Sistemas nanoscpicos

balsticos
Tunelamento

Aluno: Renato Fernandes de Souza

Orientador: Gustavo Michel Mendoza La Torre
 Descrio do sistema

Sistema com dimenses menores

que o comprimento de livre
caminho mdio do eltron: (L, W
< le)
Os sistemas nanoscpicos so
construdos dentro dos sistemas
mesoscpicos
 Tunelamento

Relao entre o coeficiente de

transmisso, energia cintica do
eltron e as energias do poo
A energia cintica dos eltrons
controlada pela diferena de
potencial aplicada aos contatos
 Energia de Fermi

Energia do nvel mais alto

ocupado no estado
fundamental de um
sistema de N eltrons
2 2 2 2
=
2 2
=
2

Aumento da diferena de
potencial externa acima da
energia de Fermi faz com
que no exista tunelamento
 Diodos de
tunelamento
ressonante
Propriedades de transporte dados
pelos coeficientes de transmisso e
reflexo (eq. Schrodinger)
Energia do eltron = energia de um
estado discreto do poo:
Probabilidade de transmisso
mxima
Densidade de corrente em funo
da tenso aplicada nos contatos
 Tunelamento dupla
barreira

Funes de onda so resolvidas a

partir da equao de Schrodinger e
ento os coeficientes de
transmisso e reflexo podem ser
extrados
 Ressonncia

Coeficiente de transmisso em
funo da Energia
Picos indicam as energias que
esto em ressonncia com os
estados ligados do poo quntico
 2DEG

Juno de amostras de AlGaAs e GaAs na

formao de um gs de eltrons bidimensional
Perfil de energia das amostras separadamente
Perfil modificado na interface (descontinuidade
gera confinamento na direo z). Dopagem gera
transferncia de carga que produz um
encurvamento na banda de conduo
Soluo analtica atravs da aproximao do poo
triangular na camada GaAs (eq. Schrodinger)
 2DEG

Potencial de confinamento
associado geometria do gate
Transporte ocorre com aplicao
de uma diferena de potencial
 Referncias

LA TORRE, Gustavo Michel Mendoza et al. Espectroscopia de tunelamento

em sistemas nanoscopicos de transporte balistico. 2003.