CAPITULO 2 8.

Los tomos de silicio se combinan en

una estructura ordenada que recibe el
nombre de:
CUESTIONES
a) Enlace covalente
b) Cristal
1. Cuntos protones contiene el ncleo
c) Semiconductor
de un tomo de cobre?
d) Orbital de valencia
a) 1 c) 18
b) 4 d) 29 9. Un semiconductor intrnseco presenta
algunos huecos a temperatura ambiente
2. La carga resultante de un tomo neutro causados por:
de cobre es:
a) El dopaje
a) 0 c) -1 b) Electrones libres
b) +1 d) +4 c) Energa trmica
d) Electrones de Valencia
3. Si a un tomo de cobre se le extrae su
electrn de valencia, la carga resultante 10. Cada electrn de valencia en un
vale: semiconductor intrnseco establece un:
a) 0 c) -1 a) Enlace covalente
b) +1 d) +4 b) Electrn libre
c) Hueco
4. La atraccin que experimenta hacia el d) Recombinacin
ncleo el electrn de valencia de un
tomo de cobre es: 11. La unin de un electrn libre con un
a) Ninguna hueco recibe el nombre de:
b) Dbil a) Enlace covalente
c) Fuerte b) Tiempo de vida
d) Imposible de describer c) Recombinacin
d) Energa trmica
5. Cuntos electrones de valencia tiene
un tomo de silicio? 12. A temperatura ambiente un cristal de
a) 0 c) 2 silicio intrnseco se comporta como:
b) 1 d) 4 a) Una batera
b) Un conductor
6. El semiconductor ms empleado es: c) Un aislante
a) Cobre d) Un hilo de cobre
b) Germanio
c) Silicio 13. El tiempo que transcurre en la creacin
d) Ninguno de los anteriores de un hueco y su desaparicin se conoce
como:
7. Qu nmero de protones posee un a) Dopaje
tomo de silicio? b) Tiempo de vida
a) 4 c) 29 c) Recombinacin
b) 14 d) 32 d) Valencia
14. Al electrn de valencia de un conductor b) Muchos huecos
se le denomina tambin por: c) Muchos electrones libres
a) Electrn ligado d) Ni huecos ni electrones libres
b) Electrn libre
c) Ncleo 22. A temperatura ambiente un
d) Protn semiconductor intrnseco tiene:
a) Algunos electrones libres y huecos
15. Cuntos tipos de flujo de portadores b) Muchos huecos
presenta un conductor? c) Muchos electrones libres
a) 1 c) 3 d) Ningn hueco
b) 2 d) 4
23. El nmero de electrones libres y de
16. Cuntos tipos de flujo de portadores huecos en un semiconductor intrnseco
presenta un semiconductor? aumenta cuando la temperatura:
a) 1 c) 3 a) Disminuye
b) 2 d) 4 b) Aumenta
c) Se mantiene constante
17. Cuando se aplica una tensin a un d) Ninguna de las anteriores
semiconductor, los huecos circulan:
24. El flujo de electrones de valencia hacia
a) Distancindose del potencial la izquierda significa que los huecos
negativo circulan hacia:
b) Hacia el potencial positivo
c) En el circuito externo a) La izquierda
d) Ninguna de las anteriores b) La derecha
c) En cualquier direccin
18. Cuntos huecos presenta un d) Ninguna de las anteriores
conductor?
25. Los huecos se comportan como:
a) Muchos
b) Ninguno a) tomos c) Cargas negativas
c) Slo los producidos por la energa b) Cristales d) Cargas positivas
trmica
d) El mismo nmero que de 26. Cuntos electrones de valencia
electrones libres tienen los tomos trivalentes?
a) 1 c) 4
19. En un semiconductor intrnseco, el b) 3 d) 5
nmero de electrones libres es:
a) Igual al nmero de huecos 27. Qu nmero de electrones de
b) Mayor que el nmero de huecos Valencia tiene un tomo donador?
c) Menor que el nmero de huecos a) 1 c) 4
d) Ninguna de las anteriores b) 3 d) 5

