relatorioEC Rafaella Meira Correção PDF

Universidade Federal de Campina Grande
Centro de Engenharia Eltrica e Informtica

Curso de Graduao em Engenharia Eltrica
Rafaella Nascimento Meira
Relatrio de Estgio Supervisionado
Campina Grande, Paraba
Maro de 2016
Relatrio de Estgio Supervisionado submetido

Unidade Acadmica de Engenharia Eltrica da
Universidade Federal de Campina Grande como parte
dos requisitos necessrios para a obteno do grau de
Bacharel em Cincias no Domnio da Engenharia
Eltrica.
Local de Estgio: Laboratrio de Sistemas de Potncia
(LSP/UFCG)
Orientador:
Professora Nbia Silva Dantas Brito
Campina Grande, Paraba

Maro de 2016
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Relatrio de Estgio Supervisionado submetido

Unidade Acadmica de Engenharia Eltrica da
Universidade Federal de Campina Grande como parte
dos requisitos necessrios para a obteno do grau de
Bacharel em Cincias no Domnio da Engenharia
Eltrica.
Local de Estgio: Laboratrio de Sistemas de Potncia
(LSP/UFCG)
Aprovado em / /_______
Professor Avaliador
Avaliador
Professora Nbia Silva Dantas Brito

Orientadora
3
Agradecimentos
Agradeo a Deus, em sua plena bondade, por me dar sabedoria e pacincia para
enfrentar os momentos difceis.
Agradeo minha me Rosngela, aos meus avs Rmulo e Iracy, minha irm Lethcia
e ao meu namorado Adriano, por me ajudarem na realizao desse sonho.
professora Nbia Brito, minha orientadora, pela confiana e oportunidade de

trabalhar no Grupo de Sistemas Eltricos.
Aos professores Clio Ansio e Benemar de Alencar, por todo suporte e

comprometimento.
Aos colegas do Laboratrio de Sistemas de Potncia, cujo auxlio foi indispensvel para a
realizao deste trabalho.
A todos os professores e funcionrios desta instituio, que contriburam

decisivamente, na minha formao acadmica.
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Resumo
Este relatrio apresenta as atividades da aluna Rafaella Nascimento Meira realizadas
durante o Estgio Supervisionado no Laboratrio de Proteo Digital (LabPro), do
Departamento de Engenharia Eltrica (DEE), da Universidade Federal de Campina
Grande (UFCG), sob orientao da professora Nbia Silva Dantas Brito e superviso dos
professores Benemar Alencar de Souza e Clio Ansio da Silva.
Palavras-chave: RSCAD, RTDS, rel de distncia, faltas.
5
Sumrio
Resumo ............................................................................................................................................................... 5
Sumrio............................................................................................................................................................... 6
Lista de Figuras................................................................................................................................................ 7
1. Apresentao ........................................................................................................................................... 9
2. Local do Estgio ...................................................................................................................................... 9
3. O Estgio .................................................................................................................................................. 11
3.1 Estudo da arquitetura do RTDSTM ............................................................................................. 11
3.1.1 O Software do RTDSTM ............................................................................................................... 12
3.1.2 O Hardware do RTDSTM ............................................................................................................. 17
3.2 Modelagem de sistemas fictcios ............................................................................................... 18
3.3 Modelagem com dados baseados em sistema real ............................................................. 20
3.4 Rel de distncia Princpio de Funcionamento ................................................................ 23
3.5 Modelagem de um rel de distncia ......................................................................................... 25
3.5 Estudo de Caso .................................................................................................................................. 28
4. Consideraes Finais .......................................................................................................................... 40
5. Referncias Bibliogrficas ................................................................................................................ 41
6
Lista de Figuras
Figura 2.1 - Fachada do LSP. ..................................................................................................................... 10
Figura 2.2- RTDS no Laboratrio - LABPro......................................................................................... 10
Figura 3.1 RTDS de tamanho mdio .............................................................................................. 11
Figura 3.2 - Tela de iniciao do RSCAD (Verso 4.007.1) ........................................................... 12
Figura 3.3 - Relao entre os mdulos do RSCAD ............................................................................ 12
Figura 3.4 - Tela do FileManager ............................................................................................................ 13
Figura 3.5 - Tela do mdulo Draft .......................................................................................................... 14
Figura 3.6 - Tela do RunTime .................................................................................................................... 14
Figura 3.7 - Tela do Cbuilder ..................................................................................................................... 15
Figura 3.8 - Tela do TLine .......................................................................................................................... 16
Figura 3.9 - Tela do mdulo Cable. ......................................................................................................... 16
Figura 3.10 (a)Carto GPC, (b) Carto IRC, (c) Carto WIF.. ..................................................... 18
Figura 3.11 Sistema divisor de tenso.. ............................................................................................ 18
Figura 3.12 Sistema de energia AC simples, modelado no modulo Draft.. .......................... 19
Figura 3.13 Sistema modelado no mdulo Draft com insero de transformador.......... 19
Figura 3.14 Sistema modelado no mdulo Draft com insero de transformador de
instrumento.. .................................................................................................................................................. 20
Figura 3.15 Sistema eltrico de 230 kV adotado, (a) Diagrama unifilar do sistema teste,
(b) Esquema eltrico modelado no mdulo Draft............................................................................ 21
Figura 3.16 Modelo do TPC adotado.. ................................................................................................ 22
Figura 3.17 TPC modelado no mdulo Draft.. ................................................................................ 22
Figura 3.18 Esquema mostrando a impedncia que deve ser medida para uma falta
monofsica (LIMA,2006).. ......................................................................................................................... 24
Figura 3.19 Diagrama R-X (SILVA,2006).. ........................................................................................ 25
Figura 3.20 Tipos de caractersticas de operao do rel de distncia: (a) impedncia;
(b) mho; (c) lenticular; (d) retngulo (ANDERSON,1999).. ......................................................... 25
Figura 3.21 Caracterstica de um rel tipo mho (SIQUEIRA,2007).. ...................................... 25
Figura 3.22 - Arquitetura bsica de um rel microprocessado................................................... 26
Figura 3.23 - Filtro passa-baixa com frequencia de corte 360 Hz ............................................. 27
Figura 3.24 - Amostragem do sinal na frequencia de 960 Hz. ..................................................... 27
Figura 3.25 - Bloco relativo ao cosseno modificado ABB. ............................................................. 28
Figura 3.26 Sistema- teste com o esquema de aplicao de falta.. ......................................... 29
Figura 3.27 Boto utilizado na aplicao da falta.. ....................................................................... 30
7
Figura 3.28 Controles deslizantes utilizados para ajuste angular e de durao da falta,
respectivamente.. .......................................................................................................................................... 30
Figura 3.29 Controles deslizantes utilizados para ajuste da resistncia de falta entre
fases e entre fases e a terra.. ..................................................................................................................... 30
Figura 3.30 Chaves de seleo das fases........................................................................................... 31
Figura 3.31 - Controle de faltas para o estudo dos casos 1,2 e 3, respectivamente31
Figura 3.32 - Registro de simulao de falta AT: Tenso na barra emissora - falta a 25%
da linha de transmisso, (a) Tenso primria, (b) Tenso secundria. ................................... 32
Figura 3.33 - Registro de simulao de falta AT: Tenso na barra receptora - falta a 25%
da linha de transmisso, (a) Tenso primria, (b) Tenso secundria. ................................... 33
Figura 3.34 - Registro de simulao de falta AT a 25% (50km) da linha de transmisso:
Comportamento das variveis Dp e Ds. ................................................................................................. 33
(100 Km) da linha de transmisso, (a) Tenso primria, (b) Tenso secundria. .............. 34
Figura 3.37 - Registro de simulao de falta AT a 50% (100 Km) da linha de transmisso:
Comportamento das variveis Dp eDs. .................................................................................................. 35
Figura 3.40 - Registro de simulao de falta AT a 75% (150 Km) da linha de transmisso:
Comportamento das variveis Dp e Ds. ................................................................................................. 37
Figura 3.41 - Controle de falta para o estudo de caso 4. ................................................................ 38
Figura 3.42 - Registro de simulao de falta ABC: Tenso na barra emissora - falta a 75%
Figura 3.43 - Registro de simulao de falta ABC: Tenso na barra receptora - falta a 75%
Figura 3.44 - Registro de simulao de falta ABC a 75% (150 Km) da linha de
transmisso: Comportamento das variveis Dp e Ds. ...................................................................... 40
8
1. Apresentao
O Estgio Supervisionado foi realizado no Laboratrio de Proteo Digital (LabPro) do
DEE/UFCG, durante o perodo de 21/12/2015 a 11/02/2016, sob orientao da
professora Nbia Silva Dantas Brito e superviso dos professores Benemar Alencar de
Souza e Clio Ansio da Silva.
Este relatrio apresenta um resumo das principais atividades desenvolvidas durante o

