TRANSISTORES FET,

MOSFET YJFET
Briceo Pablo
e-mail: pabriceno1@espe.edu.ec
Cachumba Santiago
e-mail: sjcachumba@espe.edu.ec

Ingeniera Automotriz, Cuarto nivel, Universidad de las Fuerzas Armadas ESPE

- Extensin Latacunga, Mrquez de Maenza S/N
Latacunga, Ecuador.
Fecha de presentacin: 22/12/2016

RESUMEN: En el presente trabajo analizaremos dos tipos

de los transistores FET, que son los JFET Y
El presente trabajo de investigacin MOSFET.
contiene informacin de importancia que le
permite al lector conocer acerca de los
transistores de efecto de campo denominados
FET, los cuales se subdividen en transistores 2. TRANSISTORES
del tipo JFET y MOSFET que son los que ms DE EFECTO DE
se destacan. Dentro del tema se abarca las
caractersticas ms relevantes de estos
CAMPO
transistores comparndolos con los
transistores BJT. Para cada tipo de transistor 2.1 CARACTERSTICAS
se explicar las diferentes formas en las que GENERALES
se los puede polarizar, y su funcionamiento
como amplificadores. Los transistores de efecto campo son
dispositivos similares a los transistores BJT, con
PALABRAS CLAVE: Transistores, efecto la diferencia de que los transistores de efecto de
de campo, polarizacin de transistores, campo basan su funcionamiento en el campo
configuracin de transistores, JFET, MOSFET. elctrico para controlar la forma y conductividad
que tienen sus terminales, al igual que los BJT
1. INTRODUCCIN estn hechos de un material semiconductor,
posee tres pines, ver Fig.1, los cuales se
denominan de izquierda a derecha, con la cara
Los transistores FET, son tambin conocidos plana del dispositivo frente a nosotros, reciben el
como transistores de efecto campo, su precursor nombre de compuerta o puerta, drenaje y fuente.
fue un fsico hngaro llamado Julius Edgand,
quien en 1925 diseo un aparato para controlar
corrientes elctricas, pero en 1951 William
Shockley fabric el primer transistor de efecto de
campo. [1]
El primer transitor MOSFET o tambin
llamado Metal-Oxide-Semiconductor, este usa
un aislante normalmente de xido de silicio, fue
elaborado por los ingenieros Dawon Kahng y
Marti Atalla en 1960. [1]
Existen diferentes tipos de transistores, entre Figura 1. Transistores JFET y MOSFET.
estos tenemos: Tomado de: https://goo.gl/R4BGpR
MOSFET
JFET Estos dispositivos tienen una simbologa
MESFET similar a los transistores BJT, con la diferencia del
HEMT nombre de los pines, al igual que los BJT existen
MODFET dos tipos los de enriquecimiento de canal N y los
IGBT de enriquecimiento del canal P, ver Fig. 2.
FREDFET
DNAFET

1
 2.2 TRANSITORES JFET
Es un dispositivo de tres terminales que
controla la corriente a travs de uno de sus
terminales, ver Fig. 4.

Figura 2. Simbologa de transistores de efecto

de campo. Tomado de: https://goo.gl/NyfjO3

La principal diferencia de los BJT y los FET

radica en que los ltimos son controlados por
voltaje mientras que los BJT son dispositivos
contralados por corriente, ver Fig. 3, es importante
recordar que los transistores BJT son bipolares y
los FET son unipolares.

Figura 4. Constitucin de un transistor JFET.

Tomado de: Boylestad, R. Nashelsky, L. Teora
de circuitos y dispositivos electrnicos.

