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TABLA DE CONTENIDO
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1 CONCEPTOS BSICOS 11
iii
Potencial 31
Capacidad 32
2.5 EJERCICIOS 35
2.5.1 Condutor atravesando una pared 35
2.5.2 Condensador de placas con dielctricos en capas 36
2.5.3 Condensador de cilindros coaxiales con dielctricos en capas 38
2.5.4 Mtodo de las diferencias finitas, para el clculo de potenciales 40
2.5.4.1 Ejercicio de aplicacin del mtodo de las diferencias finitas, para el
clculo de potenciales 42
2.5.5 Mtodo de las imgenes 43
2.5.6 Para el siguiente cable coaxial, calcle y grafque E , D , P , PS , PSP 46
Intensidad de Campo Elctrico 48
Densidad de Campo Elctrico 48
Polarizacin 49
Densidad superficial de carga 49
Vector de polarizacin de carga 49
2.5.7 Para el siguiente condensador de esferas concntricas, calcle E , D , P ,
PS , PSP 49
2.5.8 Campo elctrico homogneo 52
2.5.9 Carga transportada en condensadores 53
2.5.9.1 Condensadores en serie 53
2.5.9.2 Condensadores en paralelo 56
2.5.10 Clculo de capacidades 57
2.5.11 Generador de Van der Garff 59
2.5.12 Cada de tensin en un arreglo de aisladores 59
2.5.12.1 Capacidades a lnea iguales a cero 60
2.5.12.2 Capacidades a tierra (parasitas) iguales a cero 63
3 COMPONENTES ELCTRICOS Y SU COMPORTAMIENTO EN
FRECUENCIA 67
3.1 CONDUCTORES 67
3.1.1 ngulo de error en cables 69
3.2 INDUCTANCIAS 71
3.3 CAPACIDADES 73
3.3.1 Expresiones de capacidad para otras configuraciones 75
iv
3.4 FERRITAS 76
4 GENERACIN DE ALTA TENSIN 77
4.1 EL TRANSFORMADOR 77
4.1.1 Modelo equivalente del transformador 79
Prdidas en el cobre 79
Prdidas por corrientes parsitas 79
Prdidas por Histresis 79
Prdidas por flujo de dispersin 80
4.1.2 Determinacin de los parmetros en el modelo equivalente del
transformador 83
4.1.2.1 Ensayo de Circuito abierto 83
4.1.2.2 Ensayo de Corto Circuito 85
4.1.3 Aproximaciones al modelo equivalente del transformador 87
4.1.3.1 Ejercicios 88
4.1.4 El transformador con carga capacitiva 89
Relacin de transformacin en el circuito RLC variando C 90
Relacin de transformacin en el circuito RLC variando L 91
4.1.5 El transformador en cascada 92
4.1.6 Montajes de transformadores monofsicos 93
4.1.7 Medida de las capacidades propias de los transformadores 94
Montaje 1 94
Montaje 2 95
Montaje 3 95
Montaje 4 96
v
4.5 GENERACIN DE IMPULSOS DE CORRIENTE 108
4.5.1 Circuito de generacin de impulsos de corriente 108
4.5.2 Laboratorio docente Universidad Nacional de Colombia - Bogot 110
4.5.2.1 Ejemplo de montaje de ensayo en Laboratorio docente 113
4.5.3 Influencia de los elementos del circuito de impulsos de corriente en la
forma de onda 113
5 MEDICIONES EN ALTA TENSIN 117
vi
LISTA DE FIGURAS
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vii
Figura 2.17 Conductor con aliviadores de campo de cilindros coaxiales, atravesando una
pared. 35
Figura 2.18 Condensador de placas paralelas con tres dielctricos dispuestos en capas. 37
Figura 2.19 Distribucin de campo elctrico para un condensador de placas paralelas con tres
dielctricos que complen con: r1 > r 2 > r 3 . 38
Figura 2.20 Condensador de cilindros coaxiales dielctricos dispuestos en capas. 39
Figura 2.21 (a) Distribucin de campo elctrico para un condensador de cilindros coaxiales,
(b) Distribucin de potencial para un condensador de cilindros coaxiales. 40
Figura 2.22 Mtodo de diferencias finitas para el clculo de potenciales. 41
Figura 2.23 Arreglo de un par de placas, donde se desea conocer la distribucin de
potenciales en medio de ellas. 42
Figura 2.24 Visualizacin del campo elctrico en el arreglo de la figura 2.23. 42
Figura 2.25 (a) Arreglo de un par de conductores, cargados uniformemente, vistos en un
plano tridimensional (b) el mismo arreglo en el plano (x, y). 43
Figura 2.26 Distribucin de las equipotenciales para el ejercicio 2.5.5. 46
Figura 2.27 Cable coaxial con triple pantalla. 46
Figura 2.28 Distribucin de intensidad de campo elctrico para el ejercicio 2.5.6. 48
Figura 2.29 Distribucin de densidad de campo elctrico para el ejercicio 2.5.6. 48
Figura 2.30 Grfico de polarizacin para el ejercicio 2.5.6. 49
Figura 2.31 Distribucin de densidad superficial de carga para el ejercicio 2.5.6. 49
Figura 2.32 Grfico de vector de polarizacin de carga para el ejercicio 2.5.6. 49
Figura 2.33 Condensador de esferas concntricas, con tres dielctricos. 50
Figura 2.34 Arreglo de un electrodo con terminacin en punta redondeada. 52
Figura 2.35 Arreglo de un par de condensadores en serie. 54
Figura 2.36 Arreglo de un par de condensadores en paralelo. 56
Figura 2.37 Condensador de esferas concntricas. 58
Figura 2.38 Generador de Van der Graff. 59
Figura 2.39 Arreglo de diez aisladores (100 kV) en una torre de transmisin. 60
Figura 2.40 Arreglo de diez aisladores asumiendo capacitancias a lnea iguales a cero. 61
Figura 2.41 Grfico de la distribucin de cada de tensin contra nmero de aislador, para el
arreglo de la figura 2.41. 62
Figura 2.42 Arreglo de diez aisladores asumiendo capacitancias parsitas iguales a cero. 63
Figura 2.43 Grfico de la distribucin de cada de tensin contra nmero de aislador, para el
arreglo de la figura 2.42. 65
viii
Figura 4.1 Principio de induccin magntica en un transformador. 77
Figura 4.2 Vista de un transformador en seco. 78
Figura 4.3 Flujo de Magnetizacin y de Dispersin. 80
Figura 4.4 Diagrama vectorial de las tensiones y corrientes en un transformador. 81
Figura 4.5 Modelo de un transformador real. 81
Figura 4.6 Modelo de un transformador real, referido a su nivel se tensin primario. 82
Figura 4.7 Modelo de un transformador referido a su nivel de tensin primario, con
resistencia y reactancia de magnetizacin en configuracin serie. 82
Figura 4.8 Modelo de un transformador referido a su nivel de tensin secundario, con
resistencia y reactancia de magnetizacin en configuracin paralelo. 83
Figura 4.9 Conexin para un ensayo de circuito abierto de un transformador. 83
Figura 4.10 Conexin para un ensayo de corto circuito de un transformador. 85
Figura 4.11 Modelo equivalente serial del transformador con rama de magnetizacin. 87
Figura 4.12 Modelo equivalente del transformador despreciando la rama de magnetizacin. 88
Figura 4.13 Modelo RLC de un transformador, sometido a carga capacitiva. 90
Figura 4.14 Variacin de la relacin de transformacin en funcin de C. 91
Figura 4.15 Variacin de la relacin de transformacin en funcin de L. 91
Figura 4.16 Diagrama de conexiones del transformador en cascada. 92
Figura 4.17 Localizacin fsica de los transformadores en cascada. 93
Figura 4.18 Montaje de un transformador con uno de sus polos a tierra. 93
Figura 4.19 Transformador completamente aislado con TAP intermedio aislado. 94
Figura 4.20 Esquema de conexiones y equivalente del circuito montaje 1. 95
Figura 4.21 Esquema de conexiones y equivalente del circuito montaje 2. 95
Figura 4.22 Esquema de conexiones y equivalente del circuito montaje 3. 96
Figura 4.23 Esquema de conexiones y equivalente del circuito montaje 4. 96
Figura 4.24 Circuito del montaje de Greinacher. 98
Figura 4.25 Valores caractersticos de una seal d.c. 99
Figura 4.26 Rectificador de media onda. 99
Figura 4.27 Seal obtenida de un rectificador de media onda. 100
Figura 4.28 Rectificador de media onda con condensador. 100
Figura 4.29 Seal obtenida de un rectificador de media onda con condensador. 100
Figura 4.30 Circuito para puente rectificador de onda completa y seal de salida. 101
Figura 4.31 Impulso rectangular de tensin. 102
Figura 4.32 Impulso rampa de tensin. 102
Figura 4.33 Impulso de tensin de doble exponencial, tipo rayo. 103
Figura 4.34 Impulso de tensin de doble exponencial, tipo maniobra. 104
Figura 4.35 Configuracin 1 para generacin de Impulsos de tensin. 104
Figura 4.36 Configuracin 2 para generacin de Impulsos de tensin. 105
Figura 4.37 Generador de impulsos de tensin de varias etapas. Generador Marx. 106
Figura 4.38 Esquema de conexiones del transformador de alta tensin disponible en el
Laboratorio docente de la Universidad Nacional de Colombia. 107
Figura 4.39 Circuito para generacin de Impulsos de corriente. 108
Figura 4.40 Grfico de las respuestas de un circuito RLC. 110
Figura 4.41 Grfico de la respuesta del circuito de la configuracin 1 y sus caractersticas. 111
Figura 4.42 Grfico de la respuesta del circuito de la configuracin 2 y sus caractersticas. 111
Figura 4.43 Grfico de la respuesta del circuito de la configuracin 3 y sus caractersticas. 112
Figura 4.44 Grfico de la respuesta del circuito de la configuracin 4 y sus caractersticas. 112
Figura 4.45 Grfico de la respuesta del circuito de la configuracin 5 y sus caractersticas. 112
ix
Figura 4.46 Circuito de montaje del laboratorio de Impulsos de corriente aplicable al
laboratorio docente de la Universidad Nacional de Colombia. Capacidad equivalente 6
uF. 113
Figura 4.47 Simulacin de un impulso de corriente manteniendo L, y C constantes y variando
el valor de resistencia. L = 20 uH, C = 6 uF, Vcarga = 60 kV. 114
Figura 4.48 Simulacin de un impulso de corriente manteniendo R, y C constantes y variando
el valor de la inductancia. R = 20 , C = 6 uF, Vcarga = 60 kV. 114
Figura 4.49 Simulacin de un impulso de corriente manteniendo R, y L constantes y variando
el valor de la capacidad. R = 20 , L = 20 uH, Vcarga = 60 kV. 115
x
1 CONCEPTOS BSICOS
Antes de comenzar con el tema principal que ha de desarrollarse en el presente libro
es necesario revisar los conceptos que permitirn un claro entendimiento de los temas
ac desarrollados.
11
Para comprender mejor ste concepto, resulta conveniente analizar el smil hidrulico
del condensador, para lo cual podemos considerar un tanque como el de la figura 1.
De sta manera observamos que la corriente es quien primero aparece, y por su parte
la tensin (el nivel de agua indicado por la altura del punto) se demora y su
comportamiento sera creciente hasta que consigue llegar al valor de la fuente, por lo
tanto las curvas que describen dichos comportamientos son de la siguiente manera:
12
Figura 1.3 Grfico de las seales transitorias de tensin y corriente en un condensador.
Figura 1.4 Visualizacin del campo elctrico y magntico en una bobina para un instante de
tiempo.
S en ste mismo instante de tiempo medimos el campo elctrico causado por dicho
campo magntico, encontramos que ste se opone al incremento del campo
magntico previamente establecido, como lo seala la ley de Lenz, esto puede
apreciarse en la anterior figura donde el campo elctrico E(t) se opone a un aumento
indefinido del campo magntico, , y es claro que esto no puede ocurrir, luego ste
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campo elctrico que aparece en oposicin al incremento del campo magntico es lo
que se conoce como inductancia.
