CONDUCCION EN SEMICONDUCTORES

Corriente Elctrica: En su concepto ms elemental, se trata de cargas elctricas en movimiento.

Un material