perodo do estgio, que foram:
Estudo da arquitetura do Real Time Digital Simulator (RTDS);

Estudo das funcionalidades do software do RTDS;
Modelagens de sistemas eltricos de potncia diversos no RTDS;
Estudo de caso.
2. Local do Estgio
O LabPro est alocado no prdio do Laboratrio de Sistemas Eltricos de Potncia
(LSP), que foi construdo com recursos da Reitoria/UFCG (valor total de R$
741.645,18) e possui rea construda de cerca de 600 m distribudos em trs
pavimentos, contendo os seguintes ambientes: duas salas de aula, uma sala de reunio,
um auditrio, sete salas de professores, dois laboratrios (o LabPro e o LabSim), uma
copa, trs almoxarifados, cinco sanitrios e um hall de entrada. Apesar do LSP ainda no
ter sido inaugurado oficialmente, suas atividades iniciaram no dia 15 de abril de 2015 e
desde ento, alunos de graduao e ps-graduao veem se beneficiando de sua
infraestrutura (Figura 2.1).
O estgio, propriamente dito, foi realizado nas dependncias do LabPro (Figura 2.2),
que possui equipamentos de ltima gerao, dentre os quais destaca-se o RTDSTM, um
simulador digital em tempo real e que foi o foco do estgio.
9
Figura 2.1. Fachada do LSP.
Figura 2.2. O LabPro.
10
3. O Estgio
As atividades realizadas durante o estgio foram divididas em duas etapas, em ambas o
software e o hardware do RTDS foram empregados na construo e simulao de
sistemas:
Na primeira etapa foram modelados sistemas fictcios disponveis no Real Time

Digital Simulator Tutorial Manual;
Na segunda etapa, modelou-se um sistema de transmisso real, possibilitando a
anlise da localizao de faltas utilizando um rel de distncia. Um resumo das
atividades apresentado a seguir.
3.1 Estudo da arquitetura do RTDSTM

O RTDS um equipamento considerado como sendo referncia mundial para
simulaes em tempo real de sistemas de energia eltrica, com clientes em 37 pases e
mais de 1.100 unidades em operao. O equipamento disponvel na UFCG foi adquirido
atravs de uma Chamada do PROINFRA (Chamada Pblica MCT/FINEP/ CT-
INFRA/PROINFRA 1/2005).
Dente as muitas vantagens proporcionadas pelo RTDS, destaca-se:
Possibilidades de realizar estudos e simulaes de sistemas eltricos em tempo

real, em ambiente seguro, eliminando riscos no sistema eltrico e evitando
interrupes no fornecimento de energia.
A capacidade de simulao do RTDS pode ser aumentada com a insero de mdulos,

de modo que existem tamanhos diversos disponveis no mercado, inclusive o porttil. O
RTDS disponvel na UFCG tem tamanho mdio, cujo layout mostrado na Figura 3.1.
Figura 3.1. RTDS de tamanho mdio.

