UNIVERSIDADE FEDERAL DE SANTA CATARINA-CAMPUS ARARANGU

JOSIANE PEROZA

TRABALHO DE CONCLUSO DE CURSO DE GRADUAO EM

ENGENHARIA DE ENERGIA

ARARANGU
2015
 JOSIANE PEROZA

TRABALHO DE CONCLUSO DE CURSO DE GRADUAO EM

ENGENHARIA DE ENERGIA

Trabalho de concluso de curso na modalidade de

artigo cientfico para a aprovao na disciplina de
Trabalho de Concluso de Curso II do curso de
Engenharia de Energia da Universidade Federal
de Santa Catarina-Campus Ararangu
 1

CARACTERIZAO ELTRICA DE MDULOS FOTOVOLTAICOS DE

DISTINTAS TECNOLOGIAS A PARTIR DE ENSAIOS COM SIMULADOR
SOLAR E ILUMINAO NATURAL

Josiane Peroza*

RESUMO

A energia solar fotovoltaica apresenta-se como uma alternativa promissora no que se refere
ao uso de energias renovveis no mundo. O Brasil possui um imenso potencial para a
utilizao de energia solar, pois em todo o territrio brasileiro h disponibilidade de irradiao
solar equivalente ou melhor que nos pases do Sul da Europa, como Itlia e Espanha, que
possuem significativa capacidade instalada de sistemas de gerao fotovoltaica. Entretanto,
essa energia ainda pouco explorada na extenso brasileira. Contudo, esse cenrio tende a
mudar em razo da primeira contratao da energia solar fotovoltaica no Leilo de Energia
de Reversa de 2014 LER/2014. Em vista dessa perspectiva de introduo da energia solar
fotovoltaica na matriz eltrica brasileira, este trabalho possui como objetivo a caracterizao
eltrica de mdulos fotovoltaicos atravs de simulador solar e iluminao natural a fim de
discutir as curvas caractersticas I-V com diferentes tecnologias fotovoltaicas. O simulador
solar utilizado corresponde ao modelo SunSim 3c, com o qual foi possvel a variao de
irradincia. Referente a simulao outdoor, foi utilizado um traador I-V de carga eletrnica
como equipamento padro. Dos dez mdulos fotovoltaicos analisados, todos apresentaram
mesmo comportamento referente a influncia de irradincia, sendo que a eficincia e fator de
forma de mdulos de tecnologia cristalino obtiveram maiores percentuais em relao aos
modelos de tecnologia de filmes finos. Quando em comparao a simulao indoor e a
outdoor, os cinco mdulos fotovoltaicos dispostos apresentaram curvas caractersticas I-V
praticamente sobrepostas nas condies padres de teste, instigando a boa comparao entre
as simulaes aplicadas.

Palavras-chave: Energia solar fotovoltaica. Simulao indoor. Iluminao natural.

*
Graduanda do Curso de Engenharia de Energia da Universidade Federal de Santa Catarina, Campus
Ararangu, Rodovia Governador Jorge Lacerda, 3201, Jardim das Avenidas Ararangu, Santa Catarina,
Brasil, CEP 88900-000. E-mail:josi_peroza@hotmail.com
 2

1 INTRODUO

impossvel pensar no cotidiano de quase toda a humanidade sem correlacionar suas

atividades energia eltrica, tanto ao que se refere sade, conforto e produtividade. Pode-
se atribuir eletricidade o parmetro de crescimento da economia mundial que utiliza como
fontes primrias, alm da energia hidrulica, os combustveis fsseis e nucleares. A demanda
por energia s tende a crescer com o passar dos anos, tendo em vista o desenvolvimento de
pases emergentes, como ndia, e juntamente com o crescimento da demanda de energia,
cresce a preocupao da sociedade com os danos causados ao meio e ao clima devido ao uso
excessivo de energias no renovveis (STEIGLEDER, 2006; FIGUEIRA, 2005).
Em relao aos combustveis fsseis, como petrleo, diesel, gs natural e carvo, estes
so considerados fontes de energia no renovvel, visto que em um certo limite comercial de
tempo no se renovam para que possam ser aproveitados pela indstria de energia e afins.
Estes tambm possuem como desvantagem o baixo nvel de reserva, alm de amplificar o
aquecimento global, decorrente do lanamento na atmosfera de grandes quantidades de gases
que produzem o efeito estufa (FIGUEIRA, 2005).
Quanto energia nuclear, esta vem passando por uma redefinio de poltica
energtica devido ao desastre nuclear em Fukushima no Japo em 2011. Conforme menciona
Carvalho (2011), a deciso do governo da Alemanha de diminuir a dependncia da gerao
de energia proveniente de usinas nucleares e diminuir a quantidade de complexos movidos a
carvo, vai aumentar o emprego de energias renovveis no pas, como a solar, elica e de
biomassa. Em relao Frana, pas com maioria de sua gerao eltrica a partir de energia
nuclear, Loureno (2015) apresenta a Lei de Transio Energtica, em que o plano francs
formula-se na diminuio do uso de energia nuclear dos atuais 75% para 50% em um tempo
ainda a ser votado no Senado francs.
A energia hidrulica nesse contexto apresenta-se como a nica fonte imponente de
energia renovvel, porm uma energia intermitente que necessita de grande planejamento e
gesto. No Brasil, esta apresenta-se como a maior fonte de energia eltrica no pas, tornando-
o dependente de tal fonte, o que se sobrepe um risco, principalmente no que se refere falta
de gua, como aconteceu nesse ano em So Paulo, com a seca do Cantareira.
Com a dependncia de energia no mundo, especialmente em relao aos combustveis
fsseis, a oferta de energia por fonte se faz um aspecto importante a ser analisado. A British
Petroleum prepara todo ano o relatrio anual sobre a produo, mercado e consumo de energia
 3

no mundo. Na Tabela 1 podem ser observados os dados de demanda de energia do ano de

2013 em comparao aos dados de 2010, sendo que a quantificao feita em Mtep.

Tabela 1 Comparao da demanda de energia mundial entre os anos de 2000 e 2013

Fontes 2000 Participao 2013 Participao Variao
(Mtep) (Mtep)
Petrleo 3.583 38,6% 4.185 32,6% 17%
Carvo 2.286 24,6% 3.881 30,2% 70%
Gs 2.177 23,4% 3.020 23,5% 39%
Nuclear 584 6,3% 563 4,4% -4%
Biofuel 9 0,1% 65 0,5% 622%
Hidro 602 6,5% 856 6,7% 42%
Solar 0,2 0,0% 28 0,2% 14.000%
Elico 6,7 0,1% 142 1,1% 2.022%
Geotrmica 45 0,5% 109 0,8% 143%
Total 9.293 100% 12.849 100% 38%
Fonte: AZEVEDO, 2014 apud BP Energy Statistical Review 2014.

Para salientar a demanda de energia de acordo com fonte de energia renovvel, no

renovvel e nuclear, atravs dos dados da Tabela 1, possvel apresentar a Tabela 2 de forma
mais explicativa.

Tabela 2 Demanda de energia mundial de acordo com fonte de energia renovvel, no renovvel e nuclear.
Fontes 2000 Participao 2013 Participao Variao
No renovvel 8.046 86,6% 11.086 86,3% 38%
Renovvel 662 7,1% 1.200 9,3% 81%
Nuclear 584 6,3% 563 4,4% -4%
Fonte: AZEVEDO, 2014 apud BP Energy Statistical Review 2014.

A partir das Tabelas 1 e 2 visvel o crescimento da insero das fontes renovveis

na matriz energtica mundial em 81% entre os anos de 2000 e 2013, sendo que a maior
variao de demanda de energia foi de fonte solar, com 14.000% de aumento, seguido por
elico com 2.022%. cabvel salientar que comparar um valor insignificante do ano de 2000
para um valor pequeno em 2013 retrata esse alto crescimento na energia de fonte solar, apesar
de sua participao da matriz ser de apenas 0,2%. Contudo, esse aumento peculiar em
 4

porcentagem j um timo ndice de que se deve apostar mais nessa fonte de energia e que
esta tem uma clara perspectiva de crescimento em todo o mundo.
O Sol a fonte primria de energia, possuindo uma importncia imprescindvel para
todos os processos vitais do planeta. Porm, a energia do sol ainda no utilizada em sua
plenitude. A cultura de utilizao de energia solar poderia suprir uma parcela importante do
consumo de energia em nvel global, principalmente nos pases onde a incidncia de energia
solar abundante (MARTINAZZO, 2004).
A energia solar pode ser aproveitada de diferentes formas, sendo as duas principais as
aplicaes trmicas e as fotovoltaicas. As aplicaes trmicas envolvem fenmenos de
transferncia de calor e variao de temperatura. A energia solar fotovoltaica utilizada para
gerao de energia eltrica nos setores residencial, comercial e industrial. O efeito
fotovoltaico o fenmeno que rege a converso de ftons em eletricidade, promovendo o
fornecimento de energia eltrica para sistemas isolados ou conectados rede eltrica
convencional. O aproveitamento da energia solar para gerar eletricidade conseguido por
meio de mdulos fotovoltaicos (MOCELIN, 2014).
A energia solar fotovoltaica apresenta-se como uma alternativa promissora no que se
refere ao uso de energias renovveis no mundo. Dentre suas vantagens destacam-se a
tecnologia bem difundida e conhecida, que proporciona confiabilidade, alm de possibilidade
de gerao descentralizada, que permite a instalao do gerador junto carga, incluindo o
fato de ser uma fonte de energia limpa e no prejudicial ao meio ambiente, no ocasionando
gases de efeito estufa que tencionam o aquecimento global (VERA, 2009).
O Brasil possui um imenso potencial para a utilizao de energia solar. Em todo o
territrio brasileiro h disponibilidade de irradiao solar equivalente ou melhor que nos
pases do Sul da Europa superando, por exemplo, a Alemanha, pas com capacidade instalada
significativa de sistemas de gerao fotovoltaica (PINHO, GALDINO; 2014). Entretanto essa
energia ainda pouco explorada na extenso brasileira. De acordo com o Balano Energtico
Nacional de 2014, a energia solar fotovoltaica no foi aproveitada na matriz eltrica nacional,
como pode ser observado pela Figura 1. Nos dois anos analisados, 2012 e 2013 essa fonte de
energia no se fez presente, muito devido ao seu custo quando comparado com outras fontes
mais baratas, como a hidreltrica.
Esse cenrio, porm, tende a mudar. Foi realizado no dia 31 de outubro de 2014 o
Leilo de Energia de Reversa de 2014 LER/2014, o primeiro leilo promovido pelo
Ministrio de Minas e Energia - MME em que foi contratada energia proveniente de
empreendimentos fotovoltaicos no mercado regulado. No total foram contratados 202,1
 5

MWmed de energia, provenientes de 31 empreendimentos fotovoltaicos. Destes, 30 preveem

a utilizao de mdulos fotovoltaicos de silcio multicristalino, apenas um de silcio
monocristalino e nenhum de filme fino. Quanto ao preo de energia, o valor mdio de venda
da energia fotovoltaica no LER/2014 foi R$ 215,12/MWh, variando de R$ 200,82 a
220,80/MWh, mostrando-se um valor competitivo ao mercado, principalmente em relao a
fontes trmicas que possuem a mdia de venda mais elevada em comparao energia solar
fotovoltaica (EPE).

Figura 1 Matriz Eltrica Brasileira dos anos de 2013 e 2012. Fonte: BEN, 2014.

Sendo notria a introduo cada vez mais atuante da energia solar fotovoltaica tanto
no contexto mundial e, em etapa inicial no contexto nacional, torna-se evidente a necessidade
de um conhecimento maior sobre essa fonte de energia, ainda pouco conhecida pela
populao, alm de uma caracterizao adequada de mdulos fotovoltaicos. A caracterizao
um processo importante de avaliao do desempenho eltrico do dispositivo que est
diretamente associado potncia mxima, assim como a eficincia que um mdulo pode
fornecer, tornando ou no essa fonte de energia atrativa para investimentos futuros em relao
a uma aplicao especfica.
A partir desse pressuposto, este trabalho possui como objetivo a caracterizao eltrica
de mdulos fotovoltaicos atravs de simulador solar e iluminao natural, a fim de discutir as
curvas I-V com diferentes tecnologias fotovoltaicas, incluindo a variao de parmetros
importantes para caracterizao, como a irradincia, avaliando tambm seu fator de forma e
eficincia.
 6

2 REFERENCIAL TERICO

Para uma melhor compreenso da prtica desenvolvida durante este trabalho, faz-se
necessrio o conhecimento de alguns aspectos importantes que tangem desde o efeito
fotovoltaico at os sistemas de caracterizao de curva I-V de mdulos fotovoltaicos,
englobando pontos especficos sobre o funcionamento de clulas fotovoltaicas, suas devidas
tecnologias e ensaios de qualidade de dispositivos fotovoltaicos.

2.1 Efeito fotovoltaico

A base do funcionamento de um dispositivo fotovoltaico o chamado efeito

fotovoltaico. O efeito fotovoltaico foi observado pela primeira vez por Edmond Becquerel,
em 1839, em clulas eletrolticas. Este efeito consiste no surgimento de uma diferena de
potencial entre dois materiais semicondutores de propriedades eltricas diferentes devido
incidncia de luz na regio de juno entre os mesmos. A grande maioria dos dispositivos que
fazem uso do efeito fotovoltaico constituda de silcio nas suas diferentes formas,
principalmente de silcio multicristalino (BHLER, 2011).
O funcionamento do efeito fotovoltaico para o silcio ocorre de acordo com as
caractersticas de seu respectivo tomo. Um tomo de silcio possui quatro eltrons na ltima
camada eletrnica, sendo tetravalente. Na unio de tomos de silcio ocorre a ligaes do tipo
covalente, ligando os tomos uns aos outros na rede cristalina, no restando, portanto, eltrons
livres, os quais so responsveis pela conduo eletrnica. Nesse contexto, um material
semicondutor s seria um isolante perfeito a temperatura de 0 K, pois em temperaturas acima
desta alguns eltrons absorvem energia trmica e se libertam da estrutura cristalina, passando
para a banda de conduo como eltrons livres. Quando cada eltron libertado da estrutura
cristalina, este deixa um tomo com uma carga positiva em excesso, criando ligaes
incompletas que so designadas de lacunas. A energia necessria para que um eltron salte da
banda de valncia para a de conduo denominada energia do gap (BHLER, 2011).
Com a existncia de duas bandas de valncia, materiais semicondutores apresentam
uma energia de separao desses conjuntos que denominada de banda proibida (bandgap,
ou simplesmente gap), sendo representada por Eg e pode atingir at 3 eV (eltron-volt),
diferenciando estes materiais dos materiais considerados isolantes, em que a banda proibida
apresenta valor superior em comparao dos materiais semicondutores (PINHO; GALDINO,
2014). A Figura 2 apresenta de forma ilustrativa a estrutura de diferenciao de banda gap
 7

para materiais condutores, semicondutores e isolantes, sendo que para materiais condutores
existe uma superposio entre a banda de valncia e banda de conduo.

Figura 2 Nveis de energia gap para materiais condutores, semicondutores e isolantes. Fonte: BHLER, 2011.

As bandas so, na realidade, compostas por um conjunto de inmeros valores discretos

permitidos de energia bastante prximos, por isso muitas vezes so consideradas contnuas
(PINHO; GALDINO, 2014). A Tabela 3 apresenta os valores de Eg para alguns materiais
semicondutores.

Tabela 3 Energia do gap para alguns materiais semicondutores temperatura de 300 K.

Material Grupo Eg (eV)

Si (Silcio) Elemento 1,12
Ge (Germnio) Elemento 0,66
GaAs (Arseneto de Glio) III-V 1,53
CdTe (Telureto de Cdmio) II-IV 1,45
CdS (Sulfeto de Cdmio) II-IV 2,42
PbTe (Telureto de Chumbo) II-IV 0,3
Fonte: adaptado de PINHO; GALDINO, 2014.

Os eltrons e lacunas fotogerados durante todo o processo podem mover-se dentro do

material e aumentam sua condutividade eltrica, o que denominado de efeito condutivo.
Contudo, para o aproveitamento de corrente e tenso eltricas necessrio aplicar um campo
eltrico, com o intuito de separar os portadores, o que se consegue atravs da chamada juno
pn. Para a formao da juno pn necessrio o incremento de impurezas, de forma
 8

controlada, no semicondutor, sendo esse processo denominado de dopagem. Dopagem

consiste na introduo de pequenas quantidades de outros elementos, denominadas impurezas
ou dopantes, que mudam drasticamente as propriedades eltricas do material intrnseco
(PINHO; GALDINO, 2014).
As impurezas mais utilizadas para a dopagem do silcio so compostas de tomos com
cinco eltrons de valncia e tomos com trs eltrons de valncia. Os tomos mais utilizados
correspondem ao fsforo, arsnio, antimnio, que so pentavalentes, sendo os tomos
trivalentes o boro, o glio, o ndio ou alumnio (ANDRADE, 2008).
Os tomos mais usuais aplicados no processo de fabricao de uma clula fotovoltaica
satisfazem o fsforo e o boro. Se em uma amostra de silcio for inserido tomos de boro,
sendo este um tomo trivalente, existir um eltron a menos na estrutura cristalina para cada
tomo de boro acrescentado, compondo uma carga positiva em excesso na estrutura. A regio
a qual for inserida os tomos de boro denominada de regio p. Se, por outro lado, forem
acrescentados tomos de um material pentavalente, como o fsforo, um eltron a mais estaria
disposto na estrutura cristalina para cada tomo inserido. Essa regio onde seria acrescentado
tomos pentavalentes chamada de regio n (BHLER, 2011). A Figura 3 demonstra os
nveis de energia em matrias do tipo p e do tipo n.

Figura 3 Nveis de energia em materiais dos tipos p e n em silcio Ea a energia dos eltrons faltantes; Ed
o nvel de energia nos eltrons no emparelhados. Fonte: PINHO; GALDINO, 2014 adaptado de
OLDENBURG, 1994.

Como mencionado, a dopagem com elementos pentavalentes e trivalentes, como o

fsforo e o boro, nas duas regies divergentes na estrutura cristalina (n e p, respectivamente)
forma a chamada juno pn. A regio n, contaminada com tomos de fsforo, fica com alta
concentrao de eltrons livre, neste processo ocorre, por difuso, uma migrao de eltrons
desta regio n para a regio p, ao mesmo tempo em que lacunas da regio p migram para a
regio n. Essa movimentao de cargas limitada pelo surgimento na regio da juno de um
campo eltrico que se ope a difuso original. O campo eltrico oposto formado em funo
da concentrao de eltrons no lado p e de lacunas no lado n entre duas regies. Nesse aspecto
 9

a corrente relacionada a difuso compensa a corrente causada pelo campo eltrico e a estrutura
cristalina chega a um estado de equilbrio eltrico. No entanto, se os terminais da clula
fotovoltaica fossem conectados por um fio, nenhuma corrente circularia atravs deste,
necessitando de um fator a mais para a formao de corrente (PRIEB, 2002).
Entretanto, se a juno pn for exposta luz, identificada como ftons com energia
maior que o gap, ocorrer a gerao de pares eltron-lacuna. Se estes pares eltron-lacuna
forem gerados em uma regio onde o campo eltrico no nulo, eles sero acelerados, dando
origem a uma corrente atravs da juno e por sua vez a uma diferena de potencial entre as
superfcies das regies p e n. Este fenmeno chamado de efeito fotovoltaico. Se forem
conectados terminais entre as regies p e n, uma corrente eltrica circular, persistindo a
circulao enquanto a juno permanecer iluminada (BHLER, 2011).

2.2 Clula fotovoltaica

Energia solar fotovoltaica se estabelece como a converso direta da energia da

radiao solar em eletricidade atravs do efeito fotovoltaico, sendo que este ocorre em
materiais especiais, denominados semicondutores que fundam uma clula fotovoltaica. Uma
tpica clula fotovoltaica construda por silcio, onde formada uma juno PN, similar a
de um diodo semicondutor (GASPARIN, 2009).
Conforme os tomos do semicondutor esto estruturados, as clulas podem ser
classificadas em cristalinas, que so subdivididas em monocristalinas, multicristalinas e
microcristalinas, e amorfas. Existem clulas constitudas tanto por elementos simples, como
por exemplo o silcio, germnio, selnio, como tambm por elementos mais complexos como
ligas e compostos, citando o arsenieto de glio, sulfeto de cdmio, telureto de cdmio,
disseleneto de cobre e ndio (PRIEB, 2002). Referente ao mercado fotovoltaico, apesar da
crescente produo de clulas de filmes finos, bem como multi-camadas, o silcio nas suas
diferentes formas ainda representa mais de 90% de toda a tecnologia produzida anualmente
(BHLER, 2011).
Quanto composio de uma clula fotovoltaica, na parte frontal das clulas
acrescentada uma camada de um material, geralmente TiO2 ou SiO2, a fim de minimizar as
perdas por reflexo. A implementao de uma camada anti-reflexiva muito importante para
promover um casamento entre os ndices de refrao do silcio e do ar, que so diferentes e
podem originar perdas expressivas de eficincia. Essa camada possui um ndice de refrao
 10

intermedirio melhorando o acoplamento ptico entre o ar e o silcio (BHLER, 2011;

RAMOS, 2006).
Para completar a clula fotovoltaica, so ainda necessrios um contato eltrico frontal
(malha metlica) na regio n, assim como um contato traseiro na regio p (PINHO;
GALDINO, 2014). O contato eltrico da face iluminada da clula fotovoltaica obtido atravs
de uma grade de dedos de contato, o que permite a entrada de luz no material semicondutor.
Malhas metlicas de grandes reas dificultariam a entrada de luz na clula, influenciando a
eficincia da mesma. As clulas tambm possuem um barramento de contato para a conduo
da corrente e conexo com outras clulas e o contato metlico posterior normalmente cobre
toda a rea da clula (GASPARIN, 2009).
Tais contatos metlicos necessitam ser bons condutores de corrente, com resistncia
hmica baixa para minimizar possveis perdas eltricas internas, apresentando uma rea
mnima de recobrimento, sendo estipulada para no aumentar a resistncia srie da clula,
porm suficiente para realizar o transporte da corrente (RAMOS, 2006).
Os metais mais utilizados para a fabricao da malha metlica de contato das clulas
fotovoltaicas compreendem o alumnio e a prata, ou uma combinao de ambos. Para a
formao do contato frontal, uma vez que a clula tenha o emissor do tipo n, a malha no
pode conter alumnio, j que este um dopante do tipo p (BHLER,2011). A Figura 4
apresenta uma tpica clula de silcio cristalino.

