TEMA 2. INTRODUCCIN A LA FSICA DE LOS SLIDOS.

1. Estructura de los slidos. Grabacin y lectura en CD-RW y DVD-RW.

2. Modelo clsico del electrn libre.
3. Modelo cuntico del electrn libre; pozo de potencial tridimensional; estadstica de
Fermi-Dirac.
4. Modelo de bandas de energa: conductores, aislantes y semiconductores; masa
efectiva y hueco.

BIBLIOGRAFA para el Tema 2:

Fsica, Volumen 2C, Tipler-Mosca, (5 edicin)
Physics for Computer Science Students, (2 Edicin), Springer. Narciso Garca,
Arthur Damask y Steven Schwarz.
Fundamentos Fsicos de la Informtica y las Comunicaciones, Lus
Montoto San Miguel, Editorial Thomson.
Recursos de la Web
Diapositivas de clase.
1
 1. La estructura de los slidos.

La Fsica del estado slido constituye una parte importante de la Fsica cuntica. Con
su ayuda podemos comprender las propiedades mecnicas, trmicas, elctricas, mag-
nticas y pticas de la materia en sus tres estados conocidos. Aqu estudiamos algunas
propiedades de las sustancias slidas.

LIQUIDOS
monocristales

MATERIA
CONDENSADA policristales
SLIDOS:

amorfos.

2
La existencia de un estado u otro de la materia depende de las
condiciones de presin (P), y temperatura (T) en las que se forma-
ron.
El grfico muestra un diagrama de fases P-T a Volumen constante.
P -En los estados sobre las
lneas coexisten ambas

in
fases.
Liquido, L
fus -Si se calienta una sustancia a P
Slido, S n constante, se puede pasar por una
aci
(a) oriz secuencia de estados (cambios de
p
va fases). La doble flecha a trazos (a)
in
indica que podemos pasar del estado
c
l i ma Gas, G S al L si calentamos en torno al punto
b
su de fusin y del estado L al S si enfria-
mos. Mientras el slido funde su tem-
peratura se mantiene constante.

T
La grabacin y lectura en CD y DVD que veremos est relacionada
3
con el de cambio de fase y otras propiedades de los slidos.
En el diagrama P-T se observa que a altas presiones y bajas
temperaturas predomina el estado slido, mientras que a bajas
presiones y altas temperaturas el estado gaseoso.
En un modelo de slido en el que los tomos estn conectados
entre s mediante muelles, la energa interna del slido se com-
pone de energa potencial elstica de sus tomos y energa
cintica. La presin es una medida del grado de compresin de
sus tomos y la temperatura una medida de su energa cintica
interna.

4
ESTRUCTURA CRISTALINA
Los slidos se clasifican segn se estructura cristalina que
est caracterizada microscpicamente por la agrupacin de
iones, tomos o molculas segn un modelo de repeticin
peridica.
El concepto de periodicidad es sencillo de entender si
pensamos en los motivos de una alfombra oriental, dibujos
de la Alhambra, una formacin de tipo militar ...

5
Red cristalina y celdilla unidad.
Si nos fijamos con detenimiento, en estos dibujos hay
siempre una fraccin de los mismos que se repite. Pues
bien, en los cristales, los tomos, los iones o las molculas
se empaquetan dando lugar a motivos que se repiten desde
cada 5 hasta las centenas de (1 ngstrom, = 10-10 m),
y a esa repetitividad, en tres dimensiones, la denominamos
red cristalina. El conjunto que se repite, por traslacin
ordenada, genera toda la red (todo el cristal) y lo denomina-
mos celdilla elemental o unidad
red : conjunto de puntos con repeticin peridica.
motivo: tomos, iones o molculas asociados a los nudos de la
red. el motivo que se repite, puede describirse por
un punto (el punto reticular) que representa a todos
y cada uno de los constituyentes del motivo. Por
ejemplo en el dibujo anterior cada soldado repre-
6
senta un punto reticular.
estructura cristalina: distribucin real de los tomos en el espacio.
Red + motivo Estructura cristalina
celda unidad: la unidad mas pequea que se repite para formar la
red
Importancia de la celda unidad: A partir de ella podemos en-
contrar las propiedades del cristal en su conjunto. Por ejemplo,
distancia entre tomos ms prximos, nmero de tomos por
metro cbico, fuerzas que mantienen la red junta, propiedades
mecnicas y elctricas, etc.
Redes de Bravais.
Existen 14 tipos de redes cristalinas y se conocen con el nombre
de redes de Bravais. Slo veremos las redes cbicas.

P I F 7
bcc fcc
 bcc fcc

b
En realidad los tomos no estn tan a
separados sino lo ms prximo
posible, como se observa en la
estructura fcc. Obsrvese que las
tres bolas indicadas por la recta ab 8
son tangentes.
p: primitiva o cbica simple, de forma que a cada punto reticular
de la misma se le asocia un tomo. Por tanto, hay un tomo en
cada vrtice. El polonio presenta esta estructura.
bcc: red espacial cbica centrada en el cuerpo, de forma que
a cada punto reticular de la misma se le asocia un tomo. Por
tanto, hay un tomo en cada vrtice de la celdilla cbica y otro
en el centro de dicha celdilla. Como ejemplo de metales que
adoptan esta estructura se pueden citar el Na, K, Cr, Mo, W y
Fe-
fcc: Cbica centrada en las caras. Asocia un tomo por cada
punto reticular de la misma. Por tanto, hay tomos en los
vrtices y en los centros de las caras de dicha celdilla cbica.
El Al, Cu, Au, Ag y Ni son ejemplos de metales que adoptan
esta estructura.

Redes de Bravais
9
Estructura tipo Silicio: dos redes ffc desplazada una de otra en
la direccin de la diagonal principal (a/4, a/4, a/4), siendo a la
arista del cubo.

a/4
a/4
a/4

Simulacin para el Si y otros.

10
Representacin planar
de la estructura del Si.
Obsrvese que es la
estructura real vista, por
ejemplo, desde arriba.
11
 Nmero de tomos que contiene una celda unidad, nC:
nV nF
nC = + nI +
8 2
nV, n de tomos en vrtices. A cada celda corresponde 1/8.
nI, n de tomos en el interior.
nF, n de tomos en las caras. A cada celda corresponde 1/2

As, la P contiene 8 tomos en cada vrtice x 1/8 = 1 tomo,

equivale a tener un tomo completo en su interior.
La bcc, posee 8 x 1/8 + 1 = 2 tomos en su interior.
La fcc, posee 8 x 1/8 + 6 x = 4 tomos en su interior.
Silicio, posee 4 tomos por cada fcc, en total 8 tomos.