11
A arquitetura do RTDS composta de hardware e software, a qual apresentada de
forma resumida a seguir.
3.1.1O Software do RTDSTM

O software do RTDS organizado em trs nveis distintos: a biblioteca de modelos dos
componentes, no nvel mais baixo; o compilador, no nvel mdio e a GUI (Graphical User
Interface), denominada de RSCAD, no nvel mais alto. A tela inicial do software
mostrada na Figura 3.2.
Figura 3.2. Tela de iniciao do RSCAD (Verso 4.007.1).
O RSCAD oferece capacidade de construir, modificar e controlar os parmetros do

sistema, alm de analisar e armazenar os resultados das simulaes, ou seja, por meio do
RSCAD, o usurio realiza todas as etapas da simulao. A relao entre os seus
dive rsos mdulos mostrada na Figura 3. 3, a q ua l det a lha da a se gui r.
Figura 3.3. Relao entre os mdulos do RSCAD.
12
FileManager: fornece um espao para organizao e compartilhamento de projetos de
simulao e casos. Em sua janela (Figura 3.4), o usurio pode acessar os cones dos
outros mdulos, os manuais disponveis, editar as preferncias, realizar atualizaes e
editar o arquivo de configurao do hardware RTDS.
Figura 3.4. Tela do Mdulo FileManager.
Draft: nesse mdulo, o usurio pode montar um diagrama esquemtico do sistema a ser
simulado. O mdulo contm a tela de desenho, as bibliotecas de componentes, e todas as
ferramentas necessrias para editar os parmetros dos componentes. A tela dividida
em duas partes, como mostrado na Figura 3.5, onde do lado direito, no mdulo Draft,
contm as bibliotecas de componentes, e do lado esquerdo o espao destinado para a
construo do circuito. Para criar um esquema, os componentes so copiados da
biblioteca e colados no projeto no lado esquerdo da tela. O usurio tambm pode
importar componentes criados no mdulo Cbuilder, conforme ser abordado
posteriormente. Aps a compilao possvel observar se existe algum erro, informado
em uma mensagem exibida numa caixa de texto na parte inferior da tela.
RunTime: todas as execues e controle das simulaes so feitas atravs do mdulo

RunTime, sendo sua tela personalizvel para cada simulao, criando plotagens,
controles deslizantes, botes, mostradores, interruptores, entre outros, como mostrado
na Figura 3.6. Usando essas ferramentas, o usurio capaz de controlar e interagir com a
simulao. Esse mdulo aciona automaticamente atualizaes durante as simulaes. Os
dados dos grficos podem ser guardados para o ps-processamento, impressos ou
salvos em PDF, JPEG, etc.
13
Figura 3.5. Tela do mdulo Draft.
Figura 3.6. Tela do Mdulo RunTime.
14
CBuilder: ComponentBuilder ou Cbuilder um mdulo usado para a criao de projetos
de componentes personalizados que podem ser utilizados para criao de sistemas com
os modelos existentes na biblioteca do RSCAD, como mostrado na Figura 3.7. O usurio
dispe de um editor grfico com diversas ferramentas de desenho para criar os cones.
Conforme se v, o lado esquerdo apresenta a estrutura fsica do componente, enquanto
o lado direito, a configurao desse, no qual se faz a programao em linguagem C.
Tline: Este mdulo destinado modelagem de linhas de transmisso, que tem como
resultado a gerao de um arquivo com os dados da linha modelada para ser usado no
Draft. A tela do TLine apresentada na Figura 3.8. Os dados de entrada para a
modelagem de uma linha pode ser de dois tipos. Podem ser informados os dados quanto
s caractersticas fsicas dos condutores e geometria da linha, como a disposio dos
condutores entre si e em relao ao solo. Ou ento podem ser informadas as
impedncias de sequncia positiva e zero. Ao definir qual o tipo de dados que sero
informados, alguns cones da barra de ferramentas do TLine sero desativados e outros
ativados. Nas configuraes iniciais da linha de transmisso informa-se o tipo dos dados
de entrada, o modelo usado para a representao, o tipo de transposio, entre outros.
Este arquivo utilizado no mdulo Draft, onde as linhas de transmisso so
representadas por suas torres e por um bloco no qual colocado o nome do arquivo
criado no TLine para que ele possa ter acesso aos dados do modelo da linha.
Cable: mdulo utilizado para o clculo das caractersticas das ondas viajantes dos
cabos tendo como base os dados fsicos, sua tela apresentada na Figura 3.9. Os cabos
podem ser representados de trs formas: padro Bergeron, dependente da frequncia
ou no domnio da fase.
Figura 3.7. Tela do Mdulo Cbuilder.
15
Figura 3.8. Tela do Mdulo Tline.
Figura 3.9. Tela do Mdulo Cable.
16
3.1.2O Hardware do RTDSTM
O RTDS foi projetado para simular sistemas de energia e equipamentos de teste, tais
como dispositivos de proteo e controle fsicos. O hardware utiliza vrios
processadores digitais de alta velocidade que operam em paralelo para garantir a
operao em tempo real. Considera-se em tempo real o fato de se obter solues do
sistema em um intervalo de tempo menor que as constantes de tempo do prprio
sistema. O passo de tempo de simulao utilizado da ordem de 50 s.
Para funcionar de forma eficiente, o simulador precisa estar localizado em um

ambiente com temperatura de, no mximo, 25C e com umidade menor que 90%.
O hardware do RTDS possui uma estrutura modular, composta por unidades