Figura 4 Disposio de uma clula fotovoltaica tpica de silcio. Fonte: BHLER, 2011.
 11

As clulas fotovoltaicas podem ser fabricadas com alguns materiais distintos. Cada
material que compe a clula fotovoltaica caracteriza uma tecnologia que possui eficincia e
possibilidade de integrao diferenciadas. Existem trs geraes da tecnologia e cada uma
delas apresenta caractersticas diferentes (SANTOS, 2013).
A primeira gerao dividida em duas cadeias produtivas: silcio monocristalino (m-
Si) e silcio multicristalino (p-Si), que representam 85% do mercado, por ser considerada uma
tecnologia consolidada e confivel, e por possuir a melhor eficincia comercialmente
disponvel (PINHO; GALDINO, 2014).
A segunda gerao de clulas surgiu de uma necessidade de reduo do consumo de
silcio, caracterizado por ser um material muito oneroso que requer elevadas temperaturas em
sua produo, carecendo de um grau de pureza muito alto. A segunda gerao fotovoltaica,
denominada de filmes finos possui a vantagem de ser muito menos pesada, com fabricao
em camadas muito finas, permitindo aplicaes integradas em fachadas de edifcios. A
principal tecnologia dos filmes finos a do silcio amorfo, muito utilizada na eletrnica
profissional e em relgios ou calculadoras. Apesar da desvantagem em relao as menores
eficincias em comparao com a primeira gerao, a sua fabricao mais barata, e funciona
com uma gama mais distribuda de luminosidade, podendo ser aplicada em calculadoras
solares com o uso de iluminao difusa, em locais externos. As clulas de Disseleneto de
Cobre e ndio (CIS) so mais eficientes e igualmente baratas, mas contm Cdmio, que um
material perigoso. H ainda a tecnologia de telureto de cdmio (CdTe) (PROENA, 2007).
A terceira gerao, que ainda se encontra em fase de Pesquisa e Desenvolvimento
(P&D), testes e produo em pequena escala, dividida em trs cadeias produtivas, sendo
estas a clula fotovoltaica multijuno e clula fotovoltaica para concentrao (CPV
Concentrated Photovoltaics), clulas sensibilizadas por corante (DSSC Dye-Sensitized
Solar Cell) e clulas orgnicas ou polimricas (OPV- Organic Photovoltaics). A tecnologia
de clula fotovoltaica por concentrao demonstrou em estudos altas eficincias, porm seu
custo ainda no competitivo frente a outras tecnologias dominantes do mercado atual, como
modelos da primeira gerao fotovoltaica (PINHO; GALDINO, 2014).

2.3 Mdulos fotovoltaicos

A tecnologia da converso direta da energia luminosa em energia eltrica realizada

pelas clulas fotovoltaicas. O conjunto de clulas fotovoltaicas formam um mdulo
fotovoltaico, que promove a gerao de energia eltrica em maior quantificao. Ao unir vrios
 12

mdulos em um arranjo, o sistema compe um painel, que pode ser instalado em uma
edificao ou sobre o solo (RTHER, 2004).
A ABNT (NBR10899/TB-328) denomina mdulo fotovoltaico como menor conjunto
ambientalmente protegido de clulas solares interligadas, com o objetivo de gerar energia
eltrica em corrente contnua. Este conjunto de clulas conectadas encapsulado, com o
intuito de proteger o material contra as intempries, incluindo com prioridade a umidade,
sendo que ao mesmo tempo possibilita um caminho prtica para a penetrao da radiao solar
sobre o mdulo fotovoltaico (PRIEB, 2011).
Como citado, o mdulo fotovoltaico composto pela juno eletrnica de clulas
fotovoltaicas unitrias. Estas clulas solares podem ser fabricadas tanto com dispositivos
monofaciais, que so os mais frequentes, ou tambm por dispositivos bifaciais. Alm das
clulas solares e suas conexes metlicas, o mdulo tambm faz uso de materiais polimricos
de encapsulamento, vidro temperado e estrutura para dar rigidez e assim, proteger as clulas
solares (FEBRAS, 2012).
De acordo com Gasparin (2009), para conferir caractersticas de rigidez e durabilidade,
um mdulo fotovoltaico possui basicamente as seguintes partes, que podem ser visualizadas a
partir da Figura 5:
- Cobertura: diversos materiais que podem ser utilizados para a cobertura, incluindo
materiais acrlicos, polmeros e vidro. O vidro temperado com baixo teor de ferro o material
mais utilizado devido s suas caractersticas de custo, robustez, estabilidade, alta
transparncia, impermeabilidade gua e gases, e facilidade de limpeza.

- Encapsulante: consiste em um material utilizado para realizar a adeso das clulas

fotovoltaicas, possuindo a caracterstica de estabilidade independente de variaes de
temperatura e exposio radiao ultravioleta. Necessita ser transparente, para a penetrao
de radiao, e possuir baixa resistncia trmica. Normalmente, utiliza-se o material
denominado EVA (acetato do etil vinila), um polmero que atende as caractersticas
imprescindveis. As clulas so envoltas por duas folhas de EVA, em que este conjunto
aquecido at a fuso do EVA, o que proporciona o resultado final de unio das clulas do
mdulo.

- Cobertura Posterior: a superfcie posterior deve possuir rigidez dieltrica de modo a

garantir o isolamento eltrico, alm de ser impermevel. A baixa resistncia trmica uma
 13

caracterstica desejvel para melhorar a dissipao trmica. Na maioria dos mdulos

comerciais utiliza-se uma fina camada de polmero comercialmente conhecido como Tedlar.

- Moldura: para conferir resistncia mecnica ao conjunto, uma moldura de alumnio

envolve o conjunto.

- Caixa de conexo: local onde so encontrados os terminais para a conexo eltrica do

mdulo fotovoltaico, localizada na parte posterior do mdulo.

Figura 5 Representao das principais partes de um mdulo fotovoltaico. Fonte: BHLER, 2011.

De um modo geral aconselha-se que um mdulo fotovoltaico deve ser composto pela
conexo de clulas fotovoltaicas que possuam caractersticas eltricas semelhantes. Desta
maneira, aps a fabricao das clulas fotovoltaicas, h a necessidade de uma classificao
levando em considerao estas caractersticas. Esta classificao indispensvel porque as
clulas com diferentes correntes associadas em srie limitam a corrente eltrica de toda
associao. Sendo assim, caso haja diferenas significativas entre os dispositivos, a clula
fotovoltaica com as piores caractersticas pode ficar reversamente polarizada. Quando ocorre a
efetivao desse efeito, as piores clulas, ou seja, com as menores correntes, iro dissipar a
energia gerada por toda o mdulo, o que diminui a eficincia deste material (ANDRADE,
2008).
O tempo de durabilidade de um mdulo fotovoltaico de silcio cristalino depende das
condies de operao s quais ele for submetido ao longo dos anos. Em geral os fabricantes
 14

oferecem uma garantia superior a 20 anos para os mdulos fotovoltaicos, sendo que alguns
oferecem garantia de at 30 anos (BHLER, 2011).

2.4 Tecnologias fotovoltaicas

Complementando o conhecimento sobre as geraes de tecnologias fotovoltaicas,

interessante compreender melhor cada uma dessas tecnologias, incluindo seus respectivos
parmetros de desempenho, como por exemplo, eficincia do mdulo. Esta explicao
envolver as duas primeiras geraes de tecnologia fotovoltaica, tecnologia de silcio
cristalino, bem como a tecnologia de filmes finos.

2.4.1 Tecnologia de silcio cristalino (c-Si)

A tecnologia de silcio cristalino a mais tradicional das tecnologias fotovoltaicas e a

que apresenta maior escala de produo em nvel comercial. O silcio cristalino c-Si se
consolidou no mercado fotovoltaico por sua extrema robustez e confiabilidade. Porm, como
desvantagem estes mdulos solares possuem um custo de produo bastante elevado, sendo
que as possibilidades de reduz-lo j foram praticamente esgotadas. Esta a razo pela qual
esta tecnologia desconsiderada por muitos analistas como sria competidora com formas
convencionais de gerao de potncia em larga escala. Ainda assim, o c-Si segue sendo lder
dentre as tecnologias fotovoltaicas para aplicaes terrestres em qualquer escala,
principalmente porque nos principais mercados mundiais, como Japo e Alemanha, a rea de
ocupao por arranjos fotovoltaicos constitui uma limitao, sendo necessrios mdulos mais
eficientes e que consequentemente apresentem menores reas de atuao (RTHER, 2004).
Como uma vantagem slida, o silcio o segundo elemento mais abundante da crosta
terrestre, perfazendo 25.7% do peso da Terra (o primeiro o oxignio, com 46%). Porm, este
no encontrado no estado isolado e nativo, aparecendo em alguns minerais na forma de
dixido de silcio (SiO2), tambm conhecido como slica, como na ametista, na gata, no
quartzo, na areia, sendo tambm encontrado em outros minerais na forma de compostos,
contendo silcio, oxignio e metais conhecidos como silicato (na argila, no feldspato, no
granito, na mica). O silcio tambm o constituinte principal do vidro, do cimento, da
cermica, e da maioria dos componentes semicondutores, assim como dos silicones, que so
substncias plsticas muitas vezes confundidas com o silcio (GHENSEV, 2006).
 15

As clulas de c-Si corresponderam em 2011 a 87,9% do mercado mundial. Para sua

fabricao, a matria prima utilizada o silcio ultrapuro. Pode ser utilizada a mesma matria
prima da indstria eletrnica (chips) o chamado silcio grau eletrnico (Si-gE), com uma
pureza de 99,9999999%, tambm denominada 9N (nove noves), ou ento o silcio grau solar
(Si-gS), com 99,9999% (6N), de menor custo, sendo que este ltimo no pode ser utilizado na
indstria eletrnica (PINHO; GALDINO, 2014).

2.4.1.1 Silcio monocristalino (m-Si)

Como uma subdiviso do silcio cristalino encontra-se o silcio monocristalino. Para a

obteno do substrato monocristalino necessrio o silcio de grau eletrnico, podendo
tambm ser utilizado o silcio de grau solar, em que os monocristais so obtidos em lingotes
pelo mtodo Czochralski. O mtodo Czochralski consiste primeiramente na fuso completa do
silcio e depois no empuxe dos lingotes a partir de sementes de orientao cristalogrfica
previamente determinada, correspondente ao material dopante. Devido ao processo, aumenta-
se a condutividade do cristal da regio do centro para o terminal, o que lhe propicia o melhor
rendimento na converso quando comparado aos outros tipos de clulas solares (RAMOS,
2006). Atravs deste mtodo a clula fotovoltaico monocristalina tem aspecto de ser material
monocolor, sem apresentar granulometrias, o que o torna mais efetivo na converso de energia.
O lingote resultante do cristal de grau eletrnico ou solar ento usinado e
posteriormente fatiado em lminas muito finas (wafers). Entre a usinagem, serrilhamento para
a obteno dos wafers, dentre outros processos que se fazem necessrios desde a fabricao do
cristal at a obteno da clula fotovoltaica, existe uma grande perda de material, da ordem de
50%. As perdas do material ao longo da fabricao da clula fotovoltaica constituem uma
grande parcela do preo final do produto, o que proporciona um encarecimento. Cabe ressaltar
que a clula fotovoltaica j um produto final caro devido a pureza da matria prima e materiais
envolventes, tal como a prata (BHLER, 2011).
Por ser um material de transio do tipo indireta, o coeficiente de absoro do silcio
muito baixo, sendo necessria uma espessura de cerca de 0,2 mm para uma absoro
satisfatria da luz solar. O objetivo de determinadas pesquisas em andamento para 2020 obter
lminas de at 0,12 mm de espessura, a fim de reduzir os custos de fabricao (PINHO;
GALDINO, 2014; RAMOS, 2006). O resultado final do processo de fabricao da clula
foltovoltaica de silcio monocristalina pode ser observado atravs da Figura 6.
 16

Figura 6 Clula fotovoltaica de silcio monocristalino. Fonte: PINHO; GALDINO, 2014.

2.4.1.2 Silcio multicristalino (p-Si)

Entre as tecnologias cristalinas, o silcio multicristalino (p-Si) apresenta menor

eficincia de converso, porm possui como vantagem um menor custo de produo em funo
da sua fabricao no ser to perfeita quanto o silcio monocristalino, envolvendo um
processamento mais simples, com um menor ndice de consumo energtico e pouco rigor
quanto a impurezas. O material de execuo do silcio multicristalino o mesmo em relao
ao monocristalino, porm o processo de fabricao diferencia-se em algumas etapas. O
material, no caso multicristalino fundido e posteriormente solidificado direcionalmente, o
que resulta em um bloco com grande quantidade de gros ou cristais, no contorno dos quais se
concentram os defeitos que tornam este material menos eficiente do que o m-Si em termos de
converso fotovoltaica. So esses aspetos que fazem com que uma clula fotovoltaica
multicristalina possui diferentes estruturas, imperfeies, no sendo um material monocolor
como o silcio monocristalino. Em relao aos processamentos posteriores, estes so
semelhantes aos utilizados no caso do m-Si, at se obter um mdulo fotovoltaico (RTHER,
2004; GHENSEV, 2006).
Uma tcnica que enfatiza o menor preo da clula multicristalina em relao a
monocristalina diz respeito ao uso da tcnica de produo denominada Ribbon, que consiste
em depositar o silcio fundido diretamente em camadas sobre um substrato, evitando assim a
necessidade de serilhamento e a consequente diminuio na perda de material, o que implica
em diminuio dos custos de fabricao (BHLER, 2011). A Figura 7 demonstra uma clula
fotovoltaica de silcio multicristalino.
 17

Figura 7 Clula de silcio multilicristalino. Fonte: Energia Fotovoltaica, 2010.

2.4.2 Tecnologia de filmes finos

A tecnologias de filmes finos vem se difundindo com o passar do tempo. O interesse

por esta tecnologia s tende a crescer, muito em funo da menor quantidade de materiais, e
de materiais menos onerosos, para a fabricao de clulas fotovoltaicas em comparao s
clulas da primeira gerao. Em termos comparativos, apenas uma quantidade da ordem de 2
m de espessura necessria para absorver a radiao solar, enquanto a mdia para materiais
cristalinos de 0,2 mm. Alm disso, os mtodos menos custosos utilizados na fabricao
dessas clulas permitem sua integrao total. Destacam-se entre as tecnologias da segunda
gerao fotovoltaica o silcio amorfo e microcristalino (Thin-Film Silicon -TFSi), o
semicondutor CdTe (telureto de cdmio) e as ligas CIGS/CIS (Cobre ndio Glio e Selnio)
(NDIAYE, 2013).

2.4.2.1 Silcio amorfo (a-Si)

Em relao as tecnologias de filmes finos, o silcio amorfo foi visto por algum tempo
como a nica soluo comercialmente competitiva em comparao ao silcio cristalino. A
silcio amorfo um material utilizado pela maioria dos produtos eletroeletrnicos de baixo
consumo energtico, tais como relgios, calculadoras, sendo tambm utilizado na indstria de
edificao, com os vidros, cristais e na produo de sistemas e mdulos fotovoltaicos
(GHENSEV, 2006).
O silcio amorfo possui uma absortividade para a radiao solar 40 vezes mais eficiente
do que o silcio monocristalino, o que permite que uma lmina de apenas 1 micrometro seja
 18

capaz de absorver 90% da energia solar til, o que apresenta um benefcio em termos de
quantidade de material para a fabricao de uma clula fotovoltaica. (BHLER, 2011).
O silcio amorfo, tal como sua denominao sugere, no possui uma estrutura cristalin
em funo de um grande nmero de defeitos, devido seus tomos no realizarem ligaes
covalentes. Porm, a modificao de sua estrutura pela dopagem de tomos nas ligaes
falhas, tais como no processo cristalino, permite a circulao de portadores de carga, pares
eltrons/lacunas, atravs do material, tornando-o aplicvel utilizao em dispositivos
eletroeletrnicos (GHENSEV, 2006).
Uma das caractersticas que auxiliam na introduo de materiais menos custosos na
fabricao de clulas de silcio amorfo diz respeito as temperaturas de operao. As
temperaturas necessrias para os processos de fabricao deste material apresentam valores
baixos, inferiores a 300C, o que possibilita que estes filmes finos sejam depositados sobre
camadas plsticas, que so sensveis a altas temperaturas. Essa propriedade, alm de
possibilitar introduo de material de menor custo, tambm possibilitou que fossem
desenvolvidos mdulos flexveis, semitransparentes e com superfcies curvas podendo servir
como opo na rea da arquitetura (BHLER, 2011).
O silcio amorfo hidrogenado possui como uma desvantagem, em comparao com a
tecnologia cristalina, uma maior rea para atingir uma mesma potncia final, visto que sua
eficincia de converso da radiao solar para energia eltrica inferior ao silcio cristalino.
Por outro lado, ao contrrio de todas as outras tecnologias fotovoltaicas, o silcio
amorfo possui como aspecto positivo a sua relao com a temperatura ambiente, pois enquanto
o aumento da temperatura provoca perdas na performance dos mdulos fotovoltaicos, o a-Si
apresenta uma maior produo na potncia com o aumento da temperatura de operao, sendo,
portanto, uma vantagem nas aplicaes em pases de climas quentes como o Brasil. Essa
caracterstica pode ser aplicada principalmente quando os mdulos desta tecnologia
fotovoltaica forem integrados na edificao, onde estes dispositivos atingem temperaturas
elevadas pela falta de ventilao em sua superfcie posterior. Nesses casos, a performance do
a-Si em termos de energia gerada (kWh) por potncia instalada (kWp) tem se mostrado
superior das demais tecnologias em operao no Brasil (RTHER, 2004). A Figura 8
apresenta um mdulo de silcio amorfo hidrogenado.
 19

Figura 8 Mdulos de silcio amorfo hidrogenado. Fonte: Energia Fotovoltaica, 2010.

2.4.2.2 Telureto de Cdmio (CdTe)

Uma recente tecnologia fotovoltaica decorrente da segunda gerao fotovoltaica,

correspondente a filmes finos, apresenta-se como um novo competidor no mercado solar frente
ao silcio amorfo e multicristalino, esta denominada de Telureto de Cdmio (CdTe). Para
aplicaes em calculadoras, o CdTe j vem sendo usado h quase uma dcada, mas nas
aplicaes terrestres somente a pouco tempo que comearam a ser comercializados mdulos
fotovoltaicos para grandes aplicaes. Estes mdulos, normalmente possuem a forma de placas
de vidro num tom marrom ou azul escuro, apresentando um atrativo esttico em comparao
ao silcio multicristalino, que possui uma estrutura imperfeita. O CdTe, assim como no caso
do silcio amorfo, apresenta custos atrativamente baixos para produo em grande escala,
agregando boas expectativas de se impor como um srio competidor no mercado fotovoltaico
para a gerao de energia eltrica. Porm, esta tecnologia de filmes tambm possui
desvantagens. No caso, a relativamente baixa abundncia dos elementos envolvidos e sua
toxicidade so aspectos que devem ser levados em considerao, principalmente com a
possibilidade de grandes produes de mdulos fotovoltaicos. (FALCO, 2005).
As empresas que esto trabalhando com essa tecnologia fotovoltaica vm buscando um
novo nicho no mercado, para assim aprimorar a competio de uso solar. Estas esto investindo
na aplicao arquitetnica enquanto desenvolvem seu produto, ampliam volumes de produo
e reduzem custos. O CdTe possui como aspecto positivo, em comparao a tecnologias de
 20

silcio amorfo, uma maior eficincia de converso da energia solar em energia eltrica
(RTHER, 2004).
Em funo do seu nvel de absortividade ptica, clulas de CdTe podem ser fabricadas
com eficincias de converso prximas as das tecnologias tradicionais, como o silcio
cristalino, contudo utilizando apenas de 1% a 2% do material requerido para essas tecnologias.
Por outro lado, o CdTe possui uma largura de banda estreita, similar ao silcio amorfo e, desta
forma, tem sua eficincia de converso fotovoltaica muito mais sensvel a mudanas do
espectro solar. Desta forma, a eficincia da converso da radiao solar para eletricidade em
clulas de CdTe, assim como a-Si, varia muito mais do que em relao ao silcio cristalino, em
um mesmo peroco, seja ou longo de um dia ou ano (BHLER, 2011).
Assim como mdulos cristalinos, os filmes finos de CdTe tambm so sensveis
umidade, necessitando de proteo contra intempries, sendo encapsulados e selados nas
bordas, a fim de evitar maior degradao. Este encapsulamento pode ser realizado com vidro
e filmes polimricos ou com duplo vidro. Os mdulos fotovoltaicos de filmes finos de telureto
de cdmio correspondem a 5,5% do mercado mundial, com domnio da empresa norte-
americana First Solar. As clulas fotovoltaicas podem atingir a eficincia de 16,7%, sendo que
os melhores mdulos de CdTe comercializados alcanam 14,4% de eficincia (PINHO;
GALDINO, 2014). Um exemplo de conjunto de mdulos fotovoltaicos pode ser observado na
Figura 9.

