CAPITULO 2

Cuestiones:
1. Cuntos protones contiene el ncleo de un tomo de cobre?
a. 1
b. 4
c. 18
d. 29
2. La carga resultante de un tomo neutro de cobre es:
a. 0
b. +1
c. -1
d. +4
3.Si a un tomo de cobre se le extrae su electrn de valencia, la carga
resultante vale:
a. 0
b. +1
c. -1
d. +4
4.La atraccin que experimenta hacia el ncleo el electrn de valencia de
un tomo de cobre es:
a. Ninguna
b. Dbil
c. Fuerte
d. Imposible de describir
5. Cuntos electrones de valencia tiene un tomo de silicio?
a. 0
b. 1
c. 2
d. 4
6.El semiconductor ms empleado es:
a. Cobre
b. Germanio
c. Silicio
d. Ninguno de los anteriores
7. Qu nmero de protones posee un tomo de silicio?
a. 4
b. 14
c. 29
d. 32
8.Los tomos de silicio se combinan en una estructura ordenada que
recibe el nombre de:
a. Enlace covalente
b. Cristal
c. Semiconductor
d. Orbital de valencia
9.Un semiconductor intrnseco presenta algunos huecos a temperatura
ambiente causados por:
a. El dopaje
b. Electrones libres
c. Energa trmica
d. Electrones de valencia
10.Cada electrn de valencia en un semiconductor intrnseco establece
un:
a. Enlace covalente
b. Electrn libre
c. Hueco
d. Recombinacin
11.La unin de un electrn libre con un hueco recibe el nombre de:
a. Enlace covalente
b. Tiempo de vida
c. Recombinacin
d. Energa trmica
12.A temperatura ambiente un cristal de silicio intrnseco se comporta
como:
a. Una batera
b. Un conductor
c. Un aislante
d. Un hilo de cobre
13. El tiempo que transcurre entre la creacin de un hueco y su
desaparicin se conoce como:
a. Dopaje
b. Tiempo de vida
c. Recombinacin
d. Valencia
14. Al electrn de valencia de un conductor se le denomina tambin por:
a. Electrn ligado
b. Electrn libre
c. Ncleo
d. Protn
15. Cuntos tipos de flujo de portadores presenta un conductor?
a. 1
b. 2
c. 3
d. 4
16. Cuntos tipos de flujo de portadores presenta un semiconductor?
a. 1
b. 2
c. 3
d. 4
17. Cuando se aplica una tensin a un semiconductor, los huecos circulan
a. Distancindose del potencial negativo
b. Hacia el potencial positivo
c. En el circuito externo
d. Ninguna de las anteriores
18. Cuntos huecos presenta un conductor?
a. Muchos
b. Ninguno
c. Solo los producidos por la energa trmica
d. El mismo nmero que de electrones libres
19. En un semiconductor intrnseco, el nmero de electrones libres es:
a. Igual al nmero de huecos
b. Mayor que el nmero de huecos
c. Menor que el nmero de huecos
d. Ninguna de las anteriores
20. La temperatura de cero absoluto es igual a
a. -273 C
b. 0 C
c. 25 C
d. 50 C
21. A la temperatura de cero absoluto un semiconductor intrnseco
presenta:
a. Pocos electrones libres
b. Muchos huecos
c. Muchos electrones libres
d. Ni huecos ni electrones libres
22. A temperatura ambiente un semiconductor intrnseco tiene:
a. Algunos electrones libres y huecos
b. Muchos huecos
c. Muchos electrones libres
 d. Ningn hueco
23. El nmero de electrones libres y de huecos en un semiconductor
intrnseco aumenta cuando la temperatura
a. Disminuye
b. Aumenta
c. Se mantiene constante
d. Ninguna de las anteriores
24. El flujo de electrones de valencia hacia la izquierda significa que los
huecos circulan hacia
a. La izquierda
b. La derecha
c. En cualquier direccin
d. Ninguna de las anteriores
25. Los huecos se comportan como
a. tomos
b. Cristales
c. Cargar negativas
d. Cargas positivas
26. Cuntos electrones de valencia tienen los tomos trivalentes?
a. 1
b. 3
c. 4
d. 5
27. Qu nmero de electrones de valencia tiene un tomo donador?
a. 1
b. 3
c. 4
d. 5
28. Si quisiera producir un semiconductor tipo p, Qu empleara?
a. tomos aceptadores
b. tomos donadores
c. Impurezas pentavalentes
d. Silicio
29. Los huecos son minoritarios en un semiconductor tipo
a. Extrnseco
b. Intrnseco
c. Tipo n
d. Tipo p
30. Cuntos electrones libres contiene un semiconductor tipo p?
a. Muchos
 b. Ninguno
c. Solo los producidos por la energa trmica
d. El mismo nmero que de huecos

