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Practico 7
Electrones libres en metales
a) Considere que sobre los portadores, ademas de la fuerza electrica debida al campo
~ actua tambien una fuerza disipativa F~d del tipo:
electrico externo E,
me
F~d = ~v
donde es un tiempo caracterstico del proceso disipativo. Muestre que el sistema
puede alcanzar un estado de regimen en el que:
~
~v = E
con una cierta constante, denominada movilidad electronica.
b) La concentracion n de electrones que participan en la conduccion en los metales
es practicamente independiente de la temperatura. Existen dos procesos disipativos
relevantes:
1) Colisiones con defectos de la red de iones positivos, con constante de tiempo def
esencialmente independiente de T .
2) Debido a las colisiones con las vibraciones de la red (fonones), cuya constante de
tiempo ph disminuye con T .
Considere que la tasa de colisiones con fonones termicos es proporcional a la con-
centracion de los mismos. Calcule esta concentracion total de fonones en el modelo
de Debye y demuestre que a altas temperaturas (T >> D ): ph TD , con D la
temperatura de Debye.
A partir de lo anterior, demuestre que la resistividad depende de la temperatura
segun2 :
(T ) = res + ph (T )
donde res es la resistividad residual a bajas temperaturas y ph (T ) es un termino
que crece monotonamente con T .
1
Positive Temperature Coefficient
2
Regla de Matthiessen
1
2. Potencial Qumico y Distribucion de Fermi-Dirac
Considere un gas de electrones libres en tres dimensiones.
I = L0 F () + L1 F 0 () + L2 F 00 () + . . .
2
L0 = 1, L1 = 0, (kB T )2
L2 =
6
RE
3) Aplicando las aproximaciones anteriores a F (E) = 0 d D() y suponiendo que
la densidad D(E) vara suavemente en torno a , demuestre que:
2
( F )D() + (kB T )2 D0 () = 0
6
4) Utilice el resultado anterior para verificar que:
Si kB T << entonces kB T << F
2
2 kB T
' F 1 12 F
3
Recuerde que en la mayora de los metales TF ' 104 K
2
RE
5) Vuelva a aplicar las aproximaciones a la funcion F (E) = 0 d D() y demuestre
que:
3 2
U (T ) ' U0 + ( F )F D(F ) + (kB T )2 D(F )
2 6
donde U0 = U (0).
6) Halle el calor especfico CV en esta aproximacion.
4. Gas de Electrones
Considere un gas tridimensional de N electrones libres, a la temperatura de 0K.
3
6. Teora de Magnetoconductividad Estatica
d 1 B
m + vx = e Ex + vy
dt c
d 1 B
m + vy = e Ey vx
dt c
d 1
m + vz = eEz
dt
Jx 1 c 0 Ex
Jy = 0 c 1 0 Ey
1 + (c )2 2
Jz 0 0 1 + (c ) Ez
7. Apantallamiento electrostatico
Considere un gas de electrones independientes en un potencial electrostatico de fondo
(~r). En la aproximacion de Thomas-Fermi la concentracion de electrones no es unifor-
me, sino que para mantener el equilibrio termico y difusivo la concentracion volumetrica
de electrones n(~r) se relaciona con el potencial perturbativo por:
3 e (~r)
n(~r) ' n0 1+ = n0 + n(~r)
2 F
4
b) Demuestre que para una perturbacion puntual esferica (por ejemplo una impureza)
el potencial de Yukawa:
er/rT F
(~r) = A
r
es solucion de la ecuacion anterior. Halle rT F , la longitud de Thomas-Fermi en funcion
2
de la concentracion n0 y el radio de Bohr del atomo de hidrogeno aB = 4~ me2
0
.
c) Cual debe ser el valor de A si se desea que la perturbacion tienda a la de una carga
puntual en ausencia de apantallamiento electrostatico (rT F )?
p2
() = 1
( + i)
5
II. Reflexion Infrarroja (Relacion de Hagen-Rubens)
+ i 1
r=
+ i + 1
demuestre que la reflectancia de un metal en el infrarrojo es:
r
R = |r|2 ' 1
1
Halle 1 y demuestre que el resultado es valido para << 1 .
9. Esfera de Fermi
Suponiendo que la plata es un metal monovalente con superficie de Fermi esferica, calcule
las siguientes magnitudes:
6
b) A temperaturas finitas (T > 0K) los electrones pueden adquirir energa termica
suficiente para escapar del metal. Calcule la dependencia con la temperatura del metal
de la densidad de corriente electrica resultante, suponiendo que los electrones emitidos
se extraen de las proximidades del metal emisor (por ejemplo por la aplicacion de un
campo electrico de polaridad adecuada y suficientemente pequeno como para hacer
despreciable todos los efectos debidos a el, tal como tunelamiento a traves de la
barrera de potencial).
NOTA: La densidad de corriente es proporcional al valor esperado de la componente
perpendicular a la superficie de la velocidad de los electrones que logran escapar del
metal.
m
Rsq =
nde2
Suponga ahora que el valor mnimo del tiempo de colision se determina mediante dispersion
desde la superficie de la lamina de forma que ' d/vF , siendo vF la velocidad de Fermi.
mvF
As pues, la resistividad superficial maxima es Rsq ' nd 2 e2 . Demuestre que en el caso de
una hoja metalica de un atomo de espesor se tiene Rsq ' e~2 = 4, 1k.
Jx = xx Ex + xy Ey Jy = yx Ex + yy Ey
eB
Suponga que la frecuencia es >> c y >> 1/ , donde c = mc es la frecuencia de
ciclotron y es el tiempo de colision.
p2 c p2
xx = yy = i xy = yx =
4 4 2
donde p es la frecuencia de plasma.
b) Observe a partir de las ecuaciones de Maxwell que el tensor de la funcion dielectrica
del medio esta relacionadao con el tensor de conductividad en la forma = I + i 4
.
~
Considere una onda electromagnetica con vector de onda k = kz. Demuestre que la
relacion de dispersion para esta onda es:
c p2
c2 k 2 = 2 p2
4 2
7
A una frecuencia determinada existen dos modos de propagacion con vectores de onda
diferentes y distintas velocidades. Los dos modos corresponden a ondas polarizadas
circularmente. Como una onda polarizada linealmente puede descomponerse en dos
ondas polarizadas circularmente, se deduce que el plano de polarizacion de una onda
polarizada linealmente sera rotado por la accion del campo magnetico.