UNIVERSIDAD POLITCNICA SALESIANA, Michael Torres, etorres@est.ups.edu.ec.

AMPLIFICADORES DE PEQUEA SEAL CON TRANSISTOR

BJT

PRACTICA N- 3

Michael Torres

etorres@est.ups.edu.ec
UNIVERSIDAD POLITCNICA SALESIANA

El transistor se ha convertido en el dispositivo ms

Resumen: En este informe se detalla la realizacin de la
tercera prctica de laboratorio de Electrnica Analgica
II, en esta prctica se van a realizar algunos circuitos que
funcionan como amplificadores de seal, basndonos en
el usos del transistor BJT, adems ingresando una seal
tendremos una amplificacin, observaremos y
comprobaremos el funcionamiento de cada configuracin
ya que cada uno presenta caractersticas especiales.
empleado en electrnica, a la vez que se han ido
incrementando sus capacidades de manejar potencias y
frecuencias elevadas, con gran fiabilidad. (No existe
desgaste por partes mviles).
Los transistores son dispositivos activos con
caractersticas altamente no lineales.

OBJETIVO

1) Disear calcular y comprobar el funcionamiento,

Fig. 1. Direccin de las corrientes de un transistor NPN.
de los siguientes amplificadores BJT.
- Efecto Transistor: el transistor es un dispositivo cuya
a) Emisor comn, con y sin Ce, con una
resistencia interna puede variar en funcin de la seal de
ganancia Av= 40, Fc=1kHz, RL=1k.
entrada. Esta variacin de resistencia provoca que sea
capaz de regular la corriente que circula por el circuito al
b) Colector comn, con y sin Cb, de ganancia
que est conectado.
A=1, Fc=1kHz, RL=1k.
Es un dispositivo de tres terminales, equivalente a dos
c) Base comn con y sin Condensador, de
diodos PN unidos en sentido opuesto. (Emisor, Base y
ganancia A=10, Fc=1kHz, RL=1k.
Colector). En funcin de la situacin de las uniones,
existen dos tipos: NPN y PNP. La unin correspondiente
2) Disear, calcular y comprobar el
a la Base-Emisor, se polariza en directa; y la Base-
funcionamiento de un circuito generador de
Colector en inversa. As, por la unin
onda diente de sierra.
MATERIALES

Resistencias. Base-Colector circula una corriente inversa. En NPN, la

Multmetro. regin de emisor tiene mayor dopaje que la base.
protoboar.
Osciloscopio.
Generador de funciones.
Transistor JFET, BJT.

MARCO TEORICO

Los transistores de unin bipolares, son dispositivos de

estado slido de tres terminales, ncleo de circuitos de
conmutacin y procesado de seal.
Fig. 2. Tipos de dopaje de transistores.

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- El emisor ha de ser una regin muy dopada (de
ah la indicacin p+). Cuanto ms dopaje tenga el emisor,
mayor cantidad de portadores podr aportar a la corriente.
- La base ha de ser muy estrecha y poco dopada,
para que tenga lugar poca combinacin en la misma, y
prcticamente toda la corriente que proviene de emisor
pase a colector.
Polarizacin de transistor BJT:
-Divisor de voltaje: El beta de los transistores BJT es
sensible a las temperaturas, mientras se obtuvo un circuito
de polarizacin que es independiente de la beta del
transistor.

- El colector ha de ser una zona menos dopada que

el emisor. Las caractersticas de esta regin tienen que ver
con la combinacin de los portadores que provienen del
emisor. [1]

Zonas de trabajo del transistor BJT:

-Zona de Corte:
Cuando el transistor se encuentra en corte no circula
corriente por sus terminales. Concretamente, y a efectos Fig. 4. Configuracin de polarizacin por medio del
de clculo, decimos que el transistor se encuentra en corte divisor de voltaje.
cuando se cumple la condicin: = 0 < 0 (Esta
ltima condicin indica que la corriente por el emisor
lleva sentido contrario al que llevara en funcionamiento
normal). Para polarizar el transistor en corte basta con no
polarizar en directa la unin base-emisor del mismo, es
decir, basta con que = 0.