PREGUNTAS DE ENTREVISTA DE TRABAJOS

1.Digame por qu el cobre es un buen conductor de electricidad:
La razn es evidente si se tiene en cuenta su estructura atmica.
El ncleo o centro del tomo contiene 29 protones (cargas positivas).
Cuando un tomo de cobre tiene una carga neutra, 29 electrones(cargas
negativas) se disponen alrededor del ncleo.
El cobre es muy buen conductor de la electricidad ya que ofrece poca
resistencia al paso de la corriente, es decir, que pueden circular sus
electrones a travs de el sin que se caliente mucho el cable.
2 En que difiere un semiconductor de un conductor? Incluya dibujos en
su explicacin.
Un semiconductor es un elemento con propiedades elctricos entre las de
un conductor y las de un aislante.
Los semiconductores tienen valencia 4, esto es 4 electrones en rbita
exterior de valencia.

Un

Conductor es un material que, en mayor o menor medida, conduce el

calor y la electricidad.
Los metales son buenos conductores.
3. Dgame todo lo que sepa acerca de los huecos y cmo se diferencia de
los electrones libres.

Se denomina hueco, al aumento de la temperatura que hace los tomos

en un cristal de silicio cuando vibran dentro de l, a mayor sea la
temperatura mayor ser la vibracin. Y esto genera que un electrn se
pueda liberar de su rbita; lo que lo deja hueco.

4. Deme la idea bsica de semiconductores dopados.

El dopaje supone que, deliberadamente, se aaden tomos de impurezas

a un cristal intrnseco para modificar su conductividad electrica. Un
semiconductor dopado se llama semiconductor extrnseco.
Aumento del nmero de electrones libres
Aumento del nmero de huecos

Semiconductor tipo n
Es el que est impurificado con impurezas "Donadoras", que son
impurezas pentavalentes.
Son portadores mayoritarios porque los electrones superan a los huecos
en un semiconductor tipo n.
A los huecos se les denomina "portadores minoritarios".
Al aplicar una tensin al semiconductor, los electrones libres dentro del
semiconductor se mueven hacia un lado contrario al de los huecos que
aparentemente se mueven.
Semiconductor tipo p
Es el que est impurificado con impurezas "Aceptadoras", que son
impurezas trivalentes.
Son portadores mayoritarios de huecos, porque el nmero de huecos
supera el nmero de electrones.

5. Demustreme dibujando y explicando la accin, por qu existe

corriente en un diodo polarizado en directa.
Cuando el diodo est directamente polarizado (voltaje positivo dela fuente
al nodo y voltaje negativo al ctodo), el campo elctrico estar dirigido
desde el nodo hacia el ctodo, entonces la carga positiva y negativa en el
diodo se mover hacia la regin de agotamiento, en un primer instante las
cargas se recombinaran, pero a medida que el voltaje de polarizacin se
incrementa la regin de agotamiento se reduce hasta su desaparicin,
momento en el que las cargas de ambos semiconductores no encuentran
oposicin y comienzan a moverse con libertad a travs de todo el diodo,
generando una corriente dentro el diodo que ser mayor si el voltaje de
polarizacin aumenta.

