Qu sabes de la radiacin?

La radiacin es la emisin, propagacin y transferencia de energa en cualquier medio

en forma de ondas electromagnticas o partculas.

Una onda electromagntica es una forma de transportar energa (por ejemplo, el calor que
transmite la luz del sol).

Clasificacin de las radiaciones

electromagnticas
Las ondas o radiaciones electromagnticas se pueden clasificar en:

Radiacin no ionizante: No tienen la suficiente energa como para romper los

enlaces que unen los tomos del medio que irradian (ondas de radio y TV,
microondas, luz visible, etc.).
Radiacin ionizante: Tienen suficiente energa como para producir ionizaciones
de los tomos del medio o materia que es irradiado. Van desde los rayos X hasta
la radiacin csmica.

Clasificacin de las radiaciones ionizantes

La radiactividad es un fenmeno fsico por el cual algunos cuerpos o elementos qumicos,
llamados radiactivos, emiten radiaciones que tienen la propiedad de impresionar placas
fotogrficas, ionizar gases, producir fluorescencia, etc.

Es uno de los grandes descubrimientos del hombre contemporneo y, a la par que se

fueron conociendo sus efectos, tambin se descubrieron aplicaciones de gran utilidad, ya
que las sustancias radiactivas o los instrumentos emisores de radiaciones ionizantes
resultan insustituibles en medicina, agricultura, industria, ciencias de la tierra, biologa y
otras muchas ramas.

La emisin de radiaciones ionizantes es una caracterstica comn a muchos tomos en

cuyo ncleo el nmero de neutrones resulta escaso o excesivo, lo que les hace inestables
(radiactivos), por lo que sus ligaduras nucleares se transforman buscando configuraciones
ms estables, a la vez que se libera energa, asociada a la radiacin emitida.

Tipos de radiaciones

Segn su interaccin con la materia:

Alfa: Con capacidad limitada de penetracin en la materia pero mucha intensidad

energtica.
Beta: Algo ms penetrantes pero menos intensas que las radiaciones alfa.
Gamma: Es la radiacin ms penetrante de todas.
Origen de las radiaciones
Las personas estn expuestas continuamente a radiaciones ionizantes. De estas
radiaciones, unas proceden de la propia naturaleza, sin que el hombre haya
intervenido en su produccin y otras estn originadas por acciones ocasionadas por
el hombre.

Causas naturales

Constituyen el fondo radiactivo natural que puede provenir de tres causas:

Espacio exterior (radiacin csmica): Llegan a la Tierra cada segundo (protones

(86%) y partculas alfa (12%)). Puesto que la atmsfera absorbe parcialmente las
radiaciones, el fondo natural debido a esta causa vara con la altitud, de tal modo
que es menor a nivel del mar que en lo alto de una montaa. Para el promedio
mundial, la radiacin csmica supone un 10% de la dosis.
Corteza terrestre: Supone un 14% de la dosis promedio mundial.
Organismo humano: Principalmente istopos de carbono y potasio, contribuyen
aproximadamente el 52% de la dosis promedio mundial.

Como promedio, la dosis procedente del fondo natural que recibe una persona en Espaa
es del orden de 2,4 mSv/ao.

Causas artificiales

Se deben a la exposicin a diversas fuentes de origen no natural, como son: exploraciones

radiolgicas con fines mdicos (fuente mayoritaria, dan lugar a unas dosis sobre la
poblacin semejantes a la radiacin csmica), viajes en avin (en este caso, la mayor
dosis de radiacin csmica que se recibe son el vuelos a gran altura), etc.

Factores de los que depende recibir ms o menos

dosis de radiacin
Las dosis de radiacin recibida por un individuo al permanecer en las proximidades de
una fuente de radiacin, depende de tres factores:
 Distancia entre la fuente de radiacin y el individuo: la dosis recibida disminuye
proporcionalmente segn aumente la distancia entre fuente e individuo.
Tiempo de permanencia: la dosis recibida aumenta a mayor tiempo de exposicin
a la radiacin.
Blindaje interpuesto entre la fuente de radiacin y el individuo: El blindaje reduce
la exposicin a las radiaciones ionizantes en las personas.

Fuentes y efectos de las dosis de radiacin

Milisievert (mSv)
Exposicin media de fondo en un ao 2,4
Viaje Nueva York - Londres 0,06
Radiografa de trax 0,1
Mamografa (dos visitas) 0,72
Radiografa abdominal 7
Radiacin csmica 260 (nivel del mar)

400 (1.000 m sobre el nivel del mar)

650 (2.000 m sobre el nivel del mar)

Vivienda 70
Ambiente general 400
Alimentos y agua 400 (origen natural)
Televisin (1h/da) 10
Pantalla ordenador (8h/da) 10
Vuelo en avin (10.000 m de altura) 5
Dosis de radiacin (mSv) y sus efectos
Lmite de dosis legislacin 20
Valor de dosis que puede tener riesgo de cncer 250
Valor de dosis que puede producir enfermedad grave1.000
Valor de dosis que puede producir muerte en un mes 5.000
QU ES UN TOMO?

La teora atmico-molecular fue establecida a principios del siglo XIX; Dalton, Avogadro y
Proust fueron sus principales artfices. Segn ella, la materia es discontinua, de tal modo
que la menor parcela que se puede obtener de un cuerpo es una molcula. Las molculas,
a su vez, pueden dividirse en unas entidades menores denominadas tomos; las
molculas de los cuerpos simples estn formadas por tomos iguales entre s, mientras
que las molculas de los cuerpos compuestos estn formadas por tomos de dos o ms
clases. Tambin afirmaba esta teora que los tomos eran indivisibles, a lo que alude su
nombre (tomos significa no divisible en griego), y que todos los tomos de un mismo
elemento eran iguales. Por lo tanto, podemos definir un tomo como la parte ms
pequea y elctricamente neutra de que est compuesto un elemento qumico y que
puede intervenir en las reacciones qumicas sin perder su integridad. Hoy se conocen ms
de 109 elementos qumicos distintos, algunos de los cuales no existen en la naturaleza y
se han obtenido artificialmente.

Una serie de descubrimientos que tuvieron lugar en el ltimo tercio del siglo XIX y primer
tercio del XX obligaron a revisar esta teora atmica: la Ley peridica de Mendeleiev, las
teoras sobre la ionizacin y la radiactividad dieron lugar a que, primero, Rutherford y,
luego, Bohr y Heisenberg, establecieran el modelo atmico hoy vigente. Segn este
modelo el tomo no es indivisible sino que est formado por entidades ms pequeas,
llamadas partculas elementales. En el tomo se pueden considerar dos partes: una
central o ncleo atmico formado por protones (con carga elctrica positiva) y neutrones, y
una parte externa o corteza, formada por electrones, con carga elctrica negativa (hay
tantos electrones en la corteza como protones en el ncleo, por lo cual el tomo es
elctricamente neutro), los cuales giran alrededor del ncleo a semejanza de los planetas
que giran alrededor del Sol. El radio del tomo es de unos 10-8 cm, y el del ncleo es de
10-13 cm, lo que indica que la materia est casi totalmente vaca.

Conceptos bsicos de fsica nuclear

QU SON LAS PARTCULAS ELEMENTALES?

Hoy sabemos que los tomos no son indivisibles sino que estn formados por unas
partculas subatmicas, llamadas partculas elementales. Estas se pueden definir como
entes fsicos ms simples que el ncleo atmico, y se considera que son el ltimo
constituyente de la materia.

