1UPS Electronica de Potencia I

Facultad de
Ingeniera Elctrica
Electrnica De Potencia I
PRIMER PARCIAL
Cristian Cuji
1
Indicaciones Generales
Bienvenid@s
Las presentaciones deben ser vistas como una gua
de estudios, la mayor cantidad de contenidos sern
discutidas en clase. Por tal motivo es necesario
asistir a las mismas.
Respeto, consideracin y libertad
Evitemos problemas Repasar ejercicios y estudiar
Respetar los tiempos asignados
La investigacin, la curiosidad Conceptos propios
Todo trabajo, ejercicio, contribuye al proceso de
aprendizaje ( No hay puntos extras ) Todos los
trabajos son muy IMPORTANTES.
EXAMEN Pasaporte al siguiente semestre
xitos Demostrando un aprendizaje
Teoria del Control I Cristian Cuji

2
Lineamientos
En esta asignatura se tratan los temas relacionados con los diodos semiconductores
DESCRIPCIN
de potencia, la rectificacin controlada, la regulacin de la corriente continua, los
controladores de voltaje de corriente alterna, el accionamiento para motores de
corriente continua a SCR, los transistores de potencia y los propulsores de CC y CA.
Analizar, disear e implementar sistemas electrnicos de potencia, para dar solucin a

OBJETIVOS
problemas en el campo de la electrnica industrial.
1. Conocer los elementos utilizados en electrnica de potencia y sus
aplicaciones
2. Analizar y disear sistemas de rectificacin controlados de potencia
3. Analizar y disear sistemas propulsados de corriente continua y de
corriente alterna
Electrnica De Potencia I Cristian Cuji

3
Contenido
Contenidos cognitivos procedimentales y actitudinales
1. DIODOS DE POTENCIA Y CIRCUITOS.
1. Aplicaciones de la Serie De Fourier y las ecuaciones de Laplace
2. Valores Medio, rms, CA, PF, CF, TUF, PIV, THD, potencia instantnea, potencia media,
3. Caractersticas de los diodos de potencia
4. Tipos de diodos de potencia
5. Conexin de diodos en serie y paralelo
6. Diodos en corriente directa con carga RC, RL, LC y RLC
2. RECTIFICADORES NO CONTROLADOS
1. Rectificadores monofsicos de media onda y onda completa con carga R,RL,RC Y RLC
2. Rectificadores polifsicos en estrella
3. Rectificadores trifsicos en puente
4. Comparaciones de rectificadores con diodos
5. Diseo de circuitos rectificadores
6. Sistemas de proteccin de los semiconductores de Potencia
3. TIRISTORES
1. Tipos de tiristores y sus caractersticas
2. Operacin de tiristores en serie y en paralelo
3. Proteccin contra di/dt
4. Proteccin contra dv/dt

4
Contenido
4. CIRCUITOS EXITADORES DE COMPUERTA
1. Transformadores de pulsos
2. Optoacopladores
3. Circuito de disparo para tiristores
4. Anlisis de cruce por cero
5. RECTIFICADORES CONTROLADOS
1. Principio de operacin del convertidor controlado por fase
2. Convertidores monofsicos completos con carga R Y RL
3. Convertidores monofsicos duales
4. Principio de operacin de los convertidores trifsicos de media onda
5. Convertidores trifsicos completos
6. Convertidores trifsicos duales
7. Mejoras al factor de potencia
8. Semiconvertidores monofsicos
9. Semiconvertidores trifsicos
10. Convertidores monofsicos en serie
11. Convertidores de doce pulsos
12. Diseo de circuitos convertidores

5
Contenido
6. TRANSISTORES DE POTENCIA
1. Caractersticas de los Transistores Bipolares.
2. MOSFET de potencia
3. Nuevas tecnologas y materiales en MOSFET
4. IGBT
5. Operacin en serie y paralelo
6. Limitaciones por di/dt y por dv/dt
7. Comparacin de transistores.
7. CONTROLADORES DE VOLTAJE DE CORRIENTE ALTERNA
1. Principio del control de encendido apagado
2. Principio de control por ngulo de fase
3. Controladores monofsicos bidireccionales con carga resistiva
4. Controladores monofsicos con carga inductiva
5. Controladores trifsicos de onda completa
6. Controladores trifsicos bidireccional conectados en delta
7. Cambiadores de conexin en un transformador monofsico
8. Ciclo convertidores
9. Controladores de voltaje CA con control por PWM
10. Diseo de circuitos convertidores de voltaje de CA