12
Determinacin del n de tomos por metro cbico de las estruc-
turas estudiadas.
a) estructura cbica simple.
El nmero de tomos de la celda unidad es nC = 1. Visto desde
un lateral se observa que la distancia interatmica, d, separacin
entre tomos ms prxima es d = 2R = a siendo R el radio atmico
y a la arista del cubo.
La vista desde un lateral sera equivalente a la de la figura.

R El nmero de tomos por metro cbico se obtiene

dividiendo nC entre la arista del cubo elevada al cubo.
Si la arista a se expresa en , resulta:
d = 2R =a

nC 1 1030
n= = 3 = 3
(a 10 ) 30
tomos/m3
10 3 a 10 a
13
b) Estructura cbica centrada en el centro (bcc).
En este caso nC = 2. El tomo interior estara tangente a los
8 tomos de los vrtices. La distancia interatmica, es d = 2D y se
relaciona con la arista del cubo teniendo en cuenta que las 3 esfe-
ras son tangentes en la direccin de la diagonal principal del cubo
D, de manera que a partir del teorema de Pitgoras resulta:
D 2 = a 2 + a 2 + a 2 = 3a 2
D = 2d D 2d
a= =
D 3 3
R d el n de tomos n = 2 2 1030
=
por m3,n, vale: (
a 10 10 )3
a3
a ()
Obsrvese ahora que los
tomos visto desde un plano
lateral no se tocan. 14
a
c) Estructura cbica centrada en las caras.
En este caso nC = 4. La vista lateral de la estructura sera la de la
figura. La distancia interatmica es d y su relacin con a es:
( 2 d ) 2 = 2a 2
2d
d a=
2
a

Los centros de los 5 tomos estn sobre el mismo plano. El n de

tomos por m3 es:
4 4 10 30
n= 10 3
=
(a 10 ) a 3

15
d) Estructura tipo Si, Ge, diamante.

En este caso, nC = 8. La relacin entre

la distancia interatmica, d, y la arista
del cubo es:

d d = 3(a / 4)
2 2

a/4
El n de tomos por m3, vale:
a
8 8 10 30
n= 10 3
=
(a 10 ) a3

16
ANISOTROPIA.
Es la dependencia que presentan ciertas propiedades fsicas de
una sustancia con respecto a la direccin espacial. La causa de
ello es la disposicin ordenada de los tomos. Por eso la aniso-
tropa es caracterstica de los cristales. Slo muy pocas propie-
dades fsicas, en los cristales, no depende de la direccin, como
le ocurre a la densidad y al calor especifico. En estos casos se
dice que presentan isotropa. Desde un punto de vista matemti-
co las propiedades anistropas se caracterizan mediante vecto-
res y otras magnitudes mas complejas.
Una de las propiedades que ms nos interesa es la anisotropa
ptica. Ello supone una manifestacin de distintas propiedades
pticas del medio dependiendo del sentido de propagacin de la
luz en su interior. Por ejemplo, el ndice de refraccin de un medio
va a depender de la direccin espacial del cristal y de que ese
medio pueda convertirse mediante un cambio de fase en un
slido amorfo. Este hecho juega un papel fundamental en la
17
grabacin y lectura en CD y DVD regrabables.
 CD-RW y DVD-RW
CD-RW son las siglas de CD ReWritable. Los discos CD-RW
estn construidos de tal forma que es posible grabar encima de
datos viejos.

Estos discos estn basados en una tecnologa de regrabacin

por cambio de fase.

Los fundamentos fsicos de la grabacin y lectura en DVD son los

mismos que en CD pero con ms pistas y ms pits por pistas.
18
Aspecto de un corte transversal de un disco regrabable:

(hendidura)

19
Funcionamiento.
Originalmente la capa de grabacin de un CD y de DVD regraba-
bles es policristalina.

Grabacin: Durante la grabacin un lser de alta potencia

(8-14 mW) lleva al material del disco, (recording layer) a su tem-
peratura de fusin (500 -700 C) en una regin extremadamente
pequea. Los cristales fundidos pasan a la fase amorfa porque
el disco gira ms rpido de lo normal provocando que el material
solidifique como amorfo. Si antes de que ocurra este proceso el
material de registro era amorfo, continua en ese mismo estado.
La reflectividad de la regin amorfa (5 %) es mucho ms
pequea que la de una regin cristalina (20 %) lo que da lugar a
un modelo de LANDS (crestas) y PITS (valles) de los CD- ROM.

20
Borrado: Las zonas amorfas que interesen de la pista son
devueltas a la fase cristalina calentando con un lser de menor
potencia (4 a 8 mW) de manera que pone esa zona a una tem-
peratura del orden de los 200 C (temperatura de cristalizacin) y
dejndola enfriar ms lentamente pasa a fase policristalina. Si ya
estaba en esta fase continua igual.
Lectura: El lser es de potencia 10 veces menor y va leyendo el
disco de manera que las zonas policristalinas reflejan mucho com-
paradas con las zonas amorfas. Esa transicin de reflectividad
es la que determina los 1, junto a la longitud del perodo entre
las transiciones, de manera anloga a como en los CD-ROM los
determinaban las transiciones entre los lands y los pits.

21
La potencia del lser para cada accin se refleja en el
siguiente grfico:

22
Aspecto original de la publicacin realizada por Phillips

23
 Igual que los CDs, los DVDs utilizan una pista
de pits conteniendo informacin binaria en el
disco, la cual es leda por un dispositivo
ptico. El DVD tiene las mismas dimensiones
que un CD, pero mucha mayor capacidad y
razn de transferencia de datos.
Las diferencias entre DVD y CD
Separacin entre pistas: DVD = 0.74m v. CD = 1.6m
Longitud mnima de un Pit: DVD = 0.4m v. CD = 0.84m

24
DVD-ROM y CD-ROM

25
Diferencias CD-ROM / DVD

26
 Todos los formatos de grabacin se basan en el mismo principio: la tecnologa de
cambio de fase. Slo los DVD-RAM, adems del sustrato del disco, utiliza
zonas magnticas para guardar parte de la estructura de los datos.

De momento el sistema ms aventajado es el DVD+RW, ya que permite realizar graba-

ciones de video domestico compatibles con la mayora de los lectores DVD-ROM
domsticos.