Figura 9 Mdulos de CdTe da empresa First Solar, modelo FR-272. Fonte: BHLER, 2011.
 21

2.4.2.3 Disseleneto de Cobre-ndio e Cobre-ndio-Glio (CIS e CIGS)

O Disseleneto de Cobre e ndio um material composto majoritariamente pelos

elementos qumicos Cobre (Cu), ndio (I) e Selnio (Se). Seu smbolo qumico CuInSe2. A
forma abreviada CIS corresponde as primeiras letras de seus elementos componentes, sendo
C-Cobre, I-ndio e S-Selnio (GHENSEV, 2006).
O material CIS utilizado em estruturas de montagem de clulas fotovoltaicas do tipo
heterojuno, em que realizada a juno com materiais semicondutores que apresentam
diferentes ndices de energia do gap. A fim de aumentar a eficincia do material a adicionado
o elemento Glio (Ga) camada do CIS, o que ocasiona a modificao do bandgap para 1,0
eV. Tal composio geralmente designada de clula de disseleneto de cobre-ndio- glio
(CIGS) (GHENSEV, 2006).
Mdulos fotovoltaicos de tecnologia CIS e CIGS apresentam, como o a-Si e o CdTe,
uma tima aparncia esttica, com uma estrutura monocolor, e esto surgindo no mercado com
grandes superfcies, encontrando aplicaes arquitetnicas diversas. Porm, estas duas
tecnologias, CIS e CIGS, assim como no caso do CdTe, necessitam de elementos escassos na
natureza, incluindo o fato destes apresentarem toxicidade em suas frmulas. Deste modo, esses
dois aspectos, de limitao de elementos e toxicidade, devem ser considerados em uma grande
produo. Dentre os filmes finos comercialmente disponveis, mdulos de CIGS so os que
apresentam o melhor rendimento fotovoltaico, aspectos pelo o qual empresas vm nutrindo
esperanas nesta tecnologia e investindo na sua propagao (RTHER, 2004). A Figura 10
representa essas duas tecnologias.

Figura 10 Mdulos de tecnologia a) CIGS e b) CIS. Fonte: BHLER, 2011.

 22

Por apresentar maior eficincia entre os modelos de filmes finos (a-Si, CdTe, CIS e
CIGS), o CIGS a alternativa mais adequada para segmentos de mercado onde a rea
disponvel seja limitada, ou a esttica seja mais relevante. Em relao a viabilidade econmica,
um uso das melhores prticas nas fbricas associado a um aproveitamento do potencial de
melhoria na eficincia do processo podero levar os custos das clulas de filmes finos abaixo
dos custos envolvidos no silcio multicristalino (PROENA, 2007).

2.4.3 Estado atual das diferentes tecnologias

A alternativa da gerao da energia eltrica por meio de elementos fotovoltaicos tem

crescido anualmente. Esta energia tem sido gerada por meio da aplicao dos mais diversos
tipos de materiais e tecnologias fotovoltaicas, e a potncia eltrica obtida (Watt pico Wp)
varivel nas diversas regies do globo terrestre (GHENSEV, 2006).
A eficincia de converso da energia pelas clulas fotovoltaicas normalmente baixa.
No entanto, a evoluo tem sido notvel. Esta evoluo tem permitido uma reduo drstica
do custo de produo por kWh (PROENA, 2007). A Tabela 4 apresenta valores de eficincia
para diferentes tipos de tecnologias fotovoltaicas das trs geraes j mencionadas.

Tabela 4 Mxima eficincia fotovoltaica.

(continua)
Material da clula Laboratrio Produo Produo em srie
Silcio 24,7% 18% 14%
monocristalino
Silcio 19,8% 15% 13%
multicristalino
Silcio 19,7% 14% 13%
multicristalino EFG
Silcio amorfo 13% 10,5% 7,5%
Silcio micromorfo 12% 10,7% 9,1%
Hbrido HCI 20,1% 17,3% 15,2%
CIS, CIGS 18,8% 14% 10%
Telureto de 16,4% 10% 9%
Cdmio
 23

(concluso)
Material da clula Laboratrio Produo Produo em srie
Semicondutor 35,8% 27,4% 27%
III-V
Clula com corante 12% 7% 5%
Fonte: PROENA, 2007 apud Fraunhofer IDE, Universidade de Stuttgart, 26th IEEE PVSC, NREL, UNSW,
folhas de clculo de fabricantes.

de se notar que as clulas correspondentes s tecnologias de segunda gerao tm

atualmente uma eficincia menor do que em comparao as clulas da primeira gerao. Isto
ocorre muito em funo do estado de desenvolvimento mais avanado da primeira gerao,
sendo que as eficincias obtidas so caractersticas de cada tecnologia analisada. Porm, como
aspecto positivo apresentado pelas clulas da segunda gerao, estas apresentam um custo de
produo bastante reduzido, caracterizado principalmente pela menor quantidade de silcio
utilizada no processo, ou at mesmo na implementao de outros elementos semicondutores.
Nas tecnologias de terceira gerao, os testes em laboratrio j revelaram eficincias de
converso que lhes asseguraram um bom futuro, o que vm propiciando um interesse pelos
cientintas de tentas reduzir os custos de fabricao dessas tecnologias, criando solues mais
acessveis e competitivas (PROENA, 2007).

2.5 Curva caracterstica corrente versus tenso (I-V)

A potncia produzida pelo mdulo ou gerador fotovoltaico e entregue rede eltrica

depende de muitos fatores, sendo que dois dos mais importantes referem-se radiao solar
incidente no plano do mdulo e a temperatura de operao das clulas que constituem os
mdulos. Outros aspectos adicionais esto associados s perdas na fiao e devido s
diferenas entre as clulas individuais que constituem um mdulo e entre os mdulos que
constituem um gerador fotovoltaico. A curva caracterstica corrente-tenso (I-V) descreve o
comportamento eltrico nos terminais do gerador fotovoltaico sob influncia desses fatores
(MACDO, 2006).
Considerando que uma clula fotovoltaica um dispositivo semicondutor no qual
existe uma juno PN, o comportamento da corrente eltrica em funo da tenso eltrica
basicamente o mesmo de um diodo cuja juno est no escuro. Entretanto, a clula fotovoltaica
tem sua funo justamente quando a juno est iluminada sendo que a radiao incidente na
 24

clula causa o deslocamento da curva I-V. (ANDRADE, 2008 apud GREEN, 1992). Esse
efeito pode ser observado na Figura 11.

Figura 11 Curva caracterstica de uma clula fotovoltaica no escuro e sob iluminao. Fonte: adaptado de
IBALDO, 2010.

A anlise da curva I-V de fundamental importncia na caracterizao de um gerador

fotovoltaico, pois a partir dela possvel obter-se os principais parmetros que determinam
sua qualidade e desempenho. A curva I-V, como exemplificado, a resultante da superposio
da corrente fotogerada com a curva do diodo no escuro. A luz tem o efeito de deslocar a curva
I-V para o quarto quadrante (quadrante de gerao) (PRIEB, 2011). Entretanto, a curva I-V
normalmente rebatida para o primeiro quadrante quando se trata de clulas fotovoltaicas,
com o intuito de convencionar a corrente eltrica gerada como positiva. A Figura 12 mostra a
curva I-V mais comumente encontrada com seus principais pontos.
 25

Figura 12 Curva caracterstica I-V com destaque aos principais pontos. Fonte: GASPARIN, 2009.

Conforme indica a Figura 12 e de acordo com Bhler (2011) pode-se destacar os

seguintes pontos de uma curva caracterstica I-V:

Corrente de curto-circuito (Isc): Corrente que o dispositivo fotovoltaico fornece quando

seus terminais so interligados por um conector com resistncia eltrica idealmente nula, ou
seja, a corrente equivalente a uma tenso igual a zero.
Tenso de circuito aberto (Voc): Tenso que surge nos terminais de um dispositivo
fotovoltaico quando entre estes terminais existe uma resistncia eltrica idealmente infinita,
ou seja, a tenso equivalente a uma corrente eltrica igual a zero.
Ponto de mxima potncia (Pmp): a mxima potncia que o dispositivo fotovoltaico
capaz de fornecer sob uma determinada condio de irradincia e temperatura.
Corrente de mxima potncia (Imp): a corrente que o dispositivo fornece no ponto
de mxima potncia.
Tenso de mxima potncia (Vmp): a tenso que surge nos terminais do dispositivo
no ponto de mxima potncia.
Fator de forma (FF): um indicativo importante da qualidade das propriedades
eltricas do mdulo. Quanto maior o valor de FF mais retangular a curva e, portanto,
melhores sero as caractersticas eltricas do dispositivo. A Equao 1 define o valor de fator
de forma.
 26

Valores tpicos de fator de forma dependem da tecnologia usada, e de acordo com Pinho
e Galdino (2014) devem seguir parmetros como por exemplo: silcio cristalino (80,9% -
82,8%), telureto de cdmio (77%), silcio amorfo (67,8%), DSSC (71,2%),
InGaP/GaAs/InGaAs (86%).

= (1)

Eficincia (): Apenas parte da irradincia incidente nas clulas solares convertida
em eletricidade (BRAUN-GRABOLLE, 2010). Um dos maiores interesses em dispositivos
fotovoltaicos a eficincia de converso de potncia () que relaciona a potncia eltrica
mxima (Pmp) gerada pela clula pela potncia de radiao solar incidente (Pin)
(CANESTRARO, 2010), que pode ser definida pela Equao 2.

= (2)

Outra maneira de exemplificar a eficincia de converso de potncia apresentada pela

Equao 3, em que a eficincia calculada pela razo entre a potncia mxima fornecida pelo
mdulo (W) e o produto da rea do mdulo (m) pela irradincia total (W/m) dada pela letra
G. Como a rea do mdulo no totalmente coberta com clulas solares, pois os espaos entre
uma clula e outra no corresponde uma rea ativa, a eficincia dos mdulos fotovoltaicos
menor que a eficincia de uma nica clula solar (BRAUN-GRABOLLE, 2010).

= (3)

O desempenho de clulas e mdulos fotovoltaicos normalmente associado s

condies de teste padro (Standart Test Conditions STC), ou seja, nvel de irradincia de
1000 W/m ou tambm conhecido como 1 sol, distribuio espectral correspondente a AM 1,5
e temperatura de clula de 25C. Estas condies de irradincia podem, em certa medida,
representar as condies de operao em um dia tpico de cu claro, entretanto, a temperatura
considerada para a operao em campo frequentemente resulta em temperaturas prximas a
50C. Uma temperatura definida em norma que se aproxima s condies de campo a
 27

temperatura nominal de operao, normalmente conhecida pela sigla NOCT (nominal

operating cell temperature). A diferena entre as temperaturas obtidas em campo e temperatura
das condies padro proporciona tambm uma diferena entre a potncia entregue pelo
mdulo fotovoltaico e a potncia nominal (MACDO, 2006).

2.5 Influncia da irradincia solar na curva caracterstica corrente versus tenso

Em termos gerais, a corrente fotogerada proporcional irradincia solar enquanto

que a corrente de diodo Id no afetada. A variao de tenso com a irradincia se d de
forma logartmica, uma vez que a relao entre tenso e a corrente em uma clula
exponencial (GASPARIN, 2009). A Figura 13 apresenta curvas caractersticas I-V geradas
para um mdulo fotovoltaico de 36 clulas, mantendo-se a temperatura de clula constante
em 25C e variando a irradincia.

Figura 13 Curva caracterstica I-V de um mdulo fotovoltaico sob diferentes irradincias mantendo a
temperatura de clula constante. Fonte: GASPARIN, 2009.

A de uma clula, e de um mdulo, pode ser relacionada irradincia incidente de

acordo com a equao 4.

= 1000 (4)
 28

Onde () a corrente de curto-circuito do mdulo, para irradincia G e uma

temperatura de 25C; () corrente de curto-circuito do mdulo nas STC; G (W/m)
corresponde irradincia incidente sobre o mdulo a 1000 (W/m), irradincia nas STC.

2.5 Influncia da temperatura na curva caracterstica corrente versus tenso

As variaes de irradincia solar incidente e da temperatura ambiente afetam a

temperatura de operao das clulas fotovoltaicas que compem os mdulos fotovoltaicos.
A Figura 14 mostra curvas caractersticas I-V para diferentes temperaturas de clula
fotovoltaica, mantendo a irradincia de 1000 W/m como constante. O aumento da
irradincia incidente e/ou da temperatura ambiente produz um aumento da temperatura da
clula e, consequentemente tende a reduzir sua eficincia, sendo que a corrente sofre uma
elevao muito pequena, quase desprezvel, enquanto a tenso sofre uma brusca diminuio.
Em uma clula de silcio cristalino, um aumento de 100C na temperatura produz uma
variao da ordem de 0,2 V (-30%) em Voc e de +0,2% em Isc. Determinados mdulos
fotovoltaicos apresentam uma menor influncia da temperatura na potncia de pico, embora
tambm sofra reduo no seu desempenho (PINHO; GALDINO, 2014).

Figura 14 Influncia da temperatura da clula fotovoltaica na curva I-V com irradincia constante em 1.000
W/m e AM= 1,5. Fonte: PINHO; GALDINO, 2014.

O coeficiente de variao da corrente de curto-circuito com a temperatura

denominado e expresso em forma percentual pela Equao 5. Para o silcio cristalino o
valor tpico est entre 0,06% e 0,1% da corrente de curto-circuito por unidade de temperatura
(GASPARIN, 2009).
 29

= (5)

A tenso de circuito aberto sofre uma reduo com o aumento da temperatura da clula
devido ao aumento da corrente de saturao. A corrente de saturao uma corrente de
portadores de carga minoritrios criada por excitao trmica. A critrio, Voc ter uma
reduo da ordem de 2 mV 1 para cada clula de silcio na faixa de 20 a 100C. A reduo
de Voc com o aumento da temperatura modifica totalmente a curva caracterstica,
ocasionando uma ntida reduo de potncia do mdulo fotovoltaico com o aumento da
temperatura (GASPARIN, 2009).
A Equao 6 demonstra o coeficiente de variao da tenso de circuito aberto com a
temperatura, sendo denominada de .

= (6)

Onde T a varivel temperatura (C).

2.6 Caractersticas eltricas de mdulos fotovoltaicos

Em qualquer fase de um projeto para aplicao de energia solar fotovoltaica, desde o

dimensionamento tcnico at estudos de viabilidade econmica imprescindvel o
conhecimento do comportamento eltrico dos mdulos e arranjos fotovoltaicos. Segundo a
norma americana ASTM E1036 (1996), a medida da performance de um mdulo ou arranjo
fotovoltaico consiste em determinar pelo menos as seguintes caractersticas eltricas: corrente
de curto-circuito Isc, tenso de circuito aberto Voc, potncia mxima Pmp e tenso de mxima
potncia Vmp. Estas caractersticas so determinadas mediante anlise direta da curva
caractersticas I-V. Estes so os dados que obrigatoriamente os fabricantes especificam nos
mdulos comerciais (GASPARIN, 2009). No Brasil, todos os mdulos comercializados devem
apresentar a etiqueta do INMETRO afixada na sua superfcie posterior contendo informaes
essenciais conforme exemplifica a Tabela 5.
 30

Tabela 5 Informaes essenciais que devem conter na etiqueta de um mdulo fotovoltaico.

Informao Significado ou importncia da informao

Nome do fabricante Identificao do responsvel pela qualidade do mdulo

Identificao do modelo Pelo modelo pode-se identificar a folha de dados

tcnicos com informaes sobre tecnologia, potncia e
tolerncia
Nmero de srie O nmero de srie obrigatrio para registro,
qualificao, rastreabilidade e garantia do produto
Tenso mxima do sistema Indica o maior valor de tenso de circuito aberto de um
arranjo onde o mdulo pode ser instalado
Tenso de circuito aberto (Voc) Multiplicando-se Voc de cada mdulo pelo nmero de
mdulos em srie em um arranjo, obtm-se Voc do
arranjo
Corrente de curto-circuito (Isc) Multiplicando-se Isc de cada mdulo pelo nmero de
mdulos em paralelo em um arranjo, obtm-se Isc do
arranjo
Tenso de mxima potncia (Vmp) Multiplicando-se Vmp de cada mdulo pelo nmero de
mdulos em paralelo em um arranjo, obtm-se Vmp
nominal do arranjo
Corrente de mxima potncia (Imp) Multiplicando-se Imp de cada mdulo pelo nmero de
mdulos em paralelo em um arranjo, obtm-se Imp
nominal do arranjo
Potncia nas condies-padro de Potncia mxima nominal do mdulo nas condies de
ensaio (STC) irradincia de 1000 W/m, espectro AM 1,5 e
temperatura de clula de 25C
Temperatura nominal da clula nas Temperatura das clulas do mdulo nas condies de
condies de operao (NOCT) irradincia de 800W/m, temperatura ambiente de
20C e velocidade de vento de 1 m/s
Fonte: PINHO; GALDINO, 2014.

A norma brasileira NBR-12136 (ABNT, 1991a), a norma internacional IEC 891 (1987)
e a norma americana E 1036-08 (ASTM, 2008) estabelecem a mesma condio padro para a
 31

determinao da curva I-V (BHLER, 2011). Tal condio padro tambm denominada de
Standart Test Conditions STD. A Tabela 6 apresenta esses parmetros.

Tabela 6 Condio padro para ensaio de uma curva I-V.

Grandeza Valor
Temperatura 25C
Irradincia 1000 W/m
Espectro Solar AM = 1,5
Fonte: (BHLER, 2011).

O valor de AM (do ingls air mass) massa de ar pode ser definido como a relao entre
o comprimento da trajetria percorrida pela radiao solar direta at a superfcie terrestre e o
comprimento da trajetria da radiao solar direta at o nvel do mar caso o sol estivesse no
znite, podendo ser calculada de maneira simplificada para ngulos de at 70 com a Equao
7 (GASPARIN, 2009).

1
= (7)
cos

Onde o ngulo entre o znite e a radiao solar direta como pode ser observado na
Figura 15.

Figura 15 Definio de massa de ar (AM, air mass). Fonte: GASPARIN, 2009 apud NEWPORT, 2008.
 32

Denomina-se de AM1, quando a massa de ar igual a 1, ou seja, o Sol encontra-se no

znite (ngulo zenital igual a 0). Outras denominaes so dadas, por exemplo, com a sigla
AM2, quando o ngulo zenital igual a 60 e AM0 (sem massa atmosfrica para a radiao
solar atravessar), definida como a massa de ar no topo da atmosfera (radiao extraterrestre)
(PINHO; GALDINO, 2014).
Para a caracterizao atravs da curva I-V o mdulo deve ser submetido s condies-
padro de ensaio e uma fonte de tenso varivel realiza uma varredura entre uma tenso
negativa de poucos volts, em relao aos terminais do mdulo, at ultrapassar a tenso de
circuito aberto do mdulo, ou seja, quando a corrente atingir pontos negativos. Durante esta
varredura so registrados pares de dados de tenso e corrente, permitindo o traado de uma
curva caracterstica I-V (PINHO; GALDINO, 2014).

2.7 Normas tcnicas brasileiras para ensaios de mdulos fotovoltaicos

As normas brasileiras referentes aos sistemas fotovoltaicos so desenvolvidas pela

Associao Brasileira de Normas Tcnicas (ABNT). A Tabela 7 apresenta as principais
normas brasileiras referentes a este tipo especfico de sistemas que esto em vigor.

Tabela 7 Normas da ABNT referentes a dispositivos e sistemas fotovoltaicos.

(continua)
Cdigo Ttulo da Norma Objetivo
NBR 10899:2013 Energia solar fotovoltaica Esta norma especifica os termos
Terminologia tcnicos relativos converso
fotovoltaica de energia radiante
solar em energia eltrica.

NBR 11704:2008 Sistemas fotovoltaicos Esta Norma classifica os

Classificao sistemas de converso
fotovoltaica de energia solar em
energia eltrica.
NBR IEC Procedimento de ensaio de anti- Fornecer um procedimento de
62116:2012 ilhamento para inversores de ensaio para avaliar o
sistemas fotovoltaicos conectados desempenho das medidas de
rede eltrica preveno de ilhamento
utilizadas em sistemas
fotovoltaicos conectados rede
eltrica (SFCR).
 33

(concluso)
Cdigo Ttulo da Norma Objetivo
NBR 16149:2013 Sistemas fotovoltaicos (FV) Estabelece as recomendaes
Caractersticas da interface de especficas para a interface de
conexo com a rede eltrica de conexo entre os sistemas
distribuio fotovoltaicos e a rede de
distribuio de energia eltrica e
estabelece seus requisitos.

NBR 16274:2014 Sistemas fotovoltaicos conectados Estabelece as informaes e a

rede Requisitos mnimos para documentao mnimas que
documentao, ensaios de devem ser compiladas aps a
comissionamento, inspeo e instalao de um sistema
avaliao de desempenho fotovoltaico conectado rede.
Tambm descreve a
documentao, os ensaios de
comissionamento e os critrios
de inspeo necessrios para
avaliar a segurana da instalao
e a correta operao do sistema.

Fonte: ABNT.

Em relao aos ensaios de mdulos fotovoltaicos a fim de se obter a caracterizao

destes dispositivos, aquele que pretende fazer testes de mdulos e sistemas fotovoltaicos deve
seguir a portaria INMETRO 004/2011 que possui como objetivo estabelecer os critrios para
o Programa de Avaliao da Conformidade para sistemas e equipamentos para energia
fotovoltaica, atravs do mecanismo da Etiquetagem, para utilizao da Etiqueta Nacional de
Conservao de Energia ENCE, atendendo aos requisitos do Programa Brasileiro de
Etiquetagem - PBE, visando eficincia energtica e adequado nvel de segurana , a qual avalia
os equipamentos nas condies nominais e extremas de funcionamento para garantir que os
dispositivos fotovoltaicos tenham uma qualidade mnima assegurada.
No que se refere s normas e sequncia dos procedimentos para ensaios dos mdulos
fotovoltaicos duas normativas internacionais so adotadas a IEC 61215 - Crystalline Silicon
Terrestrial Photovoltaic (PV) Modules Design Qualification and Type Approval e IEC
61646 - Thin-film terrestrial photovoltaic (PV) modules Design qualification and type
approval. A Figura 16 apresenta um fluxograma das etapas legais de ensaios de mdulos
fotovoltaicos.
Para a execuo dos ensaios indicados pelo INMETRO necessria uma amostra de
2 mdulos fotovoltaicos (mesmo modelo e caractersticas). Esses dois mdulos sero
submetidos aos seguintes testes: tratamento prvio de 5 kWh/m, inspeo visual e
 34

determinao da potncia mxima. A partir da concluso desses testes um mdulo ser

submetido ao ensaio de isolamento em condies de umidade e o outro ser mantido como
unidade de controle (INMETRO, 2011).
O mdulo fotovoltaico considerado aprovado nos respectivos ensaios se no houver
evidncia visual de um defeito importante, e se a potncia mxima estiver entre -5% e 10%
da potncia indicada na planilha de especificao tcnica, PET, apresentada pelo
fabricante/fornecedor (INMETRO, 2011).
Para a determinao da potncia mxima deve-se seguir as normas IEC 61215 para
dispositivos cristalinos e a IEC 61646 para filmes finos, que determinam o desempenho
eltrico do mdulo nas Condies Padro de Teste. Estas permitem que seja usada luz solar
ou um simulador classe A, em conformidade com os requisitos da IEC 904-3 e acrescente que
a caracterstica corrente-tenso do mdulo dever ser determinada de acordo com IEC 904-1.
Quando necessrio, pode-se fazer as correes de temperatura e irradincia, em conformidade
com a IEC 891 (RAMOS, 2006).