Las tres partculas elementales que forman parte del tomo son: el electrn, el protn y el
neutrn. El electrn posee una masa de 9,11 x 10-31 kg (aproximadamente 1/1800 de la
masa del tomo de hidrgeno) y una carga negativa de 1,602 x 10-19 C (este valor se
toma como unidad en fsica nuclear); el protn tiene una masa de 1,673 x 10-27 kg
(aproximadamente, la masa del tomo de hidrgeno) y una carga positiva igual en valor
absoluto a la carga del electrn; el neutrn tiene una masa ligeramente superior a la del
protn y carece de carga elctrica. Hoy se sabe que el protn y el neutrn no son
esencialmente distintos, sino que son dos estados de una misma partcula denominada
nuclen, de tal modo que un neutrn puede desintegrarse en un protn ms un electrn,
sin que ello signifique que el electrn existiese anteriormente sino que se forma en el
momento de la desintegracin. Anlogamente, un protn puede transformarse en un
neutrn para lo que ha de emitir un electrn positivo (positrn).

Otra partcula de gran importancia en fsica nuclear es el neutrino, que, aunque carece de
masa y de carga, posee energa y cantidad de movimiento. La existencia del neutrino se
dedujo a partir de consideraciones tericas que hacan necesaria la existencia de esta
partcula si determinados procesos subatmicos haban de cumplir las leyes de la fsica.

El estudio de la radiacin csmica, as como los experimentos que se llevan a cabo en los
aceleradores de partculas, han permitido comprobar la existencia de un nmero mucho
mayor de partculas elementales, todas ellas de vida efmera, es decir, que se desintegran
en otras; estas partculas han recibido los nombres de muones, tauones, mesones,
hiperones, etc. El nmero de partculas elementales descubiertas hasta la fecha rebasa el
centenar.

Tambin se sabe que adems de cada partcula existe la antipartcula correspondiente, la

cual posee la misma masa que ella e igual carga pero de signo contrario. As, el antiprotn
es una partcula con la misma masa que el protn pero cuya carga es una unidad negativa;
el antielectrn (que recibe el nombre de positrn) es igual que un electrn con carga
positiva. Las antipartculas tienen una vida muy corta, ya que cuando se encuentran con
una partcula se aniquilan liberando energa.

Conceptos bsicos de fsica nuclear

QU SON LOS ISTOPOS?

Una especie atmica viene definida por dos nmeros enteros: el nmero de protones que
hay en el ncleo y el nmero total de protones ms neutrones. El primero, llamado nmero
atmico, Z, define el elemento qumico al que pertenece el tomo; es decir,
independientemente del nmero de neutrones que posean, todos los tomos cuyos
ncleos tienen un protn son tomos de hidrgeno, todos los que tienen ocho protones
son tomos de oxgeno, etc. El segundo nmero, denominado nmero msico, A, es el
nmero entero ms prximo a la masa (expresada en unidades de masa atmica) del
tomo en cuestin; es decir, todos los tomos con A igual a 2 tienen una masa de,
aproximadamente, 2 unidades msicas; los que tienen A = 235, tienen una masa de unas
235 unidades de masa atmica.

Ocurre que existen varias especies atmicas (o clases de tomos) que tienen el mismo
nmero atmico pero poseen nmeros msicos distintos. Esto significa que dentro de cada
elemento qumico existen varias especies atmicas que difieren en su masa atmica.
Estas especies de un mismo elemento se llaman istopos, nombre que alude (isos: igual;
topos: lugar) a que estos tomos ocupan el mismo lugar en la tabla peridica de los
elementos. Por ejemplo, el hidrgeno tiene tres istopos: el istopo con A=1, denominado
protio (que carece de neutrones); el istopo con A=2, llamado deuterio (que posee 1
neutrn); y el istopo con A=3, denominado tritio (que posee 2 neutrones).

Conceptos bsicos de fsica nuclear

NUCLEIDO E ISTOPO SON CONCEPTOS EQUIVALENTES?

S. Nucleido es el nombre genrico que se aplica a todos los tomos que poseen el mismo
nmero atmico y el mismo nmero msico. Simblicamente cada nucleido se representa
por Z AM, donde M es el smbolo del elemento qumico al que pertenece, y A y Z son sus
nmeros msico y atmico, respectivamente.

Dos nucleidos que difieren en el nmero msico pero tienen un mismo nmero atmico
son especies de un mismo elemento qumico. Se dice que estos dos nucleidos son
istopos de dicho elemento. De acuerdo con estas definiciones nucleido se refiere a
considerar cada especie por s misma, mientras que el concepto istopo implica una
relacin de comparacin.

Ahora bien, en la prctica se suele olvidar esta distincin semntica tan sutil entre ambos
vocablos, y, aunque no sea riguroso, es moneda corriente el empleo de istopo como
sinnimo de nucleido, aunque no al contrario. En esta obra, y por mor de seguir el uso,
emplearemos istopo con los dos significados: istopo strictu sensu y nucleido.

Conceptos bsicos de fsica nuclear

QU ES LA RADIACTIVIDAD?
La radiactividad fue descubierta por el cientfico francs Antoine Henri Becquerel en 1896.
El descubrimiento tuvo lugar de una forma casi ocasional: Becquerel realizaba
investigaciones sobre la fluorescencia del sulfato doble de uranio y potasio y descubri que
el uranio emita espontneamente una radiacin misteriosa. Esta propiedad del uranio
despus se vera que hay otros elementos que la poseen de emitir radiaciones, sin ser
excitado previamente, recibi el nombre de radiactividad.

El descubrimiento dio lugar a un gran nmero de investigaciones sobre el tema. Quizs las
ms importantes en lo referente a la caracterizacin de otras sustancias radiactivas fueron
las realizadas por el matrimonio, tambin francs, Pierre y Marie Curie, quienes
descubrieron el polonio y el radio, ambos en 1898.

La naturaleza de la radiacin emitida y el fenmeno de la radiactividad fueron estudiados

en Inglaterra por Ernest Rutherford, principalmente, y por Frederick Soddy. Como
resultado pronto se supo que la radiacin emitida poda ser de tres clases distintas, a las
que se llam alfa, beta y gamma, y que al final del proceso el tomo radiactivo original se
haba transformado en un tomo de naturaleza distinta, es decir, haba tenido lugar una
transmutacin de una especie atmica en otra distinta. Tambin se dice (y esta es la
terminologa actual) que el tomo radiactivo ha experimentado una desintegracin.

Hoy sabemos que la radiactividad es una reaccin nuclear de descomposicin

espontnea; es decir, un nucleido inestable se descompone en otro ms estable que l, a
la vez que emite una radiacin. El nucleido hijo (el que resulta de la desintegracin)
puede no ser estable, y entonces se desintegra en un tercero, el cual puede continuar el
proceso, hasta que finalmente se llega a un nucleido estable. Se dice que los sucesivos
nucleidos de un conjunto de desintegraciones forman una serie radiactiva o familia
radiactiva.

Digamos, por ltimo, que son radiactivos todos los istopos de los elementos con nmero
atmico igual o mayor a 84 (el polonio es el primero de ellos), y que hoy se obtienen en el
laboratorio istopos radiactivos de elementos cuyos istopos naturales son estables; es la
llamada radiactividad artificial. La primera obtencin en el laboratorio de un istopo artificial
radiactivo (es decir, el descubrimiento de la radiactividad artificial) la llev a cabo en 1934
el matrimonio formado por Frdric Joliot e Irene
Curie, hija de los esposos Curie.

Conceptos bsicos de fsica nuclear

QU TIPOS HAY DE DESINTEGRACIONES RADIACTIVAS?
Al estudiar el fenmeno de la radiactividad, Rutherford descubri que la radiacin emitida
por una desintegracin radiactiva poda ser de tres clases: alfa, beta, y gamma; adems
tambin hay que considerar hoy la emisin de neutrones.

