Prctica 6

Polarizacin del transistor bipolar (BJT)

ndice General
6.1. Objetivos . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 51

6.2. Introduccin terica . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 51

6.3. Realizacin prctica . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 52

6.1. Objetivos

El objetivo de la prctica es que el alumno monte y analize el circuito de po-

larizacin de un transistor bipolar y analizar los distintos puntos de trabajo en los
que se puede situar. En particular, en el desarrollo de la prctica se trabajar con la
configuracin en emisor comn del transistor bipolar identificando las diferentes
regiones de funcionamiento en funcin de una variable independiente.

6.2. Introduccin terica

En la Figura 6.2 se representa el circuito de polarizacin de un transistor bipolar

en configuracin de emisor comn. El circuito est alimentado a 12V y dispone de
una fuente de alimentacin variable Vbb entre emisor y base para poder ajustar
el punto de polarizacin del circuito. En la realizacin de la prctica se calcular
el punto de polarizacin del circuito y por tanto, del transistor bipolar. Para ello
se variar el valor de la fuente de tensin Vbb entre 0 y 12V y se medirn las ca-

51
52 PRCTICA 6. POLARIZACIN DEL TRANSISTOR BIPOLAR (BJT)

das de tensin colector-emisor, VCE , tensin base-emisor, VBE , y a partir de ellas se

calcularn las corrientes de colector, IC , y de base, IB . Con estos valores se identifi-
carn las distintas regiones de funcionamiento del transistor bipolar (corte, activa
y saturacin) y se calcularn sus parmetros caractersticos VBE y .

Vcc =12V

R1 =10K RC =1K

Q1

Vbb

R2 =10K

Figura 6.1: Circuito de polarizacin del transistor BJT

6.3. Realizacin prctica

6.3.1. Anlisis del circuito de polarizacin

Se debe realizar, en primer lugar, un anlisis del circuito de polarizacin. Se

deben obtener las ecuaciones que relacionan las distintas variables de tensin VCE
y VBE y las corriente IB y IC .
Se deber identificar en qu intervalos de Vbb el transistor se encuentra en zona
de saturacin, zona activa y zona corte.
6.3. REALIZACIN PRCTICA 53

6.3.2. Montaje en placa de prueba del circuito de polarizacin del

BJT

Una vez obtenidas las ecuaciones que caracterizan el circuito se debe realizar
el montaje del circuito de polarizacin del BJT (Figura 6.2) en la placa de prueba.
Se suministran para ello todos los componentes de dicho circuito (Resistencias de
valores 10k y 1k, y el transistor BJT 2N2222) y la placa de prueba. Para reali-
zar correctamente el montaje se suministra la hoja de caractersticas del transistor
2N22222. Se utilizarn dos fuentes de tensin DC, una de de 12V y otra que se ir
variando de 0 a 12V.

6.3.3. Caracterizacin experimental del circuito de polarizacin

del BJT

Una vez montado el circuito, se debe anotar en la Tabla 9.6 los valores experi-
mentales VCE y VBE para los distintos valores de Vbb que aparecen. Se debe utilizar
para ello el voltmetro. Tambin se debe calcular los valores IC y IB a partir de las
ecuaciones deducidas en el primer apartado.

Representar grficamente VCE y VBE frente a Vbb e indicar los distintos estados
del transistor.
Por otra parte se debe representar IC frente a IB .
Se debe obtener de las grficas anteriores el valor de y VBE ON en la zona
activa
54 PRCTICA 6. POLARIZACIN DEL TRANSISTOR BIPOLAR (BJT)

Valores experimentales Valores tericos

Vbb VCE VBE IC IB
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
9.2
9.4
9.6
9.8
10
10.2
10.4
10.6
10.8
11
11.5
12

Tabla 6.1: Valores experimentales y tericos

6.3. REALIZACIN PRCTICA 55

Figura 6.2: Hoja caracterstica del transistor BJT 2N2222