Codigo de designacion de transistores y diodos

Transistores :

Est formado por un encapsulado, y tres patillas; una patilla es la base, otra el colector y
otra es el emisor. Existen dos tipos de transistores bipolares: npn y pnp.

Los smbolos de los transistores pnp y npn son as:

NPN PNP

El transistor es el resultado de unir tres semiconductores de tipo N y P.

Localizacin de las patillas:

Con el polmetro marcando la escala del diodo, se pone el cable rojo del polmetro en una
de las tres patillas y el negro en otra de las patillas, se comprueba lo que marca el
polmetro, despus con el cable negro se pone en la otra patilla que falta y si en el polmetro
da lo mismo que la comprobacin anterior, ese transistor funciona.

Para saber si es un pnp o un npn:

Se pone el cable rojo donde creas que sea la base y el negro en la otra patilla y despus en
la otra patilla, si da un valor alto en las dos mediciones, el transistor es un PNP y si da un
valor bajo es un NPN.

DESIGNACIN DE TRANSISTORES:

Normalmente el tipo de designacin de transistores son dos letras seguidas de tres nmeros.
Ej.: BA 145. La primera letra indica si los dispositivos son con uniones o sin uniones y
tambin indica el tipo de material de que est hecho. La segunda letra indica de que clase
de dispositivo se trata, si de un diodo o de un transistor y de que tipo. Y los tres nmeros
siguientes son nmeros de serie que indica que son dispositivos semiconductores diseados
para empleo principalmente en aparatos domsticos.

Los que tienen una letra y dos cifras no son para empleo domsticos sino para sistemas del
ejercito o algo relacionado. Ahora se presentar una tabla en el que indicar que significa
cada nomentatura.

PRIMERA LETRA SEGUNDA LETRA

distingue entre dispositivos con
uniones y sin uniones e indica el
material.
NMERO DE SERIE
indica la aplicacin principal y
tambin la construccin en el caso
de que se requiera una mayor
diferenciacin.

Dispositivos con uniones
A. Dispositivos con una o ms
uniones, que utilizan materiales
con un margen de banda de 0,6 a
1.0 V, tales como germanio.
B. Dispositivos con una o ms
uniones, que utilizan materiales
con un margen de banda de 1,0 a
1,3V, tales como silicio.
A. Diodo, detector, alta velocidad, Tres cifras para los dispositivos
mezclador. semiconductores diseados para
empleo principalmente en
B. Diodo de capacidad variable aparatos domsticos.
C. Transistor de BF (baja poten- Una letra y dos cifras para los
cia). dispositivos semiconductores no
diseados para empleo
D. Transistor de potencia para BF. principalmente en aparatos
domsticos.
E. Diodo tnel.

C. Dispositivos con una o ms F. Transistor de RF (baja poten-

uniones, que utilizan materiales cia).

con un margen de banda de 1,3V
en adelante, tales como arsenluro
de galio. G. Mltiple de dispositivos no
similares.
D. Dispositivos con una o ms
uniones, que utilizan materiales H. Sonda de campo.
con un margen de banda de
menos de 0,6V, tales como K Generador Hall en un circuito
antimonluro de indio. magntico abierto.

L. Transistor potencia para

Dispositivos sin uniones aplicaciones RF.

R. Dispositivos sin uniones, que M. Generador Hall en un circuito

utilizan materiales como los magntico cerrado.
empleados en generadores Hall y
clulas fotoconductoras. P. Dispositivo sensible a
radiaciones.

Q. Dispositivo generador de
radiaciones.

R. Dispositivo de control y
conmutacin disparado
elctricamente, con una
caracterstica de ruptura (baja po-

tencia).

S. Transistor conmutacin (baja

potencia).

T. Dispositivo de potencia para

control y conmutacin disparado
elctricamente o por medio de la
luz, que tiene una caracterstica de
ruptura.

U. Transistor de potencia
conmutacin.

X. Diodo multiplicador.

Y. Diodo rectificador,
recuperador, de eficiencia.

Z. Diodo de referencia de tensin

o regulador de tensin.

En muchos de los circuitos, los transistores y diodos estn sealados solamente como
"TUP", "TUN", "DUG" o "DUS". Esto indica que hay muchos transistores que son
equivalentes aunque tengan una designacin diferente.

Estn estas familias de semiconductores representadas por las siguientes abreviaturas.

TUP : Transistor Universal PNP ( de silicio ).

TUN : Transistor Universal NPN ( de silicio )

DUG : Diodo Universal de Germanio

DUS : Diodo Universal de Silicio.

TUP, TUN, DUG y DUS han de cumplir ciertas especificaciones mnimas para ser
considerados como tales. Las especificaciones mnimas pueden verse en estas tablas.

TRANSISTORES

Tipo Vceo max. Ic. max hFE min. Ptot max. fT min.
TUN NPN 20V 100mA 100 100mW 100MHz

TUP PNP 20V 100mA 100 100mW 100MHz

DIODOS

Tipo VR max. IF max. IR max. Ptot max. CD max

DUS Si 25V 100mA 1 A 250 mW 5 pF

DUG Ge 20V 35mA 100 A 250 mW 10 pF

Diferentes encapsulados de los transistores:

Este transistor tiene una forma diferente al de los otros de baja potencia. El encapsulado es
diferente porque es metlico y mas grande. Este tipo de transistores tiene tres patillas, dos
de ellas se ven pero la otra est en el encapsulado.
El encapsulado de este transistor es pequeo y cuadrado de color negro y tiene las tres
patillas e lnea.

Este transistor es pequeo y muy simple. Su encapsulado es de color negro con sus tres
patillas en serie.