La radiacin alfa () ---est formada por ncleos del istopo 4 del helio, es decir, est
constituida por una radiacin corpuscular, en la que cada corpsculo est formado por dos
protones y dos neutrones. Ello significa que tiene una masa atmica de 4 unidades y una
carga elctrica de 2 unidades positivas. Estos protones y neutrones formaban antes parte
del ncleo que se ha desintegrado.

La radiacin beta () ---est constituida por electrones, lo que significa que es tambin
de naturaleza corpuscular, en la que cada corpsculo tiene una masa atmica de 1/1800,
aproximadamente, y una carga de 1 unidad negativa. A diferencia del caso anterior, el
electrn emergente no exista anteriormente en el ncleo sino que procede de la
transformacin de un neutrn en un protn, que queda dentro del ncleo, y el electrn, que
es eyectado. Posteriormente se descubri la radiacin beta positiva, semejante a la beta
pero con carga positiva. Est formada por positrones procedentes de la transformacin de
un protn en un neutrn.

La radiacin gamma () ---es de naturaleza electromagntica, semejante a la luz

ordinaria o a la radiacin X, pero con mucho menor longitud de onda. Es, por lo tanto, de
naturaleza ondulatoria, carente de masa en reposo y de carga. Esta radiacin tampoco
exista antes en el ncleo, sino que es energa que se emite como consecuencia de un
reajuste energtico del ncleo.

En la fisin (descomposicin de un ncleo inestable en dos ncleos de inferior nmero

atmico) espontnea, as como en la fisin inducida y en otras reacciones nucleares, se
produce una radiacin de neutrones, formada por estas partculas, con masa, por lo tanto,
de 1 unidad de masa atmica y sin carga. Las leyes que rigen los distintos tipos de
desintegracin fueron descubiertas por Soddy y Fajans. Estas leyes son:

En la desintegracin alfa, puesto que se emiten dos protones y dos neutrones, el

nucleido hijo tiene dos protones menos que el padre, lo que significa que ha retrocedido
dos puestos en el sistema peridico y su masa ha disminuido en cuatro unidades.

En la desintegracin beta negativa, ya que un neutrn se transforma en un protn, el

tomo hijo tiene un protn ms que el padre, lo que representa que avanza un puesto en el
sistema peridico, y no vara su masa atmica.

La emisin gamma no constituye una desintegracin propia sino que se produce

acompaando a las radiaciones alfa o beta, en las desintegraciones de este tipo, o en la
desexcitacin de nucleidos que se encontraban en un nivel energtico superior al normal
de ese nucleido (nucleidos excitados).

En la desintegracin con emisin de un neutrn, el nucleido hijo es un istopo del padre,

y posee una masa menor en una unidad.

Conceptos bsicos de fsica nuclear

QU LEY RIGE EL PROCESO DE UNA DESINTEGRACIN RADIACTIVA?
La desintegracin de un cuerpo radiactivo es un proceso estadstico; ello quiere decir que
si consideramos un determinado tomo radiactivo no podemos conocer en qu momento
tendr lugar su desintegracin, pero si tomamos un nmero muy grande de tomos de un
mismo nucleido, podemos conocer la ley que, como promedio, sigue el conjunto en su
desintegracin.

Se demuestra que la probabilidad de que se desintegre un tomo radiactivo permanece

constante a lo largo del tiempo. Ello se traduce en que al desintegrarse una sustancia
radiactiva la cantidad de ella que no se ha desintegrado disminuye exponencialmente con
el tiempo. Se llama perodo de semidesintegracin, T, al tiempo que ha de transcurrir para
que la cantidad de sustancia radiactiva se haya reducido a la mitad. El valor de T puede
variar entre fracciones muy pequeas de segundo (istopos de vida corta) a millones de
aos (istopos de vida larga). La ley matemtica que recoge la desintegracin radiactiva
es N=No e-t., siendo N0 la masa inicial del radionucleido existente, la constante de
desintegracin especfica
para cada elemento y t, el tiempo transcurrido. El perodo de semidesintegracin T est
relacionado con la constante de desintegracin mediante la frmula T= 0,693/.

Conceptos bsicos de fsica nuclear

QU SON LAS RADIACIONES IONIZANTES?

El trmino radiacin se emplea genricamente para designar la energa electromagntica o
las partculas materiales que, a partir de un foco emisor, se propagan en el espacio. Esta
propagacin, en ausencia de campos que influyan sobre la radiacin, es rectilnea (en
forma de rayos, a lo cual alude el nombre).

Determinadas radiaciones son capaces de producir iones (partculas cargadas, por

ejemplo, por arranque de electrones de sus tomos) a su paso por la materia, por lo que
reciben el nombre genrico de radiaciones ionizantes: en unos casos la radiacin est
formada por partculas cargadas que poseen energa cintica suficiente para producir
iones en su colisin con los tomos que encuentran a su paso (se las llama, por eso,
radiaciones directamente ionizantes); en otros casos la radiacin est formada por
partculas no cargadas que pueden dar lugar en la materia a la liberacin de partculas
directamente ionizantes, por lo que reciben el nombre de radiaciones indirectamente
ionizantes.

Las principales radiaciones ionizantes, son: las radiaciones alfa, beta, y gamma, los rayos
X y los neutrones. De ellas, las dos primeras son radiaciones directamente ionizantes, y
las dems son indirectamente ionizantes.

comceptos bsicos de fsica nuclear

QU SON LAS REACCIONES NUCLEARES? [/b]
Por analoga con las reacciones qumicas, se llaman reacciones nucleares las
interacciones entre ncleos atmicos o entre ncleos atmicos y partculas elementales;
por extensin, se incluyen tambin las interacciones entre partculas elementales.
La primera reaccin nuclear llevada a cabo en el laboratorio la realiz Rutherford, en 1919,
bombardeando el istopo 14 del nitrgeno con partculas alfa. En la reaccin se producen
el istopo 17 del oxgeno y un protn. Simblicamente se representa por la ecuacin:

147N + 42He178O+ 11H

Al igual que en qumica se considera que la descomposicin espontnea de una molcula

inestable es la reaccin qumica ms simple (reaccin monomolecular), la radiactividad es
el tipo ms simple de reaccin nuclear, y es la que se descubri primero.

En los dems tipos de reacciones nucleares hay, en general, dos ncleos o partculas que
reaccionan, para dar lugar a productos de reaccin. A semejanza de lo que ocurre en una
reaccin qumica, para producir una reaccin nuclear normalmente es necesario
comunicar al sistema inicial una energa de activacin. En la reaccin se libera energa,
que se manifiesta en forma de energa cintica de los productos de la reaccin,
acompaada en ocasiones por la produccin de radiacin gamma.

Conceptos bsicos de fsica nuclear

CMO SE REALIZA UNA REACCIN NUCLEAR?

Una reaccin nuclear puede representarse esquemticamente en la forma:

a + XY + b

donde X e Y son los ncleos inicial y final, a es la partcula empleada como proyectil y b
la partcula emergente. Para que ocurra la reaccin es necesario que la partcula a tenga
una energa suficiente para producirla. En las primeras reacciones nucleares realizadas en
el laboratorio se emplearon como proyectiles partculas procedentes de una desintegracin
radiactiva. Ms adelante se construyeron los llamados aceleradores de partculas, donde
la energa necesaria se obtiene mediante la accin de campos elctricos o magnticos.

Un criterio ampliamente usado para clasificar las reacciones nucleares consiste en

definirlas sobre la base de las dos partculas incidente y emergente, a y b. As, se habla
de reacciones (n, p) en las que la partcula incidente es un neutrn y la
emergente un protn, etc.