denominadas racks. Cada unidade possui cartes de processamento e de comunicao:
GPC (Giga Processor Card), IRC (InterRack Communications Card) e WIF (Workstation
InterFace Card). Cada rack capaz de simular um sistema com um determinado nmero
de equipamentos e barras. Em geral, possvel simular, por rack, sistemas com at 54
ns, como o caso do simulador pertencente UFCG. Para simular sistemas mais
complexos, contendo nmero maior do que o nmero limite de ns, necessrio que o
simulador tenha vrios racks operando em conjunto. Com isso, o sistema dividido em
subsistemas e esses so executados em racks distintos.
Carto GPC - Giga Processor Card (Figura 3.10a): componente utilizado para resolver as
equaes que representam o sistema de potncia e os componentes do sistema de
controle. Conecta vrios tipos de cartes de entrada/sada por meio de fibra tica.
Carto IRC - InterRack Communication Card (Figura 3.10b): realiza a comunicao entre
um rack e at seis outros racks. Cada rack comporta duas placas IRC, permitindo a
formao de um RTDS com 13 racks interconectados.
Carto WIF - Workstation Interface Card (Figura 3.10c): desempenha muitas das
funes da placa GTWIF, sendo responsvel pela comunicao entre o rack do RTDS e o
computador que est utilizando o RSCAD, sincronizao entre o rack individual em um
caso de simulao multi-rack, coordenao dos dados entre os processadores
localizados na parte posterior do rack e p elo diagnstico do rack.
17
(a) (b) (c)
Figura 3.10. a) Carto GPC; b) Carto IRC; c) Carto WIF.
3.2 Modelagem de sistemas fictcios

Aps estudo da arquitetura do RTDS, a prxima atividade consistiu em construir e
simular vrios exemplos de sistemas fictcios disponveis no Real Time Digital Simulator
Tutorial Manual, tais como:
Divisor de tenso (Figura 3.11): Possibilitando a insero de fonte, barra e carga,

como ilustrado.
Figura 3.11. Sistema divisor de tenso.
18
Sistema de energia AC simples (Figura 3.12): nessa etapa deu-se incio: i) etapa
de modelagem de linhas de transmisso usando o mdulo TLine; ii) introduo
de um ramo de falta e envio de um sinal para um canal de sada analgico.
Figura 3.12. Sistema de energia AC simples, modelado no mdulo Draft.
Transformadores (Figura 3.13): Modelou-se diferentes tipos, ligaes e modelos

de transformadores de potncia.
Figura 3.13. Sistema modelado no mdulo Draft com insero de transformador.
19
Transformadores de instrumentos (Figura 3.14): modelou-se diferentes
configuraes com TC e TPC.
Figura 3.14. Sistema modelado no mdulo Draft com insero de transformador de

instrumento.
3.3 Modelagem com dados baseados em sistema real

Seguiu-se ento, para implementao de um sistema-teste para realizar um Estudo de
Caso. Para isso selecionou-se um sistema eltrico simplificado de 230 kV, cujo diagrama
unifilar mostrado na Figura 3.15(a) e o esquema eltrico modelado no mdulo Draft
na Figura 3.15(b) . Na modelagem foram utilizados dados de uma linha de transmisso
de 200 km de extenso, cujos valores de resistncia, reatncia e susceptncia de
sequncia positiva e zero so correspondentes s de uma linha real de 230 kV. Os dados
da linha e dos equivalentes das fontes A e B so apresentados na Tabela 3.2.
(a)
20
(b)
Figura 3.15. Sistema teste de 230 kV: (a) Diagrama unifilar do sistema teste, (b)
Esquema eltrico modelado no mdulo Draft.
21
O modelo de TPC adotado e o modelado por meio do mdulo Draft so apresentados nas
Figuras 3.16 e 3.17, respectivamente. Este modelo considera os principais elementos de
um TPC, os seus dados so informados na Tabela 3.1: coluna capacitiva composta pelas
capacitncias C1 e C2; reator de compensao formado pela resistncia Rc, indutncia Lc
e capacitncia Cc; transformador de potencial indutivo representado pelo enrolamento
primrio (resistncia Rp, indutncia Lp e capacitncia Cp) e pelo ncleo magntico
(resistncia de perdas Rm e indutncia de magnetizao Lm); circuito supressor de
ferroressonncia formado por um reator (indutncias Lf1, Lf2 e M), capacitor Cf e uma
resistncia de amortecimento Rf.
Figura 3.16. Modelo do TPC adotado.
Figura 3.17. TPC modelado no mdulo Draft.
22
Tabela 3.1. Dados do modelo do TPC utilizado.
Dados relativos ao TPC modelado
C1 10,04 nF Cf 226,9 F
C2 65,4 nF Lf1 0,20 H
Lc 338,5 H Lf2 26,6 H
Rc 505 M 4,34 mH
Cc 668,9 nF Rf 4,33
Cp 512,8 pF Rb 100
Tabela 3.2. Dados do modelo do sistema-teste.
Linha de transmisso Fonte A Fonte B
L= 200 Km VA = 1,02 0 VB = 0,98 / 10

ZL,0 = 0,532 + j 1,541
ZA,0 = 1,014 + j 18,754 ZB,0 = 1,127 + j 20,838
YL,0 = j 2,293 S / Km
ZL,1 = 0,098 + j 0,510 / Km
ZA,1 = 0,871 + j 25,661 ZB,1 = 0,968 + j 28,513
YL,0= j 3,252 S / Km
3.4 Rel de distncia Princpio de Funcionamento