Otro factor importante que influye en la grabacin y en la posterior lectura es el sistema

de rotacin del motor de giro del disco, que es el que determina finalmente de qu
forma pasa el lser sobre la superficie del disco. Existen tres modos de operacin
distintos:

CLV (DVD-RW): Constant Linear Velocity. Mantiene constante la velocidad de

transferencia de datos independientemente de la zona del DVD. Ello supone
aumentar la velocidad de giro cuando disminuye el radio del DVD.
Z-CLV (DVD-RAM): Zone Constant Linear Velocity, Velocidad Lineal
Constante por Zonas, nuevo sistema basado en CLV pero que, en este caso, la
velocidad de transferencia constante se realiza a travs de 4 zonas
diferenciadas, permitiendo grabar a mayor velocidad que con CLV. La velocidad
es constante en cada una de las zonas pero diferente entre cualquier par de
ellas.
27
 CAV (DVD+RW): Constant Angular Velocity, Velocidad Angular Constante,
sistema de rotacin que mantiene el giro del motor a velocidad constante, por lo
que la velocidad de transferencia es mayor en los extremos del CD que en el
interior, ya que recorre mayor cantidad de espacio y por tanto datos- en el
mismo tiempo.

Hoy en da el nico formato de DVD regrabable compatible con los lectores de

DVD-Vdeo de saln es el DVD+RW

DVD-RAM: su mayor desventaja es que los discos utilizados no son compatibles

con los lectores DVD-ROM tradicionales.

28
Qu sistema de grabacin elegir de los que existen en el
mercado?
Cualquiera de ellos le va a ofrecer una solucin de almacenamiento de alta
capacidad con discos regrabables, pero adquirir una tecnologa que pueda quedar en
desuso en poco tiempo no parece buen negocio. El formato DVD-RAM no parece
que vaya a imponerse sobre sus competidores. Su futuro est ms orientado a
convertirse en una solucin profesional de almacenamiento masivo. Sobre los otros
dos sistemas DVD-RW y DVD+RW no se puede realizar un pronstico fiable. Ambos
tienen ventajas e inconvenientes propios, pero ninguno de ellos es tan definitivo o
excluyente como para decantarse por alguno de estos formatos.
Sus tecnologas de grabacin son fcilmente incorporables en los futuros lectores, y
los soportes en los dos casos disponen de la capacidad estndar de 4,7 GB para
DVD-Vdeo, con discos que no requieren proteccin externa, como en el caso del
DVD-RAM.
Lo ideal para el usuario sera que hubiese un nuevo consenso entre empresas como
ocurri en su da con el DVD, aunque tampoco parece probable, ya que lo que est
en juego es la propiedad de un sistema que, adems de las enormes ventas que
puede tener en el sector informtico, est llamado a convertirse en el heredero de los
sistemas de grabacin de vdeo domstico VHS.
Si puede esperar un ao hgalo, se habr aclarado la situacin porque habr habido
un vencedor. A lo mejor no sale elegido el mejor sistema pero si el que es
29
comercialmente mas fuerte, como ocurri con el sistema BETA y VHS.
2. Modelo clsico del electrn libre. Gas de electrones.
Un modelo que explica la conduccin en metales desde la perspectiva de la Fsica
clsica es el modelo de Drude (1900). Debido a que los electrones de conduccin
son los que provienen de las rbitas ms externas de los tomos que forman el
metal y estn distribuidos en el espacio que existe entre los tomos, se les conoce
como nube o gas de electrones.
Hiptesis del modelo:
(a) El metal est formado por una red de iones con electrones de valencia movindose
libremente a su travs con la nica condicin de que no escapen. Estn inmerso
en un pozo de potencial finito.
(b) Los electrones de valencia (conduccin) no interaccionan entre ellos, son por ello
independientes. Adems se considera que la energa potencial de la red de iones
es constante en cualquier punto que se considere, por lo que el fondo del pozo
de potencial es plano.
(c) En ausencia de campo elctrico aplicado los electrones se mueven al azar debido
a la agitacin trmica con velocidades que dependen de la temperatura.
(d) Al aplicar un campo elctrico E, los electrones adquieren una velocidad opuesta al
campo, va, generndose una densidad de corriente J.
E 0
va 0, J 0
- 30
-
E = 0, va = 0, J = 0
 E>0
dN/dE
+ + + + e
+ + + +

+ + + +
EP <0 EC E

La figura representa la red de iones positivos que estn en posiciones fijas del cristal.
Los electrones se mueven libremente entre los iones y colisionan con ellos. Debido a
la agitacin trmica se mueven al azar mientras no exista campo E aplicado. Tampoco
pueden escapar libremente porque el conductor quedara cargado positivamente atra-
yndolos de nuevo. Se dice que estn en un pozo de energa. Estos electrones poseen
energa cintica, EC. Algunos de ellos poseen energas elevadas, otros ms pequeas.
Los que poseen ms energa son los que lo tienen ms fcil para salir del pozo. La
energa mnima necesaria para que un electrn libre salte la barrera de potencial se
denomina energa de extraccin o funcin de trabajo del metal, e, y se mide en eV.
Suele valer entre 1 y 10 eV. Se suele medir mediante el efecto fotoelctrico.
La figura tambin nos muestra como se distribuyen las energas de los electrones por
intervalos de energa. Vemos que existen muchos electrones con poca energa y muy
pocos con mucha energa. Esta forma de distribucin siguen la estadstica clsica de
Maxwell- Boltzmann. Cuando se tengan en cuenta hiptesis cunticas veremos que 31 no
siguen este tipo de distribucin energtica, sino la estadstica de Fermi-Dirac.
La densidad de corriente se determina fcilmente teniendo en cuenta que al aplicar
el campo E los electrones adquieren una fuerza F = -eE = mea y por tanto poseen
una velocidad de arrastre debido al campo, va = a , siendo el tiempo medio que tarda
el electrn entre colisin y colisin con los iones de la red. Por todo ello tenemos:

eE e 2 n
J = env a = en = E = E
me me
que es la conocida ley de Ohm.

e 2 n
siendo = (-m)-1
me
La conductividad, , es una de las magnitudes que varan ms ampliamente en los ma-
teriales, de tal forma que la conductividad del Cu en relacin a la del diamante llega a
ser del orden de 1028. Algunos valores de la conductividad a temperatura ambiente en
unidades de (-m)-1 son:

Metales: Ag = 6,7107, Cu = 6107, Al = 3107, Fe = 1107

Semiconductores: Si = 410-4, Ge = 210-2
Aislantes: Vidrio = 210-11, Tefln = 10-14, Poliestireno = 10-20
Diamante = 10-21
32
 Un parmetro importante que se relaciona con la conductividad es la movilidad, .
Representa la facilidad con que se puede mover un electrn en presencia de un
campo elctrico, E, en el interior de un material y se define por la relacin:

va
= (m2/Vs) de manera que: v a = E
E
as la densidad de corriente J para portadores de carga, q, es:

J = qnv a = qnE = E
de forma que la conductividad se puede expresar como:
= qn
o bien recordando que el coeficiente Hall, RH = 1/qn, resulta: = /RH

En materiales semiconductores los portadores de carga son de dos tipos, electrones

que son negativos, cuya concentracin se expresa por n (m-3) y huecos que son posi-
tivos, cuya concentracin se expresa por p (m-3). La movilidad para ambos tipos de por
tadores son diferentes aunque la carga en valor absoluta es la misma. Por esta razn la
conductividad en semiconductores se expresa como:

= q ( n n + p p )
33
3. Modelo cuntico del electrn libre; pozo de potencial tridimensional; estadstica
de Fermi-Dirac.