Cuando no existan an los aceleradores, se utilizaba como proyectil la radiacin alfa de

una desintegracin radiactiva; los trabajos de Rutherford en los primeros decenios del siglo
XX se centraron en este tipo de reacciones. La construccin de aceleradores de partculas
permiti el empleo de otros proyectiles cargados, principalmente protones. En 1934 el
fsico italiano Enrico Fermi concibi la idea de emplear el neutrn (que como partcula
elctricamente neutra no tiene que vencer la repulsin del ncleo) como proyectil y el
grupo de investigadores dirigido por l estudi sistemticamente las reacciones entre
neutrones y los diversos elementos de la tabla peridica. Fermi descubri que la
probabilidad de interaccin de los neutrones con los ncleos era mayor cuando los
neutrones tenan bajas energas (estaban moderados), incluso a energas
correspondientes a la temperatura ambiente (neutrones trmicos). En una de estas
reacciones, la que tiene lugar entre el uranio-235 y el neutrn, en los ltimos das de 1938
Otto Hahn descubri la fisin.

Entre los tipos ms importantes de reacciones nucleares debemos citar:

 Dispersin: en ellas la partcula es de la misma naturaleza que el proyectil. Todo ocurre
como si ste hubiese rebotado contra el blanco, aunque nadie podra asegurar que la
partcula emergente sea la misma que incidi. Cuando la energa cintica total de los
productos originales es igual a la de los productos finales de la reaccin se dice que se
trata de una dispersin elstica. Si, por el contrario, la energa cintica total de los
productos de reaccin es menor que la inicial, diremos que es una dispersin inelstica. En
este caso, la diferencia entre ambas energas es absorbida por el blanco, el cual queda
excitado.

Captura: en esta reaccin la partcula incidente es absorbida por el blanco sin que se
produzca ninguna partcula emergente, con la excepcin de fotones gamma.

Fisin: en este tipo de reaccin, un ncleo pesado se rompe en, generalmente, dos
fragmentos cuyos tamaos son del mismo orden de magnitud, lo que va acompaado de
una emisin de neutrones y radiacin gamma, con la liberacin de una gran cantidad de
energa (en forma de energa cintica de los fragmentos y de los neutrones y las
radiaciones producidas). Aunque existen casos de fisin espontnea o de fisin por
captura de un fotn, la reaccin se produce normalmente por la captura de un neutrn.

Espalacin: es una reaccin originada por una partcula de alta energa (por ejemplo un
protn de 1 GeV) en un ncleo pesado, como uranio o plomo. En la reaccin se arrancan
varios neutrones. Una partcula muy energtica provoca espalacin en varios ncleos
consecutivamente y es posible que aparezcan 40 neutrones o ms por cada protn de 1
GeV. Esta reaccin est relacionada con los aceleradores de partculas.

Fusin nuclear: es una reaccin entre dos ncleos de tomos ligeros en la que se
produce un ncleo de un tomo ms pesado, unido a la liberacin de partculas
elementales y de una gran cantidad de energa. La energa liberada en el Sol y en las
estrellas proviene de reacciones de fusin nuclear.

Conceptos bsicos de fsica nuclear

QU ES UNA REACCIN DE FISIN NUCLEAR EN CADENA?

La fisin nuclear es una reaccin que se produce mediante el bombardeo con neutrones
de determinados nucleidos, denominados nucleidos fisionables. En la fisin acontece que
al romperse el ncleo blanco se liberan varios neutrones (dos o tres) con una energa igual
o superior a la de los neutrones incidentes, lo que permite que los neutrones producidos
den lugar a nuevas fisiones, y los liberados en ellas a otras nuevas, etc. Con ello se puede
conseguir que una vez iniciada la reaccin no sea necesario continuar con el bombardeo
de neutrones externos, sino que la reaccin se mantenga por s misma.

Cuando una vez iniciada una reaccin es capaz de mantenerse por s sola se dice que se
trata de una reaccin en cadena. Segn esta definicin, una reaccin de fisin nuclear en
cadena es un proceso de fisiones nucleares sucesivas en las que todos o parte de los
neutrones liberados en cada fisin originan nuevas fisiones, y as sucesivamente.

Para conocer en qu condiciones puede tener lugar la reaccin de fisin nuclear en

cadena, es preciso estudiar las vicisitudes que siguen los neutrones producidos en la
fisin. La reaccin de un neutrn con un ncleo de uranio 235 da lugar, la mayor parte de
las veces, a su fisin, proceso en el que como promedio se liberan 2,5 neutrones. Una
parte de los neutrones producidos dar lugar a nuevas fisiones; otra parte ser absorbida
por ncleos de otros elementos presentes en el sistema, sin dar lugar a fisiones; una
ltima parte escapar al exterior, sin que tampoco origine nuevas fisiones. Si el nmero de
neutrones del primer grupo es igual a la unidad se habr obtenido una reaccin
autosostenida y con un nmero constante de fisiones por unidad de tiempo, ya que cada
neutrn que produjo inicialmente una fisin dar lugar a otro neutrn til para continuar el
proceso. Se dice, entonces, que el sistema forma un conjunto crtico. Si el nmero de
neutrones tiles para producir nuevas fisiones fuera mayor que la unidad, el nmero de
fisiones por unidad de tiempo sera creciente y tendramos un conjunto hipercrtico. Si, por
el contrario, fuera menor que la unidad, la reaccin decrecera con el tiempo y acabara
detenindose; el conjunto recibe el nombre de subcrtico.

Un conjunto ser crtico, hipercrtico o subcrtico dependiendo de la proporcin relativa de

neutrones en cada uno de los tres grupos, lo que es funcin de la concentracin de tomos
de U-235 en el medio, de la concentracin y naturaleza de los restantes nucleidos
presentes, y de la relacin entre volumen y superficie del medio donde tiene lugar la
reaccin.

Conceptos bsicos de fsica nuclear

DNDE RESIDE EL INTERS PRCTICO DE LA FISIN?

El hecho de que la fisin pueda dar lugar a una reaccin de fisin nuclear en cadena
permite que, una vez iniciada sta, se mantenga por s misma, lo que significa que puede
obtenerse una produccin de energa en rgimen estacionario. La consecuencia prctica
es que la fisin es una reaccin nuclear que puede servir como fuente de energa para
cubrir necesidades energticas de la sociedad. Esto es semejante, en un proceso nuclear,
a lo que ocurre con las reacciones qumicas de combustin, que tambin sirven como
fuentes de energa porque una vez iniciada la combustin del carbn o del petrleo, la
reaccin se mantiene por s misma sin necesidad de ninguna accin exterior. El inters
principal de la fisin es su alto rendimiento energtico. Un gramo de uranio-235 fisionado
totalmente producira una energa de 1 MWd (megavatioda= 24.000 kilovatios-hora), lo
mismo que la combustin de 2,1 tep.

Conceptos bsicos de fsica nuclear

QU SE ENTIENDE POR COMBUSTIBLE NUCLEAR?

Se llama combustible nuclear cualquier material que contiene nucleidos fisionables y
puede emplearse en un reactor para que en l se desarrolle una reaccin nuclear en
cadena.

Segn esto el uranio es un combustible nuclear, como tambin lo es el xido de uranio. En

el primer caso nos referimos a un elemento qumico, alguno de cuyos istopos es
fisionable; en el segundo, a un compuesto qumico determinado que contiene tales
istopos.

Entendemos por istopos fisionables aquellos nucleidos susceptibles de experimentar

fisin. Para hablar con precisin, sera necesario especificar la energa de los neutrones
que pueden hacer fisionar dicho istopo; por ejemplo, el U-238 no es fisionable por los
neutrones trmicos, pero s por los rpidos, aunque con pequea probabilidad (seccin
eficaz). Normalmente, y a no ser que se hagan mayores precisiones, suele entenderse por
istopo fisionable cualquier nucleido que fisiona tanto por la accin de los neutrones
trmicos como de los rpidos.