-Zona Activa:
La regin activa es la normal de funcionamiento del
transistor. Existen corrientes en todos sus terminales y se
cumple que la unin base-emisor se encuentra polarizada
en directa y el colector base en inversa.
Fig.5. Definicin del punto Q para la configuracin de
-Zona de Saturacin: polarizacin.
En la regin de saturacin se verifica que tanto la unin Ecuaciones:
base-emisor como la base-colector se encuentran en = 0.7 (1)
directa. Es de sealar especialmente que cuando el
transistor se encuentra en saturacin circula tambin = ( + 1) (2)
corriente por sus tres terminales, pero ya no se cumple la
relacin: = . = 1 2 (3)
2
= (4)
1 +2

= (5)
+(+1)

= ( + ) (6)

Ecua. 1. Voltaje base-emisor.

Ecua. 2. Corriente de emisor.
Ecua. 3. Resistencia equivalente.
Ecua. 4. Voltaje de Thvenin.
Ecua. 5. Corriente que circula en la base de la
polarizacin.
Fig. 3. Varios puntos de operacin dentro de los lmites Ecua. 6. Voltaje colector-emisor.
de operacin de un transistor.

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Anlisis AC del transistor BJT: Fig. 8. Configuracin para amplificador colector comn.
-Configuraciones de BJT: Aunque el transistor posea
nicamente tres terminales, se puede realizar su estudio
como un cuadripolo (dos terminales de entrada y dos de
salida) si uno de sus terminales es comn a la entrada y
salida:

Fig. 9. Modelo equivalente hbrido de amplificador

colector comn.
Ecuaciones:

Fig. 6. Amplificador como cuadripolo.
- Modelo equivalente hbrido:
Fig. 7. Circuito equivalente hbrido de transistor BJT.
= ()
Impedancias:
= = [] (5)
= = [] (6)
Ecua. 7. Impedancia de entrada.
Ecua. 8. Impedancia de salida.
Amplificador colector comn:
Se caracteriza por:
-Muy alta impedancia de entrada
-Muy baja impedancia de salida, una
-Ganancia de voltaje ligeramente menor a la unidad
-Ganancia de corriente alta.
Todas estas caractersticas lo hacen til como acoplador
de impedancias.
Impedancias:
=
+
=
+
=
Ganancia de voltaje:
=
+
Capacitores:
=
( + )
=
( + )
=
Amplificador emisor comn:
En este tipo de circuitos los capacitores funcionan como
interfaz entre las componentes alternas y continuas, por
lo que en ambos casos o bien se los da por circuitos
abiertos (componente continua) o cortocircuitados
(componente alterna); adems de ello las fuentes tienen
[2]
que ser controladas bajo los parmetros en los que estn
siendo analizados, para el caso de un circuito en DC las
fuentes de AC son desconectados por los capacitores que
se encuentran conectados a ellas.
El condensador de emisin se utiliza para estabilizar la
tensin de emisor . Con las variaciones de corriente de
colector se producen variaciones de tensin en , en
colector emisor y en (Resistencia de emisor). La
polarizacin del transistor es estable. El condensador
mantiene la polarizacin de emisor constante y evita la
distorsin producida por la misma tensin alterna de
entrada. [3]

Fig. 10. Modelo equivalente hbrido.

3
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Ecuaciones: 26
= = 13

Impedancias:
= = + +
=
= 15 = + 7 +
Ganancia de corriente:
= 0.5
= ( )
+
Ganancia de voltaje:
=
=

Capacitores: 15 7 = 2

= 4 =
( + )

= 2.4
( + ) = = 111.919

=
()
2 = 1( )
PROCEDIMIENTO

1 = ( )
2
15
1 = ( )111.919
2

= 839.39

2 = 1( )

3
2 = 839.39( )
15 3
fig. 11. circuito amplificador emisor comn.
2 = 209.847
CALCULOS:

AMPLIFICADOR EMISOR COMUN

CON Y SIN CONDENSADOR.
Datos:
= 15
= 2
= 7
= 7
= 1
= 373
= 1k
= 40 Fig11.Circuito equivalente emisor comn
= 373
Calculo de impedancias:
Clculos en DC:
= //

= = 5.361 = 167.877//373(0.5)

4
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= 88.349 = 2(1.6)

= = 3.2

Zout = 4 K
=
Calculo Ganancia total:

88.349
= = = 0.999
+ 88.349 + 50 3.2
=
=
40

= 40 (0.999) = 39.977
= 0.08
Calculo condensadores:

1 Tabla 1. Datos obtenidos laboratorio emisor

=
2 ( + ) comn
1 f espp Vo(p-p) t desfase Vo/espp Av (db) T
= = 1.791
2 1000 (88.349 + 50) 100 0,04 16,7 0,00236 417,5 11,3 -20,1 0,01

200 0,04 20,4 0,00104 510 15,34 -18,4 0,005

1
= 250 0,04 22,7 0,00108 567,5 18,44 -15,2 0,004
2 ( + )
500 0,04 26,3 0,00062 657,5 44,2 -8,03 0,002
1
= 1000 0,04 36,1 0,00037 902,5 51,2 -3,09 0,001
2 1000 (1 + 4)
2000 0,04 37,3 0,000212 932,5 63,1 -2,93 0,0005

= 31.830 4000 0,04 38,2 0,000116 955 78,6 -2,6 0,00025

5000 0,04 38,6 0,00006 965 80,3 -2,4 0,0002

1
= 8000 0,04 38,9 0,0000402 972,5 83,5 0,08 0,000125
2 ( )
10000 0,04 39,4 0,0000476 985 84,3 0,008 0,0001
1
= = 13.51
2 1000 (0.5 13) SIMULACION:

= 12.561

Mxima dinmica:

= //

= 4//1

= 0.8

= 2 0.8
Fig.12. amplificador emisor comn a simular.
= 1.6

= 2

5
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DISEO CIRCUITO APLIFICADOR

COLECTOR COMUN CON Y SIN
CONDENSADOR.

Fig.13. simulacin forma de onda emisor comn.

.
Fig.17.Simulacion circuito amplificador colector
comn.

Datos:
= 15
= 2
= 7
= 1
= 7
= 373
= 1k
Fig.14. diagrame de bode emisor comn. = 1

CALCULOS:

= = 5.361

26
= = 13

= + +
Fig.15. diagrama de bode emisor comn.
15 = + 7 +

= 3

15 1 = 2

7 =

=
Fig.16. simulacin desfasaje emisor comn. 1 + 2
. 15
3=
60 + 2

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2 = 15 1
= = 13.743
2 1000 (11530 + 50)
= 1//2
5
= 60//15
1
= 12 =

2 [ + ( + )] ( )

[ + ( + )] ( )

[1 + 3.5 (43.911)] (0.1340)

= 159.133

Mxima dinmica:

=
Fig18. Circuito equivalente colector comn
= //
Calculo impedancias:
= 3//1
= ( + )
= 0.775
= 12 373 (13 + 3.5 1)
= 2 0.775
= 11.530
= 1.556

= ( + )
= 2

= 1 2 = 49.792 = 2(1.6)

49.792 = 3.2
= 3.5 ( + 13)
373

= 13.083 =


Calculo Ganancia total:
=
2
11.530 = 850
= = = 0.995
+ 11.530 + 50
TABLA 1. DATOS OBTENIDOS LABORATORIO
=
C.C.
Vo( t
= 0.995 (1) = 0.995 f p-p) desfase Vo/espp Av (db) T
-
0,87 0,44 16 5,814600
Calculo condensadores: 100 5 8 0,00452 0,512 4 78 0,0099
-
0,87 0,61 16 3,048546 0,0050
1 200 5 6 0,00236 0,704 9 817 4
=
2 ( + ) -
0,87 0,65 0,749714 16 2,502084
250 5 6 0,00188 286 9 273 0,004

