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PROGRAMA DE PS-GRADUAO EM CINCIA E TECNOLOGIA DE MATERIAIS

Programa de Ps-graduao em Cincia e Tecnologia de Materiais

1 semestre de 2016

Informaes e instrues para a resoluo da prova

1. A prova deve ser realizada sem consulta;

2. A durao da prova de 3 (trs) horas;
3. permitido o uso de calculadora;
4. No permitida a utilizao de telefone celular como calculadora. Os telefones celulares devem
estar desligados e dentro de bolsas ou mochilas;
5. A prova dever ser feita inteiramente neste caderno. No ser permitido o uso de folhas extras, nem
destacar as folhas deste caderno;
6. Aps o incio da prova, proibida a sada da sala, a menos que a prova seja entregue e dada por
terminada. Portanto, no ser permitido fumar ou atender celular;
7. Ateno: conferir nome e o nmero de inscrio no alto desta pgina. Na primeira pgina interna,
deve constar somente o nmero de inscrio;
8. A primeira parte da prova constituda de 10 (dez) questes objetivas e obrigatria e eliminatria.
A segunda parte da prova classificatria, e dever ser preenchida apenas pelos candidatos
interessados em constar na lista de espera para bolsas do Programa;
9. Os alunos regulares que realizaro a prova para fins de reclassificao, devero resolver as duas
partes da prova;
10. Esta folha ser destacada e mantida separadamente das demais folhas desta prova. A correo da
prova ser realizada apenas pelo nmero de inscrio do candidato.

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Assinatura do candidato
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1a parte

1) A rede cristalina do material responsvel pelos picos de difrao de raios X na tabela abaixo :
Pico 2 ()
1 20,20
a) CCC 2 28,72
b) Tetragonal simples 3 35,36
c) CFC 4 41,07
d) Cbica simples 5 46,19
e) Ortorrmbica de face centrada 6 50,90
7 55,28
8 59,42

2) As nanopartculas de prata tm sido muito empregadas por apresentarem propriedades bactericidas. A

massa, em quilogramas, e o nmero de tomos de Ag em uma nanopartcula com 3 nm de dimetro so,
respectivamente:
a) 3,43x10-19 e 9276
b) 1,43x10-19 e 1823
c) 6,02x10-23 e 276
d) 1,48x10-22 e 827
e) 1,48x10-19 e 89276

3) O nmero de eltrons em uma folha de 1 cm2 de Al, com densidade 0,0465 g/cm2 :
a) 6,69x1021
b) 8,69x1022
c) 6,02x1023
d) 3,12x1010
e) 8,69x1019
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4) A razo entre o nmero de tomos por centmetro cbico de chumbo e de ltio

a) 21,25
b) 0,71
c) 11,2
d) 0,033
e) 0,0071

5) Sabendo que o nmero atmico do cobalto 27 e sua valncia 2, o nmero de eltrons em sua camada
3d :
a) 7
b) 10
c) 6
d) 8
e) 2

6) Sabendo que os raios inicos de Na+ e Cl- so, respectivamente, 0,098 e 0,181 nm, a fora de atrao
coulombiana, em N, no NaCl :
a) 1,61x10-19
b) 2,91x109
c) 2,86x10-11
d) 2,98x10-9
e) 3,22x10-12

7) O ngulo, em graus, entre as direes [110] e [111] em um sistema cbico :

a) 90,0
b) 45,0
c) 35,3
d) 22,5
e) 54,7

8) O ltio CCC tem parmetro de rede 3,51x10-8 cm e contm uma lacuna a cada 200 clulas unitrias. O
nmero de lacunas em 1 cm3 e a densidade do Li, em g/cm3 so, respectivamente:
a) 2,30x1020 e 0,532
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b) 1,15x1020 e 0,532
c) 3,14x1010 e 0,653
d) 2,30x1023 e 0,675
e) 1,15x1020 e 0,675

9) Durante a solidificao de uma liga Cu-Zn observa-se que a composio no uniforme. Ao se aquecer a
liga a 600 C por 3 horas, a difuso de zinco torna essa composio mais homognea. A temperatura, em
graus Celsius, necessria para se efetuar essa homogeneizao em 30 minutos :
a) 667
b) 1245
c) 620
d) 940
e) 1800

