PRUEBA DE BANCOS DE CAPACITORES: METODO DOBLE

Alberto Gutierrez - Doble Engineering

Ernesto Sanchez - IVESCO
Roger Citalan, CFE-Distribucin, Puebla

I - RESUMEN

En un sistema de potencia existen varias aplicaciones donde se utilizan capacitores (tambien llamados
condensadores) tales como:

x Compensacin Reactiva: Bancos de Capacitores en paralelo (conectados en Ye o Delta, con el neutro

flotante o puesto a tierra)
x Filtros de unidades conversoras (capacitores solos o capacitors en paralelo o en serie con reactores)
x Sistemas Estaticos de VARs (SVS)
x Sistemas de compensacin Serie
x Compensacin Reactiva en sistemas de Distribucin
x Filtros
x Aplicaciones de CD

En todas estas aplicaciones, una caracteristica comun es la utilizacion de unidades de capacitores (Fig. 1) en bancos
de Capacitores (Fig. 2).

Fig. 1 Capacitores Individuales (varios tamanos)

Fig. 2 Banco de Capacitores

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En este articulo se presentan los resultados de las pruebas hechas a tres bancos de capacitores utilizando el metodo
CapCheck LP1. En este metodo se utilizan los siguientes componentes:

Mtodo CapCheck LP1 [1] En este metodo se utiliza: a) un generador de voltaje, Fig. 3, [2], b) Un
transformador de corriente tipo gancho, Fig. 4 y c) un instrumento controladot y medidor, Fig. 5, [3].

Fig. 3 Generador de Voltaje

Fig. 4 Transformador de Corriente tipo gancho y cable

Fig. 5 Instrumento Controlador y Medidor

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II - INTRODUCCION

Un capacitor utilizado en las aplicaciones mencionadas en el Resumen, arriba, se compone de (Fig. 6): un a)
recipiente (un tanque de metal), 2) rollos de plastico (unidades de capacitores) inmersos en un liquido dielectrico y
conectados entre si en serie / paralelo, c) una resistencia de descarga interna y d) boquilla (s) de conexin. Algunas
unidades tienen un fusible interno para prevenir fallas mayores. Otras (la mayoria) tienen el fusible de proteccion
externo.

Fig. 6 Componentes internos de un Capacitor

Por lo general, los datos de placa de estas unidades consisten en:

a) Numero de serie, b) Tipo, c) Capacitancia Nominal, d) Frecuencia Nominal, e) Voltaje, f) Impedancia, g)
Reactivos (VARs), h) BIL, i) Norma aplicada, k) Rango de temperaturas aplicables, l) numero de boquillas
(bushings).

Las pruebas de campo hechas a estas unidades miden por lo general su capacitancia, la cual es comparada con el
dato de placa. Las pruebas Doble (Fig. 7) prueban el aislamiento de las unidades capacitivas internas. Los
resultados de las pruebas Doble son la corriente de disipacin (Id en mA) y los Vatios de perdidas (Watts, en mW).
El analisis de los resultados se hace comparando estas variables con valores referencia (medidos en la fabrica, al ser
instalados o con mediciones similares anteriores).

Fig. 7 Prueba Doble normal de un Capacitor

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El capacitor utilizado en estas aplicaciones tiene basicamente tres caracteristicas propias:

1) Una alta capacitancia (en F) comparada con la capacitancia encontrada en sistemas de aislamiento (en nf o
pF).
2) Una alta corriente capacitiva (Corriente de carga (en amperios), la cual depende del voltaje de prueba
utilizado)
3) La capacitancia es sensible a variaciones del voltaje y / o la frecuencia del Sistema.

Estas unidades de capacitores son fabricadas en varios tamanos (VARs) y voltajes de aplicacin. Estos van desde 25
KVARs (unidades monofasicas) hasta 1800 kVARs (unidades trifasicas) y desde 1.2 kV hasta 25 kV.

