Universidad Politcnica Salesiana-Sede Cuenca.

Practica 10: POLARIZACION EN ZONA

LINEAL PARA TRANSISTORES BJT.
Gabriel Ricardo Solano Snchez, Mara Beln Rodrguez Aguilar
gsolanos@est.ups.edu.ec, mrodrigueza5@est.ups.edu.ec
Universidad Politcnica Salesiana - Sede Cuenca
Laboratorio de Electrnica Analgica I Grupo 2

Resumen- en el presente informe se va a tratar sobre la
polarizacin en zona lineal de los transistores BJT, se va a
estudiar dos tipos de transistores que son los transistores tipo
npn y los transistores tipo pnp, tambin es necesario saber que
los transistores ya sean de tipo pnp o npn tienen tres zonas, las
cuales son, zona de saturacin, zona de corte y zona activa, esto
se va a estudiar con ms detenimiento durante el desarrollo del
informe, las caractersticas de un transistor van a ser muy
importantes para el desarrollo de esta prctica ya que es
necesario saber cul es la corriente mxima que soporta al
igual que la tensin mxima que puede recibir este dispositivo.
I. INTRODUCCIN
En este apartado trataremos el tema sobre un dispositivo, el cual
ha revolucionado la vida de todos nosotros el transistor, que es
sin duda uno de los mejores inventos del hombre diseado para
operar en circuitos electrnicos como amplificador, oscilador o
conmutador. El trmino Transistor es un acrnimo de transfer y
resistor (resistencia de transferencia) y se compone de tres
terminales: colector, base y emisor. En estos temas
estudiaremos las principales caractersticas bsicas del
transistor bipolar y FET, as como sus aspectos fsicos, sus
estructuras bsicas y las simbologas utilizadas para cada uno
de ellos. Se abarcar igual el tema de la polarizacin, el
encapsulado y la prueba de los transistores con multmetros
tanto digital como anloga que son indispensables en estos
dispositivos mencionados anteriormente.
Los transistores bipolares son los transistores ms conocidos y
se usan generalmente en electrnica analgica aunque tambin
en algunas aplicaciones de electrnica digital, como la
tecnologa TTL o BICMOS.
Un transistor de unin bipolar est formado por dos Uniones
PN en un solo cristal semiconductor, separados por una regin
muy estrecha. De esta manera quedan formadas tres regiones:
Emisor, que se diferencia de las otras dos por estar
fuertemente dopada, comportndose como un metal.
Su nombre se debe a que esta terminal funciona como
emisor de portadores de carga.
Base, la intermedia, muy estrecha, que separa el
emisor del colector.
Colector, de extensin mucho mayor.
La tcnica de fabricacin ms comn es la deposicin epitaxial.
En su funcionamiento normal, la unin base-emisor est
polarizada en directa, mientras que la base-colector en inversa.
Los portadores de carga emitidos por el emisor atraviesan la
base, porque es muy angosta, hay poca recombinacin de
portadores, y la mayora pasa al colector. El transistor posee tres
estados de operacin: estado de corte, estado de saturacin y
estado de actividad.

II. MARCO TERICO

2.1. Transistor BJT

El transistor de unin bipolar (del ingls bipolar junction

transistor, o sus siglas BJT) es un dispositivo electrnico de
Imagen 1. Transistor BJT.
estado slido consistente en dos uniones PN muy cercanas entre
s, que permite controlar el paso de la corriente a travs de sus
2.2. Curva caracteristica de los transistores BJT
terminales. La denominacin de bipolar se debe a que la
conduccin tiene lugar gracias al desplazamiento de portadores
Regiones Operativas:
de dos polaridades (huecos positivos y electrones negativos), y
son de gran utilidad en gran nmero de aplicaciones; pero tienen
Los transistores de unin bipolar tienen diferentes regiones
ciertos inconvenientes, entre ellos su impedancia de entrada
operativas, definidas principalmente por la forma en que son
bastante baja.
polarizados:
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2.3. Polarizacion de un tansistor a base comun.

La seal se aplica al emisor del transistor y se extrae por el

colector. La base se conecta a las masas tanto de la seal de
entrada como a la de salida. En esta configuracin se tiene
ganancia slo de tensin. La impedancia de entrada es baja y la
ganancia de corriente algo menor que uno, debido a que parte
de la corriente de emisor sale por la base. Si aadimos una
resistencia de emisor, que puede ser la propia impedancia de
salida de la fuente de seal, un anlisis similar al realizado en
el caso de emisor comn, da como resultado que la ganancia
aproximada es:
Imagen 2. Curva caracterstica del transistor BJT..

=
Regin activa:

Cuando un transistor no est ni en su regin de saturacin ni en La base comn se suele utilizar para adaptar fuentes de seal de
la regin de corte entonces est en una regin intermedia, la baja impedancia de salida como, por ejemplo, micrfonos
regin activa. En esta regin la corriente de colector (Ic) dinmicos.
depende principalmente de la corriente de base (Ib), de
(ganancia de corriente, es un dato del fabricante) y de las
resistencias que se encuentren conectadas en el colector y
emisor. Esta regin es la ms importante si lo que se desea es
utilizar el transistor como un amplificador de seal.