2.2.1 POLARIZACIN DE UN
TRANSISTOR JFET
Para la polarizacin de los transistores existen
varias formas de polarizacin que son:

Figura 3. Comparacin de transistores BJT y a) Polarizacin fija

FET. Tomado de: Boylestad, R. Nashelsky, L.
Teora de circuitos y dispositivos electrnicos. Para el funcionamiento ms habitual, los
transistores de canal n se polarizan
En los transistores FET las cargas establecen aplicando una tensin positiva entre
un campo elctrico, este controla la ruta de drenador y fuente, de esta forma la
conduccin del circuito de salida sin que corriente circula en el sentido de
requieran un contacto directo entre las drenador a fuente, en el caso de los
cantidades de control y las controladas, una de JFET de canal p, la tensin V DS
las caractersticas ms sobresalientes es su alta
impedancia de entrada [1], que es la resistencia
debe ser negativa y la tensin V GS
de un circuito en corriente alterna.
Las diferencias ms importantes en positiva, de esta forma la corriente fluir
comparacin con los transistores BJT son las en el sentido de la fuente al drenador. [3]
siguientes:

La ganancia de voltaje de corriente
alterna para amplificadores de BJT son
mayores que para los FET

Los FET son ms estables en
temperatura que los BJT

Los FET son de menor tamao que los
BJT

Son ms usados en circuitos integrados
dado su pequea dimensin.

El consumo de potencia de los BJT es
mayor que el de los FET

La velocidad de conmutacin de los
FET es mayor que el BJT

2
Figura 5. Polarizacin fija de un JFET de
canal N. Tomado de: Gonzles, M.
Transistores de efecto de campo.

Figura 7. Recta de polarizacin de los

JFET tipo N. Tomado de: Glez, J.
Polarizacin del transistor de efecto de
campo

Para el anlisis de la malla del drenado

se realiza el anlisis de la siguiente
forma:
Figura 6. Polarizacin fija de un JFET de
canal P. Tomado de: Gonzles, M. V DD +V RD +V DS =0
Transistores de efecto de campo.
(5)

Anlisis: Despejando la Ec. 5. Obtenemos:

El voltaje en la compuerta siempre ser V DD =I DSRD +V DS

negativo con respecto al terminal de
fuente para un JFET de canal N. (6)

+ Despejando de la Ec. 6 la variable

I DS
tenemos:

s (1)
V DDV DS
G I DS=
V GS=V RD
(7)
A continuacin, se presenta la recta de
Ley de Voltajes de Kirchhoff en malla de carga de los transistores JFET de canal
compuerta: P en corriente continua.
V +V RG +V GS=0 (2)

Dado que la fuente esta polarizada

inversamente, entonces significa que no
existe corriente y por lo tanto
V RG =0 , obtenemos de Ec.2:

V GS=V (3)

Esta ecuacin representa a la recta de

polarizacin, ver Fig. 7, en esta se
puede observar la inestabilidad del punto
de operacin para los cambios de
parmetros del FET. [2]
Este tipo de polarizacin es la peor
forma de polarizar a un JFET, ya que el
Figura 8. Recta de carga de los JFET
tipo N. Tomado de: Glez, J. Polarizacin
del transistor de efecto de campo
Ejercicio 1:

putos de operacin ( I DSQ ,V DSQ Encontrar la variacin del punto de operacin

para el circuito mostrado:
bastante inestable.

3
 Figura 11. Circuito equivalente de auto
polarizacin JFET tipo N. Tomado de:
Glez, J. Polarizacin del transistor de
efecto de campo
Figura 9. Esquema del ejercicio 1.
Se empezar el anlisis de las leyes de
Tomado de: Glez, J. Polarizacin del
voltaje en la malla de la compuerta.
transistor de efecto de campo
V RG +V GS +V RS=0 (8)
V DD =12 V I DSSMAX =20 mA
FET 2N5486
V =1 V I DSSMIN =8 mA Despejando esta ecuacin se obtiene:

R D=470 V GSoff max =6 V V GS

I DS= (9)
Desarrollo:
RS

La Ec. 9. Se la conoce como ecuacin de la

recta de polarizacin, esta se la representa
mediante la Fig. 12, tiene una pendiente
negativa y pasa por el origen. [3]

Figura 10. Recta de carga ejercicio 1.

Tomado de: Glez, J. Polarizacin del
transistor de efecto de campo

1 2
I DSQmax =20 mA 1 ( 6 )
=13.89 mA
Figura 12. Ecuacin de la recta de
polarizacin JFET tipo N. Tomado de:
Glez, J. Polarizacin del transistor de
1 2
I DSQmin=8 mA 1( 2) =2 mA efecto de campo

En esta figura la recta 1 representa a RS

I DSQ =11.9 mA ideal para una buena ganancia de corriente, pero
con una gran inestabilidad.