El modelo de Drude fue capaz de explicar la ley de Ohm y otras leyes, pero fall al
intentar explicar la variacin que la conductividad experimenta con la temperatura. Este
modelo predice que la conductividad es proporcional al inverso de la raz cuadrada de
la temperatura absoluta, 1 / T , cuando la experiencia demuestra que 1 / T .

El fallo de esta prediccin y de otras encontradas tiene su origen en que los electrones
son partculas cunticas y no obedecen la distribucin estadstica de Maxwell-Boltzmann.

Sommerfeld (1928) desarrolla el modelo cuntico del electrn teniendo en cuenta los
principios de la mecnica cuntica. Aadi al modelo clsico de Drude dos hiptesis fun-
damentales:
(a) Los electrones deben ser tratados segn la mecnica cuntica. Se rigen por la Ecua.
de Schrdinger tridimensional y verifican la estadstica de Fermi-Dirac.
(b) Obedecen los principios de Pauli y de Heisenberg.
Adems de estos principios cunticos, se considera que los electrones, como en el
modelo clsico son libres, esto es, no interaccionan entre s. Tambin se consider que
el potencial electrosttico en el interior de la red de iones era independiente de la posi-
cin elegida. Por ello es como si los electrones estuviesen en un pozo de potencial de
fondo plano pero con una distribucin de energas muy diferentes a las consideradas
por el modelo de Drude.
34
 Las energas de los electrones en un pozo tridimensional deben seguir siendo an-
logas a las del pozo monodimensional, de forma que si se considera un pozo cbico
de lado L, la energa vale:
h 2 2 2
En1 ,n2 ,n3 = 2
( n1 + n 2
2 + n 2
3)
2me L
El estado fundamental se caracteriza por valer 1 los tres nmeros cunticos corres-
pondientes a las tres direcciones espaciales. As E1,1,1 = 3 E0, donde E0 vale:

h 2 2
E0 =
2me L2
Por el principio de Pauli en ese estado de energa slo puede haber como mximo
dos electrones, uno con espn 1/2 y otro con espn -1/2. El siguiente electrn, debe
estar en otro estado de energa superior. Ese otro estado puede ser: (1,1,2), (1,2,1),
(2,1,1), ya que para todos ellos la energa vale lo mismo, es decir, 6E0. Son estados
degenerados pues les corresponde la misma energa pero se representan por funciones
de onda de materia distintas. De esta forma se van rellenando de electrones los estados
de energa en un slido, de acuerdo con los principios cunticos.

35
 Energa de Fermi: Representa la energa cintica ms alta ocupada por los electrones
a cero grados kelvin. Es relativamente fcil demostrar a partir de todo lo expuesto que
la energa de Fermi a cero Kelvin vale:
2
h 3n
2
(
h2
)
3 2
EF = esta expresin es equivalente a estas otras: E F = 3n 2 3
8me 2
2me
h 3n 3
2
EF =
2me 8
Como puede observarse la energa de Fermi es proporcional a la concentracin de
electrones que posee el material elevado a dos tercios. En la figura se observa como
se van rellenando los niveles de energas discretos con 9 electrones a diferencia de cmo
era en el modelo clsico.

E>0 En esta figura podemos ver que la funcin de

trabajo del metal la podemos determinar por
e diferencia entre la energa potencial del fondo
EF del pozo y la energa de Fermi:
= |EP| EF. A efectos prcticos la energa del
fondo del pozo coincide con el trabajo necesario
EP <0 para alejar un electrn del metal que ocupa un
nivel de energa en la banda de energa ms
externa o banda de conduccin como ya veremos.
36
Densidad de estados: La densidad de estados nos proporciona el nmero de estados
de energas por unidad de energa comprendidos entre dos niveles energticos prximos
entre s, E y E+dE. Estos estados pueden estar ocupados por electrones o estar
vacantes. Se representa por la funcin g(E) = dN/dE y se demuestra que la funcin den-
sidad de estados g(E) varia proporcionalmente con la raz cuadrada de la energa:

g(E) g(E) = C E1/2 donde la constante C vale:

CE1/2
C =V
(2me )
3/ 2
= 1,06 1056 J 3 / 2 = 6,8 10 27 eV 3 / 2
2h
3 2

E siendo V = a3 = 1 m3, el volumen del conductor.

E E+dE

El nmero de estados entre dos niveles de energa prximos se determina por el

producto de g(E) por el intervalo de energa E dE, esto es determinando el rea
del rectngulo sealado. Naturalmente el nmero de estados de energa entre el
origen de energas y un valor cualquiera de la energa, E, se determina integrando
la funcin g(E) entre cero y E. Como es deducible para altas energas hay ms estados
disponibles.

37
Qu ocurre para temperaturas superiores a cero Kelvin?
En este caso el nmero de electrones, dn(E), disponibles con energas comprendidas
entre E y E+dE va a depender de dos factores:
(a) del nmero de estados posibles entre E y E+dE, esto es: dN(E) = g(E)dE
(b) de la probabilidad de que esos estados de energa estn ocupados. Esta funcin
de probabilidad viene determinada por la estadstica de Fermi-Dirac, fF (E), de forma
que el nmero de electrones que hay en un nivel de energa dE vale:
dn(E) = g(E)fF(E)dE

Funcin de probabilidad de estados ocupados de Fermi-Dirac.