6. Dgame por qu existe una corriente una corriente muy pequea en

un diodo polarizado en inversa.
La energa trmica crea continuamente pares de electrones libres y
huecos, lo que significa que a ambos lados de la unin existen pequeas
concentraciones de portadores minoritarios. La mayor parte de stos se
recombinan con los portadores mayoritarios, pero los que se hallan
dentro de la zona de deplexin pueden vivir lo suficiente para cruzar la
unin. Cuando esto sucede, por el circuito externo circula una pequea
corriente

7. Un diodo semiconductor polarizado en inversa se romper bajo ciertas

condiciones. Quiero que describa la avalancha con suficiente detalle para
que yo pueda entenderlo.
Si se aumenta continuamente la tensin inversa, llegara un momento en
que se alcance la tensin de ruptura del diodo. Para muchos diodos, la
tensin de ruptura normalmente mayor de 50V. La tensin de ruptura se
muestra en la hoja de caractersticas del diodo.
Una vez alcanzada la tensin de ruptura, una gran cantidad de portadores
minoritarios aparece repentinamente en la zona de deplexin y el diodo
conduce descontroladamente. De dnde vienen estos portadores? Se
producen por el efecto de avalancha que aparece con tensiones inversas
elevadas. Como siempre, hay una pequea corriente inversa de
portadores minoritarios. Cuando la tensin inversa aumenta, obliga a los
portadores minoritarios a moverse ms rpidamente. De esta forma
chocaran con los tomos de cristal. Si dichos portadores adquieren la
energa suficiente, pueden golpear a los electrones de valencia y
liberarlos; es decir, pueden producir electrones libres. Estos nuevos
portadores minoritarios pueden unirse a los ya existentes para colisionar
contra otros tomos. El proceso es geomtrico, ya que un electrn libre
libera a un electrn de valencia, obtenindose dos electrones libres. Estos
dos electrones libres liberan, a su vez, a otros dos de valencia, y as
sucesivamente, de forma que el proceso contina hasta que la corriente
inversa es muy grande.
La polarizacin inversa obliga a los electrones libres a moverse hacia la
derecha. Cada electrn, a medida que se desplaza, gana velocidad. Cuanto
mayor sea la tensin inversa, ms rpido se mueven los electrones. Si un
electrn de valencia del primer tomo y colocarlo en una orbital mayor, lo
que da como resultado dos electrones libres, los cuales pueden acelerarse
y desligar dos electrones ms. De esta forma, el nmero de portadores
minoritarios puede llegar a ser demasiado grande y el diodo puede
conducir sin control. La tensin de ruptura de un diodo depende del nivel
de dopaje del mismo. Con diodos rectificadores (el tipo ms comn), la
tensin de ruptura suele ser mayor de 50 V.
8. Quiero saber por qu un diodo emisor de luz produce luz. Hbleme
sobre ello.
En un diodo emisor de luz, la tensin aplicada eleva los electrones a
niveles superiores de energa. Cuando estos electrones caen de nuevo a
los niveles inferiores de energa, desprenden luz. Dependiendo del
material que se use en la fabricacin del diodo, la luz es roja, verde,
naranja o azul. Algunos LED producen radiacin infrarroja (invisible), que
es til en sistemas de alarma antirrobos.
9. Los huecos circulan en un conductor? Por qu o porqu no? Qu
les sucede a los huecos cuando alcanzan el final de un semiconductor?
10. Que es la corriente superficial de fugas?
Es una corriente inversa sobre la superficie del cristal. La corriente
superficial de fugas es directamente proporcional a la tensin inversa, se
duplica.
11. Por qu es importante la recombinacin en un diodo?
12. En que se diferencias el silicio extrnseco del intrnseco? Por qu es
importante la diferencia?
13. En sus propias palabras describa lo que sucede cuando se origina la
unin pn. Su argumento debera incluir la informacin sobre la zona de
deplexin.
Cuando a un material semiconductor se le introducen impurezas de tipo P
por un lado e impurezas tipo N por otro, se forma una unin PN . Los
electrones libres de la regin N ms prximos a la regin P se difunden en
sta, producindose la recombinacin con los huecos ms prximos de
dicha regin. En la regin N se crean iones positivos y en la regin P se
crean iones negativos. Por el hecho de formar parte de una red cristalina,
los iones mencionados estn interaccionados entre s y, por tanto, no son
libres para recombinarse. Por todo lo anterior, resulta una carga espacial
positiva en la regin N y otra negativa en la regin P, ambas junto a la
unin. Esta distribucin de cargas en la unin establece una barrera de
potencial que repele los huecos de la regin P y los electrones de la
regin N alejndolos de la mencionada unin. Una unin PN no conectada
a un circuito exterior queda bloqueada y en equilibrio electrnico a
temperatura constante
14. En la unin pn de un diodo, Cules son las cargas portadoras que se
mueven, huecos o electrones libres?