La recta 2 es la que mejores condiciones

b) Auto polarizacin presenta ya que no compromete la inestabilidad.

Para la auto polarizacin el circuito
equivalente es el que se encuentra en la Fig.
11.
La recta 3 tiene una buena estabilidad, pero un
bajo valor de ganancia de corriente.
De estas rectas puede calcularse la RS
ptima dado por:

4
 Polarizar el FET de la figura de tal modo que el
punto de operacin se ubique a la mitad de la
curva de transconductancia y a la mitad de la
recta de polarizacin. Calcular adems el valor de
gm en el punto de operacin.

Figura 14. Esquema del ejercicio 1.

Datos:del transistor
Tomado de: Glez, J. Polarizacin
V DD =12 V
de efecto de campo

R D=?
Desarrollo:
RS =?

Rs =
V GSoff
(10)
| |
V GSoff
RS = I DSS=20 mA
I DSS FE
I DSSS V GSoff =6 V
RS =214 220
Las coordenadas del punto de operacin cuando
se presenta RS ptima es:

I DSQ=0.382 I DSS (11)

RS = | |
V GSoff
I DSS

V GSQ =0.382 V GSoff La coordenada del punto Q cuando se elige Rs

(12) ptima es:

Para la malla del drenaje el anlisis es homlogo I DSQ =0.382 I DSS =5.35 mA
al anterior mediante leyes de Kirchhoff en la
malla de compuerta.
V GSQ =1.15 V
V DD +V DS +V RS =0
(13) V RD V DDV DSQV RS
RD= =
V DDV DS I DSQ I DSQ
I DS=
RD+ RS
(14)
126220(5.35 mA )
R D=
5.35 mA
A la ecuacin 14 se la conoce como recta de
carga en corriente continua, ver Fig. (13)
R D=900

RG se propone de un valor de tal modo que

se aproveche la alta impedancia del JFET. En
este caso se propone de:

RG =1 M

2 I DSS V GS
Figura 13. Recta de carga en auto
polarizacin de JFET tipo N. Tomado de:
Glez, J. Polarizacin del transistor de
gm=
V GSoff (
1
V GSoff )
efecto de campo

Ejercicio 2:

5
 2(14 mA)
gm=
(3)
1(1.5
3 )
gm=5768 S

c) Polarizacin por divisor de tensin.

La configuracin del divisor de voltaje aplicada a

los BJT tambin se aplica con amplificadores FET
[1]
, la construccin del circuito se presenta en la
Fig. 12, sin embargo, su anlisis se realiza de
manera diferente.

Figura 17. Circuito equivalente 2 para

JFET por divisor de tensin. Tomado de:
Boylestad, R. Nashelsky, L. Teora de
circuitos y dispositivos electrnicos.

Aplicando la ley de voltaje de Kirchhoff en la

malla de la Fig. 13 se obtiene:

V GV GSV RS=0

Figura 15. Polarizacin del JFET por

Despejando y reemplazando:
divisor de tensin. Tomado de:
Boylestad, R. Nashelsky, L. Teora de
circuitos y dispositivos electrnicos. V GS=V G I DRs (15)

Todos los capacitores de la figura, fueron

reemplazados por un equivalente de circuito La Ecuacin 15 sigue siendo la ecuacin de una
lnea recta, pero el origen ya no es un punto
abierto, adems la fuente V DD se dividi en para trazar la lnea, para determinar el otro punto
de la recta se debe colocar el valor de
dos fuentes equivalentes para separar las
regiones de entrada y salida de la red, ver Figura I D =0 mA , con esto se asegura que la
13.
recta toque en algn punto del eje horizontal,
Dado que I G =0 , se puede deducir por la para descubrir el valor de este punto solo es
necesario reemplazarlo en la Ec. 15 y se
ley de Kirchhoff que I R 1=I R 2 se puede obtiene:

usar el circuito equivalente de la Figura 15.