Al realizar el anlisis elctrico para una bobina, igual que el practicado para un
condensador, encontramos que en ste caso quien se adelanta es la tensin, y lo
podemos interpretar como la fuerza necesaria para vencer una resistencia y luego de
vencerla es que aparece la corriente elctrica.
Para entender mejor el por que de las variaciones en los comportamientos de los
dispositivos, es necesario entender un poco acerca de la teora de campos
electromagnticos que Maxwell ayudo a unificar y donde tenemos:
Ecuaciones de Maxwell
James Clerk Maxwell resumi las propiedades conocidas de los fenmenos elctricos
y magnticos en cuatro ecuaciones. La primera relaciona el campo elctrico E que
atraviesa una superficie A (por ejemplo una esfera) con la carga elctrica Q
contenida dentro de la superficie. La segunda ecuacin relaciona el campo
magntico B que atraviesa una superficie A con la carga magntica contenida en la
superficie, y afirma que dicha carga es nula, es decir, que no existen cargas
magnticas. La tercera ecuacin describe dos formas de inducir un campo magntico
B en una espira circular l. Una de ellas implica el movimiento de cargas en una
corriente elctrica , y la otra implica un flujo elctrico variable. La cuarta ecuacin
describe la forma de inducir un campo elctrico E mediante un flujo magntico
variable. La variacin de un flujo depende de la variacin del campo (E o B) y de la
superficie A atravesada por el mismo.
Particularmente nuestro inters se centra en la tercera ecuacin que puede ser escrita
de la siguiente manera:
14
H dl = J ds + D ds
l s
t s
Donde la parte derecha de la ecuacin posee dos componentes, la primera denota una
densidad campo magntico debida al abrazo de una corriente, luego es sta la
corriente de conduccin. Por otra parte la segunda componente advierte que el campo
magntico tambin puede ser inducido por el cambio de flujo elctrico en el tiempo, y
sta es la llamada corriente de desplazamiento.
15
se ha de llegar a un punto en donde se satura el condensador (llega a su tope de
carga), punto en el cual cesan las corrientes de desplazamiento e idealmente no
deberan existir corrientes de ningn tipo, sin embargo, como se ha mencionado
anteriormente, un condensador posee una resistencia asociada, la cual se comporta
como un conductor de alta resistencia, dando lugar a las corrientes de conduccin a
travs de l, de tal manera que no cesan las corrientes capacitivas.
16
iconduccin icon i R
tan = = =
idesplazamiento idesp iC
v
tan = R = Xc
v R
Xc
1
tan =
C R
En ste caso, debemos tener en cuenta que se esta hablando de dos corrientes muy
diferentes, que son la corriente de desplazamiento y la corriente de conduccin, que
aunque un modelo serie pueden llevarnos a pensar que son las mismas, no es as, y es
por ello que resulta ms conveniente analizar las cadas de tensin en las impedancias
respectivas, debidas a las corrientes de desplazamiento (sobre la capacitancia) y de
conduccin (sobre la resistencia), de tal manera que se tiene lo siguiente:
vconduccin vcond v R
tan = = =
vdesplazamiento v desp vC
R
v
Xc + R R
tan = =
Xc Xc
v
Xc + R
tan = C R
17
idesplazamiento id 1 1
Q= = = =
iconduccin i c tan D
As, si el factor de calidad es alto, el dielctrico del condensador tiene una baja
resistencia y por el contrario si el factor de calidad es bajo, el dielctrico del
condensador parece ms bien una resistencia de pocos ohmios.
Qu es una resistencia?
Qu es un aislador?
18
Para un condensador como el de la figura 1.6, expresar la tan en trminos de
y de .
A a l
C= =
b b
b b
R= =
A a l
1 1
tan = = =
R C a l b
b a l
Por lo tanto:
1
tan = =
R C
H l = J s+ D s
l s
t s
Donde los vectores J y D pueden expresarse de la siguiente manera:
19
J = E
, y de sta manera tenemos:
D = E
H l = E . s + E s
l s
t s
H l = E s+ E s
l s
t s
20
2 CAMPO ELCTRICO
El principal objetivo del aislamiento elctrico es ejercer control sobre el campo
elctrico. Por lo tanto para hacer un buen diseo del aislamiento, en sus aplicaciones
en ingeniera, se debe conocer las propiedades del campo elctrico para as poder
controlarlo.
21
electrodos est menos estresado, para de sta manera garantizar que la descarga ser
iniciada slo en uno de ellos, una manera es agragando otra punta a la configuracin,
como lo muestra la siguiente figura:
Sin embargo para garantizar que efectivamente el lider slo provenga del electrodo de
superior, se hace tender el nmero de puntas inferores a infinito, llegando as a la
configuracin punta placa, de sta manera la densidad de corriente sobre el
electrodo inferior tiende a cero, como se muestra en la siguinte figura.
Figura 2.3 Configuaracin punta placa, el vetor de densidad de corriente J , tiende a cero
sobre la placa que es su camino a tierra.
22
Los casos anteriores evidencian el control del campo elctrico por manipulacin de la
geometra de los electrodos, mtod que consiste en aumentar el rea de los electrodos
(evitar puntas). Es posible explicar esto con ayuda de las ecuaciones de Maxwell,
como se muestra a continuacin.
E =Q
E = D ds = Q
S
D ds = Q
S
D A = Q
Q
D=
A
Ahora como:
D = O E
Q
E=
O A
De la expresin anterior se tiene que al aumentar el rea de los electrodos, del campo
elctrico disminuye. Un caso prctico de control de campo elctrico por manipulacin
del rea de los electrodos se presenta en los interruptores de potencia. El contacto
elctrico en los interruptores de potencia se logra gracias a dos barras de metal como
lo muestra la siguiente figura.
El problema que se presenta con esta configuracin es que el campo elctrico de los
contactos puede llegar a ser muy alto y puede producir arco entre contactos,
reencendiendo el interruptor, estos reencendidos son extremadamente dainos ya que
producen los llamados "Very Fast Trasient" que pueden afectar otros equipos,
especialmente el equipo electrnico.
23
Una forma de evitar esto, es aumentando el rea de contacto de los electrodos, lo cual
se consigue colocando discos en cada estremo de los electrodos. Vease figura 2.5
Figura 2.5 Interruptor de potencia, con discos en sus contactos para disminuir el esfuerzo al
que est sometido.
En el arreglo anterior, los discos no se mueven al hacer el contacto, sino que tienen
perforaciones en el centro que permiten la movilidad de los electrodos de contacto,
sin embargo si tienen conexin elctrica con las puntas de contacto, es as debido a
que en muchos casos estos puntos de contacto se encuentran sumergidos en
dielctricos lquidos o gaseosos que dificultan el moviendo.
24
Figura 2.6 (a) Conductor atravesando una pared, para evitar disrupciones conductor pared, el
nivel de tensin al que se puede llegar es reducido, (b) Conductor con aliviadores de campo,
atravesando una pared, el nivel de tensin al que se puede llegar es mucho mayor que en la
configuracin (a).
La funcin principal de estos cilindros coaxiales es fijar los potenciales para tener una
distribucin uniforme de campo elctrico.
Figura 2.7 Sitacin de un condutor aislado de tierra por un dielctrico, sin embargo se
presenta flameo en las fronteras conductor-dielctrico, debido a que el aire no soporta al igual
que el dielctrico las concentracionesde campo elctrico.
Figura 2.8 Sitacin de un condutor aislado de tierra por un dielctrico DK1, sin embargo para
evitaer flameo por el aire se coloca un segundo dielctrico DK2.
1
Para entender mejor ste concepto, ver numeral 5.4.
25
Otro ejemplo practic este tipo de control se tiene cuando se pasa de lnea area a
lnea subterrneay viceversa, como ve en la siguiente figura.
Figura 2.9 Cambio de conductor aislado a conductor desnudo, situacin que presenta
concentraciones altas de campo elctrico, y por tanto, generacin de efecto corona.
Para solucionar este tipo de inconvenientes se han implementado los llamados conos
de alivio, que consisten en un dielctrico que elimina la interfaz de aire, como lo
muestra la siguiente figura
Figura 2.10 Cambio de conductor aislado a conductor desnudo, usando conos de alivio para
disminuir las concentraciones elevadas de campo elctrico en las fronteras de los materiales.
El cono de alivio est constituido con un material con r superior a 1, por lo tanto
permite hacer una distribucin ms uniforme del campo elctrico que usando slo
aire.
26
2.2 FACTOR DE UTILIZACIN DE SHWEIGER ()
V
E MEDIO =
d
La principal herramienta para el clculo del campo elctrico son las ecuaciones de
Maxwell. A se harn clculos del campo elctrico y el potencial para diferentes
configuraciones.
27
Campo elctrico
E =Q
E = D ds = Q
S
D ds = Q
S
D Aesfera = Q
Q
D= ar
Aesfera
Como,
D = O r E
Q
E= ar
4 O r r 2
Q
E MINIMO = ar
4 O r r2
2
La relacin entre el campo mximo y el campo mnimo esta dada por la relacin de
los cuadrados de los radios, que resulta de:
Q
a r
4 O r r1
2 2
E MAX r2
= = 2
Q
E MIN a r r1
4 O r r2
2
Potencial
r1
= E dl
r
r1
Q 1
= dr
4 O r r r2
28
r1
Q 1 Q 1 1
= =
4 O r 4 O r r1 r
r r
Q 1 1
=
4 O r r1 r
Q Q
r1 r 2 =
4 O r r1 4 O r r2
Q 1 1
r1 r 2 =
4 O r r1 r 2
Q 1 Q 1 1
E= 2 ar V=
4 O r r 4 O r r1 r 2
V 1
E= a
1 1 r2 r
r1 r2
r1 r2
E =V a
(r2 r1 ) r 2 r
Otra caracterstica importante de los arreglos de electrodos es la capacitancia, para el
arreglo de esferas bajo estudio se teiene:
Capacidad
Q
C=
V
4 O r Q 1 1
C= V=
4 O r r1 r2
1 1
r1 r2
29
2.3.2 Campo elctrico en una configuracin cilindro cilindro
Esta configuracin es muy usada en la prctica ya que los cables coaxiales tienen esta
forma. Siguiendo el mismo procedimiento que en el caso anterior se tiene:
Campo Elctrico
E =Q
E = D ds = Q
S
D ds = Q
S
D Acilindro = Q
Q
D= ar
Acilindro
Q
D= ar
2 r l
Como,
D = O r E
Q
E= ar
2 O r r l
Q
E= ar
2 O rr
30
Potencial
= E dl
r
Q 1
dr
=
2 o r r r
Q
[ln r ] r1
r
=
2 o r
Q
= (ln r ln r1 )
2 o r
Q r
= ln
2 o r r1
31
Q
E= ar
2 O r r
V
E= ar
r2
ln r
r1
Capacidad
Q 2 o r
C= =
V r
ln 2
r1
Figura 2.14 Condiciones de frontera para un arreglo de dos materiales, y sus respectivos
flujos de campo elctrico.
Donde,
32
D1T
Tan 1 D
= 1N
Tan 2 D 2T
D2 N
Y como,
D1N D2 N = S
Entonces se tienen dos casos de estudio, primero, cuando se tienen dos dielctricos, y
segundo cuando se tiene u dielctrico y un conductor.
D1N D2 N = 0
D1N = D2 N
r1 E N 1 = r 2 E N 2
33
E dl = 0
E T 1 l E T 2 l = 0
E T1 = E T 2
DT1 DT 2
=
r1 r2
DT1 r1
=
DT 2 r2
Tan 1 D T 1 D N 2 r1
= =
Tan 2 D T 2 D N 1 r 2
r1
Tan 1 = Tan 2
r2
(a) (b)
Figura 2.16 Dos configuraciones de condensadores ambos con dos dielctricos, (a)
Dielctricos en paralelo a la alta tensin, (b) Dielctricos en serie a la alta tensin..