6
Contenido
8. INTERRUPTORES ESTTICOS
10. PROPULSORES DE CORRIENTE ALTERNA
1. Interruptores de CA monofsicos
1. Propulsores para motores de induccin
2. Interruptores de CA trifsicos
2. Control en lazo cerrado de los motores de induccin
3. Interruptores trifsicos reversibles
3. Principio de control vectorial
4. Interruptores de CA para transferencia de canal
4. Principio de control orientado
5. Interruptores PA
5. Propulsores con motores sncronos
9 PROPULSORES DE CORRIENTE DIRECTA
6. Control de motores especiales
1. Caractersticas de los motores de CD
7. Ajustes de tcnicas de control predictivas y genticas
2. Modos de operacin
aplicables a los propulsores CA.
3. Propulsores monofsicos
4. Propulsores trifsicos
5. Propulsores por convertidor CD-CD
6. Control en lazo cerrado de los propulsores de CD

7
Referencias Bibliografa

8
Albert Einstein
Generalidades - Historicas
ley del efecto fotoelctrico
1922
Niels Bohr
Compresin de la estructura
atmica y mecnica cuntica
1922
Max Plank
Terica de Mecnica
Cuntica
1918
Marie Curie Y Henrie

Bacquerel
Fenomenos de Radiacin
Radio
1904
Joseph Thomson
Descubri el electrn Rayos
Catdicos
1897
Congreso de Electrnica y Fotones ( Solvay 1927)
Cristian Cuji
9
Lee De Forest patenta el Triodo (bulbo), No se poda explicar en
detalle - Lo importante es que funciona!! (Edwin Armstrong
(inventor de la FM) explic como operaba el triodo.
En 1947 funciono el primer transistor Walter Brattain : conecto
el circuito al osciloscopio y dijo Esta cosa tiene ganancia
Entre los 3 fsicos Shockley, Bardeer y Brattain surguieron
problemas para asumir el crdito del transistor. Por lo que
Shockley por orgullo propio decidi crear el transistor de unin.
Los 3 recibieron el premio Nobel de Fisica en 1956.
La fascinacin de poder ver los electrones.
Shockley primer fsico en crear una empresa de semiconductores
Valle de San Jos California Silicon Valley
Los 8 traidores: grupo de estudiantes y pasantes de Shockley que
fundaron la Fairchild.
Dos de los co-fundadores de Fairchild crearon INTEL

10
Los doctores Ian Munro Ross (enfrente) y G.C.

Dacey, desarrollaron en equipo un procedimiento
experimental para medir las caractersticas de un
transistor de efecto de campo en 1955. - JFET

11
En 1959 ambos investigadores desarrollan en
los Laboratorios de Telefona BELL, un
dispositivo llamado MOSFET (Metal Oxide
Semiconductor Field-transistor de efecto), que
es el elemento bsico en la mayora de los
equipos electrnicos de hoy en da

12
Generalidades Aplicaciones
Nmero Nombre del Grupo en la Electrones en Nmeros de
Categora
Atmico Elemento Tabla Peridica la ltima rbita valencia
48 Cd (Cadmio) IIa Metal 2 e- +2

5 B (Boro) Metaloide 3 e- +3
13 Al (Aluminio)
IIIa
31 Ga (Galio) Metal
49 In (Indio)
14 Si (Silicio) 4 e- +4
IVa Metaloide
32 Ge (Germanio)
15 P (Fsforo) No metal 5 e- +3, -3, +5
33 As (Arsnico) Va
Metaloide
51 Sb (Antimonio)
16 S (Azufre) 6 e- +2, -2 +4, +6
No metal
34 Se (Selenio) VIa
52 Te (Telurio) Metaloide

13

14

15
Generalidades Semiconductores

16
Abundancia de minerales sobre la corteza terrestre
Energy Pay Back Time (EPBT): tiempo

requerido por un sistema de generacin
de energa para producir tanta energa
como se invirti en su fabricacin:
inters de las tecnologas de lmina delgada

17

18
Relacin Costo / Eficiencia de las diferentes tecnologas
La eficiencia se
encuentra
directamente
relacionada con la
pureza del silicio

19
Silicio Silicio Silicio

Monocristalino Policristalino Amorfo
Estructura Mono - cristalina

Intrnseco (adjetivo): Que es propio o caracterstico de la cosa que se expresa por s
misma y no depende de las circunstancias
Extrnseco (adjetivo ): Que es adquirido o superpuesto a la naturaleza propia de algo.