CAPITULO 3

1. Cuando la representacin de la corriente en funcin de la tensin es

una lnea recta, el dispositivo se conoce como
a) Activo
b) Lineal
c) No lineal
d) Pasivo

2. Qu clase de dispositivo es una resistencia?

a) Unilateral
b) Lineal
C) NO lineal
d) Bipolar
3. Qu clase de dispositivo es un diodo?
a) Bilateral
b) Lineal
c) No lineal
d) Unipolar

4. Cmo est polarizado un diodo que no conduce?

a) Directamente
b) A1 revs
c) Insuficientemente
d) Inversamente

5. Cuando la corriente por el diodo es grande, la polarizacin es

a) Directa
b) A1 revs
c) Escasa
d) Inversamente
6. La tensi6n umbral de un diodo es aproximadamente igual a
a) La tensin aplicada
b) La barrera de potencial
c) La tensin de ruptura
d) La tensin con polarizaci6n directa

7. La corriente inversa consiste en la corriente de portadores minoritarios

y
a) La corriente de avalancha
b) La corriente con polarizaci6n directa
c) La corriente superficial de fugas
d) La corriente Zener

8. En la segunda aproximacin, Qu tensin hay en un diodo de silicio

polarizado en directo?
a) OV
b) 0,3 V
c) 0,7 V
d) 1V

9. En la segunda aproximaci6n, Qu corriente hay en un diodo de silicio

polarizado en inversa?
a) 0
b) 1mA
c) 300 mA
d) Ninguna de las anteriores

10. En la aproximacin ideal, Cul es la tensin en el diodo polarizado en

directa?
a) 0 V
b) 0,7 V
c) Mayor que 0,7 V
d) 1 v

11. La resistencia interna de un 1N4001 es

a) 0
b) 0,23
c) 10
d) 1 k

12. Si la resistencia interna es nula, la curva por encima de la tensin

umbral es
a) Horizontal
b) Vertical
c) Inclinada 45
d) Ninguna de las anteriores

13. El diodo ideal es generalmente adecuado para

a) Deteccin de averas
b) Hacer clculos precisos
c) Cuando la tensin de la fuente es pequea
d) Cuando la resistencia de carga es pequea

14. La segunda aproximaci6n funciona bien para

a) Detecci6n de averas
b) Cuando la resistencia de carga es grande
c) Cuando la tensin de la fuente es grande
d) Todas las anteriores

15. La nica ocasin en la que es necesario utilizar la tercera aproximaci6n

es cuando
a) La resistencia de carga es pequea
b) La tensi6n de la fuente es muy grande
C) Se detectan avenas
d) Ninguna de las anteriores
16. Cul es la corriente en el circuito de la Figura 3-19 si el diodo es ideal?
a) 0
b) 14,3 mA
c) 15 mA
d) 50mA

17. Cul es la comente en el circuito de la Figura 3-19 si se emplea la

segunda aproximacin?
a) 0
b) 14,3 mA
c) 15 mA
d) 50mA
18. Cul es la comente por la resistencia de carga en la Figura 3-19 si se
emplea la tercera aproximacin?
a) 0
b) 14.3 mA
c) 15 mA
d) 50 mA

19. Si el diodo est abierto en la Figura 3-19, la tensi6n en la carga es

a) 0
c) 14.3 v
b) 20 V
d) -15 V

20. Si la resistencia de la Figura 3-19 no estuviese puesta a masa, la

tensin medida entre la parte superior de la resistencia y la masa sera de
a) OV
b) 14,3 V
c) 20v
d) -15 V

21. La tensin en la carga es cero en la Figura 3-19. El problema puede

deberse a
a) Un diodo en cortocircuito
b) Un diodo abierto
c) Una resistencia de carga abierta
d) Demasiada tensin de la fuente de alimentaci6n