34
V1 = V2
E1 = E 2
D1 D2
=
r1 r 2
S1 S 2
=
r1 r 2
S1 = S 2
D1 = D 2
r1 E 1 = r 2 E 2
2.5 EJERCICIOS
El caso del conductor que atraviesa una pared tiene una geometra de cilindros
coaxiales.
Figura 2.17 Conductor con aliviadores de campo de cilindros coaxiales, atravesando una
pared.
35
Lo que se busca es que la diferencia de potencial entre cada cilindro sea la misma,
entonces:
V = 1 = 2 = 3 = 4 = 5
Como,
Q
V=
C
Y,
Q1 = Q2 = Q3 = Q4 = Q5
Entonces,
C1 = C2 = C3 = C4 = C5
2 o r l
C=
r1
ln
r2
2 o r l1 2 o r l2 2 o r l3
Ci = = = = ...
r r r
ln 1 ln 2 ln 3
r2 r3 r4
r2 r3
ln ln
r3 r4
l2 = l1 ; l 3 = l 2 ;...
r r
ln 1 ln 2
r2 r3
36
Figura 2.18 Condensador de placas paralelas con tres dielctricos dispuestos en capas.
VT = V1 + V2 + V3
VT = E 1 d1 + E 2 d 2 + E 3 d 3
D1 = D 2 = D 3 = D
D d1 d2 d3
VT = + +
o r1 r2 r3
D
VT = Coeff pp
o
Donde,
d1 d2 d3
Coeff pp = + +
r1 r2 r3
Como,
37
D VT
E1 = =
o r1 r1 Coeff pp
D VT
= =K
o Coeff pp
K
E1 =
r1
VT K
E2 = =
r 2 Coeff pp r 2
VT K
E3 = =
r 3 Coeff pp r 3
Figura 2.19 Distribucin de campo elctrico para un condensador de placas paralelas con tres
dielctricos que complen con: r1 > r 2 > r 3 .
38
Figura 2.20 Condensador de cilindros coaxiales dielctricos dispuestos en capas.
Q
E= ar
2 o r r l
Q 1 r2 dr 1 r3dr 1 r4 dr
V14 = + +
2 o l r1 r1 r r2 r2 r r3 r3 r
Q 1 r 1 r 1 r
V14 = ln 2 + ln 3 + ln 4
2 o l r1 r1 r 2 r2 r 3 r3
Q Q
V14 = K CC ; = E r r
2 o l 2 o l
V14
Ei = donde ri 1 < ri < ri +1 para i = 2,3,4
Kcc ri r
Como,
Q 2 o l
C= =
V Kcc
39
S r1 > r 2 > r 3 , entonces la distribucin de campo elctrico y de potencial a lo largo
del condensador ser como aparece en la sigiente figura.
(a) (b)
Figura 2.21 (a) Distribucin de campo elctrico para un condensador de cilindros coaxiales,
(b) Distribucin de potencial para un condensador de cilindros coaxiales.
Para ambas figuras los dielctricos cumplen, r1 > r 2 > r 3 .
E ds = Q Forma integral
2 = 0 Forma diferencial
2 = 0
2 2
+ 2 =0
x 2 y
40
2 i +1 , j i 1 , j
= =
x 2
x x x 2 x
2 x i +1 , j x i 1 , j
=
x 2 2 x
De igual manera,
2 i , j + 2 2i , j + i , j 2
=
y 2 4y 2
S,
x = y
Entonces,
i + 2 , j 4i , j + i 2 , j + i , j + 2 + i , j 2
2 = =0
4 x 2
41
i+2 , j + i , j +2 + i2 , j + i , j 2
i , j =
4
Para encontrar la distribucin de campo, se opt por usar el software Microsoft Excel,
en el cual se crea una matriz con los valores dados, es decir, la placa de 100 V, los
puntos de 75 V, 50 V y 25 V y la placa referenciada a tierra, luego se introduce la
frmula para el mtodo de diferencias finitas en cada cuadro libre y se le pide al
software que calcule los valores a travs de una iteracin, que para el caso que se
muestra en seguida es de 500 iteraciones.
42
La matriz que da como resultado a la anterior distribucin de campo, se consigui,
as:
A B C D E F G G I J
1 100 100 100 100 100 100 100 100
2 100
3 75 100
4 75 100
5 100
6 50 C6=(C5+D6+C7+B6)/4 100
7 50 100
8 100
9 25
10 25
11
12 0 0 0 0 0 0 0 0 0 0
Luego se procede con la iteracin de dicha frmula, para lo cual se selecciona toda la
matriz y en el men HERRAMIENTAS, en Opciones, en Calcular, se habilita la
casilla de iterar y se da Aceptar, a partir de ello el software hace los respectivos
clculos, los cuales pueden graficarse.
(a) (b)
Figura 2.25 (a) Arreglo de un par de conductores, cargados uniformemente, vistos en un
plano tridimensional (b) el mismo arreglo en el plano (x, y).
43
Para encontrar (x,y,z) en el espacio circundante a los conductores, cmo primera
medida, (ya que no se ndica lo contrario) se asume que la longitud de los
conductores es infinita, luego es posible trabajar sobre el plano z = 0, (Figura 2.25
(b)), de sta manera es posible encontrar la contribucin de cada conductor sobre un
punto P(x, y), as:
( x , z ) = + ( x , z ) + ( x , z )
Donde,
P
= E dl
y como,
Q
D cilndro = a
2l
D cilndro Q
E cilndro = = a
2l
Entonces:
r
Q
= a dl
= 0 2l
r
Q 1
= d dr d ; a = d ; dl = dr d
2l d r
Q Q
ln[r ] d = ln[r ] r
r d
=
2l 2l
Q
= [ln(d ) ln(r )]
2l
Q d
= ln
2l r
44
( x , z ) = + ( x , z ) + ( x , z )
Q d Q d
( x , z ) = ln + ln
2 l R1 2l R2
Q d d
( x , z ) = ln ln
2 l R1 R2
d
Q R
( x , z ) = ln 1
2 l d
R2
Q R
( x , z ) = ln 2
2 l R1
Como:
R1 = ( x d ) 2 + y 2
R2 = ( x + d ) 2 + y 2
Entonces:
Q (x + d )2 + y 2
( x, z ) = ln
2 l (x d )2 + y 2
Q (x + d )2 + y 2
( x, z ) = ln
2 l (x d )2 + y 2
1
Q (x + d )2 + y 2 2
( x, z ) = ln
2 l (x d )2 + y 2
Q 1 (x + d )2 + y 2
( x, z ) = ln
2 l 2 (x d )2 + y 2
Q (x + d )2 + y 2
( x , z ) = ln
4 l (x d )2 + y2
45
Figura 2.26 Distribucin de las equipotenciales para el ejercicio 2.5.5.
Donde r1 = 3 y r2 = 4.
46
Q l Q
D= ap D= a p ; donde , l =
2rl 2r l
D Q l
E= E= ap E= ap
2rl (3 0 ) 6r 0
1
P = D 0 E = l 1 ap P = l ap
2r 3 3r
l
D= ap
2r
E = 0a p
l
P = D 0 E P=D P= ap
2r
l
D= ap
2r
D Q l
E= E= ap E= ap
2rl ( 4 0 ) 8r 0
l 1 3
P = D 0 E = 1 ap P = l ap
2r 4 8r
D=E=P=0
Condiciones de frontera
Para r = r1:
l l
S = n( D1 D2 ) S = a a S =
2r 2r
l
Sp = n( P1 P2 ) Sp = a a Sp = l
3r 3r
Para r = r2:
47
l l
S = n( D1 D2 ) S = a a a S = 0
2r 2r
l l
Sp = n( P1 P2 ) Sp = a a l a Sp =
3r 3r 6r
Para r = r3:
l
S = n( D1 D2 ) S = a a l a S = 0
2r 2r
3 l l
Sp = n( P1 P2 ) Sp = a a l a Sp =
8r 2r 4r
Para r = r4:
l
S = n( D1 D2 ) S = a a S = l
2r 2r
3 l 3
Sp = n( P1 P2 ) Sp = a a Sp = l
8r 8r
De sta manera s se grafican los anteriores resultados se tiene:
48
Polarizacin,
49
Figura 2.33 Condensador de esferas concntricas, con tres dielctricos.
Q
D= ar
4r 2
D Q Q
E= E= ar E= ar
4r 2 ( 0 ) 4 0 r 2
Q
P = D 0 E = [1 1]a r P=0
4r 2
Q
D= ar
4r 2
D Q
E= E= ar
8 0 r 2
Q 1 Q
P = D 0 E P= 1 ar P= ar
4r 2
2 8r 2
50
Q
D= ar
4r 2
D Q
E= E= ar
20 0 r 2
Q 1 Q
P = D 0 E P= 1 ar P= ar
4r 2
5 5r 2
D=E=P=0
Condiciones de frontera
Para r = r1:
Q Q
S = n( D1 D2 ) S = ar ar 0 S =
4r1 4r1
2 2
Sp = n( P1 P2 ) Sp = a r (0 0 ) Sp = 0
Para r = r2:
Q Q
S = n( D1 D 2 ) S = ar ar ar S = 0
4r2 4r2
2 2
Q Q
Sp = n( P1 P2 ) Sp = a 0 ar Sp =
8r2 8r2
2 2
Para r = r3:
Q Q
S = n( D1 D2 ) S = ar ar ar S = 0
4r3 4r3
2 2
Q Q 3Q
Sp = n( P1 P2 ) Sp = a r ar ar Sp =
8r32
5r32 40r32
Para r = r4:
Q Q
S = n( D1 D2 ) S = ar 0 ar S =
4r42 4r42
Q Q
Sp = n( P1 P2 ) Sp = a r ar 0 Sp =
5r42 5r42
51
2.5.8 Campo elctrico homogneo
Q
E2 = a
2 0 r2 l 2
R03
E= ar
3r 2
Y para el caso de una punta esfrica metlica (media esfera) de radio r1, se tiene:
Qr13 6
E1 = ar
3 0 r12 4r13
carga
Donde, =
volumen
Luego,
Q
E1 = ar
2 0 r12
52
Como, la condicin es tener campos elctricos iguales, se procede a igualar las
ecuaciones obtenidas tanto para E1, como para E2, y de sta manera encontrar el radio
aproximado de la punta esfrica que consiga satisfacer la condicin, as:
Q Q
a = ar
2 0 r2 l 2 2 0 r12
1 1
2
ar = a
r1 r2 l 2
53
Figura 2.35 Arreglo de un par de condensadores en serie.
54
ZT ZT
v1 = v1
Z T Zc1 Zc 2
Z T Zc1 = Zc 2
ZT = Zc1 + Zc 2
1 1
ZT = +
jC1 jC 2
1 C1 + C 2
ZT =
j C 1 C 2
Si se considera un equivalente de esa impedancia como un nico condensador, se
tiene:
1
ZT =
jC T
1 C1 + C 2 1
=
j C1 C 2 j C T
1 C1 + C 2
=
CT C1 C 2
1 1 1
= +
CT C1 C 2
1
1 1
CT = +
C1 C 2
55
QT = CT * v
C1 2Q1
QT = *
2 C1
QT = Q1
Otra forma de analizarlo, es: Considerando que la corriente que circula por un
condensador es Q y nunca puede ser mayor, inclusive s se tuviera el caso de un
t
condensador que almacene nQ, ya que el otro limitara el flujo de carga (corriente) a
tan slo Q.
Cmo los condensadores almacenan una carga Q cada uno, vemos que:
Q = C *v
Q1 = C1 * v
Q2 = C 2 * v
Como Q1 = Q2, entonces,
C1 * v = C 2 * v
C1 = C 2
Adems es posible plantear:
56
v v v
itotal = ; iC1 = ; iC 2 =
ZT Zc1 Zc 2
Pero como C1 es igual a C2, se tiene que ZC1 es igual a ZC2, luego iC1 es igual a iC2,
as:
De sta manera se ve que cada condensador aporta una carga Q, luego la carga total
transportada es 2Q.
