Caractersticas del MOSFET de potencia y driver de

MOSFET.
Grupo 11
Jhon Uquillas, Danilo Urbano
Departamento de Electrica y Electronica, Universidad de las Fuerzas Armadas ESPE
Sangolqu-Ecuador

ResumenPractica de laboratorio correspondiente al segundo y la corriente permanece en su valor mas alto. Al cambiar la
parcial de Electronica de Potencia, se obtienen las caractersticas tension de la compuerta a surtidor, se obtiene la familia de
principales del MOSFET de potencia al implementar un circuito curvas. Estas caractersticas producen la operacion lineal.
con controlador de compuerta IR2110.
La ventaja de los dispositivos VMOS son mayores impedan-
cias de entrada, menor potencia de excitacion y caractersticas
I. OBJETIVOS operativas mas lineales, que producen menor distorsion.
Obtener las principales caractersticas del MOSFET de
potencia y de un manejador de compuerta IR2110. B. DRIVER IR2110:
Implementar y verificar el funcionamiento de un circuito
Bootstrap.
Medir las diferentes caractersticas con los dispositivos
adecuados.
Calcular y comparar errores de los resultados medidos
con los calculados.

II. MARCO TE ORICO

A. Circuito VMOSFET:

Figura 2: Driver IR2110/IR2113

La configuracion y funcion de los pines se muestran en el

siguiente cuadro.

Cuadro I: Descripcion de los Pines del DRIVER IR2110.

PIN Smbolo Descripcion

(a) Circuito VMOS FET. (b) Curvas Caractersticas. 9 VDD Fuente logica.
10 HIN Entrada logica para salida de controlador de compuerta (HO).
Figura 1: VMOSFET. 11 SD Entrada logica para apagado.
12 LIN Entrada logica para salida de controlador de compuerta (LO).
13 VSS Tierra logica.
El circuito VMOS FET de la Fig. 1 esta conectado para 6 VB Fuente flotante de lado alto.
mostrar su polarizacion, junto a sus curvas caractersticas. 7 HO Salida de controlador de compuerta de lado alto.
Para obtener las curvas de la Fig. 2 la tension de compuerta 5 VS Retorno de fuente flotante de lado alto.
3 VCC Fuente de lado bajo.
a surtidor (VGS ) es ajustada a un valor positivo, como 1 V, 1 LO Salida de controlador de compuerta de lado bajo.
variando la fuente de tension (VGG ). Este valor no cambia 2 COM Retorno de lado bajo.
mientras que la tension del drenador y surtidor (VDS ) es
cambiada, mediante el ajuste de la fuente de tension (VDD ).
La corriente de drenaje aumenta rapidamente, luego ocurre la B. Circuito Bootstrap:
saturacion, y la corriente deja de aumentar. La corriente de Los circuitos bootstrap se utilizan cuando los niveles de
drenaje de salida tiene un valor constante mientras aumenta la los voltajes de entrada no permiten el uso de circuitos de
tension (VDS ). Para obtener la siguiente curva, el valor de VGS control de compuerta directos, gracias al bootstrap se puede
es aumentado a unos +2 V, y luego se repite el procedimiento. implementar el controlador y vas flotantes utilizando ele-
La corriente de drenaje tambien aumenta, ocurre la saturacion mentos de bajo voltaje dado que el voltaje de entrada nunca
es aplicado a traves de estos terminales, el controlador y la V. AN ALISIS DE RESULTADOS
senal de control de referencia de tierra se unen por medio de A. Driver IR2110
un circuito conmutador de nivel este circuito debe tolerar la
diferencia de alto voltaje y las corrientes capacitivas debido
a la conmutacion entre el lado alto flotante y el lado bajo
referenciado a tierra.

Figura 4: Circuito bootstrap para control del MOSFET.

Figura 3: Esquema de Funcionamiento del circuito Bootstrap.
A continuacion se muestra las medidas tomadas en
El circuito bootstrap opera de la siguiente manera: laboratorio y la comparacion con los resultados teoricos.
Cuando el voltaje VS se encuentra por debajo del voltaje de
fuente VDD del circuito integrado o si el VS tiende a tomar Es importante recordar la relacion entre el ciclo de trabajo
el valor de tierra, el capacitor de bootstrap Cboot se carga a y los voltajes V g, de alimentacion, y VDC voltaje medio en
traves de la resistencia de bootstrap Rboot y el diodo bootstrap la carga.
V
Dboot, en este estado el switch del lado de bajo voltaje esta =D
Vg
en ON y el switch de alto voltaje esta en OFF.
Cuando VS toma un valor de voltaje alto la fuente VBS esta Por lo tanto el voltaje medio teorico en la carga es igual a:
en modo flotante y el diodo bootstrap se encuentra polarizado V = DV g
de manera inversa bloqueando el camino del voltaje desde la
fuente del circuito integrado VDD, en este estado el switch El error experimental es:
del lado de bajo voltaje esta en OFF y el switch del lado de Vt Vp
alto voltaje esta en ON. %error = 100 %
Vt
Donde Vt es el valor teorico y Vp es el valor practico.
III. EQUIPOS Y MATERIALES
MOSFET de potencia, DRIVER para MOSFET IR2110. Se realizaron las siguientes mediciones en laboratorio:
Resistencias, Capacitores.
Multimetro, Osciloscopio.
Carga DC(Motor, Foco de Auto)

