 7. Anlisis CD del circuito de
polarizacin por divisior de tensin.
C) Polarizacin por divisor de tensin
Tambin se puede determinar que VDS = VDD
Como IG = 0 A, la ley de la corrientes de ID(RD + RS), en donde VD = VDD IDRD y VS =
Kirchhoff requiere que y se puede utilizar el IDRS. Las corrientes que pasan por las
circuito equivalente en serie que aparece a la resistencias de polarizacin son I R1 = IR2 =
izquierda de la figura para determinar el valor V DD
del VG. El voltaje VG, igual al voltaje a travs ( R 1+ R 2) .
de R2, se determina con la regla del divisor
R 2VDD
de voltaje como; VG = R 1+ R 2
3. DISEO DE CIRCUITO

El diseo del circuito implica el encontrar las

resistencias necesarias para la operacin del
transistor.

CIRCUITO DE POLARIZACIN FIJA

Para la elaboracin del circuito de la figura 8
se necesitaron una resistencia de 1k, un
potencimetro de 1k para la regulacin de
la fuente fija de 9v, adems de una fuente de
15v.
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Figura 10. Circuito de autopolarizacin

Figura 8. Circuito de polarizacin fija.
Utilizando el mtodo grfico y las
Una vez montado el circuito se procede a la suposiciones anteriores se encuentra el valor
medicin de VRD , ajustando la tensin de V GS de IDSS y el valor VPinchOff, para esto se traza
= 0 V. Por ley de Ohm se determina la una lnea horizontal a travs de IDQ=IDSS/2, el
corriente de ID la cual es igual a 6.24 mA. punto de interseccin va a dar el punto de
Ajustando la tensin VGS al valor ms operacin de transistor.
negativo -1.39V, hasta que VRD 1mV se
asume que la corriente ID es
aproximadamente 0V. Este valor es el voltaje
de pinch-off.

Graficando la curva de Shokley con sus

respectivos valores obtenemos la curva
necesaria para encontrar los dems valores.

Figura 11. Curva de Shokley

La figura 10 se encuentra el valor de V GSQ =

-0.41V. Tomando en cuenta la siguiente

ecuacin tenemos que VGS=|

Figura 9. Curva de Shokley Vp-VGSQ| y ID=|IDSS/2| por tanto RS=314.

CIRCUITO DE AUTOPOLARIZACIN Para el valor de RD, se averigua utilizando ley

Para el diseo del siguiente experimento se de tensiones de Kirchhoff
asumen las siguientes condiciones:
IDQ=IDSS/2 Resolviendo nos d que RD=4.49k.
VDSQ=VDSMAX/2
CIRCUITO DE POLARIZACIN POR
VDD= 2VDSQ DIVISIN DE TENSIN
VDSMAX=30V Para el siguiente circuito se asumen las
siguientes condiciones:
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IDQ=4mA
VDSQ=8V Para los circuitos de medicin se utiliz un
transistor equivalente pues fue difcil
VDD=20V encontrar el necesario para el experimento
R2=10RS pues no se poda encontrar en tiendas, por
tanto se nos recomend un transistor similar
Utilizando la grfica de la figura 9 se traza en una de las tiendas visitadas, y ante la
una lnea horizontal como se muestra en la necesidad adquirimos el 2sk168, el cual es
figura 11, tal que la interseccin de dicha un JFET.
lnea no da el punto de operacin Q tal que
VGS= -0.28V. Los valores de VG y RS son A. Circuito de autopolarizacin
desconocidos. Se sabe que VG debe ser
positivo, pero si se Para este circuito
hace muy pequeo Voltaje Medido Tericos se necesit una
causa que RS sea fuente de 15v,
reducido lo que VDD 29.8V 30V resistencia de
causa efecto VRD 7.7V 14.02 1k,, adems del
indeseable de tener VDSQ 21.9V 15V tansistor JFET
un nivel de IDQ 1.75mA 3.12mA 2SK168. (figura
disipacin de CD 10). Para este
alto. VG=|VpinchOff| el cual tiene un valor de circuito se midieron los valores resumidos en
-1.39V. Ahora por medio de la siguiente la tabla 1.
ecuacin se despeja RS VGS=VG-ID*RS:
RS=417. Como R2=10Rs entonces Tabla 1. Voltajes de autopolarizacin
R2=4.17.
Las resistencias comerciales y las reales se
resumen en la tabla 2.

