DEPARTAMENTO DE ELCTRICA Y ELECTRNICA

CARRERA DE ELECTROMECNICA

FUNDAMENTOS DE ELECTRNICA

TEMA: TRANSISTORES BJT.

NOMBRE:

SANDOVAL DANIEL

DOCENTE:

MARITZA NAUAY

LATACUNGA

11/05/2017
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Qu son los Transistores

Dispositivo semiconductor activo que tiene tres o ms electrodos. Los tres electrodos
principales son emisor, colector y base. La conduccin entre estos electrodos se realiza
por medio de electrones y huecos. El germanio y el silicio son los materiales ms
frecuentemente utilizados para la fabricacin de los elementos semiconductores. Los
transistores pueden efectuar prcticamente todas las funciones de los antiguos tubos
electrnicos, incluyendo la ampliacin y la rectificacin, con muchsimas ventajas.

Elementos de un transistor o transistores:

El transistor es un dispositivo semiconductor de tres capas que consiste de dos capas de

material tipo n y una capa tipo p, o bien, de dos capas de material tipo p y una tipo n. al
primero se le llama transistor NPN, en tanto que al segundo transistor PNP.

EMISOR, que emite los portadores de corriente,(huecos o electrones). Su labor es

la equivalente al CATODO en los tubos de vaco o "lmparas" electrnicas.
BASE, qu controla el flujo de los portadores de corriente. Su labor es la
equivalente a la REJILLA ctodo en los tubos de vaco o "lmparas"
electrnicas.
COLECTOR, que capta los portadores de corriente emitidos por el emisor. Su
labor es la equivalente a la PLACA en los tubos de vaco o "lmparas"
electrnicas.

Ventajas de los transistores electrnicos

El consumo de energa es sensiblemente bajo.

El tamao y peso de los transistores es bastante menor que los tubos de vaco.
Una vida larga til (muchas horas de servicio).
Puede permanecer mucho tiempo en depsito (almacenamiento).
No necesita tiempo de calentamiento.
Resistencia mecnica elevada.
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Los transistores pueden reproducir otros fenmenos, como la foto sensibilidad.

Tipos de Transistores

Transistores Bipolares de unin, BJT. ( PNP o NPN )

El trmino bipolar refleja el hecho de que los huecos y los electrones participan en el
proceso de inyeccin hacia el material polarizado de forma opuesta.

Transistores de efecto de campo. ( JFET, MESFET, MOSFET )

JFET, De efecto de campo de unin (JFET): Tambin llamado transistor unipolar,
fue el primer transistor de efecto de campo en la prctica. Lo forma una barra de
material semiconductor de silicio de tipo N o P. En los terminales de la barra se
establece un contacto hmico, tenemos as un transistor de efecto de campo tipo

TRANSISTOR TIPO PNP Y NPN

La capa del emisor est muy dopada, la base ligeramente, y el colector slo un poco
dopado. Los grosores de las capas externas son mucho mayores que las del material tipo
p o n emparedado.

Figura 1.Transistor tipo pnp

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Figura 2.Transistor tipo npn

La capa del emisor est muy dopada, la base ligeramente, y el colector slo un poco
dopado. Los grosores de las capas externas son mucho mayores que las del material tipo
p o n emparedado.
El dopado de la capa emparedada tambin es considerablemente menor que el de las
capas externas (por lo comn de 10:1 o menor). Este menor nivel de dopado reduce la
conductividad (incrementa la resistencia) de este material al limitar el nmero de
portadores libres.

OPERACIN DEL TRANSISTOR

A continuacin describiremos la operacin bsica del transistor utilizando el transistor
pnp de la figura 1. La operacin del transistor npn es exactamente la misma con los roles
de los electrones y huecos intercambiados. En la figura 3 se volvi a dibujar el transistor
pnp sin polarizacin entre la base y el emisor. El ancho de la regin de empobrecimiento
se redujo a causa de la polarizacin aplicada y el resultado fue un intenso flujo de
portadores mayoritarios del material tipo p al material tipo n.
Eliminemos ahora la polarizacin de la base al emisor del transistor pnp de la figura 1
como se muestra en la figura 4. Considere las semejanzas entre esta situacin y la del
diodo polarizado en inversa. Recuerde que el flujo de portadores mayoritarios es cero, y
el resultado es slo un flujo de portadores minoritarios, como se indica en la figura 4. En
suma, por consiguiente: La unin p-n de un transistor se polariza en inversa en tanto que
la otra se polariza en directa.
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Figura 3. Unin polarizada en directa de un transistor pnp.

Figura 4. Unin polarizada en inversa de un transistor pnp.

En la figura 5 se aplicaron ambos potenciales de polarizacin a un transistor pnp, con los

flujos de portadores mayoritarios y minoritarios resultantes indicados. Observe en la
figura 5 los anchos de las regiones de empobrecimiento donde se ve con claridad cul
unin es polarizada en directa y cual lo est polarizada en inversa. Como se indica en la
figura una gran cantidad de portadores mayoritarios se difundir a travs de la unin pn
polarizada en directa hacia el material tipo n.
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Figura 5. Flujo de portadores mayoritarios y minoritarios de un transistor pnp.

Aplicando la ley de las corrientes de Kirchhoff al transistor de la figura 5 como si fuera
un nodo nico obtenemos:

Y hallamos que la corriente en el emisor es la suma de las corrientes en el colector y la

base. La corriente del colector, sin embargo, consta de dos componentes, los portadores
mayoritarios y los minoritarios. El componente de corriente de portadores minoritarios
se llama corriente de fuga y se le da el smbolo ICO corriente IC con el emisor abierto.
La corriente del colector, por consiguiente, est determinada en su totalidad por:

Para transistores de uso general, IC se mide en miliamperes e ICO en microamperes o

nanoamperes ICO, como la Is para un diodo polarizado en inversa, es sensible a la
temperatura y hay que examinarla con cuidado cuando se consideren aplicaciones de
amplios intervalos de temperatura.
Puede afectar severamente la estabilidad de un sistema a alta temperatura si no se
considera como es debido. Mejoras en las tcnicas de construccin han reducido
significativamente los niveles de ICO, al grado en que su efecto a menudo puede ser
ignorado.