20
Generalidades Obtencin Si (i)
Hace mas 50 aos se empieza a utilizar silicio para fabricar clulas
solares
Laboratorio Float Zone (FZ) Monocristales. - $$$$$
Czochralski (CZ) Silicio en forma de monocristales $$
Para el 2000 los lingotes o Bultos de silicio alcanzan tamaos
tpicos de produccin de 250 Kg, Producto de mejores tcnicas de
fabricacin, simulaciones numrica y proceso
El silicio como materia prima para 1980 fue aprox 2000 toneladas
mtricas por ao
Industria Electrnica
Czochralski 80%
vs
Zona Flotante 20%
Industria Fotovoltaica
1993 1999 periodo de expansin de la microelectrnica

Industria PV, se ve obligada a mejorar sus procesos y tcnicas de
produccin

21
Mtodo Czochralski Choque trmico.
Prolongacin de luxaciones
Menos frecuentes:
Solidos
Burbujas de gas.
impurezas que no se fundieron.
Tapas y colas del lingote no son utilizables y realimentan al

proceso de crecimiento
El Crisol utilizado para el proceso es de gran Se realizan cortes semi cuadrados - Su forma transversal
importancia, a altas temperaturas y al tiempo redonda
de exposicin, el crisol pueden empezar a
fundirse y liberar oxigeno
Las dislocaciones deben evitarse por completo.

Pocos centmetros la estructura cristalina y se
pierde totalmente el lingote.

22
Mtodo Bridgman:

23
Generalidades Obtencin de Obleas
Fabricacin de
Lingote de Silicio
Multicristalino

24
Defectos producidos en la
fabricacin en la superficie
de la oblea

25
Texturizado y limpieza (II)
NaOH + H20 a 110C para comer superficie
daada por el corte
NaOH + 2-propanol para producer un
texturizado en pirmides de la superficies
Aclarado en agua

26
Texturizado

27

28
1mm = 1000m
1 nm = 0,001m

29
Generalidades Dopaje
Dopaje: Consumo de sustancias excitantes o estimulantes que
sirven para lograr de modo no natural un mejor rendimiento.
En el caso de los semiconductores, es aadir impuresas
controladas para dotar de caractersticas al material
semiconductor Tipo P o Tipo N.
Perfil de dopado de Emisor

30

31
Crecimiento Epitaxia
La epitaxia se refiere a la deposicin de una sobrecapa cristalina en un sustrato cristalino, donde hay registro entre la
sobrecapa y el sustrato. A partir de una cara de un cristal de material semiconductor, o sustrato, se hace crecer una
capa uniforme y de poco espesor con la misma estructura cristalina que este.

32
Crecimiento Epitaxia

33
Semiconductor
Tipo N
Se obtiene dopando al semiconductor con algunos atomos, para
aumentar el numero de portadores de carga libres (en este caso
negativos o electrones).
Grupo 15 de la tabla peridica, Fsforo (P), Arsnico (As)
o Antimonio (Sb),
En ese caso los electrones son los portadores mayoritarios y los huecos
son los portadores minoritarios.
Tipo P
Se obtiene aadiendo un cierto tipo de tomos al semiconductor para
poder aumentar el nmero de portadores de carga libres (en este caso
positivos o huecos).
Grupo 13 de la tabla peridica, Aluminio (Al), Galio (Ga), Boro (B), Indio
(In)
En este caso los huecos son los portadores mayoritarios, mientras que
los electrones son los portadores minoritario

34
Generalidades Dispositivos
Thyristor, GTO (Gate

Turn-Off Thyristor)
IGBT, (Insulated Gate

Bipolar Transistor)
MOSFET (Metal-oxide-semiconductor
Field-effect transistor)

35
1. AMPLIFICADORES DE PEQUEA SEAL CON TRANSISTORES BJT Y FET
Transistores BJT: CONFIGURACIN EN COLECTOR COMN

36

37
Transistores BJT: CONFIGURACIN EN COLECTOR COMN

38
Transistor FET: Caractersticas
El transistor BJT es un dispositivo controlado por corriente. En tanto que
el transistor JFET es un dispositivo controlado por voltaje.
Para el FET las cargas presentes establecen un campo elctrico, el cual controla la ruta de
conduccin del circuito de salida sin que requiera un contacto directo entre las cantidades
de control y las controladas.
Uno de las caractersticas ms importantes del FET es su alta impedancia de entrada.
Las ganancias de voltaje de ca tpicas para amplificadores de BJT son mucho mayores que
para los FET.
Los FET son ms estables a la temperatura que los BJT, y en general son ms pequeos
que los BJT, lo que los hace particularmente tiles en chips de circuitos integrados (CI).