Os rels de distncia so representados pelo nmero 21 da Norma ANSI (American
National Standards Institute) e seu funcionamento baseia-se na medio da impedncia,
admitncia ou reatncia entre o ponto onde est instalado e o ponto de defeito, o que
resulta em vrios tipos de rels: rel de impedncia (ohm), rel de admitncia (mho) e
rel de reatncia (Figura 3.18). A origem do nome se deve proporcionalidade entre
esses parmetros e a distncia (SILVA, 2006).
As caractersticas de um rel de distncia so apresentadas no diagrama R-X, cujo eixo
das abscissas representa a resistncia R e o eixo das ordenadas, a reatncia X (Figura
3.19). A partir da razo entre os fasores tenso e corrente medidos pelo rel, obtm-se a
impedncia aparente. O rel deve operar caso a impedncia aparente esteja dentro da
sua caracterstica de operao, que consiste em uma figura geomtrica no plano R-X.
23
Diversas figuras geomtricas so utilizadas, como por exemplo: crculos, retngulos,
elipses, bem como a combinao delas (Figura 3.20). A escolha da caracterstica a ser
usada depende do sistema a ser protegido e das caractersticas disponveis nos rels
(ANDERSON, 1999).
Na era dos rels eletromecnicos a caracterstica mho foi a mais utilizada. Quando
desenhada em um diagrama R-X resulta em um crculo, cuja circunferncia passa pela
origem, o que transmite a sua direcionalidade conforme mostrado na Figura 3.21.
Dentre as diversas caracterticas de um rel mho, o tipo auto-polarizado foi sem dvida
o mais estudado e utilizado, de modo que ainda hoje muitos rels digitais comerciais a
implementam (ZIEGLER, 2006). O conceito de autopolarizao baseia-se no fato de que,
nessa caracterstica, a grandeza de polarizao utilizada nos comparadores a prpria
tenso de entrada do rel, ou seja, pode ser implementada a partir de um nico
comparador. Ela tem alcance bem definido, inerentemente direcional e pode tolerar a
resistncia de falta sem sofrer erros srios de sobrealcance devido ao carregamento. Sua
principal vantagem a alta velocidade e boa coordenao, alm de ser uma ferramenta
til contra a perda de sincronismo entre sistemas.
Figura 3.18. Esquema mostrando a impedncia que deve ser medida para uma falta
monofsica (LIMA, 2006).
24
Figura 3.19. Diagrama R-X (SILVA, 2006).
Figura 3.20. Tipos de caractersticas de operao do rel de distncia:

(a) impedncia; (b) mho; (c) lenticular; (d) retngulo (ANDERSON, 1999).
Figura 3.21. Caracterstica de um rel tipo mho (SIQUEIRA, 2007).
3.5 Modelagem de um rel de distncia

O prximo passo consistiu em modelar o rel de distncia, o que foi feito fazendo uso de
um modelo disponvel no RTDSTM. Conforme a literatura especializada, a arquitetura
bsica de um rel microprocessado composta de seis unidades [SILVA, C. A, 2014]:
Unidade de Condicionamento de Sinais: onde os transformadores auxiliares

garantem a isolao eltrica entre o circuito de fora e o circuito eletrnico de
controle, seguido de um filtro anti-aliasing que limita o espectro de
frequncias do sinal a ser processado (tenso ou corrente);
25
Unidade de Aquisio de Dados: nesta unidade operam o circuito que realiza a
amostragem dos sinais, o circuito multiplexador e o conversor A/D
(analgico-digital);
Unidade de Processamento de Dados: local onde os dados so computados, e
consequentemente, onde as decises so definidas;
Unidade de Memria: parte do hardware onde os algoritmos so
armazenados, contemplando tambm o registro das variveis e constantes;
Unidade de Comunicao: onde configura-se o tipo de comunicao que o
dispositivo realizar com outros elementos do sistema eltrico;
Unidade de Interface Lgica: a qual tem por fim enviar ou receber trips de
comando para o disjuntor.
Figura 3.22. Arquitetura bsica de um rel microprocessado.
Para implementao dos filtros anti-aliasing foram utilizados seis filtros passa-baixas
Butterworth de segunda ordem, com frequncia de corte igual a 360 Hz (Figura 3.13).
26
Figura 3.23. Filtro passa-baixa com frequncia de corte igual a 360 Hz.
Os blocos que realizam a amostragem dos sinais de tenso e corrente foram

configurados para operar com frequncia de amostragem de 960 Hz, como apresentado
na Figura 3.14, que corresponde a 16 amostras por ciclo.
Figura 3.24. Amostragem do sinal na frequncia de 960 Hz.
As unidades de processamento de dados e memria foram modeladas no software

Cbuilder, por meio de um bloco que implementa o algoritmo do Cosseno Modificado
ABB, [HART et al.,2000]. Nesse bloco, conforme mostrado na Figura 3.25, os dados de
entrada so as variveis relativas s tenses e correntes discretas no tempo, e os dados
de sada consistem num grupo de doze variveis que correspondem s seis grandezas de
interesse Va, Vb, Vc, Ia, Ib e Ic, expressas como um nmero complexo (partes real e
imaginria) estimado mediante o algoritmo do Cosseno Modificado ABB.
27
Figura 3.25. Bloco relativo ao cosseno modificado ABB.
Para o clculo das impedncias de sequncia positiva que serviro de parmetro para
determinar a distncia de localizao de uma falta, foram utilizados blocos do RSCAD
que realizam operaes matemticas com nmeros complexos.
Obtidas as impedncias de sequncia positiva, segue-se para o ltimo estgio de

operao do rel, ou seja: execuo do processo de comparao das grandezas medidas
com valores previamente armazenados na memria (valores de referncia) para, em
seguida, tomar a deciso de atuao ou no. Essa modelagem foi feita fazendo uso de
blocos disponveis no prprio RSCAD.
A lgica que dita o funcionamento do rel de distncia consiste em verificar se a

impedncia de operao maior que a impedncia de polarizao (comparador de
magnitude). Adicionalmente, implementou-se um modelo de rel proposto em
SCHWEITEZ & ROBERTS [1993], baseado na atuao de um comparador do tipo cosseno
com caracterstica mho polarizada e com memria de tenso de sequncia positiva.
3.5 Estudo de Caso