Figura 16 Fluxograma referente s etapas de ensaio de mdulos fotovoltaicos. Fonte: INMETRO, 2011.
 35

Baseado na norma IEC 61215, Ramos (2006) apresenta alguns requisitos gerais de
medio:

- A medio da irradincia deve ser feita usando um dispositivo padro calibrado.

Entende-se por dispositivo padro calibrado aquele que foi calibrado em termos
de corrente de curto-circuito por unidade de irradincia (AW-1m-2) com uma
distribuio padro. Esta distribuio padro corresponde a distribuio total da luz
solar (direta + difusa), com uma irradincia de 1.000W/m a AM 1,5, sobre uma
superfcie plana inclinada a 37 com a horizontal, com albedo 0,2 de reflexo da terra
- O dispositivo padro dever ter essencialmente a mesma resposta espectral relativa
que a amostra.
- A temperatura do dispositivo padro e da amostra devero ser medidas com
uma preciso de 1 C. Se a temperatura do dispositivo padro diferir mais que
2 C da temperatura para a qual foi calibrado, o valor calibrado dever ser ajustado
para a medio de temperatura.

- A superfcie ativa da amostra dever ser coplanar dentro de 5 com a superfcie ativa
do dispositivo padro.

- Tenses e correntes devem ser medidas com uma preciso de 0,5%, usando pontas
de prova independentes para os terminais da amostra.
- Correntes de curto-circuito devem ser medidas em tenso zero, usando uma carga
varivel (preferencialmente eletrnica), balanceando a tenso e drenando-a atravs de
uma resistncia srie externa. Alternativamente, elas podem ser determinadas
pela medio de tenso atravs de um resistor fixo de preciso de 4 terminais,
permitindo que a medida seja realizada a menos que 3% da tenso de circuito aberto
do dispositivo, dentro de uma faixa onde h uma relao linear entre tenso e corrente,
e a curva extrapolada para tenso zero.
- Voltmetros devem ter uma resistncia interna de pelo menos 20 k/V.
- A calibrao de todos os instrumentos dever ser certificada dentro da preciso
requerida no momento da medida.
- A preciso dos procedimentos de correo da irradincia e da temperatura dever ser
verificada periodicamente pela medio do desempenho da amostra em nveis
selecionados, e os resultados comparados com os valores extrapolados.
 36

Sobre medies em luz solar natural, Ramos (2009) salienta que estas devero ser
realizadas somente quando a irradincia total no flutuar mais que 1% durante a medida.
Quando as medidas forem tomadas por referncia como condies padro de teste, a
irradincia dever ser de pelo menos 800 W/m. O procedimento do teste o seguinte:

- Monta-se o dispositivo padro o mais prximo possvel da amostra. Ambas as

normais devem estar a 10 da direo dos raios do sol.

- Registra-se a curva I-V e a temperatura da amostra concomitantemente ao registro da

corrente de curto-circuito e temperatura do dispositivo padro. Se no for prtico
controlar a temperatura, cobre-se a amostra e/ou o dispositivo padro do sol e do vento
at que a temperatura se estabilize com a temperatura ambiente. As medidas so
feitas imediatamente aps remover a cobertura.
Nota: Na maioria dos casos, a inrcia trmica da amostra ou dispositivo padro
limitar a elevao da temperatura durante os primeiros poucos segundos a menos de
2C e a temperatura permanecer razoavelmente uniforme.
- Corrige-se a curva I-V medida, para as condies de irradincia e temperatura
desejadas, de acordo com a IEC 891.

Quanto s medidas em luz solar simulada contnua, Ramos (2009) exemplifica um

outro procedimento, citando os seguintes procedimentos:

- Monta-se o dispositivo padro com a superfcie ativa no plano de teste, de modo

que sua normal esteja paralela dentro de 5 da linha central do raio de luz.
- Ajusta-se a irradincia do plano de teste de modo que o dispositivo padro produza
a corrente de curto-circuito calibrada no nvel desejado.
- Sem alterar o ajuste do simulador, registram-se a curva I-V e a temperatura da
amostra. Quando no for prtico controlar a temperatura, cobre-se a amostra e/ou
o dispositivo padro do raio de luz do simulador at que a temperatura se
estabilize dentro de 2C na temperatura ambiente. Fazem-se as medidas
imediatamente aps remover a cobertura.
- Se a temperatura da amostra no for a desejada, corrige-se a curva I-V medida
temperatura desejada, usando um procedimento em concordncia com a IEC 891.

Aps os procedimentos de ensaios serem realizados, e se estes no apresentarem

inconformidades possvel classificar os mdulos fotovoltaicos de acordo com a eficincia
 37

energtica obtida a partir dos testes aplicados, independente da forma utilizada, seja com o uso
de simulador solar ou com medio com luz solar natural. A Tabela 8 mostra os padres para
mdulos de silcio cristalino e a Tabela 9 relaciona a classe de eficincia energtica de acordo
com mdulos de tecnologia de filmes finos, seguindo as normativas do INMETRO.

Tabela 8 Classificao de eficincia energtica para mdulos de silcio cristalino.

Classe de Eficincia Energtica

A > 13,5%
13% < B 13,5%
12% < C 13%
11% < D 12%
E < 11%
Fonte: (INMETRO, 2011).

Tabela 9 Classificao de eficincia energtica para mdulos de filmes finos.

Classe de Eficincia Energtica

A > 9,5%
7,5% < B 9,5%
6,5% < C 7,5%
5,0% < D 6,5%
E < 5,0%
Fonte: (INMETRO, 2011).

2.7 Sistemas para traar a curva caracterstica corrente versus tenso

O principal modo de analisar, estimar e qualificar um mdulo ou at mesmo sistemas

fotovoltaicos atravs da medida das curvas caractersticas I-V dos mdulos que compem
o arranjo fotovoltaico. Em vista disso, uma gama de sistemas de instrumentao foi
desenvolvida para tal finalidade, sendo que cada laboratrio ou departamento de pesquisa,
possui uma instrumentao que melhor se adequa realizao do ensaio (GASPARIN, 2009).
Existem inmeros mtodos de determinao dos parmetros matemticos, tambm
conhecidos como parmetros fotovoltaicos, que descrevem a curva I-V para mdulos
fotovoltaicos. De acordo com pesquisa desenvolvida por Bhler (2011) alguns destes mtodos
propem solues analticas, enquanto outros propem solues que necessitam mtodos de
 38

iterao numrica. Existem ainda mtodos que se baseiam em modelos modificados,

usualmente com um grande nmero de variveis, como por exemplo, um modelo de trs
diodos. Outros mtodos fazem uso de curvas determinadas no escuro, denominadas curvas de
polarizao reversa. Em Bhler e Krenzinger (2006), por exemplo, apresentado um mtodo
para determinao de parmetros fotovoltaicos de acordo com o modelo de um diodo que
utiliza curvas I-V em polarizao reversa determinadas em diferentes resistncias srie que
leva em conta esse efeito no ponto de circuito aberto, que nulo para uma curva determinada
sob iluminao, e o efeito sobre a curva determinada no escuro em um ponto equivalente ao
circuito aberto. A diferena entre essas duas curvas nessas regies permite determinar um
valor de resistncia srie presente em um mdulo.
Sobre a caracterizao de mdulos individuais, a utilizao de fontes bipolares de
quatro quadrantes permite flexibilidade e facilidade na polarizao do mdulo fotovoltaico,
alm de boa preciso e velocidade de varredura. Contudo estas fontes tm limitaes de
corrente e tenso que limitam seu uso a apenas mdulos e pequenos arranjos fotovoltaicos,
alm do custo elevado e dificuldade de transporte devido ao peso e dimenses (GASPARIN,
2009).
A caracterizao de mdulos fotovoltaicos a partir da anlise da curva caracterstica j
um sistema padro adotado por laboratrios que trabalham com esse tipo de procedimento
de medidas de mdulos solares. No entanto, o desenvolvimento tecnolgico dos multmetros
e principalmente da informtica permitiram uma evoluo na preciso da medida e nos
programas para tratamento dos dados, sendo que o tema da instrumentao para medidas de
curvas caractersticas I-V de mdulos fotovoltaicos encontra-se em crescente
desenvolvimento (GASPARIN, 2009).

3 METODOLOGIA

Para melhor caracterizao dos mdulos fotovoltaicos, dois mtodos foram utilizados:
um diz respeito ao uso de simulador solar (indoor) e outro mtodo detalha a caracterizao
atravs da iluminao natural (outdoor). O intuito desse trabalho consiste em verificar curvas
I-V de diferentes tecnologias fotovoltaicas com ambos os mtodos propostos, incluindo a
variao de irradincia que foi realizada somente pelo simulador solar, a fim de facilitar o
experimento.
Os testes foram realizados no ms de fevereiro de 2015 na cidade de Porto Alegre,
nos domnios do LABSOL da Universidade Federal do Rio Grande do Sul, com equipamentos
 39

de medio e mdulos fotovoltaicos de diferentes tecnologias disponibilizados pelo

laboratrio em questo.
Vale ressaltar que os experimentos aqui citados no possuem como finalidade a
caracterizao de mdulos fotovoltaicos para certificao do INMETRO. Estes testes, e
consequentemente seus resultados, so puramente para fins de pesquisa cientfica, e em vista
disso, o nome dos fabricantes e suas respectivas marcas no sero identificadas.

3.1 Medio indoor com o Simulador Solar

O simulador solar consiste em um aparelho digital que contm lmpadas especiais para
se igualar as propriedades da radiao solar durante o ensaio da determinao da curva
caracterstica de dispositivos fotovoltaicos. A corrente e tenso do mdulo sob teste, alm da
irradincia e da temperatura da clula so medidos e registrados atravs de um aparelho
eletrnico especfico (DALMAGRO, KRENZINGER, 2013).
Existem trs tipos bsicos de simuladores solares que so diferenciados de acordo com
a tecnologia utilizada para a gerao de luz. Estas tecnologias podem ser observadas atravs
da Figura 17.

Figura 17 Exemplos de simuladores solares. Fonte: DALMAGRO, KRENZINGER, 2013 apud PHOTON,
2008.
 40

A norma ASTM E927-10 (Standart Specification for Solar Simulation for Photovoltaic
Testing) apresenta formas e concepes de como classificar os simuladores solares utilizados
em testes de equipamentos fotovoltaicos, tanto clulas quanto mdulos solares, considerando
o casamento espectral com relao a uma irradincia espectral de referncia, a no
uniformidade espectral da irradincia espacial e a instabilidade temporal de irradincia. Esta
classificao dividida em trs classes (A, B ou C) e um simulador pode ser classificado em
mltiplas classes dependendo de suas caractersticas (GUIMARES et al., 2011). A Tabela
10 identifica as classes de simuladores solares segundo a norma ASTM.
Geralmente quanto mais prximo do espectro solar for o espectro do equipamento, mais
caro ser o simulador solar. Quanto caracterstica de no uniformidade, uma das mais fceis
de atender, pois a radiao solar muito uniforme (DALMAGRO, KRENZINGER, 2013).

Tabela 10 Classificao de simuladores solares de acordo com caractersticas especficas.

Classificao Casamento No uniformidade Instabilidade
espectral para espacial de temporal de
todos os intervalos irradincia irradincia
Classe A 0,75 a 1,25 3% 2%
Classe B 0,6 a 1,4 5% 5%
Classe C 0,4 a 2,0 10% 10%
Fonte: GUIMARES et al., 2011.

Em vista das atribuies mencionadas sobre cada tipo e classe de simuladores solares
coube ao LABSOL UFRGS a escolha do modelo SunSim 3c, fabricado pela empresa sua
Pasan. Foram levados em conta aspectos como o custo, a rea iluminada de 2,0 x 2,0 m,
suficiente para a maioria dos mdulos comerciais existentes, a durao do pulso de luz (10
ms) e, principalmente as caractersticas espectrais, espaciais e temporais, excedendo a
classificao AAA da norma IEC 60904-9. Sua carga eletrnica de trs quadrantes capaz de
polarizar mdulos com correntes de at 30 A e tenses de at 300 V. A lmpada de xennio
tem garantia de um mnimo de 10000 pulsos e uma vida tpica entre 15000 e 20000 pulsos. O
sistema de aquisio capaz de coletar at 4000 pontos da curva I-V, a uma resoluo de 12
bits (DALMAGRO, KRENZINGER, 2013).
Em um simulador solar, usualmente o sistema de medio composto por uma carga
eletrnica e um conjunto de conversores analgico/digital de 12 bits que realizam a aquisio
de variveis. Os conversores recebem os sinais analgicos dos canais de entrada e transferem
 41

para o computador, que est conectado ao sistema, os respectivos valores digitais desses
canais. Durante o flash, a carga eletrnica mede simultaneamente os valores de corrente,
tenso, irradincia e temperaturas, podendo-se assim, determinar a curva I-V de mdulos
fotovoltaicos assim como seu ponto de mxima potncia (MOCELIN, 2014).
As medies e a visualizao dos resultados de ensaios realizados no simulador solar
so controladas por um microcomputador conectado a uma carga eletrnica. Com a utilizao
de um software de operao do simulador possvel adequar a curva caracterstica medida
para as condies padro de teste (MOCELIN, 2014).
Com a possibilidade de realizao de ensaios no LABSOL UFRGS pode-se utilizar o
simulador solar SunSim 3c. O simulador utilizado com um tnel ptico de 6,5 m x 2,5 m x
2,5 m. O conjunto est abrigado em uma edificao com 75 m construda especialmente para
este fim (LABSOL). Neste compartimento, encontra-se o simulador em uma rea escura para
no ser refletida nenhuma iluminao, e nesta cmara fica o suporte dos mdulos, onde sero
dispostos a clula de referncia e o mdulo de amostra, a uma distncia especfica do flash da
lmpada de xennio. As Figuras 18 e 19 apresentam os equipamentos que compem o
simulador solar, incluindo a estrutura de suporte dos mdulos, como tambm a disposio da
lmpada de xennio que utilizado no LABSOL.

Figura 18 Estrutura de suporte com a clula de referncia e o mdulo de amostra. Fonte: do autor.
 42

Figura 19 Viso frontal da lmpada de xennio do simulador solar. Fonte: do autor.

Para atender s condies padres de teste impostas pelo INMETRO 004/2011, a

temperatura da clula deve ser de 25C. A fim de atingir essa temperatura, h nesse prdio de
simulao no LABSOL dois aparelhos de ar-condicionado que controlam e mantm constante
a temperatura de acordo com o exigido. Atravs da clula de referncia, que possui conectado
um termostato, possvel tambm ajustar a temperatura da clula caso essa no esteja no
padro proposto.
Com o uso do simulador solar SinSum 3c foi possvel a realizao de testes de
caracterizao de dez diferentes mdulos fotovoltaicos, com diferentes tecnologias. Foram
examinadas duas geraes fotovoltaicas: primeira gerao (silcio cristalino) e segunda
gerao (filmes finos). Por meio do simulador empregado, tambm foi presumvel a variao
do parmetro de irradincia solar, tendo em vista que o simulador utilizado contm placas de
filtros de radiao que modificam a irradincia de testes de 100 W/m a 1000 W/m que a
condio padro, alcanando tambm irradincias de 200, 300, 400, 500 e 700 W/m.

3.2 Medio outdoor com iluminao natural

A caracterizao com iluminao natural transpe uma medio outdoor, realizada com
condies que o dia esteja possibilitando, dificultando a obteno de uma curva caracterstica
I-V nas condies padres de teste.
 43

Para a correta caracterizao da curva caracterstica I-V de um mdulo fotovoltaico

necessrio realizar uma varrio de tenso no mdulo, polarizando-o com valores de tenso
suficientes para a sua caracterizao. Esta polarizao pode ser efetivada por meio de cargas
resistivas, capacitivas ou por carga eletrnica, sendo a fonte de 4 quadrantes um mtodo
amplamente utilizado. Para a completa obteno da curva caracterstica so indispensveis
valores de tenso inferiores a 0 V para definir o ponto de curto-circuito, pois existe a
necessidade de compensar a queda de tenso associada a perdas por resistncia srie, fios e
conexes, at valores de tenso superiores ao ponto de circuito aberto (GASPARIN, 2011).
Para a medio outdoor utilizou-se um traador de curvas I-V disponibilizado pelo
LABSOL UFRGS, cuja polarizao por meio de carga eletrnica, empregando uma fonte
bipolar de quatro quadrantes marca KEPCO modelo BOP 100-10MG. As Figuras 20 e 21
apresentam o diagrama esquemtico com as principais interligaes e a estante com os
equipamentos utilizados, respectivamente.

Figura 20 Diagrama do traador de curva caracterstica I-V utilizado no LABSOL. Fonte: GASPARIN, 2011.
 44

Neste equipamento, o tempo de durao de rampa calculado a partir do nmero de

pontos e do tempo de durao de cada medida, programada com valor inicial e final. Enquanto
feita a varredura de tenso, os pares I-V devem ser sincronizados com a rampa de tenso.
So utilizados dois multmetros digitais Agilent 2458A para essas medidas. Com o intuito de
tambm garantir que a irradincia no varie durante a medida da curva I-V, a obteno dos
pares de pontos realizada em um intervalo de tempo pequeno, da ordem de dcimos de
segundo, o que garante uma variao menor que 1% em dias de cu limpo, enquanto a
temperatura no varia durante a medida. A temperatura do mdulo medida por meio de um
sensor Pt100 conectado a 4 fios a um instrumento de medida (GASPARIN, 2011).

Figura 21 Equipamentos utilizados para realizao da curva I-V de mdulos fotovoltaicos. Fonte: GASPARIN,
2011.

Alm do traador citado, foi utilizado um suporte de mdulos fotovoltaicos localizado

na parte superior da edificao, construda para abrigar o simulador solar. Neste coletor
localiza-se a clula de referncia, que indica a irradincia no momento de avaliao. J a
temperatura era medida de acordo com o sensor que era fixado no mdulo de amostra.
 45

Trabalhar com medio outdoor requer se submeter s condies naturais de

temperatura ambiente e irradincia solar equivalente. Em relao condio padro de teste a
irradincia especificada de 1000 W/m e a temperatura de clula 25C. Em dias ensolarados
sem nuvens, consegue-se uma irradincia padro nos horrios finais da manh e iniciais da
tarde. Em compensao, a obteno de uma curva caracterstica na temperatura padro de
25C consiste em uma tarefa muitas vezes difcil de realizar, principalmente no vero, onde
mesmo no sul do Brasil, comum dias com temperaturas ambiente de mais de 30C
(BHLER, 2011).
Em vista disso, a fim de controlar a temperatura do mdulo de teste, a temperatura da
edificao foi mantida em 25C e os mdulos eram retirados da sala e instalados no suporte
da maneira mais rpida possvel. Quando a temperatura no era controlvel desta forma, um
jato de gua era derramado sobre o mdulo a fim de resfri-lo. Se ainda assim a temperatura
elevada prevalecesse uma toalha umedecida era posta sobre o mdulo.
Em certos momentos de avaliao no foi possvel alcanar a condio padro de teste
imposta pelo INMETRO 004/2011, nem com mtodos prticos de controle de temperatura e
escolhendo um dia ensolarado. Nessa condio, foram utilizados mtodos de ajustes conforme
as equaes apresentadas em Bhler (2011).
Em relao a medio outdoor com iluminao natural, cinco mdulos dos dez que
foram ensaiados de modo indoor foram escolhidos a fim de comparar as duas medies e
validar a qualificao destes dois mtodos perante a etiquetagem de mdulos fotovoltaicos.
Esses cinco mdulos consistem em distintas tecnologias fotovoltaicas, para melhor classificar
todo o procedimento.

4 RESULTADOS E DISCUSSO

Com a definio da metodologia e com essa sendo aplicvel possvel dar incio
aplicao dos experimentos, obtendo-se resultados que aqui foram listados de acordo com a
medio indoor incluindo a variao de irradincia propiciada com o uso de simulador solar,
alm dos resultados obtidos com a comparao da simulao indoor e simulao outdoor.

4.1 Medio indoor e variao de irradincia

Em um primeiro momento, foi feita a anlise de mdulos fotovoltaicos disponibilizados

pelo LABSOL UFRGS atravs da medio indoor pelo simulador solar de modelo SunSim
 46

3c, da empresa sua Pasan, variando-se tambm o parmetro de irradincia. Dez mdulos
foram adotados de diferentes marcas e diferentes tecnologias como mostra a Tabela 11.
Conforme a Tabela 11, observa-se a introduo de testes em mdulos de primeira
gerao e segunda gerao, silcio cristalino e filmes finos. Cada mdulo foi avaliado de forma
individual, comparando-se caractersticas eltricas com diferentes irradincias atuantes e
tambm em relao aos valores informados no catlogo do fornecedor. Em alguns modelos de
mdulos fotovoltaicos, nem a etiqueta do mdulo nem o catlogo da fabricante fornecem certas
informaes, principalmente no que se refere eficincia do mdulo. Nesses casos, os valores
apresentados foram obtidos pela Tabela do INMETRO de mdulos fotovoltaicos para o
consumidor (INMETRO, 2013).

