CARRERA: INGENIERIA INDUSTRIAL

MATERIA: ELECTRONICA ANALOGICA

PROFESORA: IRMA SALINAS

GRUPO: 411-A

INTEGRANTES:

PAULINA SNCHEZ MARTNEZ

JOSEPH ISIDRO RAMOS MONTESINOS

LUIS ENRIQUE MARTNEZ RAMREZ

MARIO CRIGO HERNANDEZ

 ELECTRONICA ANALOGICA

NDICE
Contenido
INTRODUCCIN ................................................................................................................................... 2
OBJETIVO ............................................................................................................................................. 3
HIPOTESIS ............................................................................................................................................ 3
ACTIVIDAD 1 ........................................................................................................................................ 4
CARACTERSTICAS DE TRANSFERENCIA ............................................................................................... 5
CARACTERSTICAS DEL DRAIN ................................................................................................. 7
CONCLUSION ....................................................................................................................................... 8
ANEXOS ............................................................................................................................................... 8

ELECTRONICA ANALOGICA 411-A

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INTRODUCCIN

Los transistores de efecto de campo o mejor conocidos como JFET tienen como
objetivo esencial el control de la corriente que fluye a travs de sus terminales. El
JFET est constituido por un bloque de silicio de tipo N con un anillo incrustado de
tipo P. El bloque es denominado el cuerpo y a este estn unidas terminales que
llevan por nombre drenador(drain) y fuente(source). Por otra parte, el anillo(gate),
que es otra terminal ayuda a controlar la corriente que pasa a travs del transistor.

El JFET cuenta con los canales NPN; en el canal N los portadores de corriente son
electrones libres; mientras que en P los portadores de carga son huecos.

En cuanto a la polarizacin de cada uno de sus componentes, El terminal de drain

se polariza positivamente con respecto al terminal de fuente (Vdd) y el gate lo hace
negativamente con respecto a la fuente (-Vgg).

En esta prctica se tiene el objetivo de analizar la curva caracterstica del JFET.

Bien se sabe que la grfica resultante no es lineal; esto se debe a que las
caractersticas de transferencia son una grfica de corriente de salida (drain) en
funcin de una cantidad de control de entrada, esto ocasiona una transferencia
directa de las variables de entrada a las de salida.

Para temas del JFET es indispensable conocer la ley de Shockey, esta permite
conocer los valores de ID o VGS que permitir obtener la grfica para circuitos
simples ya que existen ocasiones en donde la obtencin de Id y VGS sern ms
complicado. Todo depende de la complejidad del circuito. Bien; para tener una idea
ms clara y visual sobre el funcionamiento del JFET se realizar un circuito que a
continuacin ser mostrado, junto con sus tabulaciones y grfica correspondiente.

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OBJETIVO

Entender el funcionamiento del transistor JFET a travs de la construccin de un

circuito y la tabulacin de los resultados.

HIPOTESIS
El transistor JFET se comporta de manera diferente al BJT esto es debido a que el
drain, el source y el gate tiene diferente funcionamiento que el colector, base,
emisor; los componentes del BJT.

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ACTIVIDAD 1
El objetivo de esta actividad consiste en conocer el funcionamiento del transistor
JFET; para esto se construy el siguiente circuito:

Con la ayuda del software tina se logra simular y se obtiene como resultado:

Como primera parte; se coloc la unin VDS a 4 volts, y despus se prosigui

a medir VDD que arrojo un valor de 7.6 Volts
Ahora se prosigui a realizar una tabulacin para VDS=4 VOLTS y VDS=5
volts. Con base a estos valores se midi VGS e ID. Los resultados obtenidos
fueron los siguientes:

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CARACTERSTICAS DE TRANSFERENCIA
VDS=4V VDS=8V
VGS(V) ID(mA) VGS(V) ID(mA)

