fuente: http://opex-energy.com/fotovoltaica/tipos_de_paneles_fotovoltaico.

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06/10/2016.

Tipos de Clulas

NDICE:

1. INTRODUCCIN.

2. SILICIO MONOCRISTALINO.

3. SILICIO POLICRISTALINO.

4. PANEL DE ALTA CONCENTRACIN.

5. EVOLUCIN DE LAS CLULAS FOTOVOLTAICAS

1. INTRODUCCION.

Atendiendo a la naturaleza y caractersticas de los materiales semiconductores que las forman, las clulas fotovoltaicas
pueden clasificarse en varios grupos, pero en este artculo nos centraremos en tres tipos los dos ms comunes de las
clulas fabricadas a partir de silicio monocristalino y las de silicio policristalino, adems de un tercer tipo novedoso
como son las de alta concentracin.

2. SILICIO MONOCRISTALINO.

El tipo de clula ms comn y tambin el primero que se produjo industrialmente, es el formado por silicio puro
monocristalino. A continuacin se pasa a describir brevemente el proceso de fabricacin de este tipo de clulas, as
como sus caractersticas ms sobresalientes, que son tambin compartidas por la mayora de las otras clulas que
existen en el mercado.

El procedimiento clsico de fabricacin de clulas de silicio monocristalino, conocido como mtodo Czochralski
(abreviadamente Cz), parte de la obtencin, a partir de slice, de silicio extremadamente puro, el cual se funde en un
crisol junto con una pequea cantidad de boro hasta formar una masa a 1400 C.

Una vez que todo el material se encuentra en estado lquido, se introduce en el seno del mismo una varilla en cuyo
extremo hay un cristal germen de silicio, sobre el que se van disponiendo lentamente nuevos tomos del material
procedentes del lquido, que quedan perfectamente ordenados siguiendo la estructura del cristal.

Se obtiene as un monocristal de suficiente tamao, el cual, una vez enfriado, se corta en finas obleas circulares o
cuadradas de unas 3 dcimas de milmetro de grosor, que son tratadas qumicamente en su superficie.

Figura 1: Silicio monocristalino a la izquierda y policristalino a la derecha.

Estas obleas constituyen el producto semielaborado, que a veces se exporta para que las factoras de diversos pases
completen el proceso de creacin de la clula. Dicho proceso consiste esencialmente en la creacin de la unin P-N,
introduciendo la oblea de silicio dopado con boro en hornos especiales, dentro de los cuales se difunden tomos de
fsforo que se depositan sobre una cara, alcanzando stos una cierta profundidad bajo la superficie de la oblea.

Se completa esta fase del proceso con un tratamiento anti-reflectante mediante el recubrimiento o texturizado de la
superpie de la clula, consistente esto ltimo en la formacin de minsculas estructuras piramidales sobre la superficie
que va a recibir la radiacin, para que el rayo reflejado tenga ms posibilidades de volver a incidir antes de perderse
definitivamente.

Finalmente, se entra en el proceso de proveer a la clula de contactos elctricos adecuados, a fin de que los electrones
encuentren un camino fcil para salir y entrar de la misma. Esto se consigue depositando por mtodos electroqumicos
de evaporacin al vaco o serigrafiados, una red o rejilla, constituida por una aleacin buena conductora, que adopta
una geometra especialmente estudiada para conseguir una ptima recoleccin de electrones sin cubrir a la vez
demasiada superficie til de la clula.

La rejilla metlica, o parrilla conductora, que forma el contacto frontal de las clulas cristalinas suele consistir en una
serie de filamentos que estn en contacto directo con el semiconductor y que se conectan entre s mediante unas tiras
metlicas. El diseo de estos filamentos afecta a la eficiencia de la clula de dos maneras: por un lado, implica un
sombreado que impide que parte de la radiacin disponible alcance el interior de la clula y, por otro, introduce una
resistencia, debida a la unin metal-semiconductor y a la propia resistencia del material empleado. En este sentido, se
ha evolucionado desde la tcnica convencional del serigrafiado hasta la de contacto enterrado mediante lser LGBG
(Laser Grooved Buried Grid), consiguiendo mejorar un 25% la eficiencia de las clulas sin apenas aumentar su coste.
Las claves de esta tcnica son las siguientes:

- Reduccin del ancho de los filamentos, de 150 micras con serigrafa convencional a 20 micras, lo que reduce el
sombreado de la clula hasta un 3%, frente al 15% de las serigrafiadas.

- Aumento de la relacin de aspecto (alto/ancho) del contacto, lo que supone una reduccin en la resistencia total de la
malla.

- Reduccin de la resistencia contacto-semiconductor.