1
ZT =
jCT
Luego,
1 1
(C! + C 2 )
1
=
j CT j
CT = C! + C 2
Que es el equivalente de capacitancia para un arreglo de condensadores en paralelo.
57
Figura 2.37 Condensador de esferas concntricas.
Se conoce que:
Q
D= = ar = E
A 4r 2
Q
E= ar
4r 2
Adems, se tiene:
P r1
Q
v = E dl = a r a r dr
v =0 r2 4r 2
Q 1 1
v=
4 r1 r2
Y como,
Q =C v
Q
C=
v
Luego, se tiene lo siguiente:
4
C=
1 1
r1 r2
4
C=
1
r1
C = 4r1
58
2.5.11 Generador de Van der Garff
Para un generador de Van der Graff como el de la siguiente figura, calcule el radio
(r1) de la esfera para no superar la capacidad disruptiva del aire.
S, se tiene que la capacidad disruptiva del aire es de 3 MV/m, y ste est aplicado
sobre la superficie de la esfera, se tiene que:
Q
E= ar
4 0 r 2
Q
E= 3 Mv
(
4(3.14) 8.85 10 r
12 2
) m
Q
r = 54.7 Q _ m
4(3.14)(8.85 10 12 )(3 10 6 )
r 54.7 Q _ m
Luego, se tiene que el radio (en metros) de la esfera del generador debe ser como
mnimo 54.7 veces la carga a la que se someta.
59
Figura 2.39 Arreglo de diez aisladores (100 kV) en una torre de transmisin.
Asumir:
Caislador = 12 pF. = Ca.
Ca lnea =1 pF. = CL.
Cparsitas =1 pF. = Cp.
Encuentre en cada caso, cual debera ser la capacitancia de cada aislador para cumplir
con el ideal de mantener una lnea recta en la caracterstica de cada de tensin contra
nmero de aislador.
Encuentre las cadas de tensin sobre los aisladores, asumiendo las capacitancias a
lnea como cero.
60
Figura 2.40 Arreglo de diez aisladores asumiendo capacitancias a lnea iguales a cero.
El proceso a seguir, en primer lugar hallar la capacitancia total del arreglo y luego se
procede a hallar la capacitancia vista desde el nodo de tierra (nodo 10) hasta el punto
de inters, de sta manera se consigue tener un divisor capacitivo y as, es posible
conocer la cada de tensin en cada punto para luego graficarlos.
Esta ecuacin es repetitiva por lo que se sugiere programarla, una opcin muy
asequible es usar Microsoft Excel.
C(pF)
C(pF) en Z(G ) en el V(pu) en V(pu) C(pF) de cada
Nodo esperada en
el nodo nodo el nodo esperado aislador
cada nodo
10 0,000 0,000 0,000 0,000 0,000 29,223
9 12,000 1,389 0,252 0,100 30,223 29,285
8 6,240 2,671 0,484 0,200 15,111 26,885
61
7 4,516 3,691 0,669 0,300 10,074 23,781
6 3,779 4,411 0,800 0,400 7,556 20,594
5 3,418 4,877 0,884 0,500 6,045 17,676
4 3,229 5,162 0,936 0,600 5,037 15,158
3 3,127 5,330 0,967 0,700 4,318 13,047
2 3,071 5,427 0,984 0,800 3,778 11,301
1 3,040 5,483 0,994 0,900 3,358 9,860
0 3,022 5,515 1,000 1,000 3,022
1,0
0,9
0,8
0,7
Tensin en pu
0,6
0,5
0,4
0,3
0,2
0,1
0,0
0 2 4 6 8 10
Nmero de aislador
Figura 2.41 Grfico de la distribucin de cada de tensin contra nmero de aislador, para el
arreglo de la figura 2.41.
En la anterior tabla se sugieren unos valores para la capacitancia de cada aislador, las
cuales conseguiran que la cada de tensiones fuese como la cada de tensin esperada
de la anterior Grfica; S esto llegara a implementarse se conseguiran distribuciones
de tensin ms uniformes, sin embargo modificar la construccin de un aislador
puede resultar demasiado costoso, por lo que es ms viable agregar ms aisladores (el
62
esfuerzo por aislador se reduce a medida que crece su nmero) que modificar su
diseo.
Encuentre las cadas de tensin sobre los aisladores, asumiendo las capacitancias
parsitas como cero.
Figura 2.42 Arreglo de diez aisladores asumiendo capacitancias parsitas iguales a cero.
El proceso a seguir, es similar al proceso del anterior punto, en donde como primer
lugar se hall la capacitancia total del arreglo y seguido se procede a hallar la
capacitancia vista sta vez desde el nodo puesto a la alta tensin (nodo 0) hasta el
punto de inters, de sta manera se consigue de igual manera tener un divisor
63
capacitivo y as es posible conocer la cada de tensin en cada punto para luego
graficarlos.
Ca(pF) = 12 w(Hz) = 60
Cp(pF) = 0 Tensin(v) = 1
Cl(pF) = 1
C(pF)
C(pF) en Z(G ) en el V(pu) en V(pu) C(pF) de cada
Nodo esperada en
el nodo nodo el nodo esperado aislador
cada nodo
10 4,022 4,144 0,000 0,000 4,022 9,335
9 4,040 4,126 0,004 0,100 4,469 11,191
8 4,071 4,094 0,012 0,200 5,028 13,470
7 4,127 4,038 0,025 0,300 5,746 16,252
6 4,229 3,941 0,049 0,400 6,704 19,602
5 4,418 3,773 0,090 0,500 8,045 23,525
4 4,779 3,488 0,158 0,600 10,056 27,899
3 5,516 3,022 0,271 0,700 13,408 32,391
2 7,240 2,302 0,444 0,800 20,111 36,412
1 13,000 1,282 0,691 0,900 40,223 39,223
0 0,000 0,000 1,000 1,000 0,000
64
Cada de tensin por aislador para Cp = 0 pF, Cl = 1 pF y Ca = 12 pF
1,0
0,9
0,8
0,7
Tensin en pu
0,6
0,5
0,4
0,3
0,2
0,1
0,0
0 2 4 6 8 10
Nmero de aislador
Figura 2.43 Grfico de la distribucin de cada de tensin contra nmero de aislador, para el
arreglo de la figura 2.42.
En la anterior tabla se sugieren unos valores para la capacitancia de cada aislador, las
cuales conseguiran que la cada de tensiones fuese como la cada de tensin esperada
de la Grfica inmediatamente anterior; Nuevamente cabe sealar que modificar el
diseo de los aisladores es mas costoso que agregar ms aisladores.
65
66
3 COMPONENTES ELCTRICOS Y SU COMPORTAMIENTO EN
FRECUENCIA
Como ya se ha sealado el comportamiento de los componentes elctricos depende
directamente de la frecuencia de funcionamiento, un ejemplo de ello es usar condensadores
para evacuar las componentes de alta frecuencia (ruido) de las pantallas de los cables en
casos donde la seal se deba filtrar eficientemente, sin embargo, si las corrientes de ruido
presentes en las pantallas de los cables son de frecuencias mayores que la frecuencia de
auto resonancia del condensador, el comportamiento ahora se parecer ms al de una
inductancia y no se lograr la esperada baja impedancia del condensador.
3.1 CONDUCTORES
Considere una placa metlica conductora, y que ella transporta una corriente, como se
muestra en la figura 3.1.
Donde:
Jo : Densidad de corriente en la superficie.
67
: Profundidad de penetracin.
1
=
f
Donde:
f : frecuencia
: Conductancia
d
I = J ( x) dx
0
d x
I = J0 l
dx
0
x
I = J0 1 e
Observando sta ultima ecuacin, se tiene que si el conductor es muy grueso comparado
con la penetracin del efecto piel, es decir, d>>, se tiene que la corriente apenas fluye por
la piel de espesor , otro punto que se debe notar de la ltima ecuacin es que el 99 % de
la corriente circula dentro de una piel de espesor 5.
l
Rd .c. =
A
Donde:
l : Longitud del conductor
A : rea de la seccin
De tal manera que la resistencia d.c. por unidad de longitud de un conductor de rea
seccional circular es:
68
l
Rd .c. =
r2 m
A bajas frecuencias:
A altas frecuencias
1
RHF =
[ r 2 (r )2 ] m
1
RHF =
[2 r ] m
2
f
RHF =
2 r 1 m
1
Siempre que se tenga la presencia de una corriente, sta lleva presente a su alrededor un
campo magntico y un campo elctrico, Vease figura 3.2 a, que en algunos casos no pueden
ser ignorados y por tanto deben incluirse a la hora de hacer un modelo para un cable. Si el
campo elctrico se modela con un condensador y el campo magntico con una inductancia
obtenemos el modelo que muestra la figura 3.2 b.
(a) (b)
Figura 3.2 Modelo de un cable, (a) visualizacin de los campos elctricos y magnticos presentes en
un cable cuando lo atravieza una corriente, (b) modelo elctrico de un cable que lleva corriente
alterna.
69
Para frecuencias pequeas L es mucho menor que R y por lo tanto el error es
principalmene capacitivo, el circuito equivalente se muestra en la figura 3.3 a.
IC V C
Tan C = = = R C 1
IR V
R
(a) (b)
Figura 3.3 (a) Circuito del modelo elctrico de un cable para bajas frecuencias, (b) Diagrama
fasorial del ngulo de error capacitivo.
Para altas frecuencias puede despreciarse la capacidad ya que ( C ) << R . En este caso
1
VL L I L 2
L = Tan L = = =
VR RI R
(a) (b)
Figura 3.4 (a) Circuito del modelo elctrico de un cable para altas frecuencias, (b) Diagrama
fasorial del ngulo de error inductivo.
1
Ecuacin de tan para bajas frecuencias.
2
Ecuacin de tan para altas frecuencias.
70
Si se consideran ambos ngulos de error se tiene:
L
= L C = R C
R
L
De lo anterior se deduce que el error desaparecer para el caso en que = R2
C
3.2 INDUCTANCIAS
x2 1
H dl = I
l
r 2
2 x
x A
Hx = I
2 r 2
m
x I Wb
Bx =
2 r 2 m2
d = B x dx
xI Wb
d = dx
2 r 2
m
r
INT = d
x =0
r
xI
INT = dx
x =0 2 r
2
71
r
x2 I
INT =
2 r 2 x =0
I Wb
INT =
4 m
INT
LINT =
I
H
LINT =
4 m
Este valor de inductancia es para corrientes d.c. o de baja frecuencia, donde se ha asumido
que la distribucin de corrientes es uniforme; un valor tpico es:
nH
LINT = 50 , para cobre y aluminio.
m
0 l 2l
LINT = ln 1 [H ]
2 r
Condiciones:
r/l << 1
<< 1
Figura 3.5 Espira de conductor, que cumple con tener un radio de conductor mucho menor que la
separacin Dentre sus conductores y que la longitud l.
72
En ste caso se tiene que el valor de la inductancia del arreglo es:
0 l 2l
LINT = ln 1 [H ]
2 D
Condiciones:
D/l << 1
3.3 CAPACIDADES
La capacidad entre dos puntos con carga igual y opuesta se define como:
Q F
C=
V m
Donde:
Q = Carga por metro [C/m]
V = Diferencia de tensin entre puntos (V2 V1)
Figura 3.6 Efecto capacitivo entre regiones con cargas iguales y opuestas.
Si la distancia entre los dos espacios cargados es grande se puede asumir que la carga se
encuentra confinada en la superficie y uniformemente distribuida, que es el caso de los
conductores.