El nico istopo fisionable que existe en la naturaleza es el uranio-235. Se encuentra en

una proporcin del 0,711% en el uranio natural.

Hay otros istopos fisionables que no existen en la naturaleza pero que pueden obtenerse
artificialmente. Los principales son:

El uranio-233, que se obtiene por captura de un neutrn por un ncleo de torio-232. El

ncleo intermedio formado sufre dos desintegraciones beta, dando lugar al mencionado U-
233. El torio es un mineral abundante
en la Tierra en cantidad parecida al plomo y molibdeno, ocupando el puesto 39 en esta
relacin de abundancia terrestre y siendo mayor que la del uranio.

El plutonio-239. Aunque han podido detectarse trazas de l, se considera que no es un

istopo natural. Se forma en la captura de un neutrn por un ncleo de U-238, seguida por
dos emisiones beta. El plutonio es un elemento que no existe en estado libre en la corteza
terrestre pues su perodo de semidesintegracin es muy inferior al del uranio-238 y al del
torio-232, as como al tiempo transcurrido desde la formacin de la Tierra.

Menor importancia que los anteriores tiene el plutonio-241. Se forma por captura de un
neutrn en el Pu-240, el cual procede, a su vez, de la captura de un neutrn por un ncleo
de Pu-239.

Conceptos bsicos de fsica nuclear

QU SE ENTIENDE POR MATERIAL FRTIL?

Existen determinados nucleidos de elementos de elevado peso atmico que reaccionan
con los neutrones, capturando stos y emitiendo despus partculas beta, con la
circunstancia de que el nucleido final es fisionable. Dichos nucleidos iniciales, no
fisionables con neutrones trmicos, son de un gran inters prctico, puesto que si se
introducen dentro de un reactor nuclear sirven de materia prima para la obtencin de
combustible nuclear. Reciben el nombre de nucleidos frtiles y el material que
los contiene el de material frtil.

El torio-232 y el uranio-238 son los dos istopos frtiles ms importantes. Por lo tanto el
torio y el uranio natural o empobrecido son los dos materiales frtiles de mayor inters
tcnico.

Conceptos bsicos de fsica nuclear

DNDE RADICA EL INTERS PRCTICO DE LA FUSIN NUCLEAR?

El inters prctico de la fusin nuclear se encuentra en la cantidad de energa obtenida y
en la abundancia de los elementos atmicos empleados, lo que le da el carcter de
energa inagotable.

En las reacciones nucleares de fusin se emplean elementos atmicos ligeros, en general

el hidrgeno y sus istopos: el deuterio y el tritio. El deuterio abunda en el agua del mar en
una proporcin de un tomo por cada 6.500 de hidrgeno. Como adems, tres cuartas
partes del planeta estn cubiertas por agua, se puede afirmar que las reservas son
inagotables. El tritio, aunque es escaso en la naturaleza, se puede generar mediante
reacciones nucleares de neutrones con los dos istopos del litio, material, por otro lado,
abundante en la corteza terrestre (20 ppm) y en el agua del mar (0,17 ppm).

Desde el punto de vista energtico, por la fusin del deuterio contenido en un litro de agua,
se obtiene una energa equivalente a la producida en la combustin de 300 litros de
gasolina.

Conceptos bsicos de fsica nuclear

CUL ES LA SITUACIN ACTUAL DE LAS INVESTIGACIONES SOBRE FUSIN

NUCLEAR?
La fusin nuclear se encuentra en un estado de desarrollo tal que hasta la fecha no se ha
demostrado su factibilidad cientfica: es decir, la energa gastada para producir las
reacciones de fusin no se ha podido recuperar en su totalidad.

Se trata de reproducir en la Tierra las condiciones en las que los istopos del hidrgeno
experimentan fusiones en el Sol. Al no poder lograr en la Tierra la gran presin gravitatoria
existente en el Sol, hay que recurrir a muy altas temperaturas, en las que estos istopos
(deuterio y tritio) estn totalmente ionizados, en estado llamado de plasma. A esas
temperaturas, el plasma no puede confinarse con materiales metlicos ni cermicos, por lo
que hay que utilizar otros mtodos de confinamiento. Se han desarrollado dos lneas de
trabajo cientfico: el confinamiento magntico y el inercial.

En la fusin por confinamiento magntico se emplean campos magnticos para hacer que
las partculas del plasma se aceleren en trayectorias alrededor de las lneas del campo
magntico, y as puedan reaccionar con mayor facilidad. Actualmente existen varias
mquinas que funcionan bajo el concepto Tokamak. Los resultados ms notables
conseguidos hasta ahora se lograron en la mquina JET en noviembre de 1991, al obtener
una potencia de 1,7 MW y posteriormente, en 1993, el TFTR lleg hasta los 6 MW
alcanzando temperaturas de 30 millones de C.

El proyecto ms avanzado de confinamiento magntico es el ITER (International

Thermonuclear Experimental Reactor), prototipo basado en el concepto Tokamak, y en el
que se espera alcanzar una ganancia energtica superior a la unidad. Se trata de un
proyecto multinacional de gran coste y largo perodo de gestacin. Se ha acordado que
este proyecto se desarrolle en Cadarache (Francia).

En la fusin por confinamiento inercial se emplea un lser o un haz de partculas para

suministrar la energa instantnea necesaria para la fusin de pequeas partculas de
deuterio y tritio. En la actualidad se dispone de lseres que tienen una energa de varias
decenas de kilojulios. Para alcanzar la factibilidad cientfica ser necesario incrementar su
energa en un factor 10. En este sentido, en el laboratorio de Livermore, en Estados
Unidos, se ha comenzado el diseo y construccin de una instalacin: NIF (National
Ignition Facility) con una energa entre 1,8 y 2,2 MJ. Paralelamente Francia est realizando
un proyecto similar: el Lser Megajoule, que con una energa entre 1,8 y 3,2 MJ se
instalar en Burdeos.

Proteccion Radiobiolagica:

El ser humano siempre ha estado expuesto a la radiactividad ambiental, proveniente de

fuentes naturales. De media recibimos 2.4 mSv al ao (aunque en ciertos lugares del
planeta se alcanzan varias decenas de mSv) por estas radiaciones naturales. Una de
estas fuentes naturales es la radiacin csmica, que nos llega de fuera del planeta. La
atmsfera sirve de blindaje para la mayor parte de ella, pero de cualquier manera las
personas reciben una dosis de 0,3 a 1 mSv al ao. En un viaje trasatlntico de Europa a
EE.UU., se reciben de 30 a 45 microSv. La fuente ms importante de estas radiaciones es
la inhalacin de radn, gas natural que se emite por todos los materiales, con valores de
dosis efectiva de 0,2 a 10 mSv al ao.

Vase tambin: Radiacin natural

Tambin existen fuentes de radiaciones creadas por el hombre, como pueden ser los
reactores nucleares y los aparatos para usos mdicos e industriales.

Las partculas pueden afectar al hombre de forma externa e interna. Las partculas alfa no
pueden afectar de forma externa, ya que solo penetran unas micras de la piel. Los
emisores de partculas beta son ms importantes por el poder de penetracin en el tejido,
unos cuantos milmetros. Los emisores gamma, y los neutrones son las fuentes que
pueden afectar de forma externa, debido a su poder de penetracin, por lo tanto pueden
afectar a cualquier rgano.