Regin inversa:

Al invertir las condiciones de polaridad del funcionamiento en

modo activo, el transistor bipolar entra en funcionamiento en
modo inverso. En este modo, las regiones del colector y emisor
intercambian roles. Debido a que la mayora de los BJT son
diseados para maximizar la ganancia de corriente en modo
activo, el parmetro beta en modo inverso es drsticamente
menor al presente en modo activo.
Regin de corte: Un transistor est en corte cuando:
Corriente de colector = corriente de emisor = 0, (Ic = Ie = 0)
En este caso el voltaje entre el colector y el emisor del transistor
es el voltaje de alimentacin del circuito. (Como no hay
corriente circulando, no hay cada de voltaje, ver Ley de ohm.).
Este caso normalmente se presenta cuando la corriente de base
= 0 (Ib =0)
Imagen 3. Configuracin a base comn.
2.4. Polarizacion de un tansistor a colector comun.
La seal se aplica a la base del transistor y se extrae por el
emisor. El colector se conecta a las masas tanto de la seal de
entrada como a la de salida. En esta configuracin se tiene
ganancia de corriente, pero no de tensin que es ligeramente
inferior a la unidad. La impedancia de entrada es alta,
aproximadamente +1 veces la impedancia de carga. Adems,
la impedancia de salida es baja, aproximadamente veces
menor que la de la fuente de seal.

Regin de saturacin: Un transistor est saturado cuando:

Corriente de colector = corriente de emisor = corriente

mxima,(Ic = Ie = Mxima)

En este caso la magnitud de la corriente depende del voltaje de

alimentacin del circuito y de las resistencias conectadas en el
colector o el emisor o en ambos, ver ley de Ohm. Este caso
normalmente se presenta cuando la corriente de base es lo
suficientemente grande como para inducir una corriente de
colector veces ms grande. (Recordar que Ic = * Ib).
Imagen 4. Configuracin a colector comn.
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III. DESARROLLO = 7.63

Circuitos a realizarse.
=

a.- Circuito de polarizacin a Base Comn: Ic = 2mA, Vcc=
+15Vcc. y 15Vcc. 7.26
=
3.63

14.23
=
7.15

= .

SIMULACION:
Imagen 5. Polarizacin a base comn.

VALORES CALCULADOS:

15 0.7
=
2
Imagen 6. Voltaje en RC.
= .

15 0.7
=
6.8

= .

= 7.5 Imagen 7. Voltaje en RE.

= 7.5

7.5
=
2.1

= 3.57
Imagen 8. Voltaje en BC.
VALORES MEDIDOS:

= 7.26

= 14.23
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VALORES CALCULADOS POR THEVIENIN:

= 7

= 7

= 1

= 1
Imagen 9. Corriente del colector.
1
=
1

7
=
1

Imagen 10. Corriente del emisor.

Magnitudes Calculados Medidos Simulados

VRC 7.5 V 7.26 V 7.462 V
VRE 7.5 V 14.23 V 14.141 V
VBC 14.5 V 7.63 V 7.53 V
IC 2 mA 2 mA 1.562 mA
IE 2 mA 1.99 mA 1.998 mA
Tabla 1. Mediciones del circuito de base comn. Imagen 12. Circuito para el clculo por Thevenin.

b.- Circuitos de polarizacin a Emisor comn: Ic = 1mA, = 100

Vcc= +15 Vcc.

=
1.- Polarizacin por partidor divisor de tensin, ms

resistencia estabilizadora de Emisor (Re), clculo

1
mediante Thevenin. =
100

2 1.7
=
10

15
1 = ()
2
15
1 = (30)
2

=
Imagen 11. Polarizacin a emisor comn.

2 = 1 ( )

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2
2 = 225 ( )
15 2

= .

VALORES MEDIDOS:

= 7.75

= 1.14 Imagen 14. Voltaje en RE.

= 6.10

7.75
=
6.8

= .
Imagen 15. Voltaje en CE.

=

1.14
=
1

= .

= .

= Imagen 16. Corriente del colector.

1.14
=
9.54

= .

SIMULACION:

Imagen 17. Corriente del emisor.

Imagen 13. Voltaje en RC.

Imagen 18. Corriente de la base.

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Magnitudes Calculados Medidos Simulados 13.3 8.2

1 =
VRC 7V 7.75 V 7.985 V 1.7
VRE 1V 1.14 V 1.148 V
VCE 7V 6.10 V 5.86 V = .
IC 1 mA 1.14 mA 1.141 mA
IE 1 mA 1.14 mA 1.148 mA VALORES MEDIDOS:
IB 10 uA 9.54 uA 7.55 uA
Tabla 2. Mediciones del circuito de emisor comn por = 7.51
Thevenin.
= 1.13
2.- Polarizacin por partidor divisor de tensin, ms
resistencia estabilizadora de Emisor (Re), clculo = 6.29
aproximado, sin utilizar Thevenin.