Fue deducida para tener en cuenta que los electrones son partculas cunticas indis-
tinguibles con espn 1/2 que verifican el principio de exclusin de Pauli. A este tipo de
partculas con espn semientero se les llam fermiones. La funcin de Fermi-Dirac es:

1
fF = E EF

e k BT
+1
Nos da la probabilidad de que un estado de energa E este ocupado, kB es la constan-
te de Boltzmann y vale 8,6210-5 eV/K y T la temperatura absoluta. Naturalmente
como la suma de que un estado de energa E est ocupado con la probabilidad de que
est vacante debe ser la unidad, tambin sirve para determinar la probabilidad de que
los estados estn vacantes: focupados + fvacantes = 1. 38
La probabilidad de encontrar un electrn con energa E = EF independientemente de
la temperatura es 1/2, ya que el exponente E EF de la exponencial se anula. Por esta
razn otra definicin de energa de Fermi es que representa aquella energa para la
cual la probabilidad de que el estado est ocupado es 1/2 independiente de la tempe-
ratura del material. La energa de Fermi juega un papel importante en la caracterizacin
de materiales.
Estudiemos los valores que puede tomar la funcin de distribucin de Fermi a T = 0 K.
1 1
fF = E EF
= =0
(a) para E > EF
e +1
e k BT
+1

1 1
fF = E EF
= =1
(b) para E < EF
e +1
e k BT
+1

Esto significa que para T = 0 K, los estados de energa por debajo del nivel de Fermi
estn ocupados por electrones, y por encima de ste nivel estn vacantes.

Para valores de T > 0 K, si el slido posee una energa trmica definida por la expresin:
U = kB T
39
y el nivel del estado energtico que estamos analizando vale E = EF 2kBT, la proba-
bilidad de que ese estado est ocupado vale:
1 1
fF = E EF
= 2
= 0,88
e +1
e k BT
+1
Si la energa del estado es E = EF + 2kBT, la probabilidad de ocupacin vale:

1 1
fF = E EF
= 2 = 0,12
e +1
e k BT
+1
Todos estos resultados obtenidos se pueden expresar grficamente:
fF(E)
E = EF 2kBT
T=0K
1

T>0K
1/2

E
EF 40
E = EF + 2kBT
Como puede observarse en la grfica slo aquellos electrones con energas prximas
a la de Fermi tienen probabilidad de pasar a estados de energa superiores EF pero
con poca probabilidad.

En resumen el producto de la funcin densidad de estado g(E) por la funcin de distribu-

cin de Fermi nos proporciona el nmero de electrones por unidad de energa. Grafica-
mente se representa as:
fF(E) dn(E)/dE
g(E) T=0K
1 T=0K
CE1/2 1
T>0K
1/2 = 1/2 T>0K

E E
EF E
EF

Segn este nuevo modelo, cuando se aplica un campo elctrico, E, todos los electrones
reciben energa externa del campo. Los electrones adquieren una velocidad de arrastre
de sentido opuesto al del campo. Esto da lugar a un incremento de energa que ser
positivo o negativo dependiendo del sentido de movimiento del electrn en el interior del
campo porque ste podra acelerarlos o frenarlos. Los electrones que ganan energa
colisionan con los iones de la red. En este momento se dispersan y slo los estados
prximos al nivel de Fermi poseen estados vacantes para poder ser ocupados por estos
electrones. Los electrones de energa inferior a EF continan ganando energa hasta que
41
de nuevo se dispersan por colisin con la red y vuelven a ocupar estados de energas
que fueron desocupados previamente por otros de manera que nunca se viole el
principio de exclusin e Pauli. De esta forma todos los electrones de valencia intervienen
en el proceso de conduccin cuando se aplica un campo elctrico. El asunto es muy
diferente si de lo que se trata es de activar los electrones mediante calentamiento. En
ese caso slo los electrones de valencia con energas prximas a las del nivel de Fermi
son los que se ven afectados y podrn ocupar estados de energas vacantes por encima
de EF. Los electrones alejados del nivel de Fermi no se vern afectados fcilmente.

Recurdese tambin por lo comentado anteriormente que la energa de los

electrones es cintica, ya que como dijimos EF representaba la energa cintica mxi-
ma. Por esto la velocidad de Fermi que corresponde a los electrones que colisionan y
se dispersan puede obtenerse a partir de la expresin:

2 EF
vF =
me

Este modelo s proporciona una buena prediccin para la variacin de la conductividad

con la temperatura, obteniendo que 1 / T como debe ser.

42
Sin embargo el modelo es incapaz de explicar porqu los materiales se comportan como
conductores, aislantes y semiconductores. Por ello hizo falta un modelo conocido como
modelo de bandas de energas que en esencia es el que utilizamos actualmente para
poder explicar la conduccin en los slidos habituales y que tambin explica el compor-
tamiento de las uniones entre los mismos. Esto es esencial porque sino no podramos
explicar el funcionamiento de los dispositivos de unin PN, como diodos, transistores,
dispositivos lser, etc.

4. Modelo de bandas de energa: conductores, aislantes y semiconductores.

Masa efectiva y hueco.

Para poder comprender porqu algunos materiales conducen y otros no lo hacen, ha

habido necesidad de refinar el modelo cuntico del electrn libre y considerar el efecto
de la red de iones sobre los niveles de energa de los electrones. Existen dos aproxi-
maciones para determinar los niveles energticos de los electrones en un cristal:
(a) Modelo de Bloch: Considera al electrn movindose en un pozo de potencial peri-
dico, en lugar de un pozo de fondo plano, y determina las energas posibles resolvien-
do la ecuacin de Schrdinger.
(b) Modelo de enlace fuerte: Consiste en hallar los niveles de energa de los electrones
en un slido siguiendo el comportamiento de los tomos individuales cuando se
aproximan suficientemente para formar el slido.
43
Ambos modelos conducen al resultado de que los niveles energticos se agrupan
en bandas permitidas de energas y bandas prohibidas.
Abordamos brevemente el modelo de enlace fuerte. Cuando se aproximan varios
tomos para formar un slido hay que tener en cuenta que cada tomo tiene sus
propios niveles de energa. As si se trata de aproximar dos tomos iguales, los
electrones de un tomo podrn ocupar los mismos niveles de energa que los del
otro tomo pareciendo que se contradice el principio de exclusin de Pauli. Pero esto
no es as porque al aproximar dos tomos iguales cada nivel de energa original de
uno de los tomos aislados, se divide en dos subniveles diferentes que tienen valores
casi iguales al original. Esto puede observarse en la figura donde se muestran las
funciones de onda de dos tomos separados en el estado de energa fundamental y
qu ocurre cuando se aproximan si los electrones en tomos se representan por pozos
de potencial finitos.
(a) dos tomos muy separados.
La funcin de ondas del conjunto
A B puede venir dada por una funcin
suma (simtrica) o diferencia (an-
tisimtrica) pues ambas son solu-
A ciones de la ecuacin de onda
de materia de Schrdinger..
B 44
Solucin simtrica s = A+ B.. Representa un electrn que puede encontrarse con
igual probabilidad en uno de los pozos en el estado fundamental de energa. Se
obtiene la misma densidad de probabilidad para ambos pozos como se muestra en la
figura.

s = A+ B

s2

Solucin antisimtrica a = A- B. Tambin representa un electrn que puede

encontrarse con igual probabilidad en uno de los pozos en el estado fundamental de
energa. Se obtiene la misma densidad de probabilidad para ambos pozos como se
muestra en la figura. En conclusin, slo existe un nivel de energa.
a = A- B

a2

45
 (b) Dos tomos muy prximos. Qu ocurre cuando se aproximan?
Los dos pozos de potencial que los representan se aproximan y las dos soluciones de
la ecuacin de onda de materia, simtrica y antisimtrica en el estado fundamental
toman la forma representada en la figura.