La radiacin interna se presenta cuando la fuente radiactiva se encuentra dentro del

organismo. Esa fuente puede ingresar al cuerpo por ingestin, inhalacin, absorcin a
travs de la piel o por contacto con una herida abierta. La permanencia de la sustancia en
el cuerpo queda determinada por los mecanismos naturales de eliminacin de los
elementos qumicos. Por ejemplo, una sustancia qumica que se elimina con la orina slo
permanecer unas cuantas horas, pero una que se fija en los huesos permanecer
durante toda la vida del individuo.

En el manejo de fuentes radiactivas se generan residuos,como algodones, papel de filtro

absorbente, etc., que quedan contaminados. Estos desechos radiactivos son concentrados
en unos lugares controlados llamados almacenes de material radiactivo.

Los organismos encargados de proteger a las personas de las radiaciones ionizantes han
fijado un lmite de dosis considerada como asumible, de 20 mSv al ao para los
trabajadores profesionalmente expuestos (categora laboral otorgada por el ministerio de
Industria en Espaa) (aunque en un solo ao pueden recibir 50) y 1 mSv al ao para las
personas que no trabajan en la industria que genera radiaciones.

Efectos generales de las radioaciones sobre el ser humano:

Cantidad Efecto
---0mSv-250mSv Ninguna lesin detectable.

---5Sv (500mSv) Posibles alteraciones de la sangre, pero ninguna lesin grave. Ningn
otro efecto detectable.

---1Sv Nuseas y fatiga con posibles vmitos. Alteraciones sanguneas marcadas con
restablecimiento diferido. Probable acortamiento de la vida. Ninguna incapacitacin.

---2Sv Nuseas y vmitos en las primeras veinticuatro horas. A continuacin un periodo

latente de una semana, cada del cabello, prdida del apetito, debilidad general y otros
sntomas como irritacin de garganta y diarrea. Posible fallecimiento al cabo de dos a seis
semanas de una pequea fraccin de los individuos irradiados. Restablecimiento probable
de no existir complicaciones a causa de poca salud anterior o infecciones. Posible
incapacitacin.

---4Sv Nuseas y vmitos al cabo de una a dos horas. Tras un periodo latente de una
semana, cada del cabello, prdida del apetito y debilidad general con fiebre. Inflamacin
grave de boca y garganta en la tercera semana. Sntomas tales como palidez, diarrea,
epistaxis y rpida atenuacin hacia la cuarta semana. Algunas defunciones a las dos a
seis semanas. Mortalidad probable del cincuenta por ciento..

6Sv Nuseas y vmitos al cabo de una a dos horas. Corto periodo latente a partir de la
nusea inicial. Diarrea, vmitos, inflamacin de boca y garganta hacia el final de la primera
semana. Fiebre y rpida extenuacin y fallecimiento incluso en la segunda semana.
Fallecimiento probable de todos los individuos irradiados..
Estructura MOS

Estructura Metal-xido-semiconductor construida con un sustrato de silicio tipo p (estructura PMOS).

Una estructura MOS (Metal-Oxide-Semiconductor) es un dispositivo electrnico formado

por un sustrato de silicio dopado, sobre el cual se hace crecer una capa de xido (SiO2).
Los elementos se contactan con dos terminales metlicas llamadas sustrato y compuerta.
La estructura se compara con un condensador de placas paralelas, en donde se
reemplaza una de las placas por el silicio semiconductor del sustrato, y la otra por un
metal, aunque en la prctica se usa polisilicio, es decir, un policristal de silicio.

ndice

Funcionamiento
La estructura NMOS est formada por un sustrato de silicio dopado con huecos. Al aplicar
un potencial de compuerta positivo, los electrones presentes en el sustrato (portadores
minoritarios) son atrados hacia la capa de xido de compuerta. Al mismo tiempo, los
huecos son repelidos de la capa de xido de compuerta debido a que el potencial positivo
los aleja. Esto ocasiona una acumulacin de electrones en la cercana del xido, en donde
el silicio presenta un exceso de electrones y por lo tanto es de tipo n. La inversin del
dopado en el silicio (que antes era de tipo p) es lo que le da origen al nombre de esta
regin. Tambin se produce una regin de agotamiento de portadores en las cercanas del
xido, debido a que los huecos del sustrato se recombinan con los electrones atrados.
De manera anloga, una estructura PMOS est formada por un sustrato de silicio dopado
con electrones. Al aplicar un potencial de compuerta negativo, los huecos presentes en el
sustrato (portadores minoritarios) son atrados hacia la capa de xido de compuerta. Los
electrones son repelidos del xido de compuerta debido a que el potencial negativo los
aleja. Los huecos se acumulan en la cercana del xido, en donde el silicio acumula un
exceso de huecos y por lo tanto se comporta como un material de tipo p. La recombinacin
de huecos y electrones produce una regin de agotamiento.
La tensin positiva aplicada en la compuerta de una estructura PMOS se distribuye a
travs de las capas de materiales de acuerdo con la siguiente ecuacin1

En donde

es la tensin de compuerta,

es la diferencia de las funciones de trabajo entre el metal y el

semiconductor: ,

es la cada de tensin en el xido,

 es la cada de tensin en el semiconductor

Capacitancia normalizada de la estructura MOS en funcin de la tensin de

compuerta.2

En ambos tipos de estructuras se acumulan cargas elctricas en el xido y en el

semiconductor, de modo que el dispositivo se comporta como un condensador
elctrico. Se distinguen tres regiones de funcionamiento, dependiendo del nivel de
tensin que se aplica en la terminal de la compuerta.
Acumulacin
En la etapa de acumulacin las cargas se almacenan en el xido por el mismo
principio de operacin de un condensador, en donde el dielctrico se polariza de
forma proporcional al campo elctrico aplicado.
Realmente lo que ocurre es lo siguiente:
Caso pMOS:
Aplicamos un potencial negativo en la compuerta. Esto induce electrones,
atrayendo huecos a la interfase y creando un campo elctrico. De ah el nombre
de acumulacin.
Caso nMOS:
Aplicamos un potencial positivo en la compuerta. Esto induce huecos, atrayendo
electrones a la interfase y creando un campo elctrico.
Recordemos que el campo elctrico va siempre de carga positiva a carga negativa
Agotamiento
Al incrementar el potencial de compuerta, los electrones y los huecos se
comienzan a recombinar en el semiconductor para formar la regin
de agotamiento.
Caso pMOS:
Aplicamos potencial positivo a la puerta, con lo que se acumula carga positiva en
el metal. El Semiconductor es tipo N, con lo que se atraen electrones a la interfase
y se apartan los huecos que haba antes en la interfase. Se produce un campo
elctrico en el sentido contrario al caso de Acumulacin, en este caso desde el
metal al semiconductor. Como consecuencia, hay una recombinacin de
electrones y huecos que produce el agotamiento del canal.
Caso nMOS:
Aplicamos potencial negativo a la puerta. Como consecuencia se atraen huecos a
la interfase y se crea un campo elctrico. Del Semiconductor al metal. Electrones y
huecos se recombinan
Inversin
Si se contina aumentando la tensin de compuerta, se logra la inversin del tipo
de dopado del semiconductor.
Caso pMOS:
En este caso inducimos una tensin muy positiva, lo que induce muchos huecos
en el metal. Como el semiconductor es tipo N, lo que se consigue es un campo
elctrico grande que va del metal al semiconductor, y por tanto una Intensidad
grande, debido a los electrones que se acercan a la interfase atrado por el exceso
de huecos del metal
Caso nMOS:
Aplicamos una tensin muy negativa que hace que el metal se llene de electrones.
Como consecuencia, los huecos del semiconductor, se ven atrados hacia la
interfase crendose un campo elctrico del semiconductor al metal.