Tabela 11 Mdulos fotovoltaicos adotados para medio indoor com variao de irradincia.

Fabricante Tecnologia
Fabricante 1 CIS
Fabricante 2 Monocristalino
Fabricante 3 Multicristalino
Fabricante 4 Amorfo e microcristalino
Fabricante 5 Multicristalino
Fabricante 6 CIGS
Fabricante 7 Monocristalino
Fabricante 8 Multicristalino
Fabricante 9 Monocristalino
Fabricante 10 CIGS
Fonte: do autor.

As irradincias selecionadas para operar nesses experimentos correspondem aos valores

de filtros que o prprio simulador solar possui como equipamentos de teste. Esses filtros
compreendem placas de material absorvente de radiao que diminui de 1000 W/m, condio
padro de teste at 100 W/m, optando por valores de 700 W/m, 500 W/m, 400 W/m, 300
W/m e 200 W/m. Deste modo, o simulador possui 7 faixas de irradincia diferentes, as quais
sero utilizadas nesse trabalho.
Quanto as outras caractersticas de teste padro, temperatura e massa de ar, a
temperatura mantida constante em 25C com o auxlio de 2 aparelhos de ar-condicionado no
edifcio de experimento. A clula de referncia possui um sensor de temperatura que indica o
 47

valor no exato momento da medio da curva I-V. Caso essa temperatura no seja de 25C, o
prprio software do simulador ajusta esse valor. Contudo prefervel que a temperatura no
tenha uma discordncia muito grande, para assim diminuir a possibilidade de erro de
adequao. Em relao massa de ar, a fonte de radiao para a realizao dos ensaios
constituda por uma lmpada de xennio espectralmente filtrada para o espectro AM 1,5 global
(MOCELIN, ZILLES, 2008).

4.1.1 Fabricante 1

O primeiro mdulo a ser analisado corresponde ao mdulo da Fabricante 1 que traz em

sua etiqueta as informaes eltricas e tcnicas correspondentes condio padro de teste
apresentadas na Tabela 12.

Tabela 12 Informaes eltricas e tcnicas sobre mdulo fotovoltaico da Fabricante 1.

Fabricante Fabricante 1
Tecnologia CIS
Gerao Fotovoltaica Filmes finos
rea 1,094 m
Potncia nominal (Pmx) 130 Wp + 4%
Tenso de circuito aberto (Voc) 60,2 V
Corrente de curto circuito (Isc) 3,23 A
Tenso no ponto de mxima potncia 45,3 V
(Vmp)
Corrente no ponto de mxima potncia 2,87 A
(Imp)
Eficincia do modulo 11,4%
Fonte: do autor.

Com relao variao de irradincia no processo de caracterizao do mdulo, a Figura

22 mostra como ocorre a variao da curva I-V com a mudana desse parmetro. Nesse
contexto, a Tabela 13 apresenta as caractersticas eltricas e de desempenho do mdulo para
cada irradincia adotada.
 48

3.5
Fabricante 1
100 W/m
200 W/m
300 W/m
3 400 W/m
500 W/m
700 W/m
1000 W/m

2.5
Corrente [A]

1.5

0.5

0 10 20 30 40 50 60
Tenso [V]
Figura 22 Curva I-V para diferentes valores de irradincia no mdulo da Fabricante 1. Fonte: do autor.

Pela Figura 22 e comparando com o que foi proposto no referencial terico, perceptvel
o mesmo padro de comportamento da curva caracterstica I-V. Ocorre o aumento linear da
corrente de curto circuito com o aumento gradual de irradincia, sendo que o valor de tenso
aumenta de forma logartmica em menor proporo com essa variao. Nota-se valores entre
0,35 A e 3,35 A para corrente de curto circuito e 48,5 V e 58,15 V para tenso de circuito aberto.
Para confirmar essa variao linear da corrente com a irradincia e a variao logartmica da
tenso com a influncia da irradincia as Figuras 23 e 24 so apresentadas.
 49

3
Corrente [A]

Fabricante 1
Corrente de curto circuito(Isc)
Corrente de mxima potncia (Imp)
0

0 200 400 600 800 1000

Irradincia [W/m]
Figura 23 Variao linear da corrente de curto circuito e corrente de mxima potncia com a influncia da
irradincia no mdulo fotovoltaico da Fabricante 1. Fonte: do autor.

60

50
Tenso [V]

40

Fabricante 1
Tenso de circuito aberto (Voc)
Tenso de mxima potncia (Vmp)
Ajuste de curva logartmica

30

0 200 400 600 800 1000

Irradincia [W/m]
Figura 24 - Variao logartmica da tenso de circuito aberto e tenso de mxima potncia com a influncia da
irradincia no mdulo fotovoltaico da Fabricante 1. Fonte: do autor.
 50

Pela Figura 23 ntido a variao linear tanto para a corrente de curto circuito quanto
para a corrente de mxima potncia com a variao da irradincia. Em relao a variao da
tenso, a Figura 24 apresenta a influncia da irradincia, onde a tenso de circuito aberto mostra
uma variao logartmica perfeita, enquanto para a tenso de mxima potncia ocorre alguns
desvios da curva, como podem ser observados na Tabela 13. Vale ressaltar que o
comportamento para todos os mdulos fotovoltaicos analisados segue o mesmo padro quando
se refere a corrente de curto circuito e tenso de circuito aberto, podendo sofrer algumas
alteraes quanto aos parmetros de corrente e tenso de mxima potncia, o que pode
distinguir parmetros de desempenho ensaiados com os informados via catlogo do fornecedor.

Tabela 13 Caractersticas eltricas e de desempenho do mdulo da Fabricante 1 sobre a influncia de diferentes

irradincias.
Irradincia Ef Fator de Pmx Voc [V] Vmp Isc [A] Imp
[w/m] mdulo Forma [W] [V] [A]
[%] [%]
100 9,8 61,9 10,427 48,492 36,271 0,347 0,287
200 10,5 63,7 22,426 51,465 39,123 0,684 0,573
300 10,8 64,3 34,623 53,174 40,214 1,013 0,861
400 10,9 64,1 46,781 54,381 40,602 1,341 1,152
500 11,0 63,4 58,657 55,253 40,743 1,676 1,440
700 11,0 61,8 82,119 56,668 40,759 2,346 2,015
1000 10,8 59,5 115,715 58,155 40,465 3,344 2,860
Fonte: do autor.

A eficincia deste mdulo aumenta de acordo com o acrscimo de radiao, possuindo

um pico de 11,0% para irradincias de 500 e 700 W/m, sendo que para a irradincia padro de
teste, 1000 W/m, a eficincia decai 0,2% atingindo 10,8%, apresentando uma diferena de -
5,26% em relao ao informado de 11,4% de eficincia, sendo classificado como um mdulo
de Classe A, de acordo com a Tabela 9, de mdulos de filmes finos.
O fator de forma sofre uma variao desproporcional com a irradincia incidente, com
valor de pico de 64,3% com a irradincia de 300 W/m, sendo que o menor percentual deste
parmetro foi observado para a condio padro de teste. O fator de forma para a irradincia de
1.000 W/m corresponde a 59,5%, que em comparao ao que diz Pinho e Galdino (2014), no
se encontra adequado ao valor de 86% para mdulos CIS, o que induz que este no seja um
mdulo de boa qualidade.
 51

O valor de potncia mxima obtido foi de 115,715 Wp, na condio padro de teste,
com um erro de 10,99% em relao ao informado na etiqueta do fornecedor deste mdulo
fotovoltaico. O correto seria adequar o valor referenciado no protocolo, pois conforme indicado
a potncia seria de 130 Wp 4%, o que na realidade no ocorre.

4.1.2 Fabricante 2

O segundo mdulo a ser testado corresponde ao mdulo fotovoltaico da Fabricante 2,

de tecnologia de silcio monocristalino. Outras informaes referentes a tal dispositivo podem
ser observadas na Tabela 14, sendo que as informaes eltricas so especificadas de acordo
com a condio padro de teste, 1.000 W/m e 25C de temperatura de clula.

Tabela 14 Informaes eltricas e tcnicas do mdulo fotovoltaico da Fabricante 2.

Fabricante Fabricante 2
Tecnologia Monocristalino
Gerao Fotovoltaica Silcio cristalino
rea 1,608 m
Nmero de clulas em srie 60
Potncia nominal (Pmx) 260 W
Tenso de circuito aberto (Voc) 37,8 V
Corrente de curto circuito (Isc) 3,23 A
Tenso no ponto de mxima potncia 30,7 V
(Vmp)
Corrente no ponto de mxima potncia 8,48 A
(Imp)
Eficincia do modulo 16,16%
Fonte: do autor.

Com o objetivo de analisar a influncia da variao da irradincia incidente sobre este

mdulo em questo a Figura 25 apresenta os resultados.
 52

10
Fabricante 2
100 W/m
200 W/m
9 300 W/m
400 W/m
500 W/m
8 700 W/m
1000 W/m

6
Corrente [A]

0 10 20 30 40
Tenso [V]
Figura 25 Curva I-V para diferentes valores de irradincia no mdulo da Fabricante 2. Fonte: do autor.

Conforme pode ser observado na Figura 25, a corrente de curto circuito varia
linearmente com o aumento da irradincia. Por outro lado, a tenso aumenta do modo logaritmo,
sofrendo uma alterao menor do que em comparao com a corrente. Em que ambos
parmetros apresentam comportamento semelhante ao observado nas Figuras 23 e 24 para o
mdulo da Fabricante 1. Informaes eltricas e de qualidade com a influncia da irradiao
so descritas na Tabela 15.
 53

Tabela 15 Caractersticas eltricas e de desempenho do mdulo da Fabricante 2 sobre a influncia de diferentes

irradincias.
Irradincia Ef Fator de Pmx Voc [V] Vmp Isc [A] Imp
[w/m] mdulo Forma [W] [V] [A]
[%] [%]
100 15,4 78,8 25,08 33,761 28,624 0,943 0,876
200 16 79,4 52,075 34,949 29,516 1,876 1,764
300 16,3 79,4 79,616 35,683 30,018 2,809 2,652
400 16,5 79,3 106,906 36,13 30,302 3,733 3,528
500 16,5 78,8 134,292 36,538 30,451 4,662 4,41
700 16,6 78 188,796 37,089 30,605 6,524 6,169
1000 16,5 76,6 268,473 37,688 30,588 9,302 8,777
Fonte: do autor.

Conforme mostra a Tabela 15, a eficincia deste mdulo aumenta de acordo com a
irradincia at o valor de 400 W/m, a partir deste ponto cria-se uma estabilidade no valor de
16,5%, com pico em 16,6% em 700 W/m. Isto pode ser explicado devido ao fato de que
mdulos fotovoltaicos so projetados para condies padres de teste, e com valores no muito
distantes destes a eficincia pode manter-se numa faixa padronizada. Com valor de eficincia
de 16,5% na condio de irradincia de 1.000 W/m, e sendo um mdulo de silcio cristalino,
este pode ser classificado como Classe A, de acordo com o proposto pelo INMETRO. Em
comparao com o informado pela etiqueta do fabricante (16,16%), possui um erro pequeno de
+2%, o que no interfere na sua classificao.
O fator de forma sofre uma variao diferente a cada irradincia, possuindo o seu pice
com 200 e 300 W/m, baixas irradincias, com percentual de 79.4%. O menor valor de fator de
forma foi encontrado com a condio de teste, sendo 76,6%. Entretanto, a diferena entre os
extremos no passa de 2,8%, o que no conclui que o mdulo menor qualidade significativa em
maiores irradincias. O valor de 76,6% para a irradincia de 1.000 W/m, encontra-se um pouco
abaixo do esperado para mdulos de silcio cristalino, que de acordo com Pinho e Galdino
(2014), deve ficar entre 80,9% e 82,8%.
Em relao potncia mxima, o valor encontrado corresponde a 268,473 W, com um
erro de +3,36%, o que se encontra dentro dos padres de etiquetagem. Esse valor maior obtido
ocorre devido ao valor de corrente no ponto de potncia mxima ser maior do que o informado
pelo fabricante (8,48 A) para 8,777 A, tendo em vista que as tenses nesse ponto so simulares,
30,7 V e 30,588 V, respectivamente.
 54

4.1.3 Fabricante 3

O terceiro mdulo a ser analisado corresponde ao modelo da Fabricante 3, cuja

tecnologia de silcio multicristalino. A potncia deste mdulo de 250 W, sendo que outras
informaes eltricas e de qualidade podem ser observadas na Tabela 16.

Tabela 16 Informaes eltricas e tcnicas do mdulo fotovoltaico da Fabricante 3.

Fabricante Fabricante 3
Tecnologia Multicristalino
Gerao Fotovoltaica Silcio cristalino
rea 1,627 m
Nmero de clulas em srie 60
Potncia nominal (Pmx) 250 W
Tenso de circuito aberto (Voc) 37,2 V
Corrente de curto circuito (Isc) 8,72 A
Tenso no ponto de mxima potncia 30,5 V
(Vmp)
Corrente no ponto de mxima potncia 8, 20 A
(Imp)
Eficincia do modulo 15,5%
Fonte: do autor

Com a inteno de verificar a influncia de variao de irradincia, foram executados

testes no simulador solar com diversos filtros. Tais variaes neste mdulo so descritas na
Figura 26.
Tal como nos outros mdulos fotovoltaicos analisados, o efeito da diferena de
irradincia foi similar. Com o aumento de irradincia incidente ocorreu o aumento linear da
corrente de curto circuito e o aumento logartmico da tenso de circuito aberto. A Tabela 17
apresenta com detalhes a influncia nas caractersticas eltricas e de desempenho de acordo
com cada irradincia versada.
 55

10
Fabricante 3
100 W/m
200 W/m
9
300 W/m
400 W/m
500 W/m
8
700 W/m
1000 W/m

6
Corrente [A]

0 10 20 30 40
Tenso [V]
Figura 26 Curva I-V para diferentes valores de irradincia no mdulo da Fabricante 3. Fonte: do autor.

Tabela 17 Caractersticas eltricas e de desempenho do mdulo da Fabricante 3 sobre a influncia de diferentes

irradincias.
Irradincia Ef Fator de Pmx Voc [V] Vmp Isc [A] Imp
[w/m] mdulo Forma [W] [V] [A]
[%] [%]
100 14,7 78,6 24,12 33,636 28,513 0,913 0,846
200 15,3 79,1 50,207 34,806 29,18 1,825 1,721
300 15,5 78,6 76,535 35,528 29,598 2,74 2,586
400 15,6 78 102,44 36,004 29,767 3,647 3,441
500 15,6 77,5 128,32 36,369 29,859 4,552 4,298
700 15,6 76,1 179,27 36,967 29,866 6,374 6,003
1000 15,4 74,0 252,503 37,543 29,626 9,095 8,523
Fonte: do autor.
 56

O valor de pico do fator de forma foi observado em 79,1% com irradincia de 200 W/m.
Em contrapartida, com a maior irradincia, 1.000 W/m obteve-se o menor valor de fator de
forma 74%, com 5,1% de diferena entre esses valores extremos. Isso ocorre, pois, este aspecto
de desempenho, como descreve a Equao 1, relacionado com a corrente e tenso no ponto
de mxima potncia sobre a corrente de curto circuito e tenso de circuito aberto. Com baixas
irradincias tem-se menor valor de potncia mxima, porm a corrente afetada drasticamente
o que aumenta o percentual de fator de forma. Conforme Pinho e Galdino (2014) o percentual
de 74% tambm no se apresenta adequado, pois no integra as faixas propostas de 80,9% e
82,8% para silcio cristalino.
A eficincia do mdulo praticamente mantm uma constante em 15,6%, com exceo
da irradincia de 100 W/m que possui eficincia de 14,7%. Na condio padro, 1.000 W/m
o valor obtido foi de 15,4%, valor muito prximo do estabelecido pelo fabricante, 15,5%,
podendo classificar tal mdulo fotovoltaico de silcio multicristalino como Classe A conforme
a Tabela 8.
Em relao potncia mxima do mdulo, esta foi de 252,503 W com um erro de +1%
em comparao com o creditado na etiqueta, 250W, o que se encontra dentro da margem
aceitvel.

4.1.4 Fabricante 4

O quarto mdulo a ser posto em experimentao refere-se ao modelo da Fabricante 4 de

tecnologia amorfo e microcristalino. A Tabela 18 apresenta detalhes eltricos e de desempenho
deste mdulo fotovoltaico em questo, sendo que a fabricante no oferece o valor de eficincia
deste dispositivo solar. Com isso, o valor da eficincia foi obtido no catlogo do INMETRO
(2013) de mdulos fotovoltaicos.

Tabela 18 Informaes eltricas e tcnicas do mdulo fotovoltaica da Fabricante 4.

(continua)
Fabricante Fabricante 4
Tecnologia Amorfo e microcristalino
Gerao Fotovoltaica Filmes finos
rea 1,565 m
Potncia nominal (Pmx) 121 W 5%
 57

(concluso)
Fabricante Fabricante 4
Tenso de circuito aberto (Voc) 148,5 V
Corrente de curto circuito (Isc) 1,23 A
Tenso no ponto de mxima potncia (Vmp) 115,8 V

Corrente no ponto de mxima potncia 1,03 A

(Imp)
Eficincia do mdulo 7,6%
Fonte: do autor.

A Figura 27 apresenta as curvas I-V com a aplicao de diferentes irradincias atuantes,

que tangem desde 100 W/m at a condio padro, 1.000 W/m.

1.6
Fabricante 4
100 W/m
200 W/m
1.4 300 W/m
400 W/m
500 W/m
700 W/m
1.2 1000 W/m

1
Corrente [A]

0.8

0.6

0.4

0.2

0 40 80 120 160
Tenso [V]
Figura 27 Curva I-V para diferentes valores de irradincia no mdulo da Fabricante 4. Fonte: do autor.
 58

De acordo com o observado na Figura 25, este mdulo em especfico apresenta uma
falha em uma das suas strings, linha de clula fotovoltaica conectadas em srie. Porm, este
defeito no afeta o efeito da variao da irradincia, em que a corrente de curto circuito cresce
linearmente com o aumento da irradincia e a tenso de circuito aberto aumenta de forma
logartmica. Este modelo representa uma tecnologia de filme fino, deste modo apresenta
menores valores de corrente de curto circuito e maiores tenses de circuito aberto, em
comparao a tecnologia de silcio cristalino. O desempenho do dispositivo tambm no
modificado com a falha observada, conforme mostra a Tabela 19.

Tabela 19 Caractersticas eltricas e de desempenho do mdulo da Fabricante 4 sobre a influncia de diferentes

irradincias.
Irradincia Ef Fator de Pmx Voc [V] Vmp Isc [A] Imp
[w/m] mdulo Forma [W] [V] [A]
[%] [%]
100 7,2 65,4 11,248 130,880 99,855 0,131 0,113
200 7,7 64,2 24,076 138,108 103,728 0,271 0,232
300 8,0 63,7 37,655 142,344 106,572 0,415 0,353
400 8,1 63,2 50,661 145,206 107,786 0,552 0,470
500 8,1 62,8 63,662 147,340 108,596 0,688 0,586
700 8,2 62 89,941 150,465 110,147 0,964 0,817
1000 8,3 61,3 129,708 153,671 111,382 1,378 1,165
Fonte: do autor.

A eficincia do modelo da Fabricante 4 aumenta conforme a irradincia, atingindo seu

pico em 8,3% com irradincia de 1.000 W/m, condio padro. Com este valor, e de acordo
com a Tabela 9, este mdulo pode ser denominado de Classe B para mdulos de filmes finos.
Em comparao ao valor informado pela fabricante, este valor obtido possui uma alterao de
+0,7% (7,6%), o que para ambos os valores no diferencia a classificao B.
Quanto ao fator de forma, este possui seu maior valor com a menor irradincia e o menor
valor com a maior irradincia, diminuindo sua porcentagem de acordo com o aumento da
irradincia incidente, ficando entre 61,3% e 65,4%. Para a percentagem de 61,3% adquirida
com irradincia de 1.000 W/m, o fator de forma fica abaixo do esperado para silcio amorfo,
67,8%, conforme propes Pinho, Galdino (2014). No entanto, o fator de forma se aproxima do
esperado com o seu valor pico, sendo que este parmetro inversamente proporcional corrente
 59

de curto circuito, e para baixas irradincias, esses valores so muito pequenos, aumentando tal
percentual.
A potncia mxima obtida corresponde a 129,708 W, com uma variao de +7,19% em
relao ao mencionado na etiqueta, 121 W + 5%. Ou seja, esse valor informado pelo fabricante
deve ser corrigido para melhor informar clientes e interessados no produto. Porm, ainda
encontra-se dentro dos padres de etiquetagem estabelecidos pelo INMETRO, que situa-se em
-5% a +10%.

4.1.5 Fabricante 5

O prximo mdulo fotovoltaico a ser avaliado diz respeito ao modelo da Fabricante 5,

com 250 W de potncia mxima, de tecnologia multicristalino. A Tabela 20 confere algumas
caractersticas eltricas e de desempenho fornecidas pela etiqueta deste mdulo.

Tabela 20 Informaes eltricas e tcnicas do mdulo fotovoltaico da Fabricante 5.

Fabricante Fabricante 5
Tecnologia Multicristalino
Gerao Fotovoltaica Silcio cristalino
rea 1,627 m
Nmero de clulas em srie 60
Potncia nominal (Pmx) 250 W
Tenso de circuito aberto (Voc) 37,6 V
Corrente de curto circuito (Isc) 8,81 A
Tenso no ponto de mxima potncia 30,4 V
(Vmp)

Corrente no ponto de mxima potncia 8,23 A

(Imp)

Eficincia do mdulo 15,37%

Fonte: do autor.