Para hallar la capacitancia entre dos conductores de radio r, y separados una distancia D, se
tiene el siguiente procedimiento:
D ds = Q
s
2 r
( E ) dr d = Q
= 0 r =0
Q
Er =
2 r
Integrando ste valor de campo elctrico en la distancia que separa los conductores, es
posible hallar la diferencia de potencial, entonces:
73
b
Vab = E dr
a
V12 = V2 V1
r D
Q Q
V12 = dr dr
r =D
2 r r =r
2 r
Q Q
ln (r ) D + ln (r ) r
r D
V12 =
2 2
Q D Q D
V12 = ln + ln
2 r 2 r
Q D
V12 = ln [V ]
r
Q
C12 =
V12
Q
C12 =
Q D
ln
r
F
C12 =
D m
ln
r
Al observar sta ecuacin, es posible notar que a mayor r, es decir al aumentar la seccin
de un conductor su capacidad aumenta, ya que la relacin D/r se hace cada vez menor y de
la misma manera el logaritmo natural, luego la capacidad aumenta, y de la misma manera,
s se quiere disminuir la capacidad, se puede lograr separando ms los conductores.
74
3.3.1 Expresiones de capacidad para otras configuraciones
2
2h
2 ln +1
D F
C12 =
4h m
2
4h 2h D
ln + 1 ln
D D 2h
2
+1
D
2 F
C12 =
4h 2h
2 m
ln +1
D D
Cr
CT = C12 +
2
F
CT =
4h m
D
ln
2
2h
+1
D
75
3.4 FERRITAS
Los conductores se arrollan a travs del ncleo, de tal forma que los flujos debido a la
corriente de CM se suman en el ncleo, teniendo como consecuencia una impedancia muy
grande, mientras que los flujos debidos a la corriente diferencial (DM) se restan en el
ncleo y de sta manera dado que casi todo el flujo se confina en el ncleo, las inductancias
propias y mutuas de los arrollamientos son las mismas, entonces:
Z DM = j (L M ) = 0
En el caso de las corrientes de CM, los flujos establecidos por las corrientes individuales se
suman y por lo tanto la inductancia mutua es positiva, luego la ferrita presenta una
impedancia serie de modo comn para las corrientes de modo comn.
Generalmente las corrientes de DM son mucho mayores que las CM, entonces los flujos
debidos a grandes corrientes de modo diferencial DM se cancelan en el ncleo, por lo tanto
no lo saturan.
76
4 GENERACIN DE ALTA TENSIN
En este captulo se hace referencia a las tcnicas de generacin de alta tensin a.c., d.c., e
impulsos, y en un captulo siguiente, se considerarn las tcnicas de medicin; teniendo en
cuenta los principios elctricos de su funcionamiento.
Siempre que sea necesario tener altas tensiones va a ser requerido un transformador, por tal
razn se dedicarn los siguientes numerales al entendimiento de estos, sin embargo es
importante recordar que los usados para pruebas de laboratorio son transformadores
monofsicos de prueba y tienen ciertas caractersticas que los hacen especiales.
4.1 EL TRANSFORMADOR
Es una mquina elctrica esttica muy importante que consta de dos o ms bobinas, y que
se utiliza para acoplar magnticamente y/o desacoplar elctricamente dos o ms circuitos de
corriente alterna (a.c.) aprovechando el efecto de induccin magntica entre devanados.
Gracias a ste es posible convertir un nivel de tensin a otro nivel diferente, o tambin
transformar corrientes. Existen transformadores de potencia, de potencial y de corriente los
cuales tienen muchas aplicaciones tanto en la parte de potencia como en la parte de la
electrnica y control; La transmisin de corriente alterna sera inapropiada sin la presencia
del transformador.
77
La f.e.m inducida en el secundario es proporcional a la relacin entre el nmero de espiras
de los devanados, que es llamada a (relacin de transformacin).
El camino que siguen de la mayora de los flujos magnticos desde el devanado primario
hasta los devanados secundarios, es lo que se conoce como ncleo del transformador,
dichos ncleos pueden ser de diferentes materiales dependiendo de la aplicacin para la que
se vayan a usar, as, s se requiere linealidad en la relacin de transformacin, se usan
78
ncleos de aire, y si se requiere para altas frecuencias, mejor se usan ncleos de materiales
ferromagnticos.
Este modelo es utilizado para representar las prdidas propias de los transformadores y
explicar su comportamiento. Las prdidas tenidas en cuenta para la elaboracin del modelo
son:
Prdidas en el cobre
Son prdidas causadas por la resistencia hmica de las bobinas del devanado primario y
secundario del transformador, las cuales generan un calentamiento en los devanados. En el
modelo se representan por una resistencia Rp en el primario y una resistencia Rs en el
secundario.
Al existir un flujo magntico variable dentro del ncleo del transformador, en ste se
inducen corrientes parsitas (tambin llamadas de Foucolt). stas al interactuar con la
resistencia del ncleo producen prdidas que se manifiestan como energa calorfica
disipada en el ncleo del transformador. En el modelo estas prdidas se representan por una
resistencia Rm colocada en la rama de magnetizacin del modelo.
Son las asociadas con los reacomodamientos de los dipolos magnticos en el ncleo
durante cada medio ciclo. Estas son representadas por una reactancia inductiva llamada
Reactancia de Magnetizacin Xm, la cual provoca el desfasamiento de la corriente de
magnetizacin con respecto al voltaje aplicado en el primario. La Reactancia de
Magnetizacin est relacionada con el flujo de magnetizacin m que enlaza la bobina
primaria y secundaria (figura 3.1)
79
Prdidas por flujo de dispersin
Estas prdidas son debidas a al porcin de flujo magntico que circula a travs de una de
las bobinas pero no se alcanza a enlazar con la otra (figura 4.1). Al estar implicado un flujo
y una corriente, se establece una relacin entre estos a travs de una inductancia (L = /I).
Son representadas por una reactancia Xp en el primario y una reactancia Xs en el secundario.
Vp = Ep + Ip ( Rp + Xp ) = Ep + Ip * Zp
Vs = Es Is ( Rs + Xs ) = Es Is * Zs
Las prdidas en el hierro dan lugar a un adelanto de la corriente de excitacin Io, con
respecto al flujo, por tanto en un transformador real el desfase entre Io y Vp es inferior a
/2 y su valor es: prdidas fe = Vp * I 0 * cos 0
80
Figura 4.4 Diagrama vectorial de las tensiones y corrientes en un transformador.
A pesar de ser este el modelo del transformador, no es de mucha utilidad, por lo cual
para fines prcticos, se reduce a un modelo equivalente con un nico nivel de tensin.
Por lo tanto, este circuito debe ser referido ya sea a su lado primario o bien al
secundario. Para esto, se utiliza la relacin de transformacin.
81
As, si se va a referir a un nivel de tensin ya sea el del primario o el del secundario, se
utiliza la relacin de transformacin, que es una cantidad que relaciona la tensin del devanado
secundario contra la tensin del devanado primario, y es de la siguiente manera:
a = Vp /Vs
Figura 4.7 Modelo de un transformador referido a su nivel de tensin primario, con resistencia y
reactancia de magnetizacin en configuracin serie.
82
Figura 4.8 Modelo de un transformador referido a su nivel de tensin secundario, con resistencia y
reactancia de magnetizacin en configuracin paralelo.
Una aproximacin a estos valores se puede obtener mediante la realizacin de dos ensayos:
El Ensayo de Circuito Abierto y El Ensayo de Corto Circuito.
En este ensayo se deja abierto uno de los devanados, usualmente el devanado de alta
tensin y el devanado de baja tensin se conecta a una fuente de tensin cuyo valor es igual
a la tensin nominal del devanado conectado. Los equipos de medida estn conectados al
lado de baja tensin (figura 4.9).
83
Deduccin de Xm y Rm
Para fines prcticos es mejor trabajar con los valores de admitancia, por tanto la
Conductancia estara dada por:
1
Gm =
Rm
Y la susceptancia se expresa como:
1
Bm =
Xm
Dado que estos dos elementos estn en paralelo sus admitancias se suman, y la admitancia
total es:
Ym = Gm jBm
1 1
= j
Rm Xm
Ioc Poc
= Cos 1
Voc VocIoc
Voc 2 Voc 2
Rm = ; Xm =
Poc Voc 2 Ioc 2 Poc 2
84
4.1.2.2 Ensayo de Corto Circuito
En este ensayo usualmente se cortocircuitan los terminales del devanado de baja tensin y
en los terminales del devanado de alta tensin se conecta una fuente de bajo voltaje, el cual
se ajusta hasta que la corriente llegue a su valor nominal. Los equipos de medida estn
conectados al lado de alta tensin (figura 4.10).
Debido a que el valor de la alta tensin es pequeo durante el ensayo de corto circuito, la
corriente que circula por la rama de excitacin es muy baja. As, se puede asumir que la
tensin del transformador, es la de los elementos en serie del modelo, por lo cual se utiliza
para calcular los elementos series del modelo.
Al igual que el ensayo de circuito abierto, el ensayo de corto circuito nos proporciona los
valores de tensin de corto circuito (Vcc), Corriente de corto circuito (Icc) y Potencia de
corto circuito (Pcc).
Por el hecho que en el modelo las resistencias y las reactancias inductivas estn en serie, se
define la impedancia equivalente como la suma de la resistencia equivalente y las
reactancias equivalentes:
Zeq = R eq + jXeq
Donde:
R eq = Rp + Rs '
y
Xeq = Xp + Xs '
85
El ngulo de la impedancia equivalente se puede conocer hallando el factor de potencia del
circuito, que est dado por:
Pcc
FP = Cos =
VccIcc
Entonces el ngulo es:
Pcc
= Cos 1
VccIcc
La impedancia equivalente es igual a:
Zeq =| Zeq |
Icc Pcc
= Cos 1
Vcc VccIcc
Se deduce que:
Vcc 2 Vcc 2
Rcc = ; Xcc =
Pcc Vcc 2 Icc 2 Pcc 2
El ensayo de corto circuito se debe realizar con una lmina de cobre que una los
terminales del devanado de baja tensin. Esta lmina debe ser fuertemente sujetada para
evitar problemas de contacto que podran representar resistencias elevadas que afecten la
medida.
Se debe tener precaucin con la fuente de voltaje pues se debe mantener este voltaje en
un nivel seguro.
Este ensayo se debe realizar en el menor tiempo posible, para evitar as variacin en las
mediciones tomadas por cambios en la temperatura, y lo ms importante, evitar daar el
devanado por el cual se est haciendo el corto circuito.
Nota:
Los valores de los parmetros que se obtienen en estos ensayos estn referidos al lado por
el cual se conectan los equipos de medida durante el ensayo. Es decir si las medidas del
ensayo se hacen por el lado de alta tensin, los valores obtenidos estn referidos al lado de
alta tensin.
86
Con este procedimiento es posible calcular la impedancia equivalente, pero no hay una
manera fcil de dividir esta en sus componentes RP, RS, XP y XS.
Una manera emprica es suponer que cuando referimos el modelo a uno de los lados, estos
parmetros tienen valores iguales, es decir
Bajo estas condiciones los valores de resistencia serian iguales a la mitad de la resistencia
equivalente, al igual que los valores de reactancia serian iguales a la mitad de las
reactancias equivalentes. Otra forma es medir fsicamente la resistencia de los devanados y
asumir estas en el modelo.
Para evitar estas complejidades se le han hecho algunas aproximaciones, por ejemplo, la
rama de magnetizacin tiene valores de impedancia relativamente altas comparadas con los
elementos serie (RP, XP), por esta razn la corriente que circula por la rama es una corriente
pequea, que produce cadas de tensin, despreciables en los elementos serie.
Figura 4.11 Modelo equivalente serial del transformador con rama de magnetizacin.
87
Figura 4.12 Modelo equivalente del transformador despreciando la rama de magnetizacin.
En los estudios sobre transformadores de prueba en alta tensin se usar el modelo sin rama
de magnetizacin.
4.1.3.1 Ejercicios
I OC = 2,5 A VCC = 32 V
POC = 165 W PCC = 520 W
Solucin
Debido a que los ensayos fueron realizados por el lado de baja tensin el modelo que se
hallar es referido al lado de baja.