Por fim, efetuou-se um Estudo de Caso, que consistiu em avaliar o funcionamento de um
rel de distncia perante uma falta, inclusive, comparando a distncia da falta captada
pelo rel com a distncia onde a falta realmente foi aplicada. Para isso, utilizou-se um
mtodo de localizao de faltas baseado em componentes fundamentais, que segundo a
literatura especializada, um dos mais precisos, visto que imune ao efeito capacitivo
das linhas de transmisso e resistncia de falta. Avaliou-se tambm, o impacto da
resposta transitria dos TPC sobre mtodos de localizao de faltas baseados em
componentes fundamentais atravs do desempenho do algoritmo de dois terminais,
proposto por JOHNS & JAMALI [1990].
Para facilitar a compreenso do mtodo avaliado, reproduz-se na Figura 3.26, o sistema-

teste.
28
Figura 3.26. Sistema-teste com o esquema de aplicao de falta.
Considerando uma falta localizada a uma distncia d da Barra A, o mtodo estima a

localizao do defeito atravs da Equao (3.1), sendo: VE, VR, IE e IR os fasores das
tenses e correntes modais (modos areos) nas barras emissora (da esquerda) e
receptora (da direita), respectivamente.
O parmetro Zc a impedncia caracterstica da linha definida pela Equao (3.2) e o

parmetro , a constante de propagao da linha calculada pela Equao (3.3), na qual
a frequncia angular nominal do sistema e r, l, g e c so a resistncia srie,
indutncia srie, condutncia shunt e capacitncia shunt da linha, por unidade de
comprimento, respectivamente.
No mtodo utilizado, a distncia de localizao da falta estimada a partir da barra

emissora (da esquerda).
Para avaliar apenas a influncia dos TPC sobre o mtodo de localizao de faltas, os TC
foram modelados como ideais, evitando-se problemas de saturao ou de desvios de
mdulo e fase das correntes requeridas para clculo de d usando a Equao 3.1. A
influncia dos erros provenientes da resposta transitria dos TPC sobre a localizao de
faltas baseada na anlise de componentes fundamentais foi avaliada por meio de
simulaes digitais via RTDSTM.
As anlises foram realizadas considerando diferentes condies de faltas e SIR (System

Impedance Ratio) nas barras, igual ao do sistema original. Foram simuladas faltas a uma
distncia de 25% (50 km), 50% (100 km) e 75% (150 km) da barra emissora. Para cada
caso, foram calculadas as localizaes Dp e Ds as quais foram obtidas por meio da
29
aplicao do mtodo de localizao de faltas avaliado, considerando as tenses
primrias e secundrias, respectivamente.
Para ilustrar apresentam-se: i) as tenses nas trs fases, nas barras emissora e
receptora, respectivamente; ii) o comportamento das variveis que determinam a
distncia de localizao da falta Dp (Distncia primria componente Real) e Ds
(Distancia secundria componente real, calculadas a partir das tenses primrias e
secundrias, respectivamente.
Em todos os casos avaliados, observou-se que os erros causados pelas tenses

transitrias do TPC de 230 kV, em estudo, no comprometeram o funcionamento do
mtodo utilizado para localizao de faltas, pois no necessrio que a anlise seja feita
muito prximo ao momento da falta, exatamente onde ocorre as tenses transitrias do
TPC.
Controle de faltas referente aos trs primeiros estudos de caso:
O controle de faltas realizado no mdulo RunTime, onde so adicionados botes,

controles deslizantes, grficos, chaves, dentre outros, como mostrado a seguir nas
Figuras 3.27, 3.28, 3.29, 3.30.
Figura 3.27. Boto utilizado na aplicao Figura 3.28. Controles deslizantes utilizados
da falta. para ajuste angular e de durao da falta,
respectivamente.
Figura 3.29. Controles deslizantes utilizados para ajuste da resistncia de falta entre
fases e entre fases e a terra.
30
Figura 3.30. Chaves de seleo das fases.
A configurao dos botes, controles e chaves utilizados no controle de faltas para os

trs primeiros estudos de caso mostrada na Figura 3.31:
Figura 3.31. Controle de faltas para os estudos dos casos 1,2 e 3, respectivamente.
A resistncia de falta utilizada foi de 1 Ohm;

O ngulo de incidncia da falta pode ser alterado utilizando o boto deslizante
CONTROLE ANGULAR, o valor utilizado foi de 0 e 90( valores de maior
relevancia), transformado em segundos por meio da equao: t= (graus/360)*T,
onde t= tempo em segundos e T o perodo da onda;
31
A durao da falta pode ser modificada atravs do boto deslizante DURAO DA
FALTA, o valor empregado foi de 3 ciclos, transformado em segundos por
intermdio da
equao: t= (ciclos/f), onde t= tempo em segundos e f= frequncia.
Estudo de Caso 1: Falta AT a 25% da linha
No presente estudo de caso foi simulada uma falta monofsica para terra localizada 50
km(25%) da barra emissora. Nas Figuras 3.32 e 3.33 apresenta-se as tenses nas fases
A, B e C, respectivamente, nas barras emissora e receptora obtidos a partir da tenso
primria e secundria.
200
150 VA1
Tenso (kV)
100
50 VB1
0 VC1
-50
-100
-150
-200
0 10 20 30 40 50 60 70 80 90
Tempo (ms)
(a)
0.2
0.15 VTPC1
0.1
Tenso (kV)
0.05 VTPC2
0 VTPC2
-0.05
-0.1
-0.15
-0.2
0 10 20 30 40 50 60 70 80 90
Tempo (ms)
(b)
Figura 3.32. Registro de simulao de falta AT. Tenso na barra emissora. Falta a 25% da
linha de transmisso. (a) Tenso primria; (b) Tenso secundria.
32
200
150 VA3
Tenso (kV)
100
50 VB3
0 VC3
-50
-100
-150
-200
0 10 20 30 40 50 60 70 80 90
Tempo (ms)
(a)
0.2
0.15 VTPC4
Tenso (kV)
0.1
0.05 VTPC5
0 VTPC6
-0.05
-0.1
-0.15
-0.2
0 10 20 30 40 50 60 70 80 90
Tempo (ms)
(b)
Figura 3.33. Registro de simulao de falta AT. Tenso na barra receptora. Falta a 25%
da linha de transmisso. (a) Tenso primria; (b) Tenso secundria.
Na Figura 3.34 apresenta-se o comportamento das variveis que determinam a distncia