A B A

B
s = A+ B a = A- B

Ahora la funcin antisimtrica se parece al primer estado excitado de un pozo finito

pero de longitud doble. Si ahora determinamos las densidades de probabilidad para
ambas situaciones, la densidad |s |2 es distinta que la |a |2. Esto significa que en
el primer caso la probabilidad de encontrar al electrn entre los dos tomos es alta,
mientras que en el segundo caso es mnima. Esto da lugar a dos situaciones
energticas distintas. Por tanto ahora con dos tomos obtenemos dos niveles de 46
energas diferentes..
Bandas de energa permitidas y prohibidas en los slidos.

Como hemos estudiado, si los tomos estn muy separados la energa de un nivel
particular es la misma en cada tomo. Cuando los tomos se aproximan entre s, el
nivel de energa en cada tomo cambia debido a la influencia del otro tomo. Lo que
se ha mostrado para dos tomos se podra haber hecho para tres, cuatro, o N tomos.
En la siguiente figura se muestra un esquema del desdoblamiento de niveles para el
caso de seis tomos en funcin de la separacin de los mismos.

47
Si tenemos N tomos idnticos, un nivel determinado de un tomo aislado se divide
en N niveles energticos distintos, pero muy prximos, cuando los tomos se aproximan
para formar un cristal. En un slido, N es un nmero muy grande, del orden de 1022
tomos por cm3, de modo que cada nivel energtico se divide en un nmero muy grande
de niveles llamado banda de energa. Por ello los niveles dentro de una banda estn
tan prximos que la energa varia de forma casi continua.

El conjunto de N tomos que forma el slido se puede caracterizar desde el punto de

vista energtico por los mismos niveles de los tomos aislados Ea que es funcin de n,
y m , adems de s y el nmero del tomo referenciado de 1 a N. En cada nivel de ener-
ga del tomo E1a, E2a, etc. puede haber 2N electrones debido al espn. Esto es cierto
siempre que los tomos estn lo suficientemente separados para que no exista solapa-
miento de sus orbitales respectivos. Pero si existe superposicin, los nuevos orbitales
son compartidos por varios tomos y pierde sentido la especificacin de los electrones
de acuerdo con el tomo al que pertenecan.

Hay necesidad de buscar otros parmetros para representar estados de los electrones
en un cristal, distintos a los nmeros cunticos n, y m , que son adecuados para los
electrones ligados a tomos aislados.
48
En la figura se muestra un esquema del desdoblamiento de niveles de energa de un
conjunto de N tomos que forman un cristal, en funcin de la separacin r entre
tomos prximos. La zona de la derecha corresponde a tomos muy separados entre
s, prcticamente aislados. Esta situacin se mantiene hasta que la distancia entre
tomos es del orden del dimetro de las rbitas externas que corresponden a los
niveles de mayor energa. Al ir aproximando ms y ms los tomos podremos decir
que los electrones comienzan a pertenecer al conjunto de tomos y la especificacin
de su estado deber hacerse en funcin de un parmetro que tenga en cuenta la
estructura cristalina. En la figura a representa la separacin en la estructura cristalina
estable.
E

Banda 3 E3a
Banda 2 E2a
E1a
Banda 1

a r
Obsrvese en el esquema que las bandas de mas baja energa correspondiente a los
niveles de menor energa del tomo en la red, son mas estrechas y estn llenas de
electrones ligadas al tomo y por eso se desdoblan menos que las bandas de energa
mas altas donde los electrones de los orbitales atmicos ms externos se solapan y
49
forman una banda ms ancha.
Desde el punto de vista de la conduccin slo nos interesa las dos ltimas bandas.
Estas se conocen como banda de valencia, (BV), y banda de conduccin, (BC),
separadas por un intervalo de valores de energas no permitidos para los electrones
del slido, que se llama banda prohibida, (BP).

Es habitual representar esta situacin en un diagrama de bandas.

BC

Anchura de la BP, Eg BP

BV

El ancho de la BP, Eg, (Energy gap) se suele expresar en eV y es una caracterstica

muy importante de los materiales.
La BV es la banda de energa ms alta que contiene electrones. Puede estar
completamente o parcialmente llena de electrones dependiendo del tipo de tomo y el
tipo de enlace del slido. Por debajo de la BV todas las bandas estn ocupadas por
electrones ligados a los tomos y no participan en procesos de conduccin. La BC es
aquella que posee estados libres de energa y por tanto pueden ser ocupados por
electrones. 50
 Ahora podemos explicar porqu algunos slidos conducen y otros son aislantes. En el
siguiente esquema podemos ver el diagrama de bandas de conductores, aislantes y
semiconductores y explicar sobre el mismo los procesos de conduccin.

BC BC BC
Eg BC BP Eg
BP BP Eg

BV BV BV BV

(1) (2) (3) (4)

(1) Conductor tpico. La BV est slo est parcialmente llena, de modo que los electro-
nes pueden fcilmente excitarse a estados energticos prximos por la accin del cam-
po elctrico externo, E, debido a que existen muchos estados vacos. Puede decirse
en este caso que la BV es de hecho un banda de conduccin. Ejemplos: Cu, Na, etc.
en el caso del Na, Z = 11, su configuracin electrnica sera: 1s2 2s2p6 3s1
Un esquema de ocupacin de sus bandas por los electrones en un cristal de Na formado
por N tomos sera:
3s EF La banda superior 3s, est semillena,
N por ello el Na es monovalente. La banda
6N 3s es la banda de conduccin del Na.
E 2p
2s 2N 51
1s 2N
(2) Conductor con su BV saturada, pero solapada con la BC. Las dos bandas forman
una banda de conduccin-valencia que est slo parcialmente llena. Ejemplo: el Mg,
de nmero atmico Z = 12. Veamos su configuracin electrnica y su estructura de
banda:.
1s2 2s2p6 3s2