7
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-
0,87 0,74 0,850285 16 1,408702 0,0020
500 5 4 0,00093 714 6 35 2
-
100 0,87 0,77 0,00047 0,886857 17 1,042926 0,0010
0 5 6 6 143 0 635 1
-
200 0,87 0,78 0,00023 17 0,953839
0 5 4 8 0,896 1 807 0,0005
- Fig21.Simulacion diagrama de fase colector comn
400 0,87 0,78 0,00011 16 0,953839 0,0002
0 5 4 7 0,896 7 807 52
-
500 0,87 0,79 0,00009 0,905142 16 0,865657 0,0002 f - Vo/espp
0 5 2 4 857 6 429 04
1.00
-
800 0,87 0,00005 0,914285 16 0,778361 0,0001 0.80
0 5 0,8 88 714 8 321 26
- 0.60
100 0,87 0,00004 0,914285 17 0,778361
00 5 0,8 76 714 1 321 0,0001 0.40
0.20

SIMULACION: 0.00
0 2000 4000 6000 8000 10000 12000

Fig. 22 Grfico de frecuencia - espp

f-
100
80
60
40
20
0
0 2000 4000 6000 8000 10000 12000
Fig19.Simulacion forma de onda colector comn
Fig. 23 Grfico de frecuencia -
Diagrama Av dB:
f - Av(db)
0.00
0 2000 4000 6000 8000 10000 12000
-5.00

-10.00

-15.00
Fig20.Simulacion diagrama de bode colector comn
-20.00

-25.00
Diagrama de fase:
Fig. 24 Grfico de frecuencia Av(db)
En el colector comn no afecta en nada a la
ganancia, si se elimina al condensador del
colector, esto nos facilita ms el diseo del
clculo, obteniendo una configuracin general

8
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de la siguiente manera 10 2

AMPLIFICADOR BASE COMUN.

2
10
VCC
373 2.7
2
10
R1 RC
Co 2 91.80

2 = 82

Ci rs 2
RL =
CB
1 + 2
R2
RE Vi
82
3 = (15)
1 + 82
Fig. 25. Circuito amplificador base comn.
Datos: 1 = 1.015 1M
= 373
= 1
= 2
= 7

CALCULOS:

2
= = = 5.361
373

= ( + 1) = (341)7.53 = 2.818

25 Fig26.Circuito equivalente base comn

= = 13
2

Calculo impedancias:
=

=
1
10 =
13 = 2.7 11.87
= 134.7 150 = 11.82
- Malla de salida
+ + = 0 = 150
2 150 + 7.5 + (2) 15 = 0 Calculo Ganancia total:
= 2.519 2.7k 11.82
= = = 0.191
+ 11.82 + 50
- Malla de entrada
=
+ = 0
= 0.191 (10) = 1.91
= 3

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0.572
Calculo Condensadores: = = 0.390
1.466
1
= =
2 ( + ) 2

0.390
+ = = 0.195
2
2.7 11.87 + 50 = 60.48
Tabla 2. Datos obtenidos laboratorio base
1 comn.
= = 26.32 esp Vo(p- Vo/esp Av
2 1000 (60.48)
f p p) t desfase p (db) T
8 - 0,0100
24.7 100 1 0,264 0,00228 0,264 2 11,568 0
7 0,0050
1 200 1 0,436 0,001098 0,436 9 -7,210 0
= 7 0,0040
2 ( + ) 250 1 0,544 0,00088 0,544 9 -5,288 0
8 0,0020
1 500 1 0,984 0,00045 0,984 1 -0,140 0
= = 138.4 8 0,0010
2 1000 (1150) 1000 1 1,86 0,000224 1,86 1 5,390 0
8 0,0005
= 150 2000 1 3,52 0,000112 3,52 1 10,931 0
7 0,0002
4000 1 5,76 0,000052 5,76 5 15,208 5
1
= 7 0,0002
2 ( ( + )) 5000 1 6,24 0,00004 6,24 2 15,904 0
6 0,0001
8000 1 7,12 0,000021 7,12 0 17,050 3
( + ) 1000 0,000014 5 0,0001
0 1 7,52 4 7,52 2 17,524 0
75.79 340(11.87 + 150) = 31.88
SIMULACION:
1
=
2 1000 (31.88)

= 50

Mxima Dinmica.