Capacidad MOS
En un condensador de capacidad C, aparece una carga Q, dada por la
expresin: Q=CV, donde V es la tensin entre armaduras. En el condensador
MOS, la tensin entre la puerta y el sustrato hace que adquiera la carga Q, que
aparece a ambos lados del xido. Pero en el caso del semiconductor esto significa
que la concentracin de portadores bajo la puerta vara en funcin de la tensin
aplicada a sta.
Imaginemos que tenemos el sustrato de silicio tipo p, es decir, conteniendo un
exceso de huecos. Lo conectamos a 0 V, y tenemos la puerta tambin conectada
a 0 V. En estas condiciones, no existe una variacin en la concentracin de
huecos. Cuando vamos aumentando la tensin de puerta, el condensador se va
cargando, con carga positiva en la parte de la puerta y negativa en el sustrato que,
en nuestro caso de semiconductor p, significa que el nmero de huecos va
disminuyendo hasta alcanzar la carga correspondiente a la tensin de puerta. Este
modo de funcionamiento se llama deplexin, vaciamiento o empobrecimiento.
Podemos continuar aumentando la tensin de puerta hasta que ya no queden
huecos en la banda de conduccin y el sustrato bajo la puerta se vuelve aislante.
Pero, si continuamos aumentando todava ms la tensin, el condensador MOS
necesita ms carga, que los huecos ya no pueden proporcionarle, por lo que
aparecen electrones en la banda de conduccin, a pesar de ser el sustrato tipo p.
Este fenmeno se llama inversin y permite formar canales tipo n dentro de
semiconductores p. Cuanto ms aumentamos la tensin, mayor carga
introducimos y ms avanza la capa de inversin dentro del sustrato, con lo que la
zona bajo la puerta se va haciendo cada vez ms conductora.
Volvamos a poner la puerta a 0 V y vayamos polarizndola con valores negativos.
Ahora la carga en el sustrato es positiva y el nmero de huecos aumenta, con lo
que la conductividad, tambin. Este modo de funcionamiento se llama
de acumulacin o enriquecimiento, pues se aumenta el nmero de portadores.
Cargas en el xido
La descripcin anterior es terica y no se ajusta al caso real, debido a que durante
el proceso de fabricacin diversas cargas quedan atrapadas en el xido que forma
la estructura MOS. Esta carga es independiente de la tensin que se aplique a la
puerta, pero influye sobre el comportamiento de la estructura, ya que se debe
polarizar la puerta para compensar esta carga antes de que el condensador MOS
se comporte como se ha descrito en el prrafo anterior.
Estas cargas han sido un quebradero de cabeza para los diseadores de circuitos
integrados MOS, pues varan incontroladamente sus condiciones de
funcionamiento. En circuitos digitales, se suaviza el problema usando tensiones de
alimentacin elevadas, que se han ido reduciendo al poder controlar mejor la
cantidad de carga atrapada.
Modificando esta carga se vara la tensin a la que se produce la inversin, de
forma que se tiene estructuras que a cero voltios tienen resistencia elevada,
mientras que otras la tienen reducida.
Variaciones
Aunque el dixido de silicio es un buen dielctrico y se obtiene oxidando el
sustrato, existen otras estructuras similares con otros aislantes, constituyendo la
estructura MIS (Metal-Insulator-Semiconductor). Tambin puede haber varias
capas de dielctricos diferentes, como en el caso de las celdas MIOS.

Aplicaciones
La estructura MOS es de gran importancia dentro de los dispositivos de estado
slido pues forma los transistores MOSFET, base de la electrnica digital actual.
Pero, adems, es el pilar fundamental de los dispositivos de carga acoplada, CCD,
tan comunes en fotografa. As mismo, funcionando como condensador es
responsable de almacenar la carga correspondiente a los bits de las memorias
dinmicas.
Tambin se utilizan como condensadores de precisin en electrnica analgica y
microondas.
-CIRCUITO CMOS

La familia lgica de MOS complementarios est caracterizada por su bajo

consumo. Es la ms reciente de todas las grandes familias y la nica cuyos
componentes se construyen mediante el proceso MOS. El elemento bsico de la
CMOS es un inversor.
Los transistores CMOS tienen caractersticas que los diferencian notablemente de
los bipolares:
*Bajo consumo, puesto que una puerta CMOS slo consume 0,01 mW en
condiciones estticas (cuando no cambia el nivel). Si opera con frecuencias
elevadas comprendidas entre 5 y 10 MHz, el consumo es de 10 mw.

*Los circuitos CMOS poseen una elevada inmunidad al ruido, normalmente sobre
el 30 y el 45 % del nivel lgico entre el estado 1 y el 0. Este margen alto slo es
comparable con el de la familia HTL.

Las desventajas que sobresalen en la familia CMOS son su baja velocidad, con
un retardo tpico de 25 a 50 ns o ms, especialmente cuando la puerta tiene
como carga un elemento capacitivo; tambin hay que citar que el proceso de
fabricacin es ms caro y complejo y, finalmente, la dificultad del acoplamiento
de esta familia con las restantes.

Una caracterstica muy importante de la familia CMOS es la que se refiere al

margen de tensiones de alimentacin, que abarca desde los 3 a los 15 V, lo que
permite la conexin directa de los componentes de dicha familia con los de la
TTL, cuando se alimenta con 5 V a los circuitos integrados CMOS.
La serie 4000 de circuitos integrados CMOS es muy popular y consta, entre otros,
de los siguientes modelos.

4000 Dos puertas NOR de 3 entradas y un inversor.

4001 4 puertas NOR de 2 entradas.
 4002 2 puertas NOR de 4 entradas.
4011 4 puertas NAND de 2 entradas.
4012 2 puertas NAND de 4 entradas.
4013 2 biestables tipo D.
4015 2 registros de desplazamiento de 4 bits.
4017 Divisor-contador de dcadas con 10 salidas.
4020 Contador binario de 14 etapas.
4023 3 puertas NAND de 3 entradas.
4025 3 puertas NOR de 3 entradas.
4027 2 bestables J-K.
4028 Decodificador BCD/decimal.
4035 Registro de desplazamiento con entrada serie/paralelo y salida
paralelo.
4042 4 registros D.
4043 4 RS con puertas NOR.
4044 4 RS con puertas NAND.
4049 6 buffer inversores.
4051 Multiplexor/de multiplexor analgico de 8 canales.
4052 2 multiplexores/de multiplexores de 4 canales.
4068 Una puerta NAND de 8 entradas.
4069 6 inversores.
4070 4 puertas EOR de 2 entradas.
4071 4 puertas OR de 2 entradas.
4072 2 puertas OR de 4 entradas.
4081 4 puertas AND de 2 entradas.

Dentro de la familia CMOS, se ha citado la serie 4000, que se caracteriza por

tener una tensin de alimentacin de 3 a 18 V, un consumo por puerta de 2,5
nW y un tiempo de propagacin por puerta de 40 ns. En el mismo grupo hay dos
subfamilias, cada vez ms empleadas, que son:
HCMOS (CMOS de Alta Velocidad), con tensin de alimentacin entre 2
y 6 V, consumo de 2,5 nW y tiempo de retraso de 9 ns. Es la serie 74HC.
HCMOS (CMOS de alta velocidad y compatible con TTL), con tensin de
alimentacin de 5 V, consumo de 2,5 nW y tiempo de retraso por puerta de 9 ns.
Es la serie 74HCT.

As como cuando se trabaja con puertas TTL si una entrada no utilizada se deja
sin polarizar acta como entrada con nivel alto, en las de tecnologa CMOS se
deben de unir directamente a la alimentacin o a masa, segn se desee se
comporten con nivel alto o bajo, respectivamente
.
A continuacin se exponen los valores ms relevantes de los parmetros de la
familia CMOS, alimentada a 5 V, y los de la TTL.