PCA 165 W
FP = Cos = = = 0,3 en atraso
VCA I CA 220 V 2,5 A
= Cos 1 0,3 = 72,54
88
Ym = 0,011363 72.54
1 1
= 0,003409 j 0,010839 = j
Rm Xm
Entonces,
1
Rm = = 293,39
0,003409 S
1
Xm = = 92,25
0,010839 S
El factor de potencia en el ensayo de cortocircuito
PCC 520 W
FP = Cos = = = 0.715 en atraso
VCC I CC 32 V 22.7 A
= Cos 1 0.715 = 44.28
Req = 1,00875
X eq = 0,98371
X eq
0,98371
XP = XS = = = 0,4918.
2 2
Req 1,00875
R P = RS = = = 0,5043
2 2
El circuito resultante es un circuito RLC serie, como lo muestra la figura 4.13 el cual tiene
un manejo relativamente sencillo.
89
A continuacin se hallar una expresin que relacione a V2 con V1.
V1 V1
I= =
R + j XL + j XC 1
R + j L j
C
V1 1 V1 1
V2 = IX C = j =
R + j L j
1 C j R L +
1 C
C C
V1
V2 =
j R C 2 L C +1
V2
=
1
=
(
1 2 L C j R C )
( ) (
V1 1 L C + j R C 1 2 L C 2 + ( R C )2
2
)
V2
=
(1 L C ) + ( R C )
2 2 2
V1
[(1 L C ) + ( R C ) ]
2 2 2
2
V2 1
=
V1 (1 2
)
L C + ( R C )
2 2
Los valores de L, C y R deben estar referidos al mismo nivel de tensin. El hecho de que
estn referidos al primario o al secundario no interviene en el valor de la expresin.
90
Figura 4.14 Variacin de la relacin de transformacin en funcin de C.
91
4.1.5 El transformador en cascada
92
Figura 4.17 Localizacin fsica de los transformadores en cascada.
93
En esta forma de conexin hay que tener especial cuidado con el aislamiento, debido a que
se necesita mayor aislamiento en la parte superior pues el campo elctrico es mas grande
que en la parte inferior.
El tipo de conexin que muestra la figura 4.19 presenta mayor versatilidad, pues suministra
tensiones simtricas en el devanado de alta tensin. Es muy utilizado para amplificacin de
tensiones.
Para medir las capacidades propias de los transformadores de alta tensin, Capacidad del
lado de Alta Tensin (CAT), Capacidad del lado de Baja Tensin (CBT), y la Capacidad
entre el lado de Baja y Alta Tensin (CAB), se realizan cuatro montajes, y con la medida de
las capacidades equivalentes de cada montaje, se determinan las capacidades anteriormente
mencionadas. Las capacidades se miden entre los puntos 1 y 2 de cada montaje, tal como se
muestran en las figuras 3.20 a 3.23. Los montajes son los siguientes:
Montaje 1
94
Figura 4.20 Esquema de conexiones y equivalente del circuito montaje 1.
Por anlisis de circuitos se puede determinar que el valor de la capacidad equivalente del
primer montaje es:
C C
C1 = AT BT + C AB
C AT + C BT
Montaje 2
C 2 = C AB + C AT
Montaje 3
95
Figura 4.22 Esquema de conexiones y equivalente del circuito montaje 3.
Este montaje es muy similar al anterior, con la nica diferencia que se cortocircuita el
devanado de Alta Tensin. La capacidad equivalente de este montaje, medida entre los
puntos 1 y 2 es:
C 3 = C AB + C BT
Montaje 4
C 4 = C BT + C AT
Despus de realizar estos cuatro montajes, se pueden determinar los valores de CAT, CBT y
CAB utilizando adecuadamente las cuatro ecuaciones de los cuatro condensadores
equivalentes.
96
4.2 GENERACIN DE ALTA TENSIN A.C.
Como antes se mencion, los transformadores usados para pruebas de laboratorio de alta
tensin, son especiales debido a los esfuerzos especficos y cargas a las que se someten, de
tal manera que las siguientes son las caractersticas que stos deben tener:
Por ello es que se usan transformadores secos, ya que van a estar sometidos a grandes
esfuerzos en donde su se tuviern dielctricos difeentes al aire, se daaran muy rpido.
Alta impedancia de corto circuito. La impedancia de corto circuito debe ser alta, ya que
en el momento en que se perfore el objeto de prueba, esta impedancia de corto circuito
limitar la corriente. En los transformadores de prueba esta impedancia se encuentra
alrededor del 16 %.
Bajas corrientes nominales en el secundario. Estas corrientes tienen magnitudes entre los
500 mA y 1 A. Esto se debe a que generalmente estos transformadores se someten a cargas
capacitivas bajas que implican altas impedancias.
Tienen menor potencia comparada con los transformadores de potencia. El hecho que
este tipo de transformadores tengan bajas corrientes en el secundario, implica que su
potencia nominal sea baja en comparacin con los transformadores de potencia.
Existen otras maneras o configuraciones para la obtencin de altas tensiones, sin depender
de transformadores robustos, tal es el siguiente montaje.
Este tipo de montaje permite obtener una tensin de salida mayor que la proporcionada por
el transformador. El Montaje de Greinacher en cascada es ilustrado en la figura 4.24.
97
Figura 4.24 Circuito del montaje de Greinacher.
Este montaje puede contar con muchas ms etapas, se debe tener espacial cuidado con el
nivel de asilamiento de los condensadores y de los diodos del montaje, ya que deben
soportar grandes niveles de tensin. Para ste caso la tensin de salida es una onda de igual
frecuencia de la de entrada pero amplificada 4 veces, tensin dada por la carga de los
condensadores.
La generacin de alta tensin d.c. se basa en la generacin de alta tensin a.c. la cual debe
rectificarse, sin embargo la rectificacin no es perfecta, por lo tanto es necesario conocer
algunos parmetros que dan informacin a cerca de que tan aproximada a tensin d.c. es la
seal de salida del rectificador.
T
1
Valor RMS de una seal: Se define como: U RMS (t ) = U (t ) 2 dt
T 0
1 2
Valor d.c. de una seal: Se define como: U d .c (t ) = U (t )dt
T 1
Oscilaciones de una seal d.c.: se refieren a las variaciones en la magnitud de la tensin:
1
U = (U mx U min )
2
Factor de rizado (FR) en una seal d.c.: Es la relacin que hay entre las oscilaciones y el
valor d.c.
98
U
FR = 1
U d .c.
Un buen generador d.c. debe contar con las siguientes caractersticas.
FR < 3%
U d .c. U MAX
Los circuitos rectificadores son generalmente series de diodos y se construyen de hasta 100
kV de tensin inversa pico. Los rectificadores ms comunes y usados en la generacin de
alta tensin d.c., son:
Este tipo de rectificador solo deja pasar el semiciclo positivo de la seal alterna. El
esquema de este rectificador se puede ver en la figura 3.26 y la seal obtenida a la salida en
la figura 3.27.
1
Se debe tener en cuenta que el factor de rizado cambia al colocar el objeto de prueba.
99
Figura 4.27 Seal obtenida de un rectificador de media onda.
Sin embargo la seal obtenida sobre el objeto de prueba (Z) est lejos de ser una seal d.c.,
por lo que se debe agregar un condensador al circuito como se ve en la siguiente figura.
La tensin UMAX, es dada por el nivel de salida del transformador menos la tensin de
polarizacin de los diodos (Ud), la tensin UMIN, es dada por el condensador del circuito,
entre mayor su capacidad mas prximos sern los valores de tensin UMAX y UMIN, luego
menor ser el rizado. Sin embargo como hay todo un ciclo que debe ser alimentado por el
condensador, los anteriores valores son ms distantes que para un rectificador de onda
completa.
100
4.3.2.2 Puente rectificador de onda completa
Figura 4.30 Circuito para puente rectificador de onda completa y seal de salida.
Los impulsos de tensin son tiles en las pruebas de laboratorio para determinar el nivel de
aislamiento de un equipo o elemento y su capacidad para soportar grandes gradientes de
campo elctrico.
Los impulsos de tensin son usualmente generados por la descarga de capacitores de alto
voltaje, a travs de brechas de aire sobre una red RC, por eso cualquier modificacin en las
configuraciones, o valores de los elementos, da como resultado diferentes tipos de
respuesta.
El generador de impulsos puede ser usado para simular un rayo, a partir de su onda
normalizada estndar (onda impulso tipo rayo 1,2/50 s), es decir, ste impulso simula el
impacto en tensin que sufrira un equipo elctrico al ser alcanzado por una onda de rayo
(sobre tensin generada por una descarga elctrica atmosfrica); Los generadores de
impulsos de tensin estn en capacidad de simular otros tipos de ondas, tales como las de
maniobra (250/2500 ms) y en general cualquier onda que se logre disear a partir del
circuito de descarga apropiado.
1
Su aplicacin es ms frecuente a nivel industrial.
101
analizar ms a fondo, adems tambin por que es la ms usada y con la que los equipos
sufren menos.
Impulso rectangular
Impulso Rampa
El impulso rampa, se caracteriza por la pendiente tan lineal como sea posible; al llegar a su
valor mximo tiene una pendiente de cada abrupta. La pendiente de subida es la relacin
102
entre el valor mximo de tensin y el tiempo que tarda en alcanzarlo desde un cero virtual
como puede apreciarse en le figura.
U
S = MAX
td
Dos tipos de ondas son los mas utilizados para la medicin de impulsos de voltaje; el
primero, mostrado en la figura 4.33, es el llamado impulso de tensin tipo Rayo, que tiene
valores normalizados de tiempo de frente y de cola de 1,2/50 s; mientras que el impulso
de onda tipo switcheo o maniobra, mostrado en la figura 4.34, tiene valores de tiempo de
250/2500 s de frente y cola, respectivamente.
Por razones ms histricas que tcnicas, para dar un valor al tiempo de frente es necesario
trazar una recta entre el 30 % y el 90 % (recta AB de la figura 4.33)del valor del pico de
tensin, la cual se prolonga hasta interceptarla con el eje de tiempo, de tal manera se
consigue el cero virtual, y por el otro lada se intercepta con el pico mximo de tensin, el
tiempo entre estos dos puntos es llamado tiempo de frente o de subida; El tiempo de cola es
el tiempo entre el creo virtual y el momento en que se llega al 50 % del pico de la seal
(punto C de la figura 4.33).
103
Figura 4.34 Impulso de tensin de doble exponencial, tipo maniobra.
En este caso como los tiempos son mucho ms amplios que en el anterior caso, no es
necesario construir la recta AB como en el caso del impulso tipo rayo, simplemente el
tiempo de subida, que en este caso se conoce como tcr, es el tiempo entre el punto donde
arranca (cero) la seal y el valor mximo, y el tiempo de cola th, es el tiempo entre el cero y
el momento en el que la onda alcanza la mitad del valor mximo en su bajada, tal y como se
aprecia en la figura 4.34.
Para la generacin de los impulsos de tensin pueden usarse dos tipos de configuraciones, a
saber:
Configuracin 1
104
Configuracin 2
Los dos circuitos mostrados, en las figuras anteriores, son utilizados para obtener, impulsos
de voltaje de tipo doble exponencial. El capacitor llamado Cs, se carga gracias a una
resistencia de carga que esta alimentada por una fuente de voltaje directo U0; y la descarga
se realiza cuando el gap se enciende; el voltaje aparece sobre el capacitor Cb1.
Los valores de los elementos del circuito determinan la forma de la onda del impulso de
tensin, y se seleccionan de acuerdo a la siguientes consideraciones; el tiempo de subida
(tiempo corto) es el tiempo requerido para cargar a Cb, luego su constante de tiempo esta
dada como: = Rd Cb; y el tiempo de descarga (tiempo largo) se logra s Re >> Rd.
El anterior proceso es igual para las dos configuraciones anteriores. La forma de onda
entregada por cualquiera de estos circuitos, viene dada por la siguiente expresin general:
t t
U0 T T
u (t ) = 1 2 e T1 e T2
Rd C b T1 T2
1
Es el condensador del generador Cs debe ser alrededor de 10 veces mayor que la capacidad del objeto
de prueba (COUT). Esto con el propsito de que pueda almacenar suficiente carga para producir el impulso de
tensin sobre el objeto de prueba.