=
= 2 (95.65) = 0.286

= +
= 7 + 0.286 = 7.286 Fig27.Simulacion forma de onda base comn

Diagrama Av dB
=
= 7 0.286 = 6.714

= 2
= 2 (0.286) = 0.572

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f - Av(db)
20.000

10.000

0.000
100 1000 10000
-10.000

-20.000
Fig28.Simulacion diagrama de bode base comn
Fig. 32 Grfico de frecuencia Av(db)
Diagrama fase:
Tabla 3. Datos obtenidos laboratorio base
comn sin condensador.
esp Vo(p- Vo/esp Av
f p p) t desfase p (db) T
9
100 2 0,266 0,00234 0,133 1 -17,52 0,0122
9
200 2 0,46 0,00126 0,23 1 -12,77 0,005
9
250 2 0,564 0,001 0,282 0 -11,00 0,004
8
500 2 0,98 0,000492 0,49 9 -6,20 0,002
Fig29.Simulacion diagrama de fase colector comn 8
1000 2 1,9 0,00023 0,95 3 -0,45 0,001
8
2000 2 3,52 0,000112 1,76 1 4,91 0,0005
f - Vo(p-p) 7
4000 2 5,72 0,000052 2,86 5 9,13 0,00025
8 7 0,00020
5000 2 6,24 0,00004 3,12 1 9,88 2
6 6 0,00012
8000 2 7,2 0,000021 3,6 0 11,13 6
4 1000 0,000014 5 0,00010
0 2 7,52 4 3,76 1 11,50 1
2

0 f - Vo(p-p)
100 1000 10000
8
Fig. 30 Grfico de frecuencia Vo(p-p)
6
f-
4
100
2
80
60 0
100 1000 10000
40
Fig. 33 Grfico de frecuencia Vo(p-p)
20
0
100 1000 10000

Fig. 31 Grfico de frecuencia -

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You cannot get amplification in the AC domain without

f- the application of a DC bias level.
The bias configuration means of the voltage divider has a
100 higher stability than the fixed polarization configuration,
80 but has about the same voltage gain, current gain and
output impedance.
60
40 The hybrid equivalent network about is very similar to the
model "re". So you can apply the same methods of
20 analysis.
0
100 1000 10000
CITAS WEB
Fig. 34 Grfico de frecuencia -
[1]. Teora de circuitos y dispositivos Electrnicos
f - Av(db) de Boylestad.
20.00
[1] Unicrom. (2004). Transistor Bipolar. 2016, de
10.00 Unicrom Electrnica Sitio web:
http://unicrom.com/Tut_transistor_bipolar.asp
[2] Electrnica Fcil. (2005). Transistor FET. 2016, de
0.00
Electrnica Fcil Sitio web:
100 1000 10000
http://www.electronicafacil.net/tutoriales/TRANSISTO
-10.00 R-FET.php

-20.00

Fig. 35 Grfico de frecuencia Av(db).

I. CONCLUSIONES

El punto de operacin define dnde operar el transistor

en sus curvas caractersticas en condiciones de CD. Par
amplificacin lineal, el punto de operacin de CD no
deber estar demasiado cerca de los valores nominales
(voltaje o corriente) y debern evitarse regiones las
regiones de saturacin y corte.

No se puede obtener amplificacin en el dominio de AC

sin la aplicacin de algn nivel de polarizacin de CD.
La configuracin de polarizacin por medio del divisor
de voltaje tiene una mayor estabilidad que la
configuracin de polarizacin fija, pero tiene
aproximadamente la misma ganancia de voltaje, ganancia
de corriente e impedancia de salida.

La red equivalente hbrida aproximadamente es muy

semejante al modelo . Por lo cual se pueden aplicar los
mismos mtodos de anlisis.

The operating point defines where the transistor operate

in its curves under conditions of CD. Par linear
amplification, the operating point of CD should not be too
close to the nominal values (voltage or current) regions
and regions must saturation and cut avoided.

12