En sistemas de potencia se encuentran bancos de capacitores que van desde 300 kVARs (en sistemas de
distribucin) hasta 300 MVARs (en sistemas de transmisin). Asi entonces, dependiendo del punto en el sistema en
el cual se apliquen estos capacitores, se pueden encontrar aplicaciones de una sola unidad (en postes del sistema de
distribucin) hasta cientos de unidades en bancos de capacitores en paralelo del sistema de transmision.

Las unidades individuales de los bancos de Capacitores pueden fallar por:

a) Fallas internas,
b) Fallas externas.

Las fallas internas se manifiestan en:

a) fallas del aislamiento (pelculas de plastico internas),
b) fallas del dielectrico (contaminacin interna),
c) falla de la resistencia de descarga o
d) falla del sistema de proteccion interno (fusibles cuando se utilcen internamente).

Las fallas externas pueden ser localizadazas en:

e) fallas de la (s) boquillas,
f) fallas del sello del tanque metalico (empaques),

Las fallas internas pueden ser originadas por aumentos de la corriente de disipacin (debido a fallas del dielectrico
[pelcula de plastico o liquido dielectrico] o defectos internos que dan origen a voltajes de inicio de corona muy
bajos, el cual se manifiesta principalmente en un aumento de las perdidas (Vatios de disipacin). Estas fallas
aumentan la temperatura interna del capacitor y pueden dar origen a un aumento de gases internos y por
consiguiente a sobrepresiones internas y fallas mayores eventuales.

Para prevenir fallas mayores se utilizan fusibles externos o internos los cuales sacan la unidad de servicio
desconectandola del sistema. Esto produce variaciones de la reactancia capacitiva por fase la cual (despus de la
desconexion de un cierto numero de unidades por fase) origina que reles de proteccion detecten esta variacin y
saquen el banco de servicio.

Debido a la aplicacin de estos bancos (control / compensacion de reactivos) muchos de estos bancos son
controlados ya sea por variaciones de voltaje en el sistema de potencia, necesidades de reactivos en la parte del
sistema donde esten instalados, necesidad de compensacin de la reactancia total de una linea de transmisin o filtro
de armonicos en el sistema de potencia. Entonces, los controles pueden llegar a conectar / desconectar estos bancos
varias veces durante el dia. Esta actividad puede llegar a dar origen a sobre voltajes que impactan la integridad de
los paquetes de capacitores internos de estas unidades.

Una salida de un banco de Capacitores en condiciones de necesidad del sistema puede llegar a causar problemas
serios adicionales al sistema en general o a areas del sistema en particular.

De aqu, la necesidad de probar peridicamente la integridad del aislamiento de estos capacitores.

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III - PRUEBA DE CAPACITORES

Existen varias maneras de probar un capacitor:

a) Caida de voltaje, i.e., usando un voltmetro registre el voltaje a traves de cada unidad

b) Generar una alta frecuencia y asi poder hacer uso de la frecuencia para poder utilizar voltajes bajos a
frecuencias altas, i.e.

Xc = 1/(2 * f * C) = V/I.

En consecuencia, C = I / ((2 * f * V).

Entonces, a altas frecuencias la capacitancia medida es menor que la capacitancia medida a la frecuencia
nominal (50 Hz o 60 Hz).

c) Utilizando un voltimetro y midiendo la corriente, en micro-amperios

d) Sabiendo que a un determinado voltaje la capacitancia esta directamente relacionada a la corriente medida,
entonces, variaciones de la corriente medida implican variaciones de la capacitancia.

Por ejemplo:

Supongase un capacitor con una capacitancia de C = 0.5 micro-faradios.

A 60 Hz, la reactancia capacitiva sera:

Xc = 1/( 2*3.1416*60*0.5*106) = 10+6 / (188.496) = 5.3 * 10+3 Ohmios = Xc

Aplicando, 5.3 * 0.5 = 2.65 voltios, la corriente de un capacitor en buenas condiciones debe ser de 0.5 mA:

I = C * (2 f *V) = 0.5 * 106 * 376.99 * 2.65 = 499.51 * 106 Amps o sea 0.5 mA.