Resistencia Medido Comercial

RD 4.378k 4.47k
RS 328 330
Tabla 2. Resistencias de circuito
autopolarizacin

Para la resistencia RD se uso la suma en

serie 3.9k, 470, 100.

B. Polarizacin por divisor de tensin

Figura 12. Curva de Shokley

Para la malla de salida se tiene que:

VRD=VDD-VRS, donde VRS=IDQ*Rs, el valor de
Rs ahora es conocido por lo tanto se
encuentra el valor de VRD la cual da 10.3V.
Ahora como se conoce el valor de I DQ por ley
de Ohnm RD=2.58k.

Ahora por divisor de tensin se encuentra el

valor de R1 por tanto: Como se
conoce el valor de VG, R2,
despejando se obtiene R! =55.8k

4. CIRCUITOS DE MEDICIN Figura 12. Circuito de polarizacin por

divisor de tensin.
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Para el circuito de polarizacin por divisor de

tensin tambin se encontr que los valores
Para este circuito se necesit de una fuente variaron y esta variacin no fue proporcional
de tensin de 20v. Las resistencias se pues algunos valores aumentaron y otros
resumen en la tabla 2. disminuyeron con respecto a los valores
tericos.
Resistencia Medido Comercial
R1 55.8 k 56k Analizando las hojas de datos de 2n4416 y
R2 4.07k 4.17k del 2sk168 encontramos diferencia en
RD 2.5k 2.53k algunos rangos elctricos de funcionamiento
RS 428 430 lo cual hizo variar considerablemente los
Tabla 3. Resistencias de circuito polarizacin valores respecto al transistor 2sk168 adems
divisor de tensin de lo antes mensionado.

Para este circuito se midieron los valores Segn los resultados obtenidos de los
resumidos en la siguiente tabla valores de las tensiones y las corrientes as
como las curvas de ID, pudimos observar que
Voltaje Medido Tericos hay similitud entre los valores experimentales
y los valores de las hojas de datos de los
VRD 16.7V 10.3V transistores tal y como lo muestra la figura 13
VRS 2.7V 1.67V
VGS -644mV -0.28V
VDS 591mV 8V

Tabla 4. Voltajes de polarizacin por divisor

de tensin

5. ANALISIS DE RESULTADOS

Para los circuitos anteriores se determinaron

las tensiones de operacin de las tres formas
de polarizacin de los transistores, los
valores experimentales comparados con los
tericos variaron debido a que el
experimento est diseado para el transistor
2n4416 y el transistor utilizado en la prctica
Figura 13. Curva caracterstica del transistor
no cumple con algunas de las suposiciones
2sk168
antes hechas.
Como se puede apreciar el rango de valores
de la corriente para la curva D van de 4mA a
En este experimento se utiliz el transistor
los 8mA, en nuestro experimento se
2sk168, pues en los lugares ms
determin que la corriente de saturacin fue
frecuentados para la compra de diferentes
de 6.24mA, valor que se encuentra entre
componentes, los transistores 2n4416
dicho rango.
estaban agotados. Por ende los vendedores
nos recomendaron el 2sk168 como un
transistor equivalente, lo cual es incorrecto. 6. CONCLUSIONES
Los puntos de operacin entre las formas de
Para el caso de la polarizacin fija se pudo polarizacin varan, cosa que no sucede con
notar que el valor experimental de IDSQ es los valores de la curva de Shockley.
del valor supuesto para la determinacin de
los valores de resistencias. Este valor cambia Es importante antes de comprar algn
considerablemente todos los valores de dispositivo electrnico leer la hoja de datos y
medicin a de los valores tericos. en caso de no conseguir el equipo original,
tomar en cuenta un equivalente lo ms
cercano al equipo que se buscaba.
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C) REFERENCIAS
En especial para experimentos que estn
diseados para componentes especficos, [1] B. Robert and N. Louis. Electrnica; Teora de
pues algunos equivalentes no siempre Circuitos y Dispositivos Electrnicos. Pearson Education,
Mxico, 2009
responden de la misma manera que los
originales.