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Los transistores bipolares de alta potencia son comunes en los convertidores de energa a frecuencias menores
que 10 Khz. Y su aplicacin es eficaz en las especificaciones de potencia de hasta 1200 V, 400 A. un transisor
bipolar tiene tres terminales: base, emisor y colector. Por lo general, se opera en forma de interruptor en la
configuracin de emisor comn.
Mientras que la base de un transistor NPN este a un potencial ms alto que el emisor, y la corriente de base
sea lo suficientemente grande como para excitar al transistor en la regin de saturacin, el transistor se
conservar activado siempre que la unin del colector al emisor est correctamente polarizada.
La cada directa de un transistor en conduccin esta en el rango de 0.5 a 1.5 V. si elvoltaje de excitacin de la
base es retirado, el transistor se conserva en modo de no conduccin. (es decir, desactivado).
Los MOSFET de potencia se utilizan en convertidores de potencia de alta velocidad y estn disponibles en una
especificacin de relativamente poca potencia en rango de 1000V, 50 A, en un rango de frecuencia de varias
decenas de Khz.
Los IGBT son transistores de potencia controlados por voltaje. Por naturaleza, son ms rpidos que los BJT,
pero aun no tan rpidos como los MOSFET. Sin embargo, ofrecen caractersticas de excitacin y de salida muy
superiores a las altas corrientes y frecuencias de hasta 20 Khz. Los IGBT, estn disponibles hasta 1200 V, 400 A.
Un MCT se puede activar mediante un pequeo pulso de voltaje negativo, sobre la compuerta MOS respecto a
su nodo), y descativar mediante un pulso pequeo de voltaje positivo.
Un SIT es un dispositivo de alta potencia y de alta frecuencia. Es en esencia, la versin en estado slido de un
tubo de vacio trodo, y es similar a un JFET. Tiene una capacidad de potencia de bajo ruido, baja distorsin y
alta frecuencia de audio. Los tiempos de activacin y desactivacin son muy cortos, tpicamente de o.25 useg.
La caracterstica de normalmente activo y la alta cada de voltaje limitan sus aplicaciones para conversiones de
energa de uso general. La especificacin de uso de corriente de los SIT pueden ser hasta de 1200V, 300 A, y la
velocidad de interrupcin puede ser tan alta como 100Khz.
Los SIT son adecuados para aplicaciones de alta potencia , alta frecuencia (es decir, audio, VHF/UHF y
amplificadores de microondas).
25.- Cules son las diferencias entre los MCT y los GTO?
-Los GTO se activan mediante la aplicacin de un pulso breve positivo a las compuertas.
-Los GTO se desenergizan mediante la aplicacin de un pulso corto negativo a las compuertas.
-No requieren de ningn circuito de conmutacin
-Son muy atractivos para la conmutacin forzada de convertidores
-Estn disponibles hasta 400V , 3000.
-Los MCT se pueden energizar mediante un pequeo pulso de voltaje negativo sobre la compuerta MOS
(respecto a su nodo).
-Los MCT se desenergizan mediante un pulso pequeo de voltaje positivo.
-La ganancia de desenergizacin es muy alta.
-Los MCT estn disponibles hasta 1000V, 100A.
26.- Cules son las diferencias entre los SITH y los GTO?