39
CONSTRUCCIN Y CARACTERSTICAS DE LOS JFET
VGS 0 V, VDS algn valor positivo

40
(VGS = 0 V, VDS algn valor positivo)
IDSS es la corriente de drenaje mxima para un JFET y est definida por la

condicin VGS = 0 V y VDS > |Vp|.
El nivel de VDS que establece esta condicin se conoce como voltaje de

estrangulamiento y lo denota Vp,

41
VGS<0 V
El nivel de VGS que produce ID = 0 mA, est definido por VGS = Vp,
con Vp convirtindose en un voltaje negativo para dispositivos de
canal n y en voltaje positivo para JFET de canal p.

42
Dispositivos de canal p

43

44
MOSFET - transistor de efecto de campo metal-xido-semiconductor
(Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor) Cap 6 Boylestad
El o MOSFET es un transistor utilizado para amplificar o conmutar seales electrnicas, muy
utilizado en la industria microelectrnica, ya sea en circuitos analgicos o digitales, aunque
el transistor de unin bipolar fue mucho ms popular en otro tiempo. Prcticamente la totalidad de
los microprocesadores comerciales estn basados en transistores MOSFET.

45
(Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor)
Cristian Cuji
46
(Metal-oxide-semiconductor Field-effect transistor)

47
2. AMPLIFICADORES DE POTENCIA
Capitulo 12 Boylestad

48
2. AMPLIFICADORES DE POTENCIA
La etapa de amplificacin de potencia, es un subsistema cuya salida se ha diseado con la
capacidad de generar un rango de tensin e intensidad de mayor amplitud con el objetivo
de transferir a la carga de potencia que se requiere.
Pre AMPLIFICACIN
Seal Acoplamiento CARGA
Amplificacion POTENCIA

49
2. AMPLIFICADORES DE POTENCIA CLASIFICACIN
Clasificacin de etapas de
potencia

50

51
Etapa clase A: El dispositivo se polariza en una zona de respuesta lineal, con capacidad de responder a
seales de cualquier polaridad. Su principal ventaja es que sigue un modelo de amplificador lineal
convencional. Su desventaja es que an con seal nula disipa una cantidad considerable de potencia.
Etapa clase B: El dispositivo se polariza en el extremo de la zona de respuesta lineal, y en consecuencia

slo tiene capacidad de responder a seales con una determinada polaridad. En estas etapas no se
produce disipacin de potencia cuando la seal es nula, pero requiere la utilizacin de etapas
complementarias para pode generar una respuesta bipolar.
Etapa clase AB: El dispositivo se polariza en la zona lineal pero en un punto muy prximo al extremo de
respuesta lineal. Esta configuracin es una variante de la etapa de tipo B en la que se sacrifica la
disipacin de una pequea cantidad de potencia cuando opera sin seal, a cambio de evitar la zona
muerta de respuesta3
Etapa clase C: El dispositivo se polariza en zona de respuesta no lineal, de forma que los dispositivos
activos slo conducen en una fraccin reducida del periodo de la seal. De esta forma se consiguen
rendimientos mximos, aunque se necesitan elementos reactivos que acumulen la energa durante la
conduccin y la liberen en el resto del ciclo en el que el dispositivo no conduce. Se puede utilizar para
amplificar seales de banda muy estrecha.
Pag 195 Pag 287

52
2. AMPLIFICADORES DE POTENCIA EFECTOS TRMICOS

53

54
Esta temperatura, es funcin de la cantidad de La resistencia trmica de un trozo de material,
potencia que se genera y de la capacidad de como la relacin entre la diferencia de temperatura
conduccin de la energa trmica hacia la fuente entre los extremos del trozo, y la potencia que se
fra sobre la que se libera y que habitualmente es
transfiere por conduccin trmica.
el entorno ambiente.

55

56

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Silicio Silicio Silicio

Estructura Mono - cristalina

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Las dislocaciones deben evitarse por completo.

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Perfil de dopado de Emisor

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Thyristor, GTO (Gate

IGBT, (Insulated Gate

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VGS 0 V, VDS algn valor positivo

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IDSS es la corriente de drenaje mxima para un JFET y est definida por la

El nivel de VDS que establece esta condicin se conoce como voltaje de

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