3p Al tener la banda 3s completa, el Mg debera ser un

EF
3s
aislante, pero al solaparse los orbitales 3s y 3p se
2N
generan orbitales vacantes y de esta forma se hace
2p 6N conductor. Tanto en (1) como en (2) los electrones
E
pueden ser acelerados por el campo elctrico y no
2s 2N tienen que superar una banda prohibida, BP.
1s 2N

(3) Aislante, en ellos la BV que est completamente llena a T = 0 K est separada por
una BP muy grande de la BC que posee estados energticos vacos. A temperaturas
ordinarias muy pocos electrones pueden excitarse y pasar a la BC. La mayora no puede
hacerlo porque la energa que poseen por excitacin trmica es insuficiente para poder
saltar la gran anchura energtica de la BP, Eg. Al mismo tiempo si se aplica un campo E
de valores normales los electrones no pueden acelerarse, ya que no hay estados de
energa disponibles en la BV y la energa que podra suministrar un campo E .normal es
insuficiente para superar Eg. Si se observa una pequesima conductividad es debida
a los pocos electrones que saltaron la barrera Eg por excitacin trmica. De otro lado
52 si
el campo E es suficientemente intenso como para que un electrn supere la BP hasta
alcanzar la BC, entonces es que se ha producido la ruptura dielctrica.
(4) Semiconductor, en ellos la BV y la BC estn separadas por un intervalo de energa
prohibido, Eg, que es pequeo comparado con el del aislante. A temperatura T = 0 K,
la BV est llena y la BC vaca, y el semiconductor se comporta como un aislante. A
temperaturas ordinarias, existe un nmero importante de electrones que por excitacin
trmica han superado la pequea BP del material semiconductor. La BP para el Si y
el Ge, semiconductores tpicos es del orden de 1 eV. En presencia de un campo E, los
electrones de la BC, que ya estn en ella por excitacin trmica, pueden acelerarse
ya que existen estados energticos vacantes prximos. Estos materiales son semicon-
ductores intrnsecos. En ellos por cada electrn que existe en la BC es porque se ha
producido la rotura de un enlace en la BV prxima, producindose un enlace incom-
pleto al haber superado el electrn la BP. En ese caso se dice que se ha generado un
hueco en la BV. Esto hace que al haber quedado en la BV un hueco si se aplica un
campo elctrico, otro electrn en la BV pueda ocupar el hueco y as se genera otro
hueco en el lugar donde estaba el electrn. Todo ello ocurre en la BV. De manera que
ahora la corriente es doble, por un lado la de electrones en la BC y la electrones que
tambin ahora se pueden excitar en la BV. Ambas corrientes contribuyen a la corri-
ente elctrica. Sin embargo la corriente de electrones en la BV se describe ms fcil-
mente como el movimiento de huecos en la direccin del campo, esto es, opuesto al
movimiento de los electrones. El hueco acta as como una carga positiva. .

53
Podemos visualizar la conduccin por huecos si imaginamos una calle de una sola
direccin con dos carriles, uno llenos de coches aparcados y el otro vaco. Si un
coche pasa del carril lleno al vaco, se mueve libremente haca adelante y el del
espacio vaco hacia atrs en sentido opuesto al sentido del movimiento de los coches.
Ambos movimientos, el del coche en el carril vaco hacia delante y el del espacio
vaco hacia atrs contribuyen a la propagacin neta de los coches hacia delante.

BC (4)

BV (1) (2) (3) (4) (5) (1) (2) (3) (h) (5)
(a) (b)

BC (4) (4)

BV (1) (2) (h) (3) (5) (1) (h) (2) (3) (5)

(c) (d)
(a) Toda la fila del carril inferior est ocupada.
(b) Se genera un hueco, un coche sale hacia adelante.
(c) El coche (3) pasa a ocupar el hueco y se desplaza el hueco hacia atrs.
(d) El coche (2) se traslada hacia adelante y el hueco contina hacia atrs.
54
Puede deducirse de las figuras anteriores que los coches de la fila superior se mueven
libremente mientras que los de la fila inferior se mueven ms lentamente. Tienen que
esperar que se produzca una vacante para poder moverse. Podemos decir que unos
se mueven en la BC y los de abajo en la BV. Por ello la movilidad de los electrones en
la BC es ms elevada que la de huecos en la BV. Por supuesto que la movilidad de los
electrones y la de huecos en la BV es la misma. Pero en los clculos de corrientes en
semiconductores las movilidades usadas son la de electrones en la BC y la de huecos
en la BV.

La representacin figurada que se ha realizado puede servir para hacer un esquema

en funcin de las bandas
electrn A la temperatura de 0 K la BV
BC hueco estara completamente llena y
Eg la BC vaca. Sin embargo a
T ordinarias muchos electrones
BV pasan a la BC y se genera el
mismo nmero de huecos en
la BV.

55
Corriente por huecos.
En cuanto a la corriente debemos observar que a T = 0 K la BV al estar completa
no puede generarse traslados de electrones por lo que la densidad de corriente, JT,
debe ser nula: JT = 0. Si la temperatura es distinta de cero y aplicamos un campo
elctrico entonces aparte de la corriente generada en la BC debida a los electrones
que saltaron la BP por efecto trmico, est la corriente de electrones en la BV debida
a los huecos generados. Si imaginamos que salta un electrn i de la BV a la BC
entonces el campo E puede ya generar movimiento de carga en la BV. Pero en lugar de
fijarnos en el movimiento de la mayora de electrones de la BV nos fijaremos en el
hueco que ha dejado el electrn i al marcharse porque va a ser equivalente:
Sea JR la densidad de corriente de los electrones que permanecen en la BV. sta ser
la JT total menos la contribucin de la densidad de corriente del electrn i que ya paso a
la BC, Ji y est ausente en la BV. Podemos escribir: JR = JT Ji. Pero JT era cero, por
tanto JR = - Ji = - (-e)vi = +evi donde vi es la velocidad de arrastre del electrn i dentro
del campo aplicado. Esto equivale a considerar, en lugar del movimiento de todos los
electrones menos uno en la BV, el movimiento de una carga positiva, hueco, en la BV.

Desde ahora tendremos en cuenta que la conductividad del slido est formada por la
contribucin de la conductividad de los electrones o portadores negativos y cuya con-
centracin es n, que estn en la BC y de los huecos que se comportan como portadores
positivos y de concentracin p huecos por unidad de volumen que estn en la BV. Por
J = J n + J p = ( n + p ) E = q (n n + p p ) E
ello se tiene:
56
Algunas propiedades interesantes a considerar en los
materiales semiconductores.
Una caracterstica importante de los materiales semiconductores es que la conductividad
aumenta con la temperatura en lugar de disminuir como le ocurre a los conductores. Ello
es debido a dos efectos en el que uno de ellos es predominante:
(a) De un lado se producen ms choques debido a la temperatura y por tanto debera
disminuir la conduccin a consecuencia de la mayor dispersin de los electrones
por parte de los iones de la red debido a las mayores vibraciones trmicas.
(b) De otro lado a consecuencia del aumento de energa trmica se liberan ms
electrones hacia la BC aumentando la concentracin de portadores, electrones en la BC
y huecos en la BV.
De los dos efectos sealados, el (b) es superior al (a) y de aqu lo indicado al principio..

