Jonction PN et fonctionnement du MOS

Metal-Oxide-Semiconductor (suite)

Sommaire

1. Fonctionnement du MOS polaris (bias)

2. Rgime de dpltion
3. "Bande Plate"
4. Rgime d'accumulation
5. Tension de seuil
6. Rgime d'inversion

1
 1. Fonctionnement du MOS
Polarisation

Tension de polarisation:
Potentiel interne du MOS augmente
de B B + VGB
L'oxyde interdit le passage du courant
J=0 dans tout le semiconducteur
Ncessit drift = -diffusion dans SCR

Maintien des conditions aux limites l'interface Si/SiO2

Eox / Es 3

Comment ceci peut il se faire simultanment?

situation de quasi-quilibre avec potentiel interne
dans le MOS gal B + VGB
2
Consequence importante du quasi-quilibre:

Les relations de Boltzmann s'appliquent dans le SC

[On les drive partir de J e = Jh =0]

n(x) = ni e q (x) kT
q(x) kT
p(x) = ni e
et

2
np = ni en tout point x

3
2. Rgime de dpletion
Pour VGB>0 mtal attire les e- et repousse les trous
La rgion de dpltion augmente

Pour VGB<0 mtal repousse les e- et attire les trous

La rgion de dpletion diminue

4
En rgime de dpltion, tous les rsultats obtenus (quilibre)
s'appliquent avec B B+VGB.

Par exemple:

Epaisseur de la rgion de dpltion:

s 2C 2
( B GB )
+ V
xd (VGB ) = 1+ ox
1
Cox s qNa

Barrire de potentiel dans SCR semiconducteur:
qNa xd2 (VGB )
VB (VGB ) =
2 s
Potentiel de surface
(0) = p + VB (VGB )

Barrire de potentiel dans l'oxyde:

qNa xd (VGB )t ox
Vox (VGB ) =
ox

5
 3. "Bande Plate"
Pour une certaine valeur de VGB la rgion de dpltion disparait
"Bande plate"

Tension de bande plate ("FB : Flat Band") :

VGB = VFB = B = (N + p )
6
4. Rgime d'accumulation
Si VGB < VFB accumulation de trous l'interface Si/SiO2

7
 5. Tension de seuil
Revenons VGB>0
Pour des valeurs suffisamment leves de VGB
Le fonctionnement "lectrostatique" va changer pour
n(0)=Na seuil
En dessous du seuil on ne peut pas ngliger les contributions
des lectrons vers l'lectrostatique.

Calculons la tension de grille (tension de seuil) qui

donne n(0)=N a.

Hypothse: dpltion et lectrostatique

(On nglige la concentration des trous (p) au seuil)

8
 Calcul de la tension de seuil ("treshold")
Trois tapes:

Etape 1 : Calcul du potentiel dans semiconducteur

au seuil. Avec:

n(0) = ni e q(o) kT
Solution (0) at V GB = VT:

kT n (0) kT Na
(0 ) V =V T = ln = ln = p
GB q ni V =V q ni
GB T

VB (VT ) = 2 p
D'o :

9
 Calcul de la tension de seuil (suite)

Deuxime tape : Potentiel dans l'oxyde au seuil.

On a x d(VT) par la relation entre VB et xd dans la zone

de dpltion:
qN a x d (VT )
2
VB (VGB = VT ) = = 2 p
2 s
Solution x d VGB = VT:
2 s (2 p )
xd (VT ) = x d max =
qN a
Ainsi :
qN a xd (VT ) 1
Vox (VT ) = Eox (VT )tox = tox = 2 s qN a (2 p )
ox Cox

10
 Calcul de la tension de seuil (suite et fin ..)

Finalement : Somme des potentiels dans la structure.

1
VT + B = VB (VT ) + Vox (VT ) = 2 P + 2 s qNa (2 p )
Cox

Solution V T:
1
VGB = VT = VFB 2P + 2sqNa(2p)
Cox
Dpendances :

Si Na VT . Plus le dopage est lev, plus la tension

doit tre leve pour avoir n(0) = N a
Si Cox (tox) VT . Plus l'oxyde est fin, moins il y a
de barrire de potentiel dans l'oxyde.
11
6. Inversion
Que se passe-t-il si VGB > VT?

Plus d'lectrons l'interface SI/SiO2 que d'accepteurs

inversion.

Modulation de la concentration l'interface Si/SiO2

par VGB VGB n(0) |Qn| :
Contrle par effet de champ de la concentration
de charges mobiles [base du MOSFET]

Si on veut calculer Qn en fonction de VGB

Relation de contrle de la charge
On prend approximation charges localises: couche d'e-
Si/SiO2 est trs petite par rapport toute autre dimension
entre (t ox, xd).
12
Relation de contrle de la charge
Pour l'obtenir, reprenons le fonctionnement gnral

13
Relation de contrle de la charge (suite)
Hypothses:

n(0) e q(0) kT
qN a x d (0)

Ainsi pour VGB et (0) , n(0) varie beaucoup, mais

|Qd| varie trs peu.

Consquences:

xd n'augmente pas au dessus du seuil:

2 s (2 p )
xd (inv.) x d (VT ) = = xd,max
qNa

VB augmente peu au dessus du seuil VB(VT) =-2P

(une fine "feuille" d'e- ne contribue pas
VB.):

VB (inv.) VB (VT ) = 2 P

14
Relation de contrle de la charge (suite..)
Toute tension suprieure V T sert augmenter
la charge d'inversion Qn, analogie avec une capacit :
Electrode suprieure: grille mtallique
Electrode infrieure: couche d'inversion

Q = CV

Qn = Cox (VGB VT ) pour VGB > VT

Coul/cm2

Existence de Qn et contrle de Qn par VGB

cl de l'lectronique du MOS

15
 Qu'a t-on appris?
Rsum

A l'inversion:
Qn = Cox (VGB VT ) for VGB > VT
16