DIODO de

JUNTURA P-N
Dr. Andrs Ozols

Facultad de Ingeniera
UBA
2007

Dr. A. Ozols 1
LA RELACIN CORRIENTE TENSIN IDEAL

Hiptesis del modelo

1. La juntura es abrupta. El SC es neutro fuera de la zona de

vaciamiento de carga.
2. La aproximacin de estadstica de Maxwell Boltzmann se aplica
a los portadores de carga.
3. La aproximacin de baja inyeccin de carga es aplicable.
4. La corriente total es constante a travs de la juntura.
5. Las corrientes individuales de electrones y huecos son continuas a
travs de la juntura.

6. Las corrientes individuales de electrones y huecos son

constantes a travs de la zona de vaciamiento.

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CONDICIONES de CONTORNO

El potencial de contacto a travs de la juntura

kT N d N a
0 ln 2
e ni

e0
Nd Na
2
e kT
ni e0
nN 0
Para ionizacin completa de las impurezas e kT
nP 0
nN 0 N d
e0
ni2
nP 0 nP 0 nN 0 e kT
Na
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CONDICIONES de CONTORNO

La aplicacin de una polarizacin positiva (directa) a la zona P

respecto a la N

la reduccin de la barrera de potencial e ( 0 V )

la concentracin de portadores minoriarios (del lado P) crece en:
e ( 0 V ) e0 eV

nP nN 0 e kT
= nN 0 e kT
e kT

Donde la concentracin del portador mayoritario (lado N) casi no cambia.

Es decir la concentracin total de electrones del lado P

eV
nP nP 0 e kT

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 CONDICIONES de CONTORNO

La aplicacin de una Juntura juera del equilibrio

polarizacin positiva

La mayor parte de los electrones de la zona N son inyectados a la P,

subiendo la concentracin de minoritatios es este lado

Produce un exceso de minoritarios es este lado

Es sometido a procesos de difusin y recombinacin

La situacin es anloga para los portadores minoritarios del lado N, es decir

eV
pN pN 0 e kT

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DISTRIBUCIN DE PORTADORES MINORITARIOS

El clculo de los excesos de los portadores se hace a partir de la ecuacin

ambipolar.

LADO N: exceso de huecos

2 ( pN ) ( pN ) pN ( pN )
Dp + pE +g

=
x 2
x po t

Situacin estacionaria de campo aplicado E y generacin de excesos nulos

2 ( pN ) pN X > XN
Dn =0
x 2
n

2 ( pN ) pN X > XN
2 =0
x 2
Lp

Longitud de difusin L2p = D p p 0

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DISTRIBUCIN DE PORTADORES MINORITARIOS
LADO P: exceso de electrones

2 ( nP ) nP
2 =0 X <- XP
x 2
Ln

Longitud de difusin L2n = Dn n 0

LADO N: exceso de huecos

2 ( pN ) pN
2 =0 X > XN
x 2
Lp

Longitud de difusin L2p = D p p 0

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 Condiciones de contorno

Las condiciones de contorno sobre los portadores minoritarios fueron

obtenidas antes
lim pN ( x ) pN 0
x
Lejos de la zona de vaciamiento
lim nP ( x ) nP 0
En los bordes de la zona de x
vaciamiento

Inyeccin de huecos Inyeccin de electrones

eV
p N ( xN ) p N 0 e
eV
nP ( xP ) nP 0 e
kT
kT

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 DISTRIBUCIN DE PORTADORES MINORITARIOS

Las soluciones de las ecuaciones ambipolares en cada regin sern:

pN ( x ) pN 0 ( x ) pN 0 = Ae x / LP
+ Be x / LP
X XN

nP ( x ) nP 0 ( x ) nP 0 = Ce x / L + De x / L
n n X - XP

Aplicando las condiciones de contorno A y D deben anularse y

pN ( xN ) pN 0 e eV / kT
pN 0 = Be xN / LP
B = pN 0 e xN / LP
(e eV / kT
1)

nP ( xP ) nP 0 e eV / kT
nP 0 = De xP / Ln
D = nP 0 e xn / Ln (eeV / kT
1)

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DISTRIBUCIN DE PORTADORES MINORITARIOS

Las concentraciones de los excesos resultan que decaen con la distancia a

la juntura

pN ( x ) pN 0 ( x ) pN 0 = pN 0 ( eeV / kT 1) e( x N x ) / LP X XN

nP ( x ) nP 0 ( x ) nP 0 = nP 0 ( eeV / kT 1) e( x P +x ) / Ln X - XP

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 CORRIENTE de LA JUNTURA IDEAL

La corriente de difusin de los portadores minoritarios en x = xN

dpN ( x )
J p ( xN ) = eD p
dx x = x
N

Si el SC tiene dopaje uniforme

J p ( xN ) = eD p
d pN ( x )
= eD p pN 0 ( eeV / kT 1)
(
d e(
xN x ) / LP
)
dx x= x
dx
N
x = xN

( 1)
eD p pN 0
J p ( xN ) = e eV / kT

LP

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 CORRIENTE de LA JUNTURA IDEAL

La corriente de difusin de los portadores minoritarios en x = - xP

dnP ( x )
J n ( xP ) = eDn
dx x = x
P

J n ( xP ) = eD p
d nP ( x )
= eDn nP 0 ( eeV / kT 1)
(
d e( xP + x ) / Ln )
dx x = x
dx
P
x = xP

J n ( xP ) =
Ln
(
eDn nP 0 eV / kT
e 1)

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CORRIENTE de LA JUNTURA IDEAL

La corriente de difusin total en la juntura es

( 1)
eD p pN 0
J p ( xN ) = e eV / kT

LP
J = J n ( xP ) + J p ( x N )
J n ( xP ) =
Ln
(
eDn nP 0 eV / kT
e 1)

( 1) + ( 1)
eDn nP 0 eV / kT eD p pN 0 eV / kT
J= e e
Ln LP

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CORRIENTE de LA JUNTURA IDEAL

J = J n ( xP ) + J p ( x N )

J p ( xN )
J n ( xP )

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CORRIENTE de LA JUNTURA IDEAL

eDn nP 0 eD p pN 0 eV / kT
J = + (e 1)
Ln LP

J = J 0 ( eeV / kT 1)

eDn nP 0 eD p pN 0
J0 = +
Ln LP
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 CORRIENTE de LA JUNTURA IDEAL

J = J n ( xP ) + J p ( x N )

La corriente de J p ( xN )
huecos La corriente de
mayoritaria electrones mayoritaria
J n ( xP )
La corriente de La corriente de
difusin de difusin de huecos
electrones

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