Aplicando un voltaje de 26.5 voltios, la corriente de un capacitor en buenas condiciones debe ser de 5.0
mA

I = C * (2 f *V) = 0.5 * 106 * 376.99 * 26.5 = 4995.1 106 Amps o sea 5.0 mA.

En resumen, bajo estas condiciones, con un voltaje constante, la corriente medida es directamente
proporcional a la capacitancia del capacitor.
O visto desde otro punto de vista, la capacitancia de un capacitor es directamente proporcional a la
corriente medida e inversamente proporcional al voltaje aplicado:

C = I / (2 f *V) = 5 * 103 / (376.99 * 26.5 V) = 0.5 * 106 Faradios

o sea 0.5 micro-Faradios.

e) Utilizando lo anterior, utilizar una fuente de voltaje variable y un ampermetro de alta resolucion.

IV EL METODO CAPCHECK LP DE DOBLE

Con el proposito de demostrar la versatilidad de un equipo de campo utilizado para prueba de aislamiento
(M4100) y otro utilizado para prueba de transformadores (Reactancia de Dispersin o M4100), en el 2002
Doble Engineering Co comenzo a utilizar el concepto mostrado en d) arriba para probar capacitores de bancos
de Capacitores [1].

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 Durante estas pruebas se compararon un numero de equipos de prueba de bancos de capacitores fabricados
especficamente con este proposito. Especficamente, junto con el metodo CAPCHECK LP de Doble
Engineering Co se probo un equipo comercial [2].

x Estas pruebas demostraron que el metodo CAPCHECK LP de Doble Engineering Co, utilizando el equipo
de prueba de aislamiento (M4100) junto con un equipo de prueba de transformadores (M4110) era tan util
como el equipo comercial.

Fig. 8 Forma de Registro Automatico de los datos de la Prueba (Software Fuente Externa)
Con respecto al transformador de corriente, tipo gancho, este debe tener un cable que se pueda conectar al M4100
(cable azul). Idealmente este gancho debe tener un cambio de fase de cero grados y una sensitividad suficiente para
medir corrientes muy pequenas (del rango de 100mA y mayor) y asi poder medir la capacitancia.

El error de esta gancho (TC) se puede corregir en el software utilizado por el M4100 (Software de la Fuente
Externa), el cual permite corregir la Atenuacin de la Corriente.

Se debe tener cuidado con la polaridad del TC. Algunos de ellos la indican con una flecha. Esta flecha indica que el
TC se debe conectar de tal manera que la punta de la flecha este visible y este dirigida hacia la entrada de corriente.
Si la polaridad esta equivocada el software indicara una medicion en Henrios en lugar de micro-Faradios.

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CONFIGURACION Y CONEXIONES DE LA PRUEBA DOBLE DE BANCO DE CAPACITORES

Fuente Externa
o M4110

M4100

a) Circuito Electrico de la Prueba

M4110

M4100
b) Conexiones fisicas del equipo

Fig. 9 Circuito y Conexiones Fisicas de la Prueba de Capacitores por el Metodo Doble [1]

V RESULTADOS DE LAS PRUEBAS LLEVADAS A CABO CON EL METODO DOBLE

1. SUBESTACION TEHUACAN (CFE - DIVISION CENTRO ORIENTE, PUEBLA 115 KV (66.5 KV LG )

Este banco de capacitores consta de 5 secciones en serie por fase, cada seccion con 10 capacitores en paralelo
para un total de 50 unidades por fase y 150 unidades en total en las tres fases:
5 Grupos en Serie x 13.28 kV Cada Grupo = 66.4 kV l-g, por Fase,
10 Capacitores x 5 Grupos = 50 Capacitores x 150 kVAr c/u = 7,500 kVAr / fase
o sea 7,500 kVAr x 3 = 22.5 MVAr, trifasico.
Linea