10) Uma liga de nibio, com parmetro de rede 0,32554 nm e densidade 11,95 g/cm3, produzida pela
introduo de tomos substitucionais de tungstnio na estrutura CCC. A frao de tomos de tungstnio na
liga :
a) 0,055
b) 0,621
c) 0,690
d) 0,500
e) 0,345
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2 parte

1) A densidade de uma amostra de paldio CFC 11,98 g/cm3 e seu parmetro de rede 0,4 nm. Calcule a) a
frao de pontos da rede que contm lacunas e b) o nmero total de lacunas em um centmetro cbico de Pd.
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2) Calcule a densidade planar em um plano (110) para o ferro CCC e as distncias interplanares para os
planos (110) e (112). Sabendo que a densidade planar do plano (112) 9,94x1012 tomos/cm2, determine em
qual dos planos acima iria ocorrer mais facilmente o deslizamento.
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3) Uma pea cermica feita de MgO sinterizada com sucesso a 1700 C durante 90 minutos. Para
minimizar as tenses trmicas durante o processo planeja-se reduzir a temperatura para 1500 C. O que vai
limitar a taxa com que a sinterizao pode ser feita: a difuso de ons de magnsio ou a difuso de ons de
oxignio? Que tempo ser necessrio temperatura mais baixa?
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4) Quais so os ndices de Miller das direes de deslizamento nos planos (111) em uma clula CFC e no
plano (011) em uma clula CCC?
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5) A tabela abaixo apresenta os picos obtidos em um experimento de difrao de raios X quando foi usado
um comprimento de onda de 0,0717 nm. Determine a estrutura cristalina do metal, os ndices dos planos
responsveis por cada pico e o parmetro de rede do metal.

2
1 25,5
2 36,0
3 44,5
4 51,5
5 58,0
6 64,5
7 70,0
8 75,5
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APENDICE PROPRIEDADES DOS ELEMENTOS A TEMPERATURA AMBIENTE

Elemento Z A (uma) Densidade (g/cm3) Estrutura Cristalina Raio atmico (nm)

Al 13 26.98 2.71 FCC 0.143
Ar 18 39.95 - - -
Ba 56 137.33 3.5 BCC 0.217
Be 4 9.012 1.85 HCP 0.149
B 5 10.81 2.34 Rhomb. -
Br 35 79.90 - - -
Cd 48 112.41 8.65 HCP 0.149
Ca 20 40.08 1.55 FCC 0.197
C 6 12.011 2.25 Hex. 0.071
Cs 55 132.91 1.87 BCC 0.265
Cl 17 35.45 - - -
Cr 24 52.00 7.19 BCC 0.125
Co 27 58.93 8.9 HCP 0.125
Cu 29 63.55 8.93 FCC 0.128
F 9 19.00 - - -
Ga 31 69.72 5.90 Ortho. 0.122
Ge 32 72.59 5.32 Dia. cubic 0.122
Au 79 196.97 19.32 FCC 0.144
He 2 4.003 - - -
H 1 1.008 - - -
I 53 126.91 4.93 Ortho. 0.136
Fe 26 55.85 7.87 BCC 0.124
Pb 82 207.2 11.35 FCC 0.175
Li 3 6.94 0.534 BCC 0.152
Mg 12 24.31 1.74 HCP 0.160
Mn 25 54.94 7.44 Cubic 0.112
Hg 80 200.59 - - -
Mo 42 95.94 10.22 BCC 0.136
Ne 10 20.18 - - -
Ni 28 58.69 8.90 FCC 0.125
Nb 41 92.91 8.57 BCC 0.143
N 7 14.007 - - -
O 8 16.00 - - -
P 15 30.97 1.82 Ortho. 0.109
Pt 78 195.08 21.45 FCC 0.139
K 19 39.10 0.862 BCC 0.231
Si 14 28.09 2.33 Dia. cubic 0.118
Ag 47 107.87 10.49 FCC 0.144
Na 11 22.99 0.971 BCC 0.186
S 16 32.06 2.07 Ortho. 0.106
Sn 50 118.69 7.3 Tetra. 0.151
Ti 22 47.88 4.51 HCP 0.145
W 74 183.85 19.3 BCC 0.137
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V 23 50.94 6.1 BCC 0.132

Zn 30 65.39 7.13 HCP 0.133
Zr 40 91.22 6.51 HCP 0.159

DADOS DE DIFUSO PARA ALGUNS MATERIAIS