IV. PROCEDIMIENTO DE LA PR ACTICA

1. Implementar los circuitos del preparatorio.
2. Realizar las medidas necesarias de acuerdo a los objetivos
de la practica.
3. Obtener las graficas del osciloscopio en la carga para
una onda cuadrada de distintas frecuencias para obtener
la caracterstica de respuesta de conmutacion.

(a) Voltaje DC medido. (b) Forma de onda.

Figura 5: Mediciones ciclo de trabajo 20 %.

 (a) Voltaje DC medido. (b) Forma de onda.
(a) Voltaje DC medido. (b) Forma de onda.
Figura 9: Mediciones ciclo de trabajo 60 %.
Figura 6: Mediciones ciclo de trabajo 30 %.

(a) Voltaje DC medido. (b) Forma de onda.

(a) Voltaje DC medido. (b) Forma de onda.
Figura 10: Mediciones ciclo de trabajo 70 %.
Figura 7: Mediciones ciclo de trabajo 40 %.

(a) Voltaje DC medido. (b) Forma de onda.

(a) Voltaje DC medido. (b) Forma de onda.
Figura 11: Mediciones ciclo de trabajo 80 %.
Figura 8: Mediciones ciclo de trabajo 50 %.
Cuadro II: Voltajes medidos en la carga y valores teoricos
para distintos ciclos de trabajo.

Ciclo de trabajo D VDC teorico(V) VDC practico (V) Error %

20 2.52 2.4 5
30 3.75 3.6 4.17
40 4.93 4.8 2.71
50 6.21 6 3.5
60 7.41 7.2 2.92
70 8.62 8.4 2.62
80 9.88 9.6 2.92
 A partir de estos datos se construyo una grafica que rela-
cione el ciclo de trabajo con el voltaje DC registrado en la
carga, la grafica se muestra a continuacion permite determinar
rapidamente el voltaje de salida esperado para distintos valores
de D el ciclo de trabajo.
R EFERENCIAS
[1] Muhammad H. Rashid,Electronica de potencia. Mexico. Pearson Pren-
tice Hall.
[2] Robert W. Erickson, Dragan Maksimovic. Fundamentals of Power
Electronics. Boulder, Colorado. Kluwer Academic Publishers.
[3] Mohan N. Electronica de potencia: Convertidores aplicaciones y diseno.
Mexico. McGraw-Hill.

Figura 12: Voltaje DC medido en la carga (azul), voltaje DC

teorico (rojo) para diferentes valores de ciclo de trabajo.

Como se puede apreciar en la figura existe una relacion

directamente proporcional entre el ciclo de trabajo y el voltaje
DC tanto los obtenidos en las mediciones de laboratorio, que
se muestran en color azul, como con los valores teoricos en
color rojo.

VI. PREGUNTAS
Entre que terminales se aplica la senal que se obtiene
de un circuito de control digital que entrega senales PWM
para el disparo de un MOSFET?
La senal de salida de un control digital debe aplicarse a los
terminales HIN y LIN del DRIVER 2110.

Para que se utiliza el circuito Bootstrap?

El circuito bootstrap se utiliza para realizar el control de un
MOSFET utilizando elementos de bajo voltaje ya que con el
driver 2110 se puede separar la parte de bajo voltaje de la de
alto voltaje.

VII. CONCLUSIONES Y RECOMENDACIONES

Se comprobo el funcionamiento del circuito Bootstrap,
el cual permitio activar el mosfet de potencia haciendo
uso de una senal TTL modificando el ciclo de trabajo.
Como se observa en el cuadro 2 el porcentaje de error
para los datos obtenidos en esta practica no supera el
10 % esto es una muestra de la precision del driver
IR2110 utilizado en la practica.
En la figura 12 se grafico el voltaje DC medido versus
el ciclo de trabajo, en esta grafica se puede constatar la
relacion directa entre estas dos, lo que concuerda con
los resultados esperados ya que al ser mayor el ciclo de
trabajo es mayor el periodo de tiempo durante el cual
el MOSFET se encuentra conduciendo y alimentando la
carga.