Grupo 1

Grupo 2

66.5 kV (l-g) Grupo 3

Grupo 4

Grupo 5

Neutro

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 Fig. 10 Grupos del Banco de Capacitores S.E. Tehuacan

Linea

10 . 3 2 1
Gr1 Cada Grupo
10 Capacitores

1 2
Grupo 1 3 ...10
Gr2 Gr3

Gr5 Gr4

Neutro
Fig. 11 Conexiones de los 5 grupos de Capacitores de una fase - S.E TEHUACAN

Fig. 12 Banco de Capacitores y Conexines en el Banco de Capacitores

Subestacin TEHUACAN
Ahora bien, con los siguientes datos de placa de los capacitores de esta subestacin se calcula la capacitancia
nominal de cada unidad:

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Unidades de 50 kVAr, 13.28 kV.
I = kVAr / kV = 50 / 13.28 = 3.76 Ar
Cnominal = I / (2 f *V) = 3.76 A / (376.99 * 13.28 * 10+3) = 0.75 micro-Faradios
Es decir, la capacitancia medida es directamente proporcional a la corriente suministrada al capacitor.
En otras palabras, para medir un capacitor a su voltaje nominal hay necesidad de suministrarle (cargarlo) una
corriente nominal.
Un aparato encontrado comnmente en una subestacin es el CCPD (Coupling Capacitor Potencial Device).
Este aparato se usa principalmente a niveles de voltaje donde se requiera inyectar una senal de comunicacin /
proteccion, i.e. mas de 115 kV.
La capacitancia principal de este aparato, C1, por lo general tiene una capacitancia del orden de 100,000 pF.
Si suponemos que se esta aplicando a 115 kV, la corriente nominal seria;
Inominal = (2 f * C * V) = (377 * 100,000 * 1012 * 115 * 10+3) = (4333.50 * 103 ) A = 4.333 Ar
Para probarlo a su voltaje nominal habria que suministrarle 4.33 Ar a este capacitor. Sin embargo, no existe
equipo de prueba porttil que tenga esta capacidad de corriente. El equipo de prueba porttil que actualmente
existe en el mercado que tiene una corriente de prueba mayor tiene 300 mA a 10 kV.
Con esta capacidad, la maxima capacitancia que se puede probar a 10 kV es:
C = I / (2 f *V) = 300 * 103 / (376.99 * 10* 10+3 V) = 300 * 103 * 0.0265 * 103 = 0.0795 * 106
Faradios o sea 0.0795 micro-Faradios
Debido a esto es que se recomienda que cuando se vayan a probar capacitancias altas es decir que requieran
corrientes altas se utilice un voltaje bajo. Entonces, para poder probar el CCPD mencionado arriba con el
equipo de prueba de una capacidad de 300mA a 10kV, se debe utilizar un voltaje de prueba de:
V = I / (2 f *C) = 300 * 103 / (376.99 * 100,000 * 1012) = 795 V
Sin embargo con efectos de poder comparar resultados posteriores, todas las pruebas deberan ser hechas
al mismo voltaje.
Entonces, si se le aplica al capacitor de la S. E TEHUACAN un voltaje de 300 V (0.300 kV) y se mide una
corriente a traves del capacitor de 271.8 mili-amperios, la capacitancia medida sera entonces de 2.3337 micro-
faradios:
C = I / (2 f *V) = 271.8 * 103 / (377 * 300 V) = 2.403 * 106 Faradios o sean 2.403 micro-Faradios
Presentacion de los Resultados S.E TEHUACAN:
A continuacin se muestra la forma del software Fuente Externa del M4100 con los resultados de las pruebas
llevadas a cabo el dia 8 de Diciembre del 2006.