FAMILIA TTL C-MOS

Alimentacin + (voltios) +5 +3 a +15
FAN-OUT 10 50
Inmunidad al ruido (v) 0,4 1
Mx. Frecuencia (MHz) 35 10

-MARGEN DE RUIDO

El ruido es un tema de vital importancia, que se debe tener presente en el diseo

de sistemas electrnicos, tanto analgicos como digitales. En muchas ocasiones,
el ruido es fuente de problemas para el diseador, ya que no es fcil conocer el
origen del mismo y sus efectos sobre el equipo o sistema diseado.

Se entiende por ruido toda perturbacin no voluntaria que pueda modificar de

forma inadecuada los niveles de salida de un integrado, es decir, que aparezca
en una salida un nivel de tensin alto cuando debera ser bajo o viceversa. Las
fuentes de ruido ms importantes suelen ser:

Ruido ambiental, radiado en las cercanas del sistema digital. Algunos

ejemplos son: motores con escobillas, contactores, rels, mquinas de soldadura,
etc.
Ruido exterior al sistema digital, que se acopla por la fuente de
alimentacin.
Picos en la alimentacin provocados por cambios bruscos de consumo.
Por ejemplo, conmutaciones sobre lneas de alterna o continua con cargas
fuertes.
Ruido acoplado en conexiones o- lneas cercanas.
Ruido producido por reflexiones y oscilaciones en lneas mal adaptadas.
Los tipos de acoplo entre las fuentes de ruido y el circuito susceptible a
l son:
Acoplo por impedancia comn.
Acoplo magntico o inductivo.
Acoplo electrosttico
Acoplo por radiacin
El ruido se puede presentar en un sistema digital de dos formas:
Como una tensin de variacin aleatoria, pero con una cierta componente
continua (o pulsos de larga duracin) que se suma algebraicamente a los niveles
de las tensiones del circuito sacando a stas de sus mrgenes permitidos Este
tipo de ruido se denomina ruido en continua (D. C.) o analgico.
Como impulsos de menor duracin que, segn su amplitud, pueden ser
interpretados como niveles altos o como bajos. Este tipo de ruido, cuyo camino
de acoplo suele ser capacitivo, se denomina ruido en alterna (A. C.).

En determinados casos, cuando el nivel de ruido es del orden de magnitud de la

seal elctrica, esta puede llegar a ser enmascarada con el con-siguiente mal
funcionamiento del circuito, como veremos a continuacin:
Supongamos que a la salida de la puerta A, hay un "0" lgico, esto significa que
la tensin en ese punto puede ser cualquier valor comprendido entre 0 y +1
Voltio, como a la entrada de la puerta B cualquier valor comprendido entre 0 y
+1,5 Voltios.
Lo interpreta como "0" lgico estara dentro del margen de seguridad, pero si la
puerta A generase una cantidad de ruido mayor a 0,5 Voltios, o la entrada a la
puerta B lo captase, significara esto que la entrada de la puerta B se encontrara
con una tensin mayor de +1,5 Voltios que es la VIL mx. que nos garantiza el
buen funcionamiento del circuito; luego podemos decir que el margen de ruido
permitido (en las peores condiciones) es de 0,5 V. O lo que es lo mismo, la
inmunidad al ruido para niveles bajos es de 0,5 V.
Como el ruido puede hacer que la seal elctrica aumente o disminuya su valor
como indica la figura anterior para un nivel alto de salida en la puerta A de +3 V
est dentro del margen de entrada aceptado por la puerta B no estara
garantizado, por lo que igualmente la inmunidad al ruido a nivel alto sera
tambin 0,5 V.
Resumiendo podemos decir que los mrgenes entre VOLmax, VILmax por un lado
y VOHmin, VIHmin por otro han de ser lo ms grande posible al objeto de que
un circuito sea lo ms inmune posible al ruido y tenga las mximas garantas de
funcionamiento.

Funcin de Transferencia
La funcin de transferencia de tecnologa CMOS se aproxima ms a la ideal en
comparacin con la tecnologia TTL. Entre las razones ms importantes se encuentran
los estados bajo (0) y alto (1) sin carga, el umbral de conmutacin y el margen de
transicin nulo.

Caractersticas de Entrada
Los estados en los niveles de tensin de entrada y salida se explicaron en la leccin 1.
En la familia TTL los niveles lgicos bajos son ms importantes que los niveles altos. De
las grficos 9.1.4. y 9.1.5. se puede concluir la preferencia de un valor VILmx lo ms
elevado posible y un valor VIHmn lo ms reducido posible.
Caractersticas de Salida
Las entradas de las compuertas CMOS nunca deben dejarse flotantes. La estructura de
entrada de un elemento TTL contiene una resistencia que proporciona un camino a Vss.
La estructura de los dispositivos CMOS no contiene la resistencia y tiene una impedancia
de entrada extremadamente alta. Por la anterior, un ruido pequeo hace que la entrada
sea baja alta. En el caso de un ruido entre el nivel lgico 0 y 1, los dos transistores de
entrada pueden estar en conduccin y puede circular una corriente excesiva. En
ocasiones la corriente afecta la fuente de tensin y crea una oscilacin de alta frecuencia
en la salida del dispositivo. Segn especificacin del fabricante es necesario conectar la
entrada de estos dispositivos a Vss, tierra u otra fuente. Las figuras 9.1.4. y 9.1.5.
establecen la diferencia de salida entre las familias TTL y CMOS.
Cargabilidad de Salida (Fan-Out)
La cargabilidad se puede establecer de acuerdo a nmero mximo de cargas que se
pueden conectar a la salida de una compuerta, para una tensin de salida a nivel bajo
de 0.3 V (VOL= 0.3 V). La referencia 4000B tiene un fan - out menor en comparacin a
la familia TTL estndar.
Disipacin de Potencia
Por razones econmicas predominan los dispositivos de baja disipacin de potencia. La
diferencia de potencia CMOS es un milln de veces menor a la familia TTL.
Debes especificar un poco que aplicacin buscas.
Inversor TTL.

La lgica transistor-transistor (TTL) es una de las tecnologas de circuitos integrados ms

extendidas... hasta el momento... La funcin lgica de un inversor o de cualquier tipo de puerta
es siempre la misma, independientemente del tipo de tecnologa de circuitos que se utilice.

Circuitos CMOS (Complementary Metal-Oxide Semiconductor)

CMOS es una de las familias lgicas empleadas en la fabricacin de circuitos integrados. Su
principal caracterstica consiste en la utilizacin conjunta de transistores de tipo pMOS y tipo
nMOS configurados de tal forma que, en estado de reposo, el consumo de energa es nicamente
el debido a las corrientes parsitas.

En la actualidad, la mayora de los circuitos integrados que se fabrican utilizan la tecnologa

CMOS. Esto incluye microprocesadores, memorias, procesadores digitales de seales y muchos
otros tipos de circuitos integrados digitales.

* Cuando la entrada es 1, el transistor nMOS est en estado de conduccin. Al estar su fuente

conectada a tierra (0), el valor 0 se propaga al drenador y por lo tanto a la salida de la puerta
lgica. El transistor pMOS, por el contrario, est en estado de no conduccin
* Cuando la entrada es 0, el transistor pMOS est en estado de conduccin. Al estar su fuente
conectada a la alimentacin (1), el valor 1 se propaga al drenador y por lo tanto a la salida de la
puerta lgica. El transistor nMOS, por el contrario, est en estado de no conduccin.

Otra de las caractersticas importantes de los circuitos CMOS es que son regenerativos: una
seal degradada que acometa una puerta lgica CMOS se ver restaurada a su valor lgico
inicial 0 1, siempre y cuando an est dentro de los mrgenes de ruido que el circuito pueda
tolerar.