V GS=V G (16)

Mediante estas dos ecuaciones se

construye la ecuacin de red para la
configuracin del divisor de voltaje en la
Figura 15.

Figura 16. Circuito equivalente 1 para

JFET por divisor de tensin. Tomado de:
Boylestad, R. Nashelsky, L. Teora de
circuitos y dispositivos electrnicos.

6
 R2 V DD (270 k)(16 V )
V G= = =1.82V
R 1 + R2 2.1 M+0.27 M

V GS=V G I D R S=1.82 V I D (1.5 k)

Figura 18. Recta de la ecuacin de red.

Tomado de: Boylestad, R. Nashelsky, L.
Teora de circuitos y dispositivos
electrnicos.

Ejercicio 3:

Determine lo siguiente para la red de la figura.

Figura 20. Determinacin del punto Q para la red.

Tomado de: Boylestad, R. Nashelsky, L. Teora
de circuitos y dispositivos electrnicos.

La lnea de polarizacion resultante aparece

con valores quiescentes de:

I DQ=2.4 mA
V G S =1.8 V
Q

Figura 19. Esquema del ejercicio 3. V D =V DDI D R D =16 V ( 2.4 mA )( 2.4 k )

Tomado de: Boylestad, R. Nashelsky, L.
Teora de circuitos y dispositivos
electrnicos.
V D =10.24 V
I DQ y V G S =?
Q
V S =I D RS =( 2.4 mA ) ( 1.5 k )
V D =?
V D =3.6 V
V S =?
Para las caractersticas de transferencia, si
V DS =V DDI D (R D + R D )
I 8 mA
I D = DSS = =2 mA , entonces
4 4 V DS =16 V ( 2.4 mA )( 2.4 k +1.5 k )
V DS =6.64 V
V 4 V
V GS= p = =2V . La curva
2 2
V DG =V DV G =10.24 V 1.82 V
resultante que
V DG =8.42 V
representa la ecuacin de Shockley
aparece en la figura. La ecuacin de la red
es:
2.2.2 POLARIZACIN DE UN
TRANSISTOR MOSFET

7

Para los transistores tipo MOSFET se puede
analizar dos tipos de configuraciones que son las
ms importantes, estas son:
a) MOSFET tipo empobrecimiento
La semejanza que existe entre los JFET y
MOSFET de tipo empobrecimiento permite
analizarlos de la misma manera en corriente
continua, la diferencia ms importante es
que los MOSFET de empobrecimiento
permiten una mayor operatividad con los
valores positivos de voltaje de compuerta-
fuente y mayores niveles de corriente de
drenaje. [1]
b) MOSFET tipo enriquecimiento
Figura 16. Caractersticas de
transferencia de un MOSFET tipo
enriquecimiento de canal N. Tomado de:
Boylestad, R. Nashelsky, L. Teora de
circuitos y dispositivos electrnicos.
Como podemos observar en la Fig. 16, para
los MOSFET de tipo enriquecimiento de
canal N, la corriente de drenaje es cero con
niveles de voltaje de la compuerta menores
que el nivel de umbral, la corriente de
drenaje se define como:
2
I D =k (V GS V GS (TH ))
(17)
De igual forma si se necesita definir K se lo
puede hacer despejndola de la Ec.17, se
obtiene:
I D (encendido)
k=
(V GS (encendido )V GS(Th) )2
(18)
2.2 FUNCIONAMIENTO DE LOS JFET
Y MOSFET CON AMPLIFICADOR
8
Los transistores de efecto de campo
proporcionan una mejor ganancia de voltaje y
una alta impedancia de entrada [2], se pueden
considerar como configuraciones de bajo
consumo de potencia, se puede utilizar en JFET y
MOSFET de empobrecimiento.
Al contrario que los BJT controla una gran
corriente de salida por medio de una corriente de
entrada pequea, en cambio los FET controlan
una corriente de salida a travs de un voltaje de
entrada, es por esto que los FET son un ms
sencillos de entender, y pueden usarse como
amplificadores lineales.
De igual forma se cuenta con configuraciones
que se pueden implementar en los amplificadores
FET, entre los cuales tenemos
a) Polarizacin Fija
El anlisis de corriente alterna de
amplificadores con BJT es muy similar al del
JFET y se debe determinar los siguientes
parmetros:
Zi , Zo , Av , para cada una de
las configuraciones.
Para la configuracin de polarizacin fija se
incluye capacitores, los que aslan la
configuracin de polarizacin de corriente
directa de la seal aplicada y la carga; para
el anlisis de corriente alterna estos actan
como equivalentes de cortocircuito.
Figura 17. Configuracin de polarizacin
fija del JFET. Tomado de: Boylestad, R.
Nashelsky, L. Teora de circuitos y
dispositivos electrnicos.
b) Configuracin de autopolarizacin
En comparacin con la configuracin de
polarizacin fija, que utiliza dos fuentes de
voltaje, esta configuracin, requiere solo una
fuente de cd para establecer el punto de
operacin deseado.
 Figura 20. Red de la figura 19 en condiciones de
ca. Tomado de: Boylestad, R. Nashelsky, L.
Teora de circuitos y dispositivos electrnicos.
Figura 18. Configuracin de autopolarizacin del
JFET. Tomado de: Boylestad, R. Nashelsky, L.
Teora de circuitos y dispositivos electrnicos.