de localizao da falta Dp e Ds, calculadas a partir das tenses primrias e secundrias,
respectivamente. Observa-se que em regime permanente, o valor informado pelo rel de
distncia prximo a 150 km, esse valor corresponde a impedncia do sistema sem a
aplicao da falta. Aps a falta, a localizao informada pelo rel de distncia modelado
foi muito prxima de 50 km, distncia onde a falta foi aplicada.
200
Dp
175 Ds
150
Distncia (km)
125
100
75
50
25
0
0 10 20 30 40 50 60 70 80 90
Tempo (ms)
Figura 3.34. Registro de simulao de falta AT a 25% (50 km) da linha de transmisso:
comportamento das variveis Dp e Ds.
33
No caso em foco foi simulada uma falta da fase A para terra localizada 100 km (50%)
da barra emissora. Nas Figuras 3.35e 3.36 apresenta-se as tenses nas fases A, B e C,
respectivamente, nas barras emissora e receptora obtidos a partir da tenso primria e
secundria.
200
150 VA1
Tenso (kV)
100
50 VB1
0 VC1
-50
-100
-150
-200
0 10 20 30 40 50 60 70 80 90
0.2
0.15 VTPC1
Tenso (kV)
0.1
0.05 VTPC2
0 VTPC2
-0.05
-0.1 Tempo (ms)
-0.15 (a)
-0.2
0 10 20 30 40 50 60 70 80 90
Tempo (ms)
(b)
200
150 VA3
Tenso (kV)
100
50 VB3
0 VC3
-50
-100
-150
-200
0 10 20 30 40 50 60 70 80 90
Tempo (ms)
(a)
0.2
0.15 VTPC4
Tenso (kV)
0.1
0.05 VTPC5
0 VTPC6
-0.05
-0.1
-0.15
-0.2
0 10 20 30 40 50 60 70 80 90
Tempo (ms)
(b)
34
200
Dp
175 Ds
150
Distncia (km)
125
100
75
50
25
0
0 10 20 30 40 50 60 70 80 90
Tempo (ms)
35
No caso evidenciado foi simulada uma falta da fase A para terra localizada 150 km
(75%) da barra emissora. Nas Figuras 3.38 e 3.39 apresenta-se as tenses nas fases A, B
e C, respectivamente, nas barras emissora e receptora, obtidos a partir da tenso
primria e secundria.
200
150 VA1
Tenso (kV)
100
50 VB1
0 VC1
-50
-100
-150
-200
0 10 20 30 40 50 60 70 80 90
Tempo (ms)
(a)
0.2
0.15 VTPC1
Tenso (kV)
0.1
0.05 VTPC2
0 VTPC2
-0.05
-0.1
-0.15
-0.2
0 10 20 30 40 50 60 70 80 90
Tempo (ms)
(b)
200
150 VA3
Tenso (kV)
100
50 VB3
0 VC3
-50
-100
-150
-200
0 10 20 30 40 50 60 70 80 90
Tempo (ms)
(a)
0.2
0.15 VTPC4
Tenso (kV)
0.1
0.05 VTPC5
0 VTPC6
-0.05
-0.1
-0.15
-0.2
0 10 20 30 40 50 60 70 80 90
Tempo (ms)
(b)
36
200
Dp
Ds
150
Distncia (km)
100
50
0
0 10 20 30 40 50 60 70 80 90
Tempo (ms)
37
Controle de faltas referente ao prximo estudo de caso:
A configurao dos botes, chaves e controles utilizados no controle da falta para o

prximo caso mostrada na Figura 3.41:
Figura 3.41. Controle de falta para o estudo de caso 4.
A resistncia de falta utilizada foi de 1 Ohm;

O ngulo de incidncia da falta pode ser alterado utilizando o boto deslizante
FLTDUR, o valor utilizado foi de 90, transformado em segundos por meio da
equao: t= (graus/360)*T, onde t= tempo em segundos e T o perodo da onda;
A durao da falta pode ser modificada atravs do boto deslizante FTDUR, o
valor empregado foi de 3 ciclos, transformado em segundos por intermdio da
equao: t= (ciclos/f), onde t= tempo em segundos e f= frequncia.
38
Estudo de Caso 04: Falta ABC a 75% da linha
Para concluir as anlises de localizao de faltas foi simulada uma falta trifsica
localizada 150 km (75%) da barra emissora. Nas Figuras 3.42 e 3.43 apresenta-se as
tenses nas fases A, B e C, respectivamente, nas barras emissora e receptora obtidos a
partir da tenso primria e secundria.
200
150 VA1
Tenso (kV)
100
50 VB1
0 VC1
-50
-100
-150
-200
0 10 20 30 40 50 60 70 80 90
Tempo (ms)
(a)
0.2
0.15 VTPC1
Tenso (kV)
0.1
0.05 VTPC2
0 VTPC2
-0.05
-0.1
-0.15
-0.2
0 10 20 30 40 50 60 70 80 90
Tempo (ms)
(b)
Figura 3.42. Registro de simulao de falta ABC. Tenso na barra emissora. Falta a 75%
200
150 VA3
Tenso (kV)
100
50 VB3
0
-50 VC3
-100
-150
-200
0 10 20 30 40 50 60 70 80 90
Tempo (ms)
(a)
0.2
0.15 VTPC4
Tenso (kV)
0.1
0.05 VTPC5
0 VTPC6
-0.05
-0.1
-0.15
-0.2
0 10 20 30 40 50 60 70 80 90
Tempo (ms)
(b)
Figura 3.43. Registro de simulao de falta ABC. Tenso na barra receptora. Falta a 75%
39
200
Dp
175 Ds
150
Distncia (km)
125
100
75
50
25
0
0 10 20 30 40 50 60 70 80 90
Tempo (ms)
Figura 3.44. Registro de simulao de falta ABC a 75% (150 km) da linha de transmisso:
4. Consideraes Finais
O Estgio Supervisionado contribuiu decisivamente em minha formao acadmica,
visto que complementou uma parte importante do conhecimento adquirido ao longo da
minha caminhada discente.
O estudo do RTDS foi de imensa relevncia, visto que permitiu o contato com um
equipamento moderno e disponvel em poucas instituies no mundo.
As simulaes se concentraram em um sistema real, elevando ainda mais a capacidade