20. La temperatura de cero absoluto es 28. Si quisiera producir un semiconductor

igual a: tipo p, qu empleara?
a) -273 C c) 25 C a) Atomos aceptadores
b) 0 C d) 50 C b) tomos donadores
c) Impurezas pentavalentes
21. A la temperatura de cero absoluto un d) Silicio
semiconductor intrnseco presenta:
a) Pocos electrones libres
29. Los huecos son minoritarios en un a) 0 C c) 50 C
semiconductor tipo: b) 25 C d) 75 C
a) Extrnseco c) Tipo n
b) Intrnseco d) Tipo p 36. Cuntos electrones hay en la orbital
de valencia de un tomo de silicio
30. Cuntos electrones libres contiene un dentro de un cristal?
semiconductor tipo p? a) 1 c) 8
b) 4 d) 14
a) Muchos
b) Ninguno 37. Los iones positivos son tomos que:
c) Slo los producidos por la energa
trmica a) Han ganado un protn
d) El mismo nmero que de huecos b) Han perdido un protn
c) Han ganado un electrn
31. La plata es el mejor conductor. Cul d) Han perdido un electrn
es el nmero de electrones de valencia
que tiene? 38. Cul de los siguientes conceptos
describe un semiconductor tipo n?
a) 1 c) 18
b) 4 d) 29 a) Neutro
b) Cargado positivamente
32. Si un semiconductor intrnseco tiene un c) Cargado negativamente
billn de electrones libres a la d) Tiene muchos huecos
temperatura ambiente, Cuntos
presentar a la temperatura de 75 C? 39. Un semiconductor tipo p contiene
huecos y:
a) Menos de un billn
b) Un billn a) Iones positivos
c) Ms de un billn b) Iones negativos
d) lmposible de contestar c) tomos pentavalentes
d) tomos donadores
33. Una fuente de tensin es aplicada a un
semiconductor tipo p. Si el extremo 40. Cul de los siguientes conceptos
izquierdo del cristal es positivo, en qu describe un semiconductor tipo p?
sentido circularn los portadores a) Neutro
mayoritarios? b) Cargado positivamente
a) Hacia la izquierda c) Cargado negativamente
b) Hacia la derecha d) Tiene muchos electrones libres
c) En ninguna direccin
d) Imposible de contestar 41. Cul de los siguientes elementos no
se puede mover?
34. Cul de los siguientes conceptos esta a) Huecos
menos relacionado con los otros tres? b) Electrones libres
a) Conductor c) Iones
b) Semiconductor d) Portadores mayoritarios
c) Cuatro electrones de Valencia
d) Estructura cristalina 42. A qu se debe la zona de deplexion?
a) Al dopaje
35. Cul de las siguientes temperaturas b) A la recombinacin
es aproximadamente igual a la c) A la barrera de potencial
temperatura ambiente? d) A los iones
43. La barrera de potencial de un diodo de 50. Cuando un diodo es polarizado en
silicio a temperatura ambiente es de: directa, la recombinacin de electrones
a) 0,3 V c) 1 V libres y huecos puede producir:
b) 0,7 V d) 2 mV por C a) Calor
b) Luz
44. Para producir una gran corriente en un c) Radiacin
diodo de silicio polarizado en directa, la d) Todas las anteriores
tensin aplicada debe superar:
a) 0 V c) 0,7 V 51. Si aplicamos una tensin inversa de 20
b) 0,3 V d) 1 v V a un diodo, la tensin en la zona de
deplexin ser de:
45. En un diodo de silicio la corriente a) 0V
inversa es normalmente: b) 0,7 V
a) Muy pequea c) 20 V
b) Muy grande d) Ninguna de las anteriores
c) Cero
d) En la regin de ruptura 52. Cada grado de aumento de
temperatura en la unin decrece la
46. La corriente superficial de fugas es barrera de potencial en:
parte de: a) 1 mV c) 4 mV
a) La corriente de polarizacin b) 2 mV d) 10 mV
directa
b) La corriente de ruptura en 53. La corriente inversa de saturacin se
polarizacin directa duplica cuando la temperatura de la
c) La corriente inversa unin se incrementa:
d) La corriente de ruptura en a) 1 C c) 4 C
polarizacin inversa b) 2 C d) 10 C