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 Gancho con
Polaridad
invertida

Fig. 13 Forma del Software Fuente Externa del M4100 con los resultados de la prueba del banco de
capacitores 31L91 de la S.E. TEHUACAN
La Fig. 14 muestra grficamente los resultados de las pruebas hechas al banco de Capacitores de la S. E
Tehuacan.

Fig. 14 Resultados graficos de las pruebas Capacitancia y Vatios de cada Capacitor

Observacin de las Figs. 13 y 14 muestran:

1) La unidad No 6 tiene unas perdidas muy altas. La capacitancia esta casi en el limite inferior

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 2) Hay varias unidades que muestran una capacitancia fuera del limite maximo. Sin embarego, las perdidas
de Vatios estan dentro de los limites aceptables.
3) Se notan dos resultados en Henrios. Como se menciona anteriormente, esto se debe a la polaridad inversa
del gancho de corriente.
4) Con unas pocas excepciones el banco esta en buenas condiciones
5) Hay necesidad de monitorear las unidades con parmetros fuera de los limites aceptables.

Ahora, bien, con el proposito de hacer una evaluacion del banco desde el punto de vista del Factor de Potencia (FP)
de las unidades, veamos la grafica anterior pero graficando el FP en % y la capacitancia. La Fig. 15 abajo muestra
estas graficas.

Fig. 15 Resultados graficos de las pruebas Factor de Potencia en % y Capacitancia de cada Capacitor

En la Fig. 15 se puede observar que aun cuando las unidades con altas perdidas de Vatios muestran tambien un FP
muy alto, las unidades con capacitancias fuera de los limites aceptables muestran FP en % aceptables (dentro de los
limites).
Sin embargo, es de notar el caso contrario. Es decir, unidades con capacitancia dentro de los limites pero FP fuera
de los limites.
La variacin de la capacitancia indica el inicio de un proceso de degradacion y una alteracin de la capacidad de
almacenaje de energia electrica del capacitor. La variacin del FP fuera de los limites indica ya un proceso mas
adelantado de falla del capacitor. Esta es ya una senal de alerta.
Es conveniente tener en cuenta que al analizar la calidad del aislamiento de un capacitor se debe tener en
cuenta no solo la variacin de la capacitancia si no la variacin del FP tambien. Esto se ilustra en las Fig. 16 y
Fig. 17 abajo, las cuales se explican asi solas.

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Fig. 16 No existe variacin en la capacitancia pero el FP si detecta un problema en uno de los capacitores

Fig. 17 Un capacitor se ha puenteado por un problema interno: El FP no muestra una variacin. La

capacitancia si detecta una variacin y por consiguiente el problema

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Presentacion de los Resultados S.E LAGUNA II (CFE-Distr., Div. Norte, Zona Laguna):
A continuacin se muestra la forma del software Fuente Externa del M4100 con los resultados de las pruebas
llevadas a cabo el dia 17 de Enero del 2007 al banco de Capacitores ME50190/03:

Fig. 18 Foto del Banco de Capacitores ME50190/03 de la S.E. LAGUNA II y Foto de los Ings. Roberto
Montoya Hintze (CFE), Arturo Barradas Munoz (IVESCO) y Alberto Gutierrez (DOBLE)

Fig. 19 Forma del Software Fuente Externa del M4100 con los resultados de la prueba del banco de
capacitores ME50190/03 de la S.E. LAGUNA II
Las Fig. 20 y Fig. 21, abajo, muestran grficamente los resultados de las pruebas hechas al banco de
Capacitores de la S. E LAGUNA II.
Si se le aplica al capacitor de la S. E LAGUNA II un voltaje de 300 V (0.300 kV) y se mide una corriente a
traves del capacitor de 90.0 mili-amperios, la capacitancia medida sera entonces de 0.795 micro-faradios:
C = I / (2 f *V) = 90.0 * 103 / (377 * 300 V) = 0.795 * 106 Faradios o sean 0.795 micro-Faradios