de aprendizado, pois utilizou-se o RTDSTM para simular os sistemas eltricos de potncia
e o software CBuilder para implementar a lgica do rel.
Analisando os resultados obtidos, pde-se constatar que em todos os casos a localizao

da falta informada pelo rel de distncia foi muito prxima a do local onde realmente foi
aplicada, mesmo diante dos erros causados pelas tenses transitrias do TPC, validando
o mtodo de localizao de faltas baseado em componentes fundamentais, atravs do
desempenho do algoritmo de dois terminais.
40
5. Referncias Bibliogrficas
HART, D. G.; NOVOSEL, D.; SMITH, R. A. Modified Cosine Filters. Patente US006154687A,
November 2000.
JOHNS, A. and JAMALI, S. Accurate fault location technique for power transmission lines
Generation, Transmission and Distribution, IEE Proceedings C, vol. 137, no. 6, pp. 395
402, November 1990.
RTDS Technologies. Disponvel em: http://rtds.com/index/index.html. Acesso em: 14 de

fevereiro de 2016.
RTDS Technologies. RTDSMT Users Manual. Canad, 2007.
SCHWEITZER, E. O. and ROBERTS, J. Distance Relay Element Design. Fourty-Sixth

Annual Conference for Protective Relays Engineers, Texas A&M University College
Station, 1993.
SILVA, C. A. Filtros Digitais Recursivos para Reduo do Impacto da Resposta Transitria

do TPC. Tese de Doutorado, Universidade Federal de Campina Grande, Campina Grande,
PB, maro de 2014.
41

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Universidade Federal de Campina Grande

Centro de Engenharia Eltrica e Informtica

Rafaella Nascimento Meira

Relatrio de Estgio Supervisionado

Campina Grande, Paraba

Relatrio de Estgio Supervisionado

Relatrio de Estgio Supervisionado submetido

Local de Estgio: Laboratrio de Sistemas de Potncia

Professora Nbia Silva Dantas Brito

Campina Grande, Paraba

Relatrio de Estgio Supervisionado

Relatrio de Estgio Supervisionado submetido

Local de Estgio: Laboratrio de Sistemas de Potncia

Professora Nbia Silva Dantas Brito

professora Nbia Brito, minha orientadora, pela confiana e oportunidade de

Aos professores Clio Ansio e Benemar de Alencar, por todo suporte e

A todos os professores e funcionrios desta instituio, que contriburam

Palavras-chave: RSCAD, RTDS, rel de distncia, faltas.

Este relatrio apresenta um resumo das principais atividades desenvolvidas durante o

Estudo da arquitetura do Real Time Digital Simulator (RTDS);

Figura 2.2. O LabPro.

Na primeira etapa foram modelados sistemas fictcios disponveis no Real Time

3.1 Estudo da arquitetura do RTDSTM

Dente as muitas vantagens proporcionadas pelo RTDS, destaca-se:

Possibilidades de realizar estudos e simulaes de sistemas eltricos em tempo

A capacidade de simulao do RTDS pode ser aumentada com a insero de mdulos,

Figura 3.1. RTDS de tamanho mdio.

3.1.1O Software do RTDSTM

Figura 3.2. Tela de iniciao do RSCAD (Verso 4.007.1).

O RSCAD oferece capacidade de construir, modificar e controlar os parmetros do

Figura 3.3. Relao entre os mdulos do RSCAD.

Figura 3.4. Tela do Mdulo FileManager.

RunTime: todas as execues e controle das simulaes so feitas atravs do mdulo

Figura 3.6. Tela do Mdulo RunTime.

Figura 3.7. Tela do Mdulo Cbuilder.

Figura 3.9. Tela do Mdulo Cable.

Para funcionar de forma eficiente, o simulador precisa estar localizado em um

O hardware do RTDS possui uma estrutura modular, composta por unidades

Figura 3.10. a) Carto GPC; b) Carto IRC; c) Carto WIF.

3.2 Modelagem de sistemas fictcios

Divisor de tenso (Figura 3.11): Possibilitando a insero de fonte, barra e carga,

Figura 3.11. Sistema divisor de tenso.

Figura 3.12. Sistema de energia AC simples, modelado no mdulo Draft.

Transformadores (Figura 3.13): Modelou-se diferentes tipos, ligaes e modelos

Figura 3.13. Sistema modelado no mdulo Draft com insero de transformador.

Figura 3.14. Sistema modelado no mdulo Draft com insero de transformador de

3.3 Modelagem com dados baseados em sistema real

Figura 3.16. Modelo do TPC adotado.

Figura 3.17. TPC modelado no mdulo Draft.

Dados relativos ao TPC modelado

C2 65,4 nF Lf1 0,20 H

Lc 338,5 H Lf2 26,6 H

Tabela 3.2. Dados do modelo do sistema-teste.

Linha de transmisso Fonte A Fonte B

L= 200 Km VA = 1,02 0 VB = 0,98 / 10

3.4 Rel de distncia Princpio de Funcionamento

Figura 3.20. Tipos de caractersticas de operao do rel de distncia:

Figura 3.21. Caracterstica de um rel tipo mho (SIQUEIRA, 2007).

3.5 Modelagem de um rel de distncia

Unidade de Condicionamento de Sinais: onde os transformadores auxiliares

Figura 3.22. Arquitetura bsica de um rel microprocessado.

Os blocos que realizam a amostragem dos sinais de tenso e corrente foram

Figura 3.24. Amostragem do sinal na frequncia de 960 Hz.