47. La tensin que provoca el fenmeno de 54. La corriente superficial de fugas se

avalancha es: duplica cuando la tensin inversa
a) La barrera de potencial aumenta:
b) La zona de deplexin a) 7 por 100 c) 200 por 100
c) La tensin de codo b) 100 por 100 d) 2 mV
d) La tensin de ruptura
PREGUNTAS DE ENTREVISTA DE
48. La difusin de electrones libres a travs TRABAJO
de la unin de un diodo produce:
a) Polarizacin directa Un equipo de expertos en electrnica
b) Polarizacin inversa crearon estas preguntas. En la mayora de
c) Ruptura los casos el texto proporciona informacin
d) La zona de deplexin suficiente para responder a todas las
preguntas. Ocasionalmente usted puede
49. Cuando la tensin inversa crece de 5 V encontrarse con algn trmino que no le
a 10 V, la zona de deplexin: es familiar. Si esto sucede, busque el
trmino en el diccionario tcnico. Adems,
a) Se reduce puede aparecer alguna pregunta no
b) Crece cubierta en este libro. En este caso,
c) No le ocurre nada investigue en alguna biblioteca o consulte
d) Se rompe las respuestas al final del libro.
1. Dgame por qu el cobre es un buen 10. Qu es la corriente superficial de fugas?
conductor de electricidad.

11. Por qu es importante la recombinacin en

2. En qu difiere un semiconductor de un un diodo?
conductor? Incluya dibujos en su
explicacin.

12. En qu se diferencian el silicio extrnseco

del intrnseco? Por qu es importante la
3. Dgame todo lo que sepa acerca de los diferencia?
huecos y cmo se diferencian de los
electrones libres. Incluya algunos dibujos.

13. En sus propias palabras describa lo que

sucede cuando se origina la unin pn. Su
4. Deme la idea bsica de semiconductores argumento debera incluir la informacin
dopados. Quiero ver algunos dibujos que sobre la zona de deplexin.
justifiquen su explicacin.

14. En la unin pn de un diodo, cules son las

5. Demustreme, dibujando y explicando la cargas portadoras que se mueven, huecos o
accin, por qu existe corriente en un diodo electrones libres?
polarizado en directa.

PROBLEMAS
6. Dgame por qu existe una corriente muy
pequea en un diodo polarizado en inversa. 1. Cul es la carga neta de un tomo de
cobre si gana tres electrones?

.
7. Un diodo semiconductor polarizado en inversa
se romper bajo ciertas condiciones. 2. Cunto vale la carga neta de un tomo de
Quiero que describa la avalancha con silicio si pierde todos sus electrones de
suficiente detalle para que yo pueda valencia?
entenderlo.

8. Quiero saber por qu un diodo emisor de luz 3. Clasifique cada uno de los siguientes como
produce luz. Hbleme sobre ello. un conductor o semiconductor:
a) Germanio: SEMICONDUCTOR
b) Plata: CONDUCTOR
c) Silicio: SEMICONDUCTOR
9. Los huecos circulan en un conductor? Por d) Oro: CONDUCTOR
qu o por qu no? Qu le sucede a los
huecos cuando alcanzan el final de un 4. Un diodo est polarizado en directa. Si la
semiconductor? corriente es 5 mA a travs del lado n, cul
 es la carga a travs de cada uno de los
siguientes:
a) Lado p
b) Cables de conexin externos
c) Unin
5. Clasifique cada uno de los siguientes como
un semiconductor tipo n o tipo p:
a) Dopado por un tomo aceptador
b) Cristal con impurezas pentavalentes
c) Los portadores mayoritarios son
huecos
d) Se aadieron tomos donadores al
cristal
e) Los portadores minoritarios son
electrones
PROBLEMAS DE MAYOR DIFICULTAD
9. Un diodo de silicio tiene una corriente
inversa de 5 pA a 25 C y 100 pl a 100 C.
Cules son los valores de la corriente de
saturacin y la corriente superficial de fugas
a 25 C?
10. Los dispositivos con uniones pn se utilizan
para fabricar ordenadores. La velocidad de un
ordenador depende de lo rpido que se
pueda encender y apagar un diodo.
Basndose en lo que ha aprendido sobre
polarizacin inversa, qu puede hacer para
acelerar un ordenador?

6. Un diseador debe utilizar un diodo de

silicio entre las temperaturas de 0 C a 75 C.
Cules sern los valores mnimos y
mximo de la barrera de potencial?

7. Un diodo de silicio tiene una corriente de

saturacin de 10 nA a 25 C. Si debe
funcionar en el rango de 0 C a 75 C.
cules sern los valores mximos y
mnimos de la corriente de saturacin?

8. Un diodo presenta una corriente superficial

de fugas a 10 nA cuando su tensin inversa
es de 10 V. Cul ser su corriente
superficial de fugas si la tensin inversa
crece hasta 50 V?