0 7.55 0 9
0.25 6.790000 0.25 8.623300
0.5 6.030000 0.5 7.839000
0.75 5.290000 0.75 6.877000
1 4.600000 1 5.980000
1.25 3.970000 1.25 5.161000
1.5 3.370000 1.5 4.381000
1.75 2.830000 1.75 3.679000
2 2.330000 2 3.145500
2.25 1.890000 2.25 2.646000
2.5 1.490000 2.5 2.086000
2.75 1.130000 2.75 1.582000
3 0.827000 3 1.157800
3.25 0.569690 3.25 0.797566
3.5 0.366000 3.5 0.512400
3.75 0.198290 3.75 0.277606
4 0.184400 4 0.258160
4.25 0.184200 4.25 0.368400
4.5 0.126800 4.5 0.253600
4.75 0.129300 4.75 0.258600
5 0.013180 5 0.026360
5.25 0.013430 5.25 0.053720
5.5 0.013680 5.5 0.054720
5.75 0.013930 5.75 0.055720
6 0.014180 6 0.056720
30 0.003818 30 0.007636

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A continuacin, se muestra el resultado de la grfica.

GRAFICA 1. CARACTERISTICAS DEL DRAIN

VGS=0V VGS=-2V VGS=-1V

5
ID(mA)

0
0 2 4 6 8 10 12
VDS(V)

Ahora con el mismo circuito que ya se tiene se cambian los valores de VGS a 0 volts
ajustando nicamente el voltaje de alimentacin VGG y la tensin de alimentacin
VDD para que se vean los cambios de VDS con incremento de 0.5 volts en cada
medicin. Este mismo procedimiento ser realizado para VGS =-1V Y VGS=-2V
Aqu lo que se pretendi conocer fue la corriente ID cada 0.5 volts. A continuacin,
se muestran los resultados.

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CARACTERSTICAS DEL DRAIN

VGS=0V VGS=-1V VGS=-2V
VDS(V) ID(mA.) VDS(V) ID(mA.) VDS(V) ID(mA.)
500mV. 1.59mA. -3e-18V 1.18pA. 0V 2.18pA.
1 2.99 0.5 1.21 0.5 0.836
1.5 4.21 1 2.29 1 1.49
2 5.25 1.5 3.08 1.5 1.95
2.5 6.11 2 3.79 2 2.23
3 6.78 2.5 4.22 2.5 2.32
3.5 7.26 3 4.5 3 2.33
4 7.55 3.5 4.6 3.5 2.33
5 7.67 4 4.6 4 2.33
6 7.7 5 4.62 5 2.34
7 7.73 6 4.64 6 2.35
8 7.76 7 4.66 7 2.36
9 7.79 8 4.68 8 2.37
10 7.82 9 4.7 9 2.38

Por ltimo; para entender el comportamiento del JFET en este circuito, se procedi
a graficar las caractersticas del drain. Aqu se coloc a VDS en el eje de las X y a
ID en el eje de las Y. Este orden viene dado por convencin.
A continuacin, se muestra el resultado de la grfica.

CARACTERISTICAS DE TRANSFERENCIA
"VDS=4V "VDS=8V"

10
9
8
ID(mA)

7
6
5
4
3
2
1
0
-7 -6 -5 -4 -3 -2 -1 0
-VGS(V)

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CONCLUSION
Adems de la curva de transferencia se necesit acudir a las hojas de
especificaciones, esto con la finalidad de manejar las cantidades correctas del IDSS
y del VGS (corte) y no afectar el circuito, gracias a estos datos se pueden calcular
ID y el valor de VGS, para esto se observaron las variaciones del IDSS cuando
VGS=0 y el valor de VGS(corte) cuando ID=0.
Con la prctica nos pudimos percatar que siempre que se desee realizar un circuito
con un dispositivo JFET es necesario desarrollar una curva de transferencia ya que
en sta tal como su nombre lo dice se transfiere la corriente (ID) por el drenador
JFET al variar el VGS , la corriente que circula por el drenador depende de la tensin
que se presente en su camino entre el Source y el Gate. La curva que se forma con
los circuitos anteriores es parablica, llega a ser aproximada a una ecuacin
cuadrtica, como ya se vio en clase la conocemos como la Ecuacin de Shocley:

= (1 )2
()

ANEXOS

Imgenes de trabajo en equipo.

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