FACULTAD DE INGENIRIA ELECTRICA Y ELECTRONICA

LABORATORIO DE CIRCUITOS ELECTRONICOS II

RESPUESTA EN BAJA FRECUENCIA

DE UN AMPLIFICADOR DE UNA SOLA ETAPA

INFORME PREVIO 4

DOCENTE: ING CELSO YSIDRO GERONIMO HUAMAN

ALUMNO: JORGE FIDEL NAVARRO LOPEZ CODIGO: O993990

LIMA - PERU 2017

 RESPUESTA EN BAJA FRECUENCIA DE UN AMPLIFICADOR
DE UNA SOLA ETAPA

Fundamento terico:

La ganancia de voltaje y la fase de amplificadores acoplados capacitivamente se

ven afectados cuando la frecuencia de seal se encuentra por debajo de un valor
crtico. En bajas frecuencias, la reactancia de los capacitores de acoplamiento se
vuelve significativa, lo que reduce la ganancia de voltaje e incrementa el
desfasamiento
La combinacin R-C. Para la red de la figura , los capacitores Cs, CC y CE
determinarn la respuesta a baja frecuencia. Ahora se revisar el impacto de cada
uno de forma independiente y en el orden listado.

Circuito RC de entrada (Cs)

Cs y la resistencia de entrada del amplificador forman el circuito RC de entrada del

amplificador
Para frecuencias medias y altas, la reactancia del capacitor ser lo
suficientemente pequea para permitir una aproximacin de corto circuito para el
elemento. Entonces, el voltaje Vi star relacionado con Vs mediante

Circuito RC de salida

Para realizar el anlisis del circuito del circuito es preciso determinar un valor
b b
aproximado del 1 y 2 del transistor 2n222 este valor vara de acuerdo a la
temperatura ambiente y la corriente de colector de 5Ma y siendo la temperatura
media de lima de 20c podemos asumir un

b = hFE =100
 VCC
12.0V

R2 R4
56k 1.5k
Co

Ci 4.7F
R1 Q1 R7
2N2222 10k
1k 0.01F
Vg
R3
0.1Vrms R5
10000Hz 12k Ce
1k
0 22F

VCC
5.0V

R2 R4
56k 1.5k

IC
Q1
VB 2N2222

R3
R5
12k IE
1k
 R 1 R 2 12 x 56
Rbb= = =9.882 k
R1+ R 2 12+56

R2 12
Vbb=Vcc =12 =2.118V
R 1+ R 2 12+56

Ic
Vbb=IbRbb+Vbe+ IeRe Vbb= Rbb+Vbe+ ( Ic+ Ib )

Ic Ic
Vbb=
(
Rbb+Vbe+ Ic+
)
(VbbVbe) 100(2.1180.7)
Icq= = =1.782 mA
Rbb+ (1+ ) 9.882+0.69(1+100)

Ic
Vb=Vbe+ IeRe Vb=Vbe+ Ic+ ( )
=0.7+ 0.69 x 1.782 x 1.01=1.942V

Ic
Vcc=IcRc+Vce + IeRe Vcc=IcRc+Vce + ( Ic+ Ib ) (
Vcc=IcRc+Vce + Ic+
)
[
Vceq=VccIc Rc+ 1+ ( 1 )]=121.782 [1.5+ 0.69 (1+ 1001 )]=8.085V
Ic
Vb=Vbe+ IeRe Vb=Vbe+ Ic+ ( )
=0.7+ 0.69 x 1.782 x 1.01=1.942V

Ic
Vcc=IcRc+Vce + IeRe Vcc=IcRc+Vce + ( Ic+ Ib ) (
Vcc=IcRc+Vce + Ic+
)
[ ( )]
Vceq=VccIc Rc+ 1+
1
[
=121.782 1.5+ 0.69 1+
1
100 (
=8.085V )]

Ib.
 Ib.
R1 R2 re.

Primero hallamos el valor de hie:

Vt 25 mV
hie=hfe =100 =1.403 k
Icq 1.782mA
Ganancia de Voltaje (Av):
Vo Vo ib
Av = =
Vi ib Vi
Proceso:
Vo
1.Vo=hfeib(Rc / RL) =hfe(Rc / RL)
ib
ib ( Ri/ Rbb )
2. =
Vi Ri [ ( Ri/ Rbb ) +hie + 1(1+hfe ) ]
Entonces:
hfe(Rc / RL) ( Ri / Rbb )
Av = =5.175
Ri [ ( Ri / Rbb ) +hie+ 1( 1+ hfe) ]
SIMULACIONES
Voltaje de base voltaje de trabajo corriente de colector
 Tabla 3.1

VCEQ I CQ Av
(V) (mA)
Valor calculado
Valor simulado
Valor medido

BIBLIOGRAFIA

*Electrnica teora de circuitos y dispositivos electrnicos. Robert l

Boylstad

*Dispositivos electrnicos Floyd.

*Circuitos electrnicos discretos e integrados Schilling

*Diseo electrnico Savant.