c) Configuracin del divisor de voltaje

Figura 21. Red de la figura 20 dibujada de nuevo.

Tomado de: Boylestad, R. Nashelsky, L. Teora
de circuitos y dispositivos electrnicos.
V gs=V i

V O=gm V gs( r d R D )

V O g m V gs (r d R D)
A v= =
Vi V gs

Figura 19. Configuracin del divisor de voltaje del VO

JFET. Tomado de: Boylestad, R. Nashelsky, L.
A v= =gm ( r d R D )
Vi
Teora de circuitos y dispositivos electrnicos.
(22)
Zi R1 Y R2 estn en paralelo
Si r d 10 R D ,
con la equivalencia de circuito abierto del JFET
y el resultado es:
VO
Z i=R 1 R2 (19) A v= gm R D
Vi (23)

Z0 Al determinar V i=0 V , se
Las ecuaciones para Z0 y Av son las
establecen V gs y gm V gs a cero, y mismas para las configuraciones de polarizacin
fija y de autopolarizacin (con RS
Z 0 =r d R D (20) puenteada). La nica ecuacin diferente es
Zi , la cual ahora es sensible a la
Para r d 10 R D
combinacin en paralelo de R1 y R2 .

Z 0 R D (21)

9
 5. CONCLUSIONES Y necesario conocer las ecuaciones de Shockley
y aplicarlas dentro de los anlisis.
RECOMENDACIONES
Gracias a la presente investigacin se 6.
verific que los transistores tipo FET guardan REFERENCIA
bastante similitud con los transistores BJT, con S
la gran diferencia que estos los FET son
controlados por un voltaje de entrada y los BJT
son controlados por una corriente de entrada, [1] Boylestad, R. Nashelsky, L. (2009).
adems que los FET presentan ciertas Electrnica, Teora de circuitos y dispositivos
ventajas en consumo de potencia y espacio en electrnicos. PEARSON EDUCATION. Mxico.
comparacin con los otros. [2] Glez, J. (2008). Polarizacin del transistor de
Existen diferentes tipos de polarizaciones efecto de campo. Revisado (17/12/2016).
de un transistor JFET y MOSFET cada una [3] Gonzles, M. (2015). Transistores de efecto de
con una aplicabilidad diferente, es por esto que campo. Universidad Nacional de Quilmes. En
es importante conocer este tipo de lnea: https://goo.gl/dknRp7. Revisado
polarizaciones y realizar el anlisis respectivo (17/12/2016)
para poder saber que configuracin es mejor [4] Universidad Nacional Abierta y a Distancia.
para cada tipo de circuito. (2013). Aplicaciones de diodos zener. En lnea:
Para poder comprender de mejor manera https://goo.gl/q31PE9. Revisado (06/11/2016)
las ecuaciones que describen el
funcionamiento de los transistores FET es

10