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 Fig. 20 Resultados graficos mostrando la capacitancia (C) y Vatios (W) por unidad de la prueba del
banco de capacitores ME50190/03 de la S.E. LAGUNA II

Fig. 21 Resultados graficos mostrando la capacitancia (C) y Factor de Potencia (%PF) por unidad de la
prueba del banco de capacitores ME50190/03 de la S.E. LAGUNA II
Observacin de las Figs. 20 y 21 muestran:
1) Aun cuando algunas unidades (Fase C Grupo 5) muestran una capacitancia en el limite inferior, en general
la Capacitancia de las unidades estan dentro de los limites supuestos.
2) En general los Vatios de todas las unidades estan por debajo del limite maximo
3) Con respecto al FP, existen varias unidades con en FP por encima del limite superior. Hay necesidad de
monitorear estas unidades haciendoles pruebas mas frecuentes..

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 4) Con las excepciones mencionadas en 3) arribam el banco esta en buenas condiciones
5) Hay necesidad de monitorear las unidades con parmetros fuera de los limites aceptables.
CONCLUSIONES:
En general, el metodo de prueba de bancos de capacitores DOBLE LP es un metodo facil y rapido.

x No hay necesidad desconectar ningun capacitor, ni fusible, ni cables ni otras conexiones del banco. Lo
unico que hay que hacer es: a) Solicitar a operacin una salida del banco, b) abrir el aparato utilizado para
conectar el banco al sistema, c) Esperar unos minutos para que se descarguen los Capacitores, d) Colocar
las tierras de seguridad y comenzar a hacer las pruebas.
x Cada prueba toma entre 1 y 2 minutos por capacitor.
x Todas las condiciones de la prueba (voltaje, corriente, temperatura, humedad, fecha y tiempo) se registran
automticamente para referencia futura,
x Los resultados de la prueba son completos, es decir, incluyen no solo la capacitancia si no los valores de
corriente, Vatios de perdida y Factor de Potencia,
x Los datos de la prueba son automaticamente registrados en una tabla por el M4100 (vease la Fig. 8). Estos
datos pueden ser guardados en un archivo electronico o exportados a un programa de hoja de calculo para
su analisis grafico,
x Para aquellos usuarios del M4100, no se necesita de otra inversion y asi pueden maximizar el uso del
M4100
x Utilizando el M4110 como fuente, el probador puede tener control de un voltaje de salida de 0 a 300 V
RMS y 2.6 kVA de salida continuos (a 240 Vrms). Entonces, se puede llegar a tener una salida de corriente
de hasta 25 A continuos.
REFERENCIAS:
1. Long Pong, Ground Fault Locating Technique By Using Doble M4000 Test Set, Experimentation, Minutes of
the Sixty Ninth Annual Conference of Doble Clients, 2004, in Circuit-Breaker Committee.
2. Long Pong, Field Testing Capacitor Bank with M4000 Instrument- Doble Engineering Co
AGRADECIMIENTO: En nombre de Doble Engineering Co e IVESCO queremos expresar nuestro
agradecimiento a los Ings. Roger Citalan Perez (CFE, Jefe de Depto. Subestaciones y Lineas, Div. Centro
Oriente, Puebla) , Jose Luis Velsquez Domnguez (CFE, Jefe de Depto. Subestaciones, Gerencia Regional de
Transformacin Central, Tasquena), Roberto Montoya Hintze (CFE, Jefe de Oficina de Protecciones, Div.
Norte, Gomez Palacio) quienes muy amablemente facilitaron los bancos de capacitores probados con el
METODO DOBLE LP y participaron activamente con los Ings. Arturo Barradas Munoz, Ernesto Sanchez y
Perez, Pedro Romero Calderon y Alberto Gutierrez de Doble Engineering Co, en las pruebas de los bancos de
capacitores.

Foto Izquierda - Participantes en las pruebas del banco de capacitors en la S.E. TEHUACAN Foto derecha
Participantes en las pruebas del banco de capacitores de la S. E. ZAPATA

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