2
El nivel de tensin U0, esta dado por la separacin del gap.
3
Que no se muestran en los circuitos ya que no hacen parte del circuito generador de los impulsos.
105
Y difiere entre uno de otro por el valor de las constantes de tiempo que son determinadas, a
su vez, por los valores de los elementos. Para el primer circuito, se tienen las siguientes
expresiones para T1 y T2:
T1 = Re (C s + Cb )
C s Cb
T2 = Rd
C s + Cb
T1 = (Re + Rd ) (C s + Cb )
Rd Re C s Cb
T2 =
Rd + Re C s + Cb
Este es uno de los mtodos ms utilizados en la generacin de impulsos de alto voltaje. Fue
propuesto por Marx1. Consiste en generar impulsos en cascada donde los condensadores se
cargan en paralelo y se descargan en serie. El montaje tpico es el que muestra lasiguiente
figura.
1
Este generador es comnmente conocido como generador Marx.
106
en una forma de onda doble exponencial, el transformador con el que se cuenta tiene las
siguientes caractersticas:
Figura 4.38 Esquema de conexiones del transformador de alta tensin disponible en el Laboratorio
docente de la Universidad Nacional de Colombia.
Prim U X V
u x v u x v u x v
Sek
GND 50 kV 00 kV 50 kV GND 50 kV 100 kV 50 kV GND
Uk % - 4.8 10 4.8 - 4.8 10 4.8 -
Datos de placa
Prftransformator
107
4.5 GENERACIN DE IMPULSOS DE CORRIENTE
Los impulsos de corriente son utilizados gracias a las caractersticas propias que se
relacionan con ellos, como son las grandes fuerzas y altas temperaturas; simulando de esta
manera corrientes de rayo y de corto circuito utilizados para pruebas de equipos que en su
operacin normal estn expuestos a fenmenos como los antes mencionados.
El circuito para generar una onda de corriente de impulso corresponde a una conexin en
serie de un condensador cargado a un voltaje inicial, una bobina y una resistencia. Adems,
debe contar con un interruptor que soporte la energa descargada por los condensadores y
que acte de manera casi instantnea (gaps de aire).
di 1 t
L + R i + i dt U 0 (t 0 ) = 0
dt C to
d 2i di 1
L 2 + R + i = 0
dt dt C
UC(0+) = Uo
I(0+) = Io
108
Cuya solucin es:
2
R R 1
S1, 2 =
2 L 2 L L C
R 1
= ,W0 = ,Wd = W0 2
2
2 L L C
S 1, 2 = 2 W0
2
i (t ) = A1 e S1t + A2 e S 2t
i (t ) = e t ( A1t + A2 )
Dado que es ms fcil cargar el condensador que forma parte del circuito, se considera que
slo se almacena energa en este elemento, es decir, el circuito tiene las siguientes
condiciones iniciales:
Uc(0+) = Uo
I(0+) = 0
La respuesta para cada caso, considerando las anteriores condiciones iniciales, est dada
por:
109
i (t ) = A e S 1t + A e S 2t
i (t ) = A e t sen(Wd t )
i (t ) = A t e t
A continuacin se muestran las curvas de cada tipo de respuesta de un circuito RLC serie,
con condiciones iniciales en el condensador Uc(0+)=Uo.
110
El nivel de voltaje que soporta cada uno de los condensadores
El tiempo de carga de la configuracin de los condensadores
La distribucin del campo elctrico sobre la topologa de la configuracin de los
condensadores.
El banco de condensadores consta de dos niveles, superior e inferior. En cada nivel hay seis
condensadores en parejas que permiten la utilizacin de uno solo o el equivalente en
paralelo y la conexin en serie de las parejas.
111
Figura 4.43 Grfico de la respuesta del circuito de la configuracin 3 y sus caractersticas.
112
Como puede apreciarse el laboratorio permite muchas configuraciones y otras ms que no
estn ac listadas.
Figura 4.46 Circuito de montaje del laboratorio de Impulsos de corriente aplicable al laboratorio
docente de la Universidad Nacional de Colombia. Capacidad equivalente 6 uF.
140000 + 202.6
a= = 692
202.6
Simulando el circuito RLC bsico, manteniendo constante las magnitudes de dos de sus
constantes y variando la magnitud del otro, se analiza la onda de corriente resultante para
determinar la influencia de cada elemento en la sensibilidad de la respuesta del circuito a la
variacin de los parmetros mencionados.
113
Si se mantienen constantes los valores de L y C, y se vara la resistencia (R) del circuito, el
pico de la onda disminuye fuertemente. En cambio los tiempos de frente y de cola no sufren
cambios dramticos, tal y como se aprecia en la siguiente figura.
114
Manteniendo constantes L y R y variando la magnitud de la capacitancia, el pico de la onda
aumenta, el tiempo de cola se incrementa de manera significativa y el tiempo de frente
ligeramente como se muestra en la figura 4.47.
115
116
5 MEDICIONES EN ALTA TENSIN
Al igual que la generacin de alta tensin que para mejor entendimiento se divide en
generacin de a.c., d.c. y de impulsos, as mismo es necesario reconocer que dispositivos
permiten hacer las mediciones respectivas, dependiendo del fenmeno bajo estudio.
Los dispositivos que acontinuacin se describen pueden usarse para medir tensiones a.c
dentro del ancho de banda que cada dispositivo posee, sin embargo pueden usarse para la
medicin de impulsos, aunque las consideranciones para mediciones de impulsos se har
ms adelante.
Este tipo de divisor consta de una capacidad de alta tensin en serie con una capacidad de
baja tensin como se muestra en la figura 5.1.
1
X c2 j C2 C1
V2 (t ) = V1 (t ) = V1 (t ) = V1 (t )
X c1 + X c2 1 1 C1 + C 2
+
j C1 j C 2
117
V2 (t ) C1
RT = =
V1 (t ) C1 + C2
Para obtener un voltaje V2 cuya magnitud pueda ser medida con instrumentos
convencionales, la reactancia de C1 debe ser mayor que la de C2, para que la mayor parte de
la tensin caiga en la capacidad C1, esto se consigue C1 < C2, por lo que para construir C1
se hace un montaje de varias capacitancias en espiral como lo muestra la siguiente figura:
Figura 5.2 Montaje fsico de las capacitancias, para construccin de una capacitancia de alta
tensin.
La configuracin del montaje en la figura 5.2 crea varios nodos con alta tensin, los cuales
al interactuar con las paredes de su encapsulado y entre ellos mismos, crean capacidades de
dispersin a tierra y capacidades internodales que causan fugas de corriente. Un modelo
aproximado se muestra en la figura 5.3, en donde la corriente que circula por C2 es menor
que la corriente que entra al divisor, y por lo tanto, la consideracin de RT es errnea.
Otro aspecto que se debe tener en cuenta con este tipo de divisores es que la inductancia del
montaje no puede ser despreciada porque estas pueden ocasionar reflexin de ondas.
118
Figura 5.3 Capacidades externas presentes en los divisores capacitivos.
119
R2
V2 (t ) = V1 (t )
R1 + R2
V2 (t ) R2
RT = =
V1 (t ) R1 + R2
Para obtener un voltaje V2 cuya magnitud pueda ser medida con instrumentos
convencionales, la resistencia R1 debe ser mayor que R2, para que la mayor parte de la
tensin caiga en la resistencia R1.
El objetivo del divisor es obtener un voltaje que mantenga los tiempos de las seales
desconocidas. Luego en muchos casos ste divisor resulta imprctico, por los diferentes
inconvenietes intrinsecos a l mismo, como el hecho de que R1 este conformado por varias
resistencias conectadas en serie, y al igual que el divisor capacitivo, presentan fugaz de
corriente a travs de las capacidades de dispersin a tierra, y de las internodales,
provocando los mismos inconvenientes que tiene el divisor capacitivo.
120
Figura 5.6 Divisor resistivo compensado.
121
5.1.4 Divisor capacitivo amortiguado
122
s K +1
C2
V2 (t ) = V1 (t )
(s K + 1) (C1 + C2 )
C1 C2
V2 (t ) C1
RT = =
V1 (t ) C1 + C2
Los anteriores divisores son los ms usados sin embargo existen otros dispositivos de
medida que pueden ser usando evaluando la situacin de cada aplicacin, a saber:
Este mtodo de medicin basa su funcionamiento en que la corriente que circula sobre una
impedancia serie de alto valor resistivo que puede ser leda mediante un aparato de bobina
mvil. La medida por impedancia serie, se ilustra en las figuras 4.8 a y b.
(a) (b)
Figura 5.8 Circuitos de medida para Impedancia serie.
En la anterior figura, Z debe ser de valor muy alto y conocida con el fin de calcular U, con
la ley de Ohm.
123
peligroso para los operarios. Para evitar esto se debe colocar un descargador en paralelo
con el ampermetro, esto se ilustra en la figura 5.9a.
Debido a que fsicamente esta impedancia esta conformada por varias resistencias en serie
(ver figura 5.9b), tambin se presentan problemas de capacitancias a tierra y capacitancias
internodales, por consiguiente fugas de corriente, tal como lo ilustra la figura 5.10a.
(a) (b)
Figura 5.9 (a) Conexin de un descargador de gas, para proteccin de operarios y equipos, (b)
esquema fsico del circuito Impedancia serie.
Una de las desventajas de este mtodo de medicin es que no es lineal con la frecuencia.
124
(a) (b)
Figura 5.10 (a) Corrientes de fuga por dispersin en un sistema de medida Impedancia serie, (b)
Correccin de las fugas de dispersin colocando una capacitancia mayor que las capacitancias de
dispersin.
En ste tipo de arreglo tambin es necesario poner descargadores de gas, como en el caso
anterior, para la proteccin de operarios y equipos.
I = CV
El valor efectivo puede ser medido con un aparato de hierro mvil. Si la medida contiene
armnicos aparecen errores:
125
2 2 2 2
V = V1 + V3 + V5 + ... + Vn
2 2 2
I = I 1 + I 3 + ... + I n
I =C (1 V1 )2 + (3 V3 )2 + (5 V5 )2 + ... + ( n Vn )2
I = i C V1 + 9 V3 + 25 V5 + ... + n 2 Vn
2 2 2
En este medidor la fuerza F(t) acta sobre los electrodos y maniobra un eje o pivote central
el cual posee un espejo el cual reflecta el rayo de luz, que se le proyecta, para la indicacin
ptica, y midiendo el ngulo de refleccin se tiene una medida indirecta y proporcional al
nivel de tensin.
Estos instrumentos se caracterizan por su alta resistencia y pequea capacidad, es muy til
para medir a muy altas frecuencias y su principal ventaja es que no tiene los inconvenientes
de un circuito elctrico dentro del sistema de medida.
Su mximo inconveniente es que para muy altas tensiones d debe ser muy grande para
evitar disrupciones y no interferir en la medida.
126
5.1.8 Espintermetro de esferas
Este mtodo es uno de los ms utilizados para medir alta tensin a.c., d.c. e impulsos. Su
funcionamiento se basa en el fenmeno de la produccin de descargas entre esferas. En este
medidor la tensin de disrupcin es proporcional a la separacin entre los electrodos (dos
esferas metlicas de igual radio), de manera que si conocemos la separacin de los
electrodos se puede inferir el nivel de tensin en el electrodo a alta tensin. La figura 5.13
muestra el esquema de un Espintermetro de Esferas.
Este tipo de medida es posible por que la tensin disruptiva es lineal con la separacin de
las esferas.
Para mejorar la medicin, la distancia (S) entre los electrododos no debe superar el radio de
las esferas S < R, para garntizar que el campo elctrico entre las esferas es suficientemente
homogneo.
Esta clase de aparatos presenta la ventaja de su alta precisin de medicin (error probable
aproximado 3 %) y su montaje es sencillo.