Otra propiedad muy interesante es que suelen ser fotoconductores. Esto significa que
por efecto de la luz visible (tambin ocurre con otros fotones del espectro EM) la energa
de los fotones h es suficiente como para romper un enlace y hacer saltar un electrn de
la BV a la BC, generndose un par electrn-hueco. Para ello debe cumplirse la condicin:

h E g
hc 1240 (eV nm)
=
Eg E g (eV )
de esta manera el material al absorber la luz y no transmitirla se ve opaco.
57
Si h es inferior a Eg el material es transparente a la luz visible.
Conductividad en el carbono, el diamante, el silicio y el germanio.

En algunos materiales cristalinos no se puede analizar la conductividad mediante un

estudio cualitativo de las bandas de energa sin ms. En ellos hay que tener en cuenta
que es posible el solapamiento de las bandas si queremos explicar porqu en un estado
cristalino conducen y en otro son aislantes excelentes, como le ocurre al carbono, que
cuando cristaliza como grafito es un conductor y cuando lo hace como diamante es un
aislante.
El carbono, C, de Z = 6 tiene como configuracin electrnica: 1s2 2s2p2. Si se unen N
tomos para formar carbono, en total hay 6N electrones. El orbital 1s se llena con 2N
electrones, el 2s tambin con 2N y el 2p que podra haber hasta 6N slo tiene 2N, esto
nos dice que el carbono al tener muchos estados de energa vacantes debera ser un
conductor. Sin embargo, los niveles 2s y 2p se solapan cuando el C forma enlaces cova-
lentes (donde cada tomo de carbono comparte un electrn por cada enlace con los 4
tomos vecinos). A este solapamiento de orbitales atmicos se le llama hibridacin sp3.
Por todo ello, en la BV de los 8 estados posibles slo 4 estn ocupados quedando vacos
otros 4 y estn separados por una BP del orden de 1 eV.
2N electrones 0 electrones
2p 6N estados BC 4N estados
Energa

BP
2N electrones
2s 2N estados 4N electrones
BV 4N estados
tomos muy separados Cristal 58
En el siguiente esquema podemos ver el solapamiento de las bandas de energa.

vaco Lleno Desdoblamiento de los estados 2s y 2p

para el carbono, o los estados 3s y 3p
para el silicio, en funcin de la
3 estados por tomo separacin de los tomos. El intervalo

2p o 2p vaco de energa entre los 4 estados

llenos en la BV y los estados vacos de
la BC es de Eg = 7 eV para la
7 eV Eg = 1,09 eV 3 estados por tomo separacin correspondiente a la red del
diamante, 1,54 . En el caso de la red
1 estado por tomo
del Si, Eg = 1,09 eV. El desdoblamiento
2s o 3p es semejante en el caso de los niveles
4s y 4p del germanio, que tiene una
separacin entre tomos de 2,43 ,
1 estado por tomo dando un Eg = 0,7 eV.

Si: 1s2 2s2p6 3s2p2

2 4 6 8 Ge:1s2 2s2p6 3s2p6d10 4s2p2
distancia interatmica ()
RD = 1,54 RSi = 2,35

El diamante que es carbono puro tendra que ser conductor y sin embargo es aislante,
con Eg del orden de 7 eV. Tambin aparece el solapamiento en el Si y el Ge pero en
estos casos los cristales son semiconductores porque Eg es del orden de 1 eV. 59
 Concepto de masa efectiva.

Cuando se aplica un campo elctrico a un slido cristalino las fuerzas que actan sobre
el electrn son de dos tipos: (a) fuerzas externas procedente del campo elctrico, Fe, (b)
fuerzas internas debida a la red de iones positivos y que procede de un potencial
peridico de la red, Fred.

Si aplicamos la segunda ley e Newton al movimiento del electrn resulta:

Fe + Fred = ma
donde m es la masa del electrn y a la aceleracin que adquiere.

Debido a que el conocimiento de las fuerzas de la red sobre el electrn es muy difcil, se
opta por eliminarla de la ecuacin y para compensar este efecto sustituir la masa del
electrn libre m por una masa efectiva m* de manera que se siga obteniendo la misma
aceleracin a en la ecuacin. Por ello la masa efectiva sera:
Fe
m =
*

a
Se demuestra que esta masa depende esencialmente del tipo de estructura del slido
y tambin, dentro de cada slido, de la direccin de aplicacin de la Fe.. Por ello,
la masa efectiva es una magnitud compleja que va a depender de las direcciones
espaciales elegidas. 60
La masa efectiva puede tomar valores: (a) mayores que la masa del electrn libre, incluso
aproximarse a un valor infinito y (b) menores que la masa del electrn libre e incluso
valores negativos.
Para entender de manera intuitiva porqu toman estos valores debemos tener en cuenta
la superposicin de las dos fuerzas sealadas anteriormente. As si la fuerza externa que
acta sobre el electrn tiene la misma intensidad que la fuerza de la red pero esta acta
en sentido opuesto la resultante de ambas es nula y por ello la aceleracin tambin lo es.
En este caso la masa efectiva del electrn es infinita, porque as la fuerza externa no
podra acelerarlo.
De otro lado si la fuerza de la red es mayor que la fuerza externa del campo elctrico
entonces el electrn se movera en el mismo sentido del campo. Esto equivaldra a tener
una masa negativa. Si las fuerzas del campo elctrico y las de la red son opuestas pero
la externa es mayor que la de la red, entonces la masa efectiva sera positiva pero infe-
rior a la del electrn libre. Por ltimo si la fuerza elctrica externa y la de la red son del
mismo sentido entonces la masa efectiva es mayor que la del electrn libre.
Las masas efectivas se determinan experimentalmente por varios mtodos. Uno de ellos
se conoce como resonancia ciclotrnica.
Valores de masa efectivas para electrones y huecos usados habitualmente en materiales
semiconductores a 300 K con relacin a la masa del electrn libre m0 son:
Material mn* / m0 m*p / m0
Si 1,15 0,81
Ge 0,55 0,36
AsGa 0,066 0,52 61