Recientemente han aparecido en el mercado clulas con los contactos tanto positivos como negativos situados en la
cara posterior, evitndose las prdidas de radiacin incidente sobre la cara frontal como consecuencia de la existencia
sobre las mismas de dichos contactos metlicos.

Despus de pasar una serie de controles de calidad, la clula quedar lista para ser utilizada, unindola con otras
iguales para as formar un mdulo.

La clula final producida tiene un rendimiento aproximadamente igual a la mitad del mximo terico del material de que
est constituida. Esta prdida de rendimiento se debe principalmente a tres causas:

- Prdidas por reflexin, las cuales, aunque han sido reducidas, nunca es posible hacerlas desaparecer.

- Los fotones que inciden sobre la rejilla metlica, en vez de sobre el material semiconductor, se pierden, no
produciendo el efecto fotovoltaico.

- Al circular corriente a travs de la clula, se produce una pequea prdida por efecto Joule.

Por todo lo anterior, el rendimiento de una clula monocristalina de silicio no suele superar el 15%
Figura 2: Panel monocristalino.

3. SILICIO POLICRISTALINO.

Si el proceso de fabricacin, en vez de partir de un monocristal, se hace dejando solidificar lentamente en un molde
rectangular la pasta de silicio, se obtiene un slido formado por muchos pequeos cristales o granos de silicio, del cual
pueden cortarse clulas policristalinas cuadradas. Estas clulas han alcanzado una amplia comercializacin, aunque
sus rendimientos son algo menores que las monocristalinos, pues precio es tambin inferior.

El proceso de cortar las clulas a partir de una sola pieza produce gran cantidad de desperdicio de material
semiconductor en forma de polvo. Para evitar este inconveniente se introdujo un mtodo de fabricacin de clulas
diferente, que consiste en producir una fina tira continua de material policristalino que se corta en trozos rectangulares.

Las tecnologas ms recientes en la fabricacin de materiales se basan en el diseo conocido como de pelcula
delgada, que se diferencia de los anteriores, ya que no produce clulas individuales que posteriormente se conectan en
serie para obtener el voltaje suficiente para las aplicaciones ms comunes, sino una fina capa de 1m o 2m de
espesor de material semiconductor que se deposita sobre un sustrato apropiado, formndose un mdulo continuo que
no requiere interconexiones interiores.

Actualmente, el tipo de pelcula delgada que ms se produce es la de silicio-hidrgeno (TFS), que es el material
semiamorfo que se observa en las calculadoras y otros pequeos dispositivos solares, aunque tambin las hay de
mayores potencias.

Existen otras clases de pelculas delgadas, como la constituida por la combinacin de cobre, indio y selenio (CuInSe2),
tambin conocida como CIS.
Figura 3: Panel policristalino.

4. PANEL DE ALTA CONCENTRACION.

Se trata de una instalacin solar fotovoltaica que, frente a una convencional, utiliza una extraordinaria reduccin de
silicio y convierte la luz solar en energa elctrica con muy alta eficiencia. Esta tecnologa surge como forma de
aprovechar al mximo el potencial del recurso solar y evitar por otra parte la dependencia del silicio, cada vez ms
escaso y con un precio cada vez mayor debido al aumento de la demanda por parte de la industria solar.

Desde los aos 70 se han realizado investigaciones sobre la tecnologa de concentracin fotovoltaica de manera que
ha mejorado su eficiencia hasta conseguir superar a la fotovoltaica tradicional. No fue hasta los aos 2006-2007 que
las tecnologas de concentracin pasaron de estar reducidas al mbito de la investigacin y empezar a conseguir los
primeros desarrollos comerciales. En 2008 el ISFOC (Instituto de Sistemas Solares Fotovoltaicos de Concentracin)
puso en marcha en Espaa una de las mayores plantas de este tipo a nivel mundial, conectando a la red 3MW de
potencia. En este proyecto participaron varias empresas que utilizaban diversas tecnologas de concentracin
fotovoltaica (CPV).

Algunas de estas tecnologas utilizan lentes para aumentar la potencia del sol que llega a la clula. Otras concentran
con un sistema de espejos la energa del sol en clulas de alta eficiencia para obtener un rendimiento mximo de
energa. Algunas empresas como SolFocus ya han empezado a comercializar la tecnologa CPV a gran escala y estn
desarrollando proyectos en Europa y EE.UU. que superan los 10MW en 2009.

La tecnologa de concentracin fotovoltaica se dibuja como una de las opciones ms eficientes en produccin
energtica a menor coste para zonas de alta radiacin solar como son los pases mediterrneos, las zonas del sur de
EE.UU, Mxico, Australia.
Figura 4: Panel de alta concentracin.

5. EVOLUCION DE LAS CELULAS FOTOVOLTAICAS.

Figura 5: Evolucin de los paneles fotovoltaicos.