Aunque tiene muchas aplicaciones, su uso ha estado ms ligado con calibraciones, tiene
como desventajas, primero que las esferas son costosas, segundo, interrumpe el circuito
cuando se presenta la descarga, y tercero, el voltaje debe ser corregido por la densidad de
aire.
127
5.2 MEDICIONES EN ALTA TENSIN D.C.
Para la medicin de tensiones d.c. se debe tener en cuenta que los capacitores se comportan
como circuito abierto, razn por la cual no se pueden usar para stas aplicaciones los
siguientes sistemas de medida: [1] Divisor capacitivo, [2] Divisor capacitivo amortiguado y
[3] Capacitancia serie, otros como Impedancia serie, puede usarse pero su nombre cambia,
aunque no su principio, el cual es conocido como resistencia serie, el resto de los sitemas de
medida puede aplicarse para la medicion de tensiones d.c., los que a continuacin se listan,
no pueden ser usados para la medicin de tensiones a.c.
Su funcionamiento se basa en el hecho que para cada nivel de tensin o de campo elctrico
se producirn un determinado numero de disrupciones entre las esferas (electrodos
flotantes), es decir contando el nmero de disrupciones por unidad de tiempo se puede
hallar el nivel de tensin.
C
V =i
t
Si la variacin de la capacitancia se hace en forma sinusoidal obtendremos una corriente
sinusoidal a partir de una tensin d.c.
Consiste en tres placas que forman dos condensadores en serie. Una de las placas esta mas
separada de la otra para obtener capacitancias diferentes. El objetivo es obtener una
capacitancia pequea en donde caiga la mayor parte de la tensin y otra capacitancia grande
donde se pueda obtener una tensin tal que se pueda hacer la medida con un instrumento
convencional.
La capacitancia se vara a parir de dos placas, una fija y la otra la hace girar un motor. Para
que la corriente sea sinusoidal, las placas deben tener forma de lemniscata.
128
5.3 MTODOS PROBABILISTICOS PARA DETERMINAR LA TENSIN DE
DISRUPCIN
Este mtodo consiste en hacer pruebas a varios niveles de tensin, desde un nivel de tensin
con probabilidad de disrupcin cero, hasta un nivel de tensin con probabilidad 1 (100 %).
La grfica de probabilidad de estas pruebas sigue una distribucin normal, tal como lo
muestra la siguiente figura.
Debido a que en la grfica anterior, es difcil trazar una lnea de tendencia con bastante
exactitud, en la prctica para hallar el V50% disruptivo se linealiza la grfica de probabilidad
utilizando papel probabilstico normal o transformando la variable x a la variable
normalizada z.
129
La funcin del comportamiento disruptivo depende de la polaridad, la geometra de los
electrodos, la forma de onda y las condiciones ambientales atmosfricas1, siendo estas
ultimas muy importantes. Otro factor que hay que tener en cuenta es el tiempo entre prueba
y prueba ya que es necesario que el medio donde ocurra la disrupcin, se regenere y adopte
las condiciones iniciales que tuvo la prueba anterior.
1( x ) 2
1
( , s , x ) = e 2 s s
dx
2 s
Donde:
: Valor Medio
s : Desviacin Estndar
x : Valor determinado de la medida
El hecho de que la escala represente la distribucin normal implica que toda funcin de
probabilidad normal aparecer como una lnea recta.
Hallar la desviacin estndar de las muestras est basado en el hecho de que entre -s y
+s hay un 68 % de probabilidad, por tanto desde - hasta -s hay un 16 % de
probabilidad, al igual que de +s hasta +. Vease figura 4.15.
1
presin absoluta, humedad relativa, temperatura, circulacin de aire.
130
5.3.1.1.1 Ejemplo de linealizacin usando papel probabilstico
Se realiz la prueba con 5 niveles de voltaje, haciendo 10 pruebas en cada nivel, hallar el
nivel de tensin 50 % disruptivo (V50%). Los resultados fueron los siguientes:
Donde,
- No disrupcin x Disrupcin
Los anteriores datos obtenidos son graficados en el papel probabilstico, en una grfica Pv
vs. V, se hace una aproximacin lineal con los datos obtenidos, y el valor de tensin
correspondiente a una probabilidad de 0,5, es el que se conoce como nivel de tensin 50 %
disruptivo (V50% ), que para ste caso es el nivel de tensin 3 (V3)
Este mtodo de linealizacin se basa en el hecho de que para una funcin de probabilidad
f(x), que sige una distribucin normal, la grfica z contra x es una lnea recta.
P(V1) = 0,2 P(V2) = 0,3 P(V3) = 0,5 P(V4) = 0,7 P(V8) = 0,8
Utilizando una tabla estadstica, por cada valor de probabilidad buscamos su respectivo
valor z.
x P(x) z
V1 0,2 -0,84
V2 0,3 -0,53
V3 0,5 0
V4 0,7 0,73
V5 0,8 0,84
Graficando z contra x y uniendo los puntos, se tiene aproximadamente una lnea recta. Para
calcular el voltaje cincuenta por ciento disruptivo (V50%), se ubica en la grfica la tensin
correspondiente a z = 0.
131
En la normalizacin al valor +s le corresponde un valor de z de 1 y a -s un valor de 1;
al ubicar el voltaje correspondiente a z = 1, se tiene el valor +s, conociendo que es
(V50%), se puede hallar la Desviacin Estndar (s).
Al igual que en el mtodo anterior, las pruebas se hacen entre un nivel de tensin con
probabilidad de disrupcin cero, hasta un nivel de tensin con probabilidad 100 %.
Despus de realizar todas las pruebas se obtiene una grafica como la siguiente:
7
6
Nivel de tensin
5
4 No disrupcin
3 Disrupcin
2
1
0
0 10 20 30
No. de intentos
m
k i Vi
V50% = i =1
m
Donde,
Vi : Nivel de tensin i
132
ki : Nmero de veces que se hace la prueba a la tensin i
m : Total de pruebas que se hacen sin contar las pruebas que se hagan en el nivel uno de
tensin
La seal de los divisores entra al osciloscopio por medio de un cable coaxial, y es a partir
de la seal que se observa en el osciloscopio, que se hace la interpretacin del fenmeno,
luego es importante garantizar que en los acoples no se est distorsionando la informacin.
Bajo ste objetivo, el cable de medida no se debe colocar directamente al osciloscopio ya
que la diferencia de impedancias puede ocacionar reflexiones de onda que si no son bien
conocidas o identificadas pueden ocacionar errores de medida, esto ocurre por que la
impedancia de entrada del osciloscopio (una resistencia de 1 M en paralelo con un
capacitor de 20 pF, para el caso de los osciloscopios Tektronix) es mucho mayor que la del
cable coaxial (50 75 ) para corregir ste error se acopla una impedancia Z0 de igual
valor a la impedancia del cable, este hecho se puede observar en la siguiente figura.
Cuando se trata de medir corrientes, se debe tener especial cuidado, ya que es un parmetro
realmente complicado de medir, los mtodos ms usuales usan la medicin de la caida de
tensin sobre una resistencia conocida, la cual conocida como resistencia shunt. Una shunt
tiene baja resistencia y puede soportar altas corrientes, y como ya se sealo su principal
aplicacin es para la medicin de corrientes, por lo tanto su construccin sigue especial
133
cuidado con la geometra, con el fin de disminuir las inductancias para no ofrecer
impedancia adicional a la seal de corriente a travs de ella, y de sta manera garantizar un
amplio ancho de banda y respuesta lineal; Existen dos tipos de Shunt, a saber,
Como el espacio entre el tubo interno y el cilindro intermedio es libre de campo magntico,
el dispositivo es de carcter lineal, pero por efecto pelicular se limita el ancho de banda al
retardarse la propagacin de la onda de corriente a travs de la seccin del tubo resistivo,
(tubo intermedio).
El efecto pelicular es el principal causante de que la shunt tenga un ancho de banda alto o
bajo. Este efecto hace que la carga elctrica circule inicialmente por la superficie externa
generando, subsecuentemente, campo magntico que penetra dentro del tubo al tiempo con
la densidad de corriente.
Ahora en lugar de una lmina tubular se utilizan varias de bronce para conducir la corriente
que retorna por el tubo exterior de bronce, soldando estas a los dos discos laterales. A
diferencia de la Shunt tubular coaxial, el modelo de la resistencia Shunt jaula de ardilla
incluye los efectos inductivos producidos por la presencia de espacios entre las varillas
(Lm).
134
Figura 5.18 Circuito equivalente de una resistencia Shunt jaula de ardilla.
Por la variacin rpida del campo se crean oscilaciones electromagnticas que por un
apantallamiento insuficiente causan seales de ruido y distorsionan la seal de medida.
Se parte del hecho que un dielctrico es un material aislante que puede ser polarizado a
nivel atmico, un material es polarizado si las cargas negativas y positivas se separan
ligeramente formando dipolos.
135
Figura 5.19 Polarizacin del dielctrico de un condensador al soimeterlo a alta tensin. E0, es el
campo elctrico externo resultado de la tensin aplicada, Ei, es el campo interno, en sentido
contrario al aplicado, el cual es producido por la polarizacin del material dielctrico.
Cuando se desconecta la fuente, el campo elctrico permanece entre las placas del
condensador y su efecto neto sobre el dielctrico es la formacin de una densidad de carga
superficial positiva i sobre la cara inferior del dielctrico y una densidad de carga negativa
-i sobre la cara superior, Vease figura 5.20.
Esta alineacin parcial de los dipolos producen un campo elctrico interno Ei que se opone
al campo elctrico externo E0 ocasionando una reduccin del campo original E.
ETOTAL = E0 Ei
A partir de esto podemos tener una relacin entre el campo elctrico externo E0 y la
densidad de carga de las placas del condensador
136
q
E0 = =
o A 0
Y el campo interno Ei asociado es:
qi
Ei = =
A
Dado como la densidad de carga sobre el dielctrico, entonces se tiene que el campo
presente es:
ET =
o r o
Demostrando as que el campo elctrico con dielctrico, es menor que el campo elctrico en
vaco (o en aire), pues r siempre es mayor que 1.
El modelo real de un condensador est constituido por un condensador y una resistencia (se
desprecia la inductancia) que pueden representarse en una configuracin serie o paralelo
dependiendo de la frecuencia y mediante las cuales se puede definir el factor de prdidas o
comnmente conocido como tan .
1
Para mayor informacin revisar capitulo 1 numerales 1.2, 1.4, 1.5 y 1.6.
137
La medida de los condensadores de prueba que se utilizan en el laboratorio, no se realiza
directamente con un multmetro (en la funcin de capacitancias), ya que los multmetros
tienen una fuente de impulsos, que alteran la medida, puesto que la reactancia capacitiva
propia del condensador depende de la frecuencia de estos impulsos.
Haciendo un anlisis sencillo de circuitos se puede establecer una relacin entre las
impedancias Zs, Z2, Z3 y Z4, as:
I1 Z S = I 2 Z 2
I1 Z 3 = I 2 Z 4
I1 Z 2
=
I2 ZS
I1 Z 4
y =
I2 Z3
138
Z2 Z4
=
Z S Z3
Z S Z 4 = Z 2 Z3
j j R3
R3 (R4 C 4 j )
Z C2 C2
ZS = Z3 2 = ZS =
Z4 j R4 j R4
R4 C 4 j
R3 R 4 C 4 R3 R3 R 4 C 4 R3
j j
C2 C2 C2 C2
ZS = ZS =
R4 R4 R4
R3 C 4 R3
ZS = j
C2 R4 C 2
1
Cmo: Z S = RS j
CS
Entonces:
R3 C 4 R4 C 2
RS = y Cs =
C2 R3
139
BIBLIOGRAFA
1 ROMN C., Francisco J., FORERO C., Luis M. Notas de clase Aislamiento Elctrico
primer semestre 2004.
2 ROMN C., Francisco J., FORERO C., Luis M. Notas de clase Aislamiento Elctrico
segundo semestre 2004.
140