=

7.52
=
6.8

= .

1.104
=
1

= .

= .

=
Imagen 19. Polarizacin a emisor comn.

1.14
VALORES POR CLCULO APROXIMADO: =
9.54
= 7
= .
= 7
SIMULACION:
= 1

= 1

=
1
1
=
1

=
Imagen 20. Voltaje en RC.
102

100(1)
2
10

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Magnitudes Calculados Medidos Simulados

VRC 7V 7.51 V 6.979 V
VRE 1V 1.13 V 1.033 V
VCE 7V 6.29 V 6.989 V
IC 1 mA 1.104 mA 1.027 mA
IE 1 mA 1.13 mA 1.033 mA
IB 10 uA 9.54 uA 6.661 uA
Tabla 3. Mediciones del circuito de emisor comn por clculo
aproximado.
Imagen 21. Voltaje en RE.
3.- Polarizacin por realimentacin de voltaje de
colector, ms resistencia estabilizadora de Emisor
(Re).

Imagen 22. Voltaje en CE.

Imagen 23. Corriente del colector.

Imagen 26. Polarizacin por realimentacin de

voltaje de colector.

VALORES CALCULADOS:

= 7

= 7
Imagen 24. Corriente del emisor.
= 1

= 1

= 100

7
=
Imagen 25. Corriente de la base. 1

= 1
Universidad Politcnica Salesiana-Sede Cuenca. 8

1
=
1

=

Imagen 28. Voltaje en RE.
1
=
100

=
8 (0.7 + 1)
=
10

VALORES MEDIDOS:
Imagen 29. Voltaje en CE.
= 7.16

= 6.92

= 1.12

= 9.38

=

Imagen 30. Corriente del colector.
7.16
=
6.8

= .

1.053
=
9.38
Imagen 31. Corriente del emisor.
= .

SIMULACION:

Imagen 32. Corriente de la base.

Imagen 27. Voltaje en RC.

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Magnitudes Calculados Medidos Simulados

VRC 7V 7.16 V 8.25 V 102
VRE 1V 1.12 V 1.179 V
VCE 7V 6.92 V 5.571 V 100(1.5)
2
IC 1 mA 1.053 mA 1.171 mA 10
IE 1 mA 1.053 mA 1.338 mA
IB 10 uA 9.38 uA 7.772 uA
Tabla 4. Mediciones del circuito de polarizacin por
8.2 8.2
realimentacin de voltaje de colector. [ ]
1 6.8
c.- Circuito de Polarizacin a Colector comn seguidor de 6.8
Emisor. 1 = 8.2 ( )
8.2
1.- Polarizacin por partidor divisor de tensin, = .
clculo aproximado, sin utilizar Thevenin.
Ic = 5 mA, Vcc= 15 Vcc. VALORES MEDIDOS:
= .

= .

= .

= .

7.39
=
1.5

= .

Imagen 33. Polarizacin a Colector comn. 4.927

=
42.64
VALORES POR CLCULO APROXIMADO:
= .
= 15
SIMULACION:
= 100

= 5

= 7.5

= 7.5

= 5

Imagen 34. Voltaje en RE.

=

7.5
=
5

= .
Universidad Politcnica Salesiana-Sede Cuenca. 10

Magnitudes Calculados Medidos Simulados

VRE 7.5 V 7.39 V 7.423 V
VCE 7.5 V 7.33 V 7.577 V
IC 5 mA 4.927 mA 4.944 mA
IE 5 mA 4.927 mA 4.948 mA
IB 45 uA 42.64 uA 43.093 uA
Tabla 5. Mediciones del circuito de polarizacin a Colector
comn.

Imagen 35. Voltaje en CE. IV. RECURSOS (ACCESORIOS Y MATERIAL FUNGIBLE):

Sonda.
Osciloscopio.
Resistencia.
Condensador.
Protoboard.
Cables.
Generador de funciones.
Transistor 2N2222a
Imagen 36. Corriente del colector. Transistor 2N3906

V. CONCLUSIONES Y RECOMENDACIONES

Los transistores son unos elementos que han facilitado, en gran

Imagen 37. Corriente del emisor.
medida, el diseo de los circuitos electrnicos. Se puede
comentar que con el invento de estos dispositivos han dado un
giro enorme a nuestras vidas, ya que en casi todos los aparatos
electrnicos se encuentran presentes. Se conocieron los
distintos tipos de transistores, as como su aspecto fsico, su
estructura bsica y las simbologas utilizadas, pudiendo
concluir que todos son distintos que por necesidades del hombre
se fueron ideando nuevas formas o nuevos tipos de transistores.
Adems de todos esto, ahora si podremos comprobar o hacer la
prueba de los transistores para conocer si se encuentra en
buenas condiciones para su uso.

VI. REFERENCIAS

[1] Boylestad., Introduccin al anlisis de circuitos", 12 Ed.,

Mxico 2011
Imagen 38. Corriente de la base.