Sob a anlise de diferentes irradincias, o mdulo possui um comportamento que pode

ser observado na Figura 28.
 60

10
Fabricante 5
100 W/m
200 W/m
9 300 W/m
400 W/m
500 W/m
700 W/m
8 1000 W/m

6
Corrente [A]

0 10 20 30 40
Tenso [V]
Figura 28 Curva I-V para diferentes valores de irradincia no mdulo da Fabricante 5. Fonte: do autor.

Por este modelo da Fabricante 5 ser muito similar ao da Fabricante 3, em que ambos
possuem tecnologia multicristalino e potncia mxima em 250 W, estes apresentam um
comportamento semelhante com a variao de irradincia incidente. Valores de tenso de
circuito aberto, corrente de curto circuito, potncia mxima so muito prximos nestes dois
modelos, como pode ser observado na Tabela 21.
 61

Tabela 21 Caractersticas eltricas e de desempenho do mdulo da Fabricante 5 sobre a influncia de diferentes

irradincias.
Irradincia Ef Fator de Pmx Voc Vmx Isc Imx
[w/m] mdulo Forma [%] [W] [V] [V] [A] [A]
[%]
100 15,0 77,2 24,368 33,681 28,287 0,937 0,861
200 15,6 77,8 50,671 34,916 29,177 1,865 1,737
300 15,8 77,6 77,236 35,646 29,593 2,79 2,61
400 15,9 77 103,378 36,153 29,801 3,714 3,469
500 15,9 76,3 129,25 36,529 29,881 4,636 4,326
700 15,8 74,7 180,132 37,126 29,942 6,494 6,016
1000 15,5 72,3 252,537 37,722 29,826 9,263 8,467
Fonte: do autor.

Este dispositivo de silcio multicristalino possui uma eficincia numa faixa estvel entre
200 W/m e 1.000 W/m variando apenas 0,4% nessas irradincias. O valor pico de 15,9% em
400 e 500 W/m, possuindo seu menor valor, 15% com a menor irradincia, 100 W/m. Na
irradincia de condio padro, 1.000 W/m, a eficincia de 15,5%, o que quase confere com
o valor indicado na etiqueta do fabricante, 15,37%, estimando uma variao de apenas +0,84%
do valor obtido experimentalmente, sendo que com esse valor, este modelo pode ser
classificado como Classe A de acordo com a Tabela 8.
Com exceo da irradincia de 100 W/m, o fator de forma diminui seu percentual com
o aumento da irradincia, demonstrando seu pice com 200 W/m e 77,8% e ponto mnimo com
1.000 W/m e 72,3%. Com tal valor obtido na condio de referncia possvel verificar que
este no se adequa ao proposto por Pinho, Galdino (2014) para mdulos de silcio cristalino,
80,9% - 82,8%, sendo que este se aproxima mais do valor adequado com a irradincia de 200
W/m.
Em relao a potncia mxima, o valor adquirido foi de 252,537 W o que difere apenas
+1% do exemplificado pelo fabricante, 250 W, sendo deste modo uma boa aproximao,
mesmo com a corrente de curto circuito um pouco acima da condio informada ao cliente.
 62

4.1.6 Fabricante 6

O sexto mdulo a ser posto em anlise corresponde ao modelo da Fabricante 6, de

tecnologia CIGS e potncia nominal de 150 W. Na etiqueta fixada na parte posterior ao mdulo
no est contida a informao de eficincia deste modelo. Outras informaes relacionadas a
este dispositivo em questo podem ser visualizadas na Tabela 22, sendo que o valor de
eficincia foi obtido na tabela de mdulos fotovoltaicos disponibilizado pelo INMETRO
(2013).

Tabela 22 Informaes eltricas e tcnicas do mdulo fotovoltaico da Fabricante 6.

Fabricante Fabricante 6
Tecnologia CIGS
Gerao Fotovoltaica Filmes finos
rea 1,228 m
Potncia nominal (Pmx) 150 W
Tenso de circuito aberto (Voc) 110 V
Corrente de curto circuito (Isc) 2,10 A
Tenso no ponto de mxima potncia 79 V
(Vmp)
Corrente no ponto de mxima potncia 1,9 A
(Imp)
Eficincia do mdulo 12,2%
Fonte: do autor.

Com este mdulo sofrendo a interferncia de variao de irradincia, diferentes curvas

I-V so obtidas, sendo que a Figura 29 demonstra esse experimento.
Este mdulo representante de uma tecnologia de filmes finos possui baixos valores de
corrente de curto circuito e altos valores de tenso de circuito aberto em comparao com a
tecnologia cristalino. Entretanto, seu desempenho em relao a influncia da irradincia ocorre
na mesma forma. A Tabela 23 demonstra valores exatos das curvas I-V, variando-se a
irradincia.
 63

2.5
Fabricante 6
100 W/m
200 W/m
300 W/m
400 W/m
2 500 W/m
700 W/m
1000 W/m

1.5
Corrente [A]

0.5

0 20 40 60 80 100 120
Tenso [V]

Figura 29 Curva I-V para diferentes valores de irradincia no mdulo da Fabricante 6. Fonte: do autor.

Tabela 23 Caractersticas eltricas e de desempenho do mdulo da Fabricante 6 sobre a influncia de diferentes

irradincias.
Irradincia Ef Fator de Pmx Voc [V] Vmx Isc [A] Imx
[w/m] mdulo Forma [W] [V] [A]
[%] [%]
100 11,8 68,4 14,261 95,210 74,151 0,219 0,192
200 12,2 67,7 29,663 100,007 76,661 0,438 0,387
300 12,4 67,0 45,120 102,646 77,325 0,656 0,584
400 12,4 65,9 59,900 104,416 77,212 0,871 0,776
500 12,3 64,7 74,432 105,895 77,141 1,087 0,965
700 12,1 62,6 102,630 107,839 76,349 1,519 1,344
1000 11,7 59,7 141,842 109,974 74,860 2,161 1,895
Fonte: do autor.
 64

Como observado no modelo da Fabricante 4, o mesmo procedimento ocorre em relao

ao fator de forma, que diminui sua percentagem com o acrscimo da irradincia incidente,
possuindo seu maior valor em 68,4% com 100 W/m em contrapartida do seu menor valor,
59,7%, com irradincia de referncia. De acordo com Pinho e Galdino (2014), estes valores no
esto adequados ao estabelecido para mdulos de tecnologia CIGS, 86%, podendo caracterizar
tal mdulo de menor qualidade.
Referente a eficincia do mdulo, este atinge uma estabilidade nas faixas intermediria
de irradincia entre 300 e 500 W/m com 12,4%. As menores eficincias encontradas referem-
se aos extremos do experimento, sendo que com 1.000 W/m atingiu-se 11,7% de eficincia.
Em relao ao indicado pelo catlogo do INMETRO, este mdulo fotovoltaico possui eficincia
de 12,2%, apresentando uma variao de -0,5%, entretanto para ambos os valores citados, tal
mdulo ainda ser caracterizado como Classe A, conforme indica a Tabela 9.
O valor de 141,842 W foi obtido como potncia nominal na condio de referncia.
Comparando ao anunciado pelo fabricante observa-se um erro de -5,44% em relao a 150 W
informado, estando dentro de um fator aceitvel.

4.1.7 Fabricante 7

O prximo mdulo fotovoltaico a ser testado corresponde ao modelo da Fabricante 7,

sendo um dispositivo de tecnologia monocristilino com 310 W de potncia nominal, sendo o
modelo de maior potncia posto em anlise. Informaes eltricas e de desempenho referentes
a este modelo podem ser analisadas na Tabela 24.

Tabela 24 Informaes eltricas e tcnicas do mdulo fotovoltaico da Fabricante 7.

(continua)
Fabricante Fabricante 7
Tecnologia Monocristalino
Gerao Fotovoltaica Silcio cristalino
rea 1,941 m
Nmero de clulas em srie 72
Potncia nominal (Pmx) 310 W
Tenso de circuito aberto (Voc) 44,95 V
Corrente de curto circuito (Isc) 8,64 A
 65

(concluso)
Fabricante Fabricante 7
Tenso no ponto de mxima potncia 37,76 V
(Vmp)
Corrente no ponto de mxima potncia 8,21 A
(Imp)
Eficincia do modulo 16,0%
Fonte: do autor.

Com este mdulo sendo analisado eletricamente com a influncia de diferentes

irradincias, curvas I-V so amostradas na Figura 30 para cada irradincia incidente.

10
Fabricante 7
100 W/m
200 W/m
300 W/m
400 W/m
500 W/m
8 700 W/m
1000 W/m

6
Corrente [A]

0 10 20 30 40 50
Tenso [V]
Figura 30 Curva I-V para diferentes valores de irradincia no mdulo da Fabricante 7. Fonte: do autor.

Este mdulo multicristalino possui tenso de circuito aberto entre 40 V e 45 V com a

incidncia de diferentes irradincias, sofrendo um aumento logaritmo com o aumento desse
parmetro. Em relao a corrente de curto circuito, esta vai de 0,8 A a 9 A, ajustando um
 66

aumento linear proporcionalmente a irradincia. Pontos mais especficos das curvas I-V
apresentadas podem ser observados na Tabela 25.

Tabela 25 Caractersticas eltricas e de desempenho do mdulo da Fabricante 7 sobre a influncia de diferentes

irradincias.
Irradincia Ef Fator de Pmx Voc Vmx Isc Imx
[w/m] mdulo Forma [%] [W] [V] [V] [A] [A]
[%]
100 14,6 78,7 28,339 40,084 33,878 0,899 0,836
200 15,1 78,8 58,614 41,504 34,979 1,791 1,676
300 15,4 78,9 89,392 42,321 35,475 2,677 2,52
400 15,5 78,4 119,977 42,937 35,774 3,565 3,354
500 15,5 77,9 150,352 43,381 35,894 4,448 4,189
700 15,5 76,7 210,733 44,093 35,968 6,228 5,859
1000 15,4 74,9 298,173 44,807 35,809 8,884 8,327
Fonte: do autor.

Referente a eficincia desde mdulo fotovoltaico, a eficincia aumenta com a

irradincia atingindo uma estabilizao a partir de 300 W/m, com um percentual de 15,4% e
15,5%. Na condio de referncia de teste, 1.000 W/m, a eficincia de 15,4% o que em
relao ao informado pelo fabricante possui uma variao de -0,6% (16,0%). Ainda assim, tal
modelo sendo de tecnologia monocristalino e com este valor de eficincia obtido,15,4%, este
classifica-se como Classe A de acordo com o proposto pelo INMETRO.
Quanto ao fator de forma, este possui seus maiores valores com baixas irradincias,
atingindo seu pico com 300 W/m e 78,9% e a partir de tal filtro diminui proporcionalmente
sua percentagem at obter 74,9% com a irradindia padro de 1.000 W/m. Com o referenciado
por Pinho e Galdino (2014), para mdulos cristalinos o valor de fator de forma deve permanecer
entre 80,9% - 82,8%, o que no ocorre, o fator de forma apenas se aproxima do ideal com seu
valor de pico em 300 W/m.
A potncia mxima para tal mdulo 298,173 W com a irradincia padro. O informado
na etiqueta confere uma potncia nominal de 310 W nas condies STD, o que induz um erro
percentual de -3,8%, o que confere com as adequaes de informaes exemplificadas no
catlogo da fabricante.
 67

4.1.8 Fabricante 8

O oitavo dispositivo fotovoltaico a ser posto em anlise diz respeito ao modelo da

Fabricante 8. Outros detalhes sobre este mdulo so observados na Tabela 26, sendo que a
fabricante no informa em sua etiqueta o valor da eficincia do mdulo.

Tabela 26 Informaes fornecidas pelo fabricante do mdulo SW235 poly.

Fabricante Fabricante 8
Tecnologia Multicristalino
Gerao Fotovoltaica Silcio Monocristalino
rea 1,677 m
Nmero de clulas em srie 60
Potncia nominal (Pmx) 235 W 3%
Tenso de circuito aberto (Voc) 37 V
Corrente de curto circuito (Isc) 8,35 A
Tenso no ponto de mxima potncia 30 V
(Vmp)
Corrente no ponto de mxima potncia 7,85 A
(Imp)
Eficincia do mdulo 14,0%
Fonte: do autor.

Com este mdulo multicristalino sendo testado com diferentes filtros de irradiao,
algumas curvas I-V so formadas com caractersticas proporcionais s diferentes irradincias.
Tais curvas so demonstradas na Figura 31.
Da Figura 31, o efeito da influncia da irradincia o mesmo observado at agora e este
conceito deve prosseguir conforme se espera. A faixa de tenso de curto circuito passa de 32 V
e 38 V, j a corrente de curto circuito possui uma maior faixa estipulada de 0,8 A a 9 A.
Nmeros mais especficos de acordo com cada irradincia so apresentados na Tabela 27.
 68

10
Fabricante 8
100 W/m
200 W/m
300 W/m
400 W/m
500 W/m
8
700 W/m
1000 W/m

6
Corrente [A]

0 10 20 30 40
Tenso [V]
Figura 31 Curva I-V para diferentes valores de irradincia no mdulo da Fabricante 8. Fonte: do autor.

Tabela 27 Caractersticas eltricas e de desempenho do mdulo da Fabricante 8 sobre a influncia de diferentes

irradincias.
Irradincia Ef Fator de Pmx Voc [V] Vmx Isc [A] Imx
[w/m] mdulo Forma [%] [W] [V] [A]
[%]
100 13,7 78,6 22,553 32,583 27,302 0,881 0,826
200 14,3 78,6 46,868 33,833 28,292 1,763 1,657
300 14,6 78,5 71,76 34,551 28,762 2,647 2,495
400 14,7 78 96,39 35,064 29,003 3,524 3,323
500 14,7 77,5 121,028 35,470 29,156 4,403 4,151
700 14,8 76,4 169,929 36,057 29,303 6,169 5,799
1000 14,7 74,8 241,582 36,694 29,296 8,807 8,246
Fonte: do autor.
 69

De acordo com a Tabela 27 o mdulo apresenta um pequeno aumento na eficincia do

mdulo com o acrscimo da irradincia, com exceo da irradincia de 1.000 W/m que possui
um pequeno desvio em relao a esse aumento, atingindo 14,7%. Com este valor e sendo de
tecnologia cristalino este mdulo pode ser caracterizado como Classe A segundo indica a
Tabela 8. Em relao ao mencionado no catlogo do INMETRO o valor de eficincia adquirido
na experimentao 0,7% mais elevado (14%), porm, tambm caracterizando um mdulo de
Classe A.
O fator de forma neste caso, como tambm observado com alguns modelos anteriores,
diminui proporcionalmente com o aumento da irradincia, possuindo valor de pico em 78,6%
com baixas irradincias, 100 e 200 W/m, atingindo seu valor mnimo 74,8% com a irradindia
padro. Entretanto, esses valores no se encontram adequados ao proposto por Pinho e Galdino
(2014), em que estes estipulam a percentagem entre 80,9% - 82,8% para a tecnologia de silcio
cristalino.
Quanto potncia mxima obtida esta corresponde ao valor de 241,582 W, o que induz
uma alterao de +2,78% ao informado na etiqueta, 235 W. Esta alterao encontra-se dentro
de um limite aceitvel de desvio.

4.1.9 Fabricante 9

O penltimo mdulo fotovoltaico analisado corresponde ao modelo da Fabricante 9, de

tecnologia monocristalino, com 60 clulas em srie e potncia nominal de 285 W. Outras
informaes relacionadas a este modelo so indicadas na Tabela 28, as quais foram obtidas na
etiqueta do mdulo fotovoltaico.

Tabela 28 Informaes eltricas e tcnicas do mdulo fotovoltaico da Fabricante 8.

(continua)
Marca SunEdison
Tecnologia Monocristalino
Gerao Fotovoltaica Silcio Cristalino
rea 1,641 m
Nmero de clulas em srie 60
Potncia nominal (Pmx) 285 W 3%
Tenso de circuito aberto (Voc) 38,5 V
 70

(concluso)
Marca SunEdison
Corrente de curto circuito (Isc) 9,5 A
Tenso no ponto de mxima potncia 31,7 V
(Vmp)
Corrente no ponto de mxima potncia 8,95 A
(Imp)
Eficincia do modulo 17,7%
Fonte: do autor.

Com o intuito de anlise da extenso da irradincia sobre tal mdulo filtros de absoro
de radiao foram utilizados como experimento resultando diferentes curvas I-V que so
demonstradas na Figura 32 para cada filtro experimentado.

10
Fabricante 9
100 W/m
200 W/m
300 W/m
400 W/m
500 W/m
700 W/m
8
1000 W/m

6
Corrente [A]

0 10 20 30 40
Tenso [V]
Figura 32 Curva I-V para diferentes valores de irradincia no mdulo da Fabricante 9. Fonte: do autor.
 71

Como visto na Figura 32, o efeito da influncia o mesmo analisado em todos os

mdulos at ento, obtendo-se valores entre 35 V e 40 V para tenso de circuito aberto e 1 A a
10 A para corrente de curto circuito, uma faixa maior de extenso. A Tabela 29 indica valores
mais exatos para cada curva I-V apresentada na Figura 32.

Tabela 29 Caractersticas eltricas e de desempenho do mdulo da Fabricante 9 sobre a influncia de diferentes

irradincias.
Irradincia Ef Fator de Pmx Voc [V] Vmx Isc [A] Imx
[w/m] mdulo Forma [W] [V] [A]
[%] [%]
100 17 80,1 27,903 34,909 29,596 0,998 0,943
200 17,4 79,9 57,189 36,211 30,432 1,977 1,879
300 17,6 79,4 86,794 36,930 30,859 2,958 2,813
400 17,7 78,7 116,075 37,497 31,032 3,934 3,740
500 17,7 78 145,342 37,913 31,125 4,917 4,670
700 17,6 76,6 202,903 38,504 31,150 6,884 6,514
1000 17,4 74,3 285,823 39,148 30,935 9,822 9,239
Fonte: do autor.

A eficincia do mdulo fotovoltaico apresenta como comportamento uma equao de

segundo grau, possuindo seus maiores valores com irradincias intermedirias, como 17,7%
com 400 e 500 W/m e os mnimos valores nos seus extremos com 17% em 100 W/m e 17,4%
com irradincia de referncia, 1.000 W/m. Em relao ao mencionado na etiqueta, a eficincia
na STD possui uma alterao de -0,3% o que no altera sua classificao na Classe A para
mdulos cristalinos segundo informa o INMETRO.
O fator de forma diminui sua percentagem de acordo com o aumento proporcional de
irradincia, atingindo seu pice em 100 W/m com 80,1% e seu valor mnimo com a irradincia
padro, 74,3%. De acordo com Pinho e Galdino (2014) o valor que mais se aproxima do
esperado para mdulos de tecnologia cristalina com a menor irradincia, 80,1%, sendo o valor
mais prximo do estipulado 80,9% - 82,8%.
A mxima potncia obtida fez referncia ao nmero de 285,823 W possuindo uma leve
alterao de menos de +0,5% em relao ao informado pelo indicado pelo fabricante, 285 W,
podendo ser assim considerado um valor exato e bastante objetivo para o cliente que adquirir
tal produto.
 72

4.1.10 Fabricante 10

O ltimo dispositivo fotovoltaico a ser disposto a testes eltricos e de qualidade faz

referncia ao modelo da Fabricante 10 de tecnologia CIGS e potncia nominal de 150 W. A
Tabela 30 exemplifica maiores informaes obtidas na etiqueta do mdulo fotovoltaico.

Tabela 30 Informaes eltricas e tcnicas do mdulo fotovoltaico da Fabricante 10.

Fabricante Fabricante 10
Tecnologia CIGS
Gerao Fotovoltaica Filmes finos
rea 1,0956 m
Potncia nominal (Pmx) 150 W
Tenso de circuito aberto (Voc) 86,1 V
Corrente de curto circuito (Isc) 2,66 A
Tenso no ponto de mxima potncia 62,5 V
(Vmp)
Corrente no ponto de mxima potncia 2,40 A
(Imp)
Eficincia do modulo 13,8%
Fonte: do autor.

Utilizando o simulador solar e os filtros de radiao disponveis, testes de diferentes

irradincias foram aplicados sobre tal mdulo, resultando diferentes curvas I-V que podem ser
observadas na Figura 33.
Conforme a Figura 33 indica, este modelo em questo possui como tecnologia filmes
finos e, deste modo, apresenta correntes de curto circuito mais baixas entre aproximadamente
0,3 A a 2,8 A, enquanto as tenses de circuito aberto so mais elevadas entre 70 V a 83 V em
relao a tecnologia cristalina. Entretanto, o efeito da influncia da irradincia simular. A
corrente de curto circuito aumenta linearmente com o aumento da irradincia, enquanto a tenso
de circuito aberto aumenta de maneira logartmica. A Tabela 31 apresenta valores mais exatos
em relao a cada curva I-V amostrada.
 73

3
Fabricante 10
100 W/m
200 W/m
300 W/m
400 W/m
500 W/m
700 W/m
1000 W/m

2
Corrente [A]

0 20 40 60 80 100
Tenso [V]
Figura 33 Curva I-V para diferentes valores de irradincia no mdulo da Fabricante 10. Fonte: do autor.

Tabela 31 Caractersticas eltricas e de desempenho do mdulo da Fabricante 10 sobre a influncia de diferentes

irradincias.
Irradincia Ef Fator de Pmx Voc Vmx Isc [A] Imx
[w/m] mdulo Forma [W] [V] [V] [A]
[%] [%]
100 12,4 69,2 13,449 70,762 57,21 0,275 0,235
200 13,2 70,8 28,577 74,063 59,508 0,545 0,48
300 13,5 70,7 43,811 76,017 60,618 0,815 0,723
400 13,6 70,3 58,945 77,402 61,085 1,084 0,965
500 13,7 69,7 74,195 78,535 61,445 1,355 1,208
700 13,7 68,3 103,746 80,102 61,49 1,897 1,687
1000 13,5 66,2 146,358 81,744 61,013 2,705 2,399
Fonte: do autor.
 74

A eficincia deste mdulo aumenta como o aumento da irradincia, com exceo da

irradincia de referncia que sofre um pequeno decaimento. O valor pice 13,7% com 500 e
700 W/m, enquanto que com 1.000 W/m esse valor se estabelece em 13,5%. Com esse
percentual atingido este mdulo classificado como Classe A de acordo com a Tabela 9 para
tecnologias de filmes finos, embora tenha apresentado uma alterao de -0,3% em relao ao
indicado na etiqueta, 13,8%.
Com exceo da irradincia de 100 W/m o fator de forma diminui com o aumento da
irradincia, atingindo seu pice com 200 W/m e 70,8% e seu valor mnimo em 66,2% com
1.000 W/m. Essas percentagens no esto de acordo com o apresentado como ideal por Pinho
e Galdino (2014) para tecnologias CIGS, 86%.
A mxima potncia obtida foi de 146,358 W com um erro de menos de -2,4% em
comparao ao indicado pelo fabricante, 150 W. Essa alterao encontra-se em conformidade
com o admitido como desvio de potncia nominal.

4.1.11 Anlise de parmetros de desempenho

A fim de melhor comparar a qualidade dos dez mdulos fotovoltaicos analisados com a
influncia da variao de irradincia feita a anlise dos parmetros de desempenho, como a
eficincia do mdulo e seu respectivo fator de forma. A Figura 34 apresenta os valores de
eficincia encontrados para cada modelo testado em todos os filtros de irradincia utilizados.
Cabe lembrar que somente os pontos do Figura 34 foram obtidos experimentalmente. A
curva de ligao serve apenas para auxiliar na visualizao dos dados adquiridos, no sendo,
deste modo, uma curva de ajuste.
 75

Eficincia de mdulo
20

16

12
Eficincia [%]

Eficincia do mdulo
Fabricante 1
Fabricante 2
Fabricante 3
Fabricante 4
4 Fabricante 5
Fabricante 6
Fabricante 7
Fabricante 8
Fabricante 9
Fabricante 10

0 200 400 600 800 1000

Irradincia [W/m]
Figura 34 Eficincia dos dez mdulos analisados com a influncia da irradincia. Fonte: do autor.

Os seis maiores percentuais de eficincia de mdulo so obtidos com mdulos

fotovoltaicos de silcio cristalino, sendo que o maior percentual foi alcanado com o modelo da
Fabricante 9, cuja tecnologia corresponde a monocristalina. Os menores valores percentuais de
eficincia so equivalentes a modelos de filmes finos, sendo o menos eficiente o mdulo da
Fabricante 4, de tecnologia silcio amorfo e microcristalino. Esses dados condizem com a
Tabela 4, em que a eficincia maior para mdulos de silcio monocristalino, seguido de
multicristalino, CIS/CIGS e silcio amorfo.
A eficincia do mdulo da Fabricante 4 aumenta seu valor com o aumento da irradincia
incidente. Com exceo dos mdulos das Fabricantes 5 e 6, que possui como base quase um
comportamento de uma equao de segundo grau, em que temos pontos mximos de eficincia
e suas extremidades apresentam valores mnimos, o restante obteve um certo padro de
desenvolvimento de eficincia, aumentando com o valor de irradincia, atingindo uma
estabilidade, sofrendo uma pequena alterao, quase imperceptvel no ltimo filtro de
irradincia.
 76

Em relao ao outro fator de desempenho observado, relacionado ao fator de forma, a

Figura 35 apresenta os resultados obtidos para os diferentes mdulos com variao de
irradincia, e assim como a Figura 34, a ligao entre os pontos s possui a finalidade de melhor
observao dos dados adquiridos experimentalmente.

Fator de Forma

80
Fator de Forma [%]

70

Fator de Forma
60 Fabricante 1
Fabricante 2
Fabricante 3
Fabricante 4
Fabricante 5
Fabricante 6
Fabricante 7
Fabricante 8
Fabricante 9
Fabricante 10
50

0 200 400 600 800 1000

Irradincia [W/m]
Figura 35 Fator de forma dos dez mdulos analisados com a influncia da irradincia. Fonte: do autor.

Como pode ser destacado na Figura 35, existem dois blocos em faixas diferentes de fator
de forma, um corresponde aos mdulos de tecnologia de silcio cristalino (valores mais altos) e
o outro corresponde tecnologia de filmes finos (valores mais baixos).
Em relao ao bloco de tecnologia cristalina, com exceo do mdulo fotovoltaico da
Fabricante 9, que decai o fator de forma de maneira mais acentuada com o aumento de
irradincia, todos possuem comportamento semelhante, em que apresentam um leve pico em
baixas irradincias e decaimento de modo mais ameno com o aumento da irradincia incidente.
Quanto ao bloco de filmes finos, os quatro modelos observados demonstram um padro
mais diversificado, em que os mdulos das Fabricante 1 e 10 elevam seu valor at um ponto
 77

mximo e deste diminuem gradualmente com o aumento de irradincia. Os modelos das

Fabricante 4 e 6 decaem o fator de forma de acordo com o aumento de irradincia, porm cada
mdulo com seu padro, sendo que o modelo da Fabricante 6 decai mais acentuadamente e o
mdulo da Fabricante 4 diminui de forma mais estabilizante.
De acordo com o proposto por Pinho e Galdino (2014), nenhum mdulo fotovoltaico
atingiu o valor adequado para as especficas tecnologias. Para silcio cristalino a faixa ideal se
estabelece entre 80,9% e 82,8%, silcio amorfo 67,8% e CIS/CIGS 86%. De fato, o menor fator
de forma foi do modelo de silcio amorfo microcristalino, porm o maior percentual foi obtido
com um mdulo monocristalino e no de tecnologia CIGS/CIS.

4.2 Simulao outdoor e comparao com simulao indoor

Com o primeiro procedimento de resultados realizado, simulao indoor com o

simulador solar SunSim 3c, aplicando variao de irradincia e analisando tais efeitos em dez
mdulos diferentes, foi possvel dar prosseguimento fase de experimentao.
Para a simulao outdoor, foram escolhidos apenas cinco dos dez mdulos analisados
indoor. Essa escolha ocorreu devido a maior dificuldade de teste com a iluminao natural, pois
para tal demonstrao necessrio um dia ensolarado, sem nuvens, sem variaes de irradincia
durante o tempo de obteno da curva caracterstica I-V, alm do controle da temperatura de
clula, processo muito difcil, principalmente em altas irradincias e sem um equipamento de
resfriamento adequado. Os mdulos escolhidos, bem como suas tecnologias, so listados na
Tabela 32.

Tabela 32 Mdulos fotovoltaicos escolhidos para simulao outdoor.

Fabricante Tecnologia
Fabricante 1 CIS
Fabricante 4 Amorfo e microcristalino
Fabricante 6 CIGS
Fabricante 8 Multicristalino
Fabricante 9 Monocristalino
Fonte: do autor.
 78

Os cinco mdulos adotados para essa medio atravs de iluminao natural foram
escolhidos de forma a abranger todas as diferentes tecnologias dispostas no LABSOL, na poca
da realizao da pesquisa, com diferentes potncias, tecnologias e eficincias.
Seguindo a condio padro de teste imposta pelo INMETRO e padres internacionais,
a temperatura de clula deve estar em 25C, possuindo irradincia de 1.000 W/m. Em vista
disso, e a partir do conhecimento que irradincias desse nvel ocorrem prximo ao meio dia
solar, a simulao outdoor ocorreu em um dia ensolarado entre o final da manh e o incio da
tarde. Porm, como nem sempre essas condies ideais so obtidas mesmo com dias
ensolarados e tentando manter a temperatura de clula mais prxima possvel do estabelecido,
foram utilizados mtodos de ajustes que seguem as equaes apresentadas por Bhler (2011),
a fim de acertar os valores obtidos da simulao outdoor para as condies STD, sem
interferncia na veracidade dos dados obtidos. A Tabela 33 apresenta as verdadeiras condies
de ensaio para cada mdulo amostrado, sendo que posteriormente esses valores foram
transladados para as condies padres, e com isso, ser possvel a comparao indoor e outdoor
possuindo a mesma base de parmetros.

Tabela 33 Condies reais de ensaio com iluminao natural.

Fabricante Irradincia (W/m) Temperatura (C)
Fabricante 1 1071 27
Fabricante 4 1048 33
Fabricante 6 1020 25
Fabricante 8 1081 30
Fabricante 9 880 30
Fonte: do autor.

Uma maneira de comparar a simulao indoor e outdoor, refere-se a identificao dos

erros e alteraes, de valores obtidos de parmetros eltricos das duas formas de simulao com
as informaes repassadas pelo fabricante. Constatou-se durante esta pesquisa que dificilmente
o fabricante informa o fator de forma do mdulo, porm este parmetro de desempenho
calculado conforme Equao 1. Portanto, os percentuais que sero listados a seguir
correspondem ao clculo efetuado com os valores propostos pelo fornecedor de cada mdulo
fotovoltaico analisado.
 79

4.2.1 Fabricante 1

Para o mdulo de tecnologia CIS, pertencente segunda gerao de mdulos

fotovoltaicos, a Figura 36 mostra as curvas caractersticas I-V obtidas atravs de medio
indoor e outdoor, plotadas sobre um mesmo plano de curva.

3.5

2.5
Corrente [A]

1.5

0.5
Fabricante 1
Medio outdoor
Medio indoor
0

0 10 20 30 40 50 60 70
Tenso [V]
Figura 36 Curvas caractersticas I-V atravs de medio indoor e outdoor do mdulo fotovoltaico da Fabricante
1. Fonte: do autor.

A Figura 36 demonstra que as curvas caractersticas no se sobrepem, porm estas

possuem trajetrias muito semelhantes, verificando um mesmo padro de funcionamento nas
condies padres de teste. O valor da corrente de curto circuito da curva caracterstica I-V da
medio indoor maior em comparao ao da medio outdoor, porm seu valor de tenso
mais baixo. Para melhor comparao do funcionamento do mdulo fotovoltaico da Fabricante
1, a Tabela 34 apresenta os dados das duas curvas I-V, alm da comparao com as informaes
especificadas pelo fabricante.
 80

Tabela 34 Caractersticas eltricas e de desempenho do mdulo da Fabricante 1 atravs da medio indoor,

medio outdoor e informaes do catlogo do fabricante.
Medio indoor Medio outdoor Informao
catlogo
Pmx [W] 115,715 120,119 130 + 4%
Eficincia do mdulo [%] 10,80 10,98 11,4
Fator de forma [%] 59,50 63,176 66,86
Voc [V] 58,155 58,77 60,2
Vmp [V] 40,465 42,72 45,3
Isc [A] 3,344 3,237 3,23
Imp [A] 2,860 2,812 2,87
Fonte: do autor.

A mxima potncia obtida entre as duas simulaes aplicadas corresponde a 120,119 W

da medio outdoor, com um erro de +3,67% em relao a medio indoor. Porm, ambas as
medies no contemplam o valor da potncia informada pelo fabricante. Mesmo a maior
potncia observada com a medio outdoor, essa ainda apresenta uma diferena de -7,6% em
relao ao proposto no catlogo.
Sobre a eficincia do mdulo, os percentuais obtidos tanto de forma indoor quanto
outdoor, so muito similares, com uma pequena diferena de 0,18%, o que se pode considerar
o mesmo valor de eficincia obtido a partir das duas simulaes exemplificadas. Em relao
eficincia informada pelo fabricante, as simuladas no atingem o mesmo percentual, possuindo
o maior erro em -5,26%. Mesmo com ambas as eficincias abaixo do proposto, este mdulo
ainda pertence Classe A de filmes finos, de acordo com a Tabela 9.
Em relao ao outro fator de desempenho relacionado, fator de forma, o percentual
obtido da medida outdoor tambm foi maior do que o valor adquirido da experincia indoor.
Ambos os valores se encontram abaixo do mencionado no catlogo, com maior erro
correspondendo a -10,99% em relao a medio indoor.
Dos parmetros eltricos, os ndices de corrente medidos so os que mais se assemelham
aos valores do catlogo, sendo que a maior diferena entre os parmetros eltricos ocorre com
a tenso no ponto de mxima potncia com o valor da medio outdoor maior em comparao
ao valor obtido da medida indoor, o que por fim propicia uma maior potncia mxima nessa
simulao em questo, visto que as correntes no ponto de mxima potncia possuem valores
muito similares.
 81

4.2.2 Fabricante 4

O segundo mdulo fotovoltaico a ser analisado referente a comparao das medies

indoor e outdoor corresponde ao modelo da Fabricante 4 de tecnologia amorfo microcristalino.
As curvas caractersticas I-V da medio atravs do simulador solar e por iluminao natural
esto dispostas na Figura 37.

1.6

1.2
Corrente [A]

0.8

0.4

Fabricante 4
Medio outdoor

Medio indoor

0 40 80 120 160
Tenso [V]

Figura 37 Curvas caractersticas I-V atravs de medio indoor e outdoor do mdulo fotovoltaico da Fabricante
4. Fonte: do autor.

Conforme a Figura 37 demonstra, o defeito observado na medio indoor persiste

quando este mdulo colocado a prova com a simulao outdoor. Porm, como j mencionado,
este defeito em uma das strings do mdulo analisado no interfere no bom funcionamento do
mesmo.
Como visto no mdulo da Fabricante 1, as curvas caractersticas I-V no se sobrepem
em todo o percurso, contudo, apresentam um funcionamento bastante similar, que pode ser
observado com mais detalhes atravs da Tabela 35.
 82

Tabela 35 Caractersticas eltricas e de desempenho do mdulo da Fabricante 4 atravs da medio indoor,

medio outdoor e informaes do catlogo do fabricante.
Medio indoor Medio outdoor Informao
catlogo
Pmx [W] 129,708 133,823 121 5%
Eficincia do mdulo [%] 8,3 8,55 7,6
Fator de forma [%] 61,3 65,08 65,3
Voc [V] 153,671 155,1267 148,5
Vmp [V] 111,382 114,236 115,8
Isc [A] 1,378 1,331 1,23
Imp [A] 1,165 1,171 1,03
Fonte: do autor.

Bem como no mdulo analisado anteriormente da Fabricante 1, este modelo da

Fabricante 4 apresenta uma maior potncia na medio outdoor do que em relao a medio
indoor. Conforme relatado no catlogo disposto pelo fabricante a potncia esperada
corresponde a 121 5%, porm de acordo com as simulaes efetuadas, ambos os valores de
potncia mxima ultrapassam este desvio percentual de 5%, com +7,2% em relao a medio
indoor e +10,6% em comparao a simulao outdoor. Com esse resultado observado, fica
ciente uma alterao desta informao no catlogo, para melhor alertar o cliente sobre o produto
que se espera adquirir.
Apresentando maiores potncias do que em relao ao informado pelo fabricante,
consequentemente este mdulo tambm possuir maiores eficincias nas simulaes de teste.
Apresentando 8,3% de eficincia de mdulo na medio indoor e 8,55% de eficincia de
simulao outdoor. Ainda que apresentem eficincias maiores que a mencionada no catlogo,
estas eficincias no atingem o padro de maior classe para filmes finos, pertencendo a Classe
B conforme indica a Tabela 9.
Em relao aos fatores de forma obtidos, estes se encontram abaixo do proposto pelo
fabricante, sendo a maior diferena percentual -4% em comparao ao proposto no catlogo
com o observado da medio indoor. Quando comparado ao informado pela marca, o fator de
forma encontrado na simulao com iluminao natural se aproxima do valor esperado com
uma diferena de apenas -0,22%.
Referente aos parmetros eltricos, todos os valores possuem diferenas comparativas,
o que proporcionaram maiores valores de potncia mxima, porm menores percentuais de fator
de forma em relao ao mencionado pelo informativo do mdulo fotovoltaico.
 83

4.2.3 Fabricante 6

O terceiro mdulo fotovoltaico a ser posto em anlise corresponde ao mdulo da

Fabricante 6 de tecnologia CIGS pertencente, com potncia mxima equivalente a 150 W. As
curvas caractersticas I-V adquiridas a partir de testes de simulao solar e com iluminao
natural esto dispostas na Figura 38.

2.5

1.5
Corrente [A]

0.5

Fabricante 6
Medio outdoor
Medio indoor

0 40 80 120
Tenso [V]
Figura 38 - Curvas caractersticas I-V atravs de medio indoor e outdoor do mdulo fotovoltaico da Fabricante
6. Fonte: do autor.

Atravs da Figura 38 fica visvel que o funcionamento inicial das duas curvas
observadas anlogo, onde as duas curvas caractersticas se sobrepem com correntes de curto
circuitos idnticos, informaes que esto dispostas na Tabela 36. Quando as curvas I-V
atingem patamar de mxima potncia, as curvas passam a apresentar de forma distinta,
finalizando com um valor semelhante de tenso de circuito aberto.
 84

Tabela 36 Caractersticas eltricas e de desempenho do mdulo da Fabricante 6 atravs da medio indoor,

medio outdoor e informaes do catlogo do fabricante.
Informao
Medio indoor Medio outdoor
catlogo
Pmx [W] 141,842 153,8811 150
Eficincia do mdulo [%] 11,7 12,53 12,2
Fator de forma [%] 59,7 63,66 64,98
Voc [V] 109,975 111,8813 110
Vmp [V] 74,86 79,886 79
Isc [A] 2,161 2,161 2,1
Imp [A] 1,895 1,926 1,9
Fonte: do autor.

De acordo com a Tabela 36, a maior variao entre valores obtidos de medio indoor
e medio outdoor refere-se ao valor obtido de potncia mxima, com uma diferena de 12,039
W entre as duas simulaes. Em comparao ao valor informado no catlogo pelo fabricante,
as duas simulaes apresentam comportamento muito distinto, em que na medio indoor o
valor de potncia mxima obtido foi abaixo do informado com um erro de -5,44%.
Contrariamente, a medio outdoor apresentou maior valor de potncia mxima do que o
proposto no informativo, com uma variao de +2,59%.
O mesmo padro de diferenciao de valores obtidos entre as duas simulaes adotadas
continua em referncia a eficincia do mdulo. Isto consequncia da eficincia do mdulo,
que diretamente proporcional a potncia mxima obtida. Comparando o informativo com a
eficincia adquirida com simulador solar h uma diferena de -0,5%, sendo que para a
simulao outdoor essa diferena percentual positiva, com +0,33%. Como o mdulo analisado
corresponde tecnologia de filmes finos, a classificao deste pertence a Classe A, mesmo com
eficincia distintos, porm com valores maiores que 9,5%, conforme indica a Tabela 9.
Sobre os percentuais de fator de forma encontrados com as simulaes seguidas, ambos
esto abaixo do valor indicado no catlogo do mdulo fotovoltaico, em que a maior variao
corresponde a -8,84% em relao ao informado com o simulador indoor. A diferena percentual
para simulao outdoor menor, cerca de -1,52% em relao ao valor do catlogo.
Como pode ser observado na Figura 38, a Tabela 36 confirma os valores idnticos de
corrente de curto circuito, e valores semelhante de tenso de circuito aberto com uma alterao
de 1,906 V entre a medio indoor e outdoor. A maior variao de valores observados na Tabela
 85

36 diz respeito a tenso no ponto de potncia mxima, o que propicia um maior fator de forma
ao maior valor, que foi obtido com a medio outdoor.

4.2.4 Fabricante 8

O quarto mdulo fotovoltaico a ser analisado sobre a interferncia de simulao indoor

e simulao outdoor satisfaz o modelo da Fabricante 8 de tecnologia multicristalino. A Figura
39 apresenta as curvas caractersticas I-V obtidas atravs dessas duas medies mencionadas.

10

6
Corrente [A]

Fabricante 8
Medio outdoor
Medio indoor

0 10 20 30 40
Tenso [V]
Figura 39 - Curvas caractersticas I-V atravs de medio indoor e outdoor do mdulo fotovoltaico da Fabricante
8. Fonte: do autor.

ntido atravs da Figura 39 que o funcionamento do mdulo da Fabricante 8

praticamente o mesmo para a medio indoor e a medio outdoor. As duas curvas se
sobrepem em quase todo percurso, possuindo uma pequena diferena visvel no incio da curva
caracterstica I-V. Maiores informaes eltricas e de desempenho so apresentadas na Tabela
37.
 86

Tabela 37 Caractersticas eltricas e de desempenho do mdulo da Fabricante 8 atravs da medio indoor,

medio outdoor e informaes do catlogo do fabricante.
Informao
Medio indoor Medio outdoor
catlogo
Pmx [W] 241,582 238,26 235 3%
Eficincia do mdulo [%] 14,7 14,21 14
Fator de forma [%] 74,8 74,58 76,23
Voc [V] 36,694 36,815 37
Vmp [V] 29,296 29,333 30
Isc [A] 8,807 8,678 8,35
Imp [A] 8,246 8,123 7,85
Fonte: do autor.

De acordo com o informado no catlogo referente ao valor de potncia mxima, ambos

os valores encontrados nas medies realizadas esto dentro do desvio proposto, com +2,8%
em relao a medio indoor e +1,39% sobre a medio outdoor.
A eficincia do mdulo segue o mesmo padro da potncia mxima, com valores
maiores do que o proposto pelo fabricante, sendo a maior diferena de +0,7% para a medio
indoor e o informado no catlogo.
Em relao outra caracterstica de desempenho analisada, fator de forma, as
percentagens obtidas pelas simulaes encontram-se ligeiramente abaixo do especificado no
catlogo, com variao de -1,875% em relao a medio indoor e -2,16% em comparao a
medio outdoor.
Os valores dos parmetros eltricos s comprovam o que a Figura 39 identificou, que
as curvas caractersticas I-V esto sobrepostas, com mnimas variaes dos parmetros de
corrente e tenso do mdulo, no ultrapassando mais que a casa decimal. As maiores variaes
so referentes as correntes associadas a este mdulo, o que propicia pequenas diferenas nos
parmetros de desempenho e potncia mxima.

4.2.5 Fabricante 9

O ltimo mdulo fotovoltaico a ser analisado com o simulador solar e com iluminao
natural compreende o modelo da Fabricante 9. Tal mdulo possui potncia mxima de 285 W
e corresponde a tecnologia monocristalina. A influncia das simulaes citadas pode ser
observada na Figura 40, que apresenta as curvas caractersticas I-V de cada medio.
 87

10

6
Corrente [A]

Fabricante 9
Medio outdoor
Medio indoor

0 10 20 30 40
Tenso [V]
Figura 40 - Curvas caractersticas I-V atravs de medio indoor e outdoor do mdulo fotovoltaico da Fabricante
9. Fonte: do autor.

O mesmo comportamento funcional do mdulo da Fabricante 8 representado na Figura

40 para o mdulo fotovoltaico da Fabricante 9. A padronizao do seguimento da curva I-V
ntida, possuindo valores muito similares com pequena variao em relao a corrente de curto
circuito, podendo-se concluir que os valores de tenso de circuito aberto se sobrepem, e o
perfil da curva caracterstica I-V permanece similar ao longo do trajeto de obteno da curva.
A Tabela 38 indica tais parmetros eltricos com mais preciso.
 88

Tabela 38 Caractersticas eltricas e de desempenho do mdulo da Fabricante 9 atrves da medio indoor,

medio outdoor e informaes do catlogo do fabricante.
Informao
Medio indoor Medio outdoor
catlogo
Pmx [W] 285,823 284,586 285 3%
Eficincia do mdulo [%] 17,4 17,34 17,7
Fator de forma [%] 74,3 74,5 79,22
Voc [V] 39,148 39,271 38,5
Vmp [V] 30,935 31,219 31,7
Isc [A] 9,822 9,724 9,5
Imp [A] 9,239 9,116 8,95
Fonte: do autor.

Os valores de potncia mxima obtidos se enquadram dentro do desvio proposto pelo

fabricante de 285 3%, sendo que para a medio indoor a variao corresponde a +0,3% e em
relao a medio outdoor este valor de +0,15%, em que por tais parmetros encontrados
pode-se concluir que a potncia mxima de ambos os testes a mesma, o que confere com o
catlogo.
Em consequncia da semelhana de valores de potncia mxima obtidos, o padro segue
o mesmo para a eficincia do mdulo, em que ambos os percentuais de simulao ficaram um
pouco abaixo do indicado pelo fabricante, porm com uma maior diferena de apenas -0,36%.
Ou seja, com essas percentagens de eficincia do mdulo, este de caracteriza sendo da maior
classificao, Classe A, de acordo com a Tabela 8 para mdulos de silcio cristalino.
Quanto ao fator de forma, ambos os valores obtidos experimentalmente so similares,
porm abaixo do indicado no catlogo, no ultrapassando a diferena de 5%. Em relao a
variao percentual, esta atinge -6,21% em comparao a medio indoor e -5,96% sobre a
medio outdoor.
Os parmetros eltricos tal como observados na Figura 40 so muito semelhantes. A
Tabela 38 comprova a similaridade dos dados, principalmente quanto tenso de curto circuito
com uma diferena de apenas 0,123 V. As maiores diferenas dos parmetros eltricos so
referentes aos valores de corrente, tanto de curto circuito, quanto a corrente de mxima
potncia, que tal como para o mdulo da Fabricante 8, propicia as pequenas variaes nos
parmetros de desempenho.
 89

6 CONCLUSO

Esse trabalho apresentou um estudo da influncia da variao da irradincia no

desempenho de mdulos fotovoltaicos atravs da simulao indoor, atuando tambm com a
comparao entre resultados obtidos por medio indoor e outdoor nas condies padro de
teste.
Referente aos dez mdulos fotovoltaicos escolhidos para a anlise da influncia da
irradincia atravs da medio indoor com o uso de simulador solar SunSim 3c, todos
possuram o mesmo padro de comportamento, o que de fato j era esperado. A corrente de
curto circuito cresce linearmente com o aumento da irradincia, enquanto que a tenso de
circuito aberto aumenta de modo logartmico. O que se pode observar, foi a diferena dos
valores desses dois parmetros eltricos mencionados. A faixa de corrente de curto circuito
para mdulos fotovoltaicos de filmes finos menor em comparao aos mdulos de
tecnologia cristalina, estabelecendo-se na faixa de 0,3 A a 4 A, enquanto para mdulos
cristalinos esse faixa atinge de 0,8 A a 9,5 A. Em relao tenso de circuito aberto, os
valores de modelos de segunda gerao apresentam maiores valores, alcanando at 160 V,
sendo que com modelos cristalinos esse valor no passa de 60 V.
Sobre outros dois outros parmetros de desempenho analisados com medio indoor
e atuao de irradincia varivel, a eficincia dos mdulos transcorreu de forma praticamente
global para todos os mdulos, com leves alteraes e sem nenhum grande desvio de
eficincias, no ultrapassando uma alterao maior que 3% para todos os filtros de irradincia
utilizadas, sendo que mdulos fotovoltaicos de tecnologia cristalino obtiveram maiores
eficincia em comparao aos mdulos de filmes finos. Esse mesmo padro de valores de
eficincias de acordo com as geraes de tecnologias fotovoltaicos foi observado tambm
com o fator de forma. Neste experimento, ficou ntida a diviso dos valores de fatores de
forma em dois blocos, em que mdulos de silcio cristalino obtiveram maior percentagem de
fator de forma em relao ao bloco de mdulos de filmes finos. Outro aspecto de anlise diz
respeito ao fato de que todos os mdulos observados, independente da tecnologia atuante,
decaram ou obtiveram uma leve estabilizao em seu percentual de fator de forma em altas
irradincias, acima de 500 W/m. O fator de forma corresponde razo entre a potncia
mxima sobre a tenso de circuito aberto e corrente de curto circuito, assim, em altas
irradincias o valor de potncia nominal maior, porm os outros dois parmetros eltricos
tambm, principalmente a corrente, que sofre um aumento linear com o acrscimo da
 90

irradincia, sendo que em baixas irradincias a corrente possui menores valores o que faz o
fator de forma possuir um maior percentual.
Outro objetivo deste trabalho foi a comparao de medio indoor e outdoor nas
condies padro de teste, irradincia de 1.000 W/m, temperatura de clula de 25C e
distribuio espectral em 1,5. Para comparar os dados adquiridos nessas duas medies, cinco
mdulos foram escolhidos de forma a representar a diferena de tecnologia analisada,
incluindo o fato de que ambos os dados obtidos devem estar na mesma base para ser uma
comparao concreta. Para isso mtodos de translao de dados foram utilizados na
simulao outdoor.
Ambos os meios de simulao da curva caractersticas I-V dos mdulos fotovoltaicos
apresentam suas vantagens e desvantagens. Quanto a simulao indoor, o custo com o
simulador solar elevado, este equipamento possui um alto valor de investimento, porm
fcil manipulao de parmetros como irradincia, em que com os filtros pode-se fazer a
variao desejada, sem contar o controle da temperatura, que pode ser executado de forma
simples com auxlio de resfriadores, como ar-condicionado. Porm, o simulador solar no
possui todos os espectros de iluminao que o Sol apresenta, pois este contm em sua lmpada
apenas uma faixa desse espectro. impossvel negar que o melhor modo de simular a
iluminao solar atravs do Sol, sendo que com a simulao outdoor os custos so mais
atrativos, fazendo uso de equipamentos mais simples e mais baratos. Entretanto, uma medio
outdoor depende de um dia bem ensolarado, sem nuvens, um controle de temperatura mais
rduo, pois com a iluminao solar atuando, os mdulos esquentam rapidamente. Fazer uma
simulao com iluminao natural requer mais tempo e maior controle dos parmetros de
teste, o que induz a um trabalho mais dispendioso.
Em relao aos valores obtidos indoor e outdoor, pode-se observar que o
funcionamento para ambas as simulaes adotadas muito semelhante, sendo que para os
dois mdulos fotovoltaicos de silcio cristalino, as curvas caractersticas I-V praticamente se
sobrepuseram. Em relao aos mdulos fotovoltaicos de tecnologia de filmes finos esse
comportamento tambm se apresenta como similar, porm com maiores desvios dos
parmetros eltricos e de desempenho. O que de fato conclui-se de tal comparao entre uma
simulao realizada atravs de um simulador solar e outra com uma medio com iluminao
natural refere-se ao pequeno desvio dos dados que devem ser obtidos, apresentando um
comportamento similar. Ou seja, o simulador solar corresponde a um bom e prtico
instrumento de experimentao que se compensa a uma simulao com iluminao natural,
 91

principalmente quando o mdulo a ser comparado diz respeito tecnologia de silcio

cristalino.

ELECTRICAL CHARACTERISATION OF DIFFERENT TECHNOLOGIES OF

PHOTOVOLTAIC MODULES A TESTING FROM SOLAR SIMULATOR AND
NATURAL LIGHTING

ABSTRACT

Photovoltaic solar energy presents itself as a promising alternative regarding the use of
renewable energy in the world. Brazil has a huge potential for using solar energy, since the
entire Brazilian territory has the incidence of solar radiation equivalent to or better than that in
countries in southern Europe, such as Italy and Spain, which already have significant installed
capacity of photovoltaic generation systems. However, this power is still little explored in
Brazil. This scenario is likely to change because of the first signing of photovoltaic solar energy
in Reverse Energy Auction 2014 - REA / 2014. Given this introduction of this renewable form
of energy in the Brazilian energy matrix, this paper aims to provide an electrical
characterization of photovoltaic modules through solar simulator and natural lighting in order
to discuss the I-V curves with different photovoltaic technologies. The solar simulator used in
this study corresponds to the SunSim 3c model by Swiss manufacturer Pasan, and it was
possible to vary the irradiance. Regarding outdoor simulation, the used standard was the tracer
equipment described by Gasparin (2009). Out of the ten analized photovoltaic modules, all ten
showed the same behavior regarding the influence of irradiance, and the efficiency and
crystalline form factor technology modules had higher percentage in relation to thin-film
technology models. When comparing, indoor and outdoor simulations, the five photovoltaic
modules gave I-V characteristic curves practically superimposed on the test at standard
conditions, prompting good comparison between the applied simulations.

Keywords: Photovoltaic solar energy. Indoor simulation. Natural lighting.

 92

REFERNCIAS

ABNT Associao Brasileira de Normas Tcnicas. ABNT Catlogo. Disponvel em:

<http://www.abntcatalogo.com.br/>. Acesso em: 09 junho 2015.

ANDRADE, Airton Cabral de. Anlise e simulao da distribuio de temperatura em

mdulos fotovoltaicos. 2008. 143 f. Tese (Doutorado) - Curso de Engenharia Mecnica,
Universidade Federal do Rio Grande do Sul, Porto Alegre, 2008.

AZEVEDO, Tazzo. Matriz Energtica Global. Planeta Sustentvel, 24 jun. 2014. Disponvel
em: <http://planetasustentavel.abril.com.br/>. Acesso em: 28 maio 2015.

BEN. Balano Nacional Energtico 2014. 54 p. Relatrio Sntese ano base 2013, 2014.

BRAUN-GRABOLLE, Priscila. A integrao de sistemas solares fotovoltaicos em larga

escala no sistema eltrico de distribuio urbana. 2010. 257 f. Tese (Doutorado) - Programa
Ps-graduao em Engenharia Civil, Universidade Federal de Santa Catarina, Florianpolis,
2010.

British Petroleum. Statistical Review of World Energy 2014. Disponvel em:

<http://www.bp.com/>. Acesso em: 28 maio 2015.

BHLER, Alexandre Jos. Estudo de tcnicas de determinao experimental e ps-

processamento de curvas caractersticas de mdulos fotovoltaicos. 2011. 195 f. Tese
(Doutorado) - Curso de Engenharia Mecnica, Universidade Federal do Rio Grande do Sul,
Porto Alegre, 2011.

BHLER, A. J. e KRENZINGER, A., 2006. Anlise de Curvas Caractersticas Sem

Iluminao como Ferramenta para Determinao de Parmetros Fotovoltaicos, Avances em
energias Renovables y Medio Ambiente, v. 10, pp. 17-24.

CARVALHO, Eduardo. Alemanha quer ter energia limpa equivalente a 14 vezes Belo
Monte. G1 Natureza, nov. 2011. Disponvel em: <http://g1.globo.com/natureza>. Acesso
em: 17 jun. 2015.

CANESTRARO, Carla Daniele. Dispositivos fotovoltaicos orgnicos: estudos de camadas

ativas e eletrodos. 2010. 193 f. Tese (Doutorado) - Programa de Ps-graduao em Engenharia
e Cincia dos Materiais, Setor de Tecnologia, Universidade Federal do Paran, Curitiba, 2010.

DALMAGRO, Paola Superti; KRENZINGER, Arno. Anlise de Simuladores Solares para

Ensaios de Mdulos Fotovoltaicos. In: SALO UFRGS 2013: SIC - XXV SALO DE
INICIAO CIENTFICA DA UFRGS, 15, Poster, Porto Alegre, 2013.

Energia Fotovoltaica: manual sobre tecnologia, projecto e instalao. Programa ALTENER

Para Promover a Utilizao de Fontes Energias Renovveis (FER), 2010. 368 p.

EPE. Empresa de Pesquisa Energtica. Leilo de Energia de Reserva 2014. Disponvel em: <
http://www.epe.gov.br/>. Acesso em: 28 maio 2015.
 93

FALCO, Vivienne Denise. Fabricao de clulas solares de CdS/CdTe. 2005. 120 f.

Dissertao (Mestrado) Curso de Cincia dos Materiais, Instituto Militar de Engenharia, Rio
de Janeiro, 2005.

FEBRAS, Felipe Sehn. Mdulos fotovoltaicos com clulas solares bifaciais: fabricao,
caracterizao e aplicao em sistema fotovoltaico isolado. 2012. 126 f. Tese (Doutorado) -
Programa de Ps-graduao em Engenharia e Tecnologia dos Materiais, Pontifcia
Universidade Catlica do Rio Grande do Sul. Pucrs, Porto Alegre, 2012.

FIGUEIRA, Daniel Sampaio. Anlise experimental e numrica do comportamento trmico

de um coletor solar acumulador. 2005. 195 f. Tese (Doutorado) - Programa Ps-graduao
em Engenharia Mecnica, Universidade Federal do Rio Grande do Sul, Porto Alegre, 2005.

GASPARIN, Fabiano Perin. Desenvolvimento de um traador de curvas caractersticas de

mdulos fotovoltaicos. 2009. 71 f. Dissertao (Mestrado) - Programa Ps-graduao em
Engenharia Mecnica, Universidade Federal do Rio Grande do Sul, Porto Alegre, 2009.

GASPARIN, Fabiano Perin. Anlise de efeitos transientes na caracterizao eltrica de

mdulos fotovoltaicos. 2012. 171 f. Tese (Doutorado) - Programa Ps-graduao em
Engenharia Mecnica, Universidade Federal do Rio Grande do Sul, Porto Alegre, 2012.

GHENSEV, Almir. Materiais e processos de fabricao de clulas fotovoltaicas. 2006. 154

f. Monografia (Especializao) - Curso de Ps-graduao Latu Sensu em Fontes Alternativas
de Energia, Universidade Federal de Lavras, Minas Gerais, 2006.

GREEN, M. 1992. Solar Cells, ed. University of New South Wales, Kensington, Austrlia.

GUIMARES, Patrcia L. O. et al. Avaliao da utilizao de um simulador solar para

calibrao indoor de piranmetros. 6 Congresso Brasileiro de Metrologia, Natal, 6p. 09, set.
2011.

IBALDO, Adriana Pereira. Estudo de materiais, estruturas de dispositivos e fenmenos de

transporte em sistemas fotovoltaicos hbridos orgnico-inorgnico. 2010. 190 f. Tese
(Doutorado) - Curso de Programa de Ps-graduao em Interunidades Cincia e Engenharia de
Materiais, Universidade de So Paulo, So Carlos, 2010.

INMETRO. Instituto Nacional De Metrologia, Normalizao E Qualidade

Industrial. INMETRO 004/2011: Requisitos de avaliao da conformidade para sistemas e
equipamentos para energia fotovoltaica (mdulo, controlador de carga, inversor e bateria).
Ministrio do Desenvolvimento, Indstria e Comrcio Exterior, 2011. 49 p.

INMETRO. Instituto Nacional De Metrologia, Normalizao E Qualidade

Industrial. PROGRAMA BRASILEIRO DE ETIQUETAGEM: Tabela de eficincia
energtica - Sistemas de Energia Fotovoltaica - Mdulos. 01 ed. 2013. 10 p.

International Electro-Technical Commission. Standard IEC 60904-1: Photovoltaic Devices:

Measurement of photovoltaic current-voltage characteristics, 2006.

LABSOL. Instalaes. 2015. Disponvel em: <http://www.solar.ufrgs.br/>. Acesso em: 25

maio 2015.
 94

LOURENO, Amanda. Frana: Com 75% da energia vinda de usinas nucleares, lei para reduzir
uso alterada e ter efeito contrrio. Opera Mundi, 26 fev. 2015. Disponvel em:
<http://operamundi.uol.com.br/>. Acesso em: 17 jun. 2015.

MACDO, Wilson Negro. Anlise do fator de dimensionamento do inversor aplicado a

sistemas fotovoltaicos conectados rede. 2006. 201 f. Tese (Doutorado) - Programa Ps-
graduao em Energia, Universidade de So Paulo, So Paulo, 2006.

MARTINAZZO, Claodomir Antonio. Modelos de estimativa de radiao solar para

elaborao de mapas solarimtricos. 2004. 210 f. Dissertao (Mestrado) - Programa Ps-
graduao em Engenharia Mecnica, Universidade Federal do Rio Grande do Sul, Porto Alegre,
2004.

MOCELIN, Andr Ricardo. Qualificao profissional e capacitao laboratorial em

sistemas fotovoltaicos. 2014. 300 f. Tese (Doutorado) - Programa Ps-graduao em Energia,
Universidade de So Paulo, So Paulo, 2014.

MOCELIN, Andr e ZILLES, R. Programa brasileiro de etiquetagem: a utilizao do

simulador solar do IEE/USP na qualificao de mdulos fotovoltaicos. II Congresso Brasileiro
de Energia Solar e III Conferencia Latinoamericana de la ISES. 2008

NDIAYE, Mamour Sop. Operao de conversores back-to-back para aproveitamento de

energia fotovoltaica. 2013. 181 f. Tese (Doutorado) - Programa Ps-graduao em Engenharia
Eltrica, Universidade Federal do Rio de Janeiro, Rio de Janeiro, 2013.

OLDENBURG. Photovoltaics Lectures. Carl von Ossietzky Universitt Oldenburg. Eldorado

Summer School, 1994.

PINHO, Joo Tavares; GALDINO, Marco Antonio (Org.). Manual de Engenharia para
Sistemas Fotovoltaicos. Rio de Janeiro: Cepel, 2014.

PRIEB, Csar Wilhelm Massen. Desenvolvimento de um sistema de ensaio de mdulos

fotovoltaicos. 2002. 67 f. Dissertao (Mestrado) - Curso de Programa Ps-graduao em
Engenharia Mecnica, Universidade Federal do Rio Grande do Sul, Porto Alegre, 2002.

PRIEB, Csar Wilhelm Massen. Determinao da eficincia de seguimento de mxima

potncia de inversores para sistemas fotovoltaicos conectados rede de distribuio. 2011.
141 f. Tese (Doutorado) - Programa Ps-graduao em Engenharia Mecnica, Universidade
Federal do Rio Grande do Sul, Porto Alegre, 2011.

PROENA, Emanuel Dmaso Rodrigues Brinquete. A energia solar fotovoltaica em

Portugal. 2007. 88 f. Dissertao (Mestrado) - Curso de Engenharia e Gesto Industrial,
Universidade Tcnica de Lisboa, Lisboa, 2007.

RAMOS, Cristina de Moura. Procedimentos para Caracterizao e Qualificao de

Mdulos Fotovoltaicos. 2006. 140 f. Dissertao (Mestrado) - Curso de Programa Ps-
graduao em Energia, Universidade de So Paulo, So Paulo, 2006.
 95

RTHER, R. Edifcios solares fotovoltaicos: o potencial da gerao solar fotovoltaica

integrada a edificaes urbanas e interligada rede eltrica pblica no Brasil.
Florianpolis: LABSOLAR, 2004.

SANTOS, sis Portolan dos. Desenvolvimento de ferramenta de apoio deciso em projetos

de integrao solar fotovoltaica arquitetura. 2013. 278 f. Tese (Doutorado) - Programa
Ps-graduao em Engenharia Civil, Universidade Federal de Santa Catarina, Florianpolis,
2013.

STEIGLEDER, Marco Antnio. Comparao do desempenho de duas bombas acopladas

diretamente a geradores fotovoltaicos. 2006. 152 f. Dissertao (Mestrado) - Programa Ps-
graduao em Engenharia Mecnica, Universidade Federal do Rio Grande do Sul, Porto Alegre,
2006.

VERA, Luis Horacio. Anlise do impacto do comportamento de baterias em sistemas

fotovoltaicos autnomos. 2009. 269 f. Tese (Doutorado) - Programa Ps-graduao em
Engenharia Mecnica, Universidade Federal do Rio Grande do Sul, Porto Alegre, 2009.

AGRADECIMENTOS

Agradeo primeiramente Deus e aos meus pais, Claudete e Ivandro Peroza, os quais
sempre me apoiaram em todos os momentos da graduao, incentivando e aconselhando.
Agradeo aos meus amigos, que me ajudaram com pesquisas e com suporte, sendo minha
segunda famlia.
Ao meu orientador Giuliano Arns Rampinelli, o qual sempre me apoiou e me
incentivou a buscar coisas novas e ampliar o conhecimento.
Agradeo disponibilidade de realizao de pesquisa do LABSOL da Universidade
Federal do Rio Grande do Sul, principalmente ao diretor do laboratrio Arno Krenzinger,
incluindo meno ao doutor Fabiano Gasparin pela orientao desenvolvida durante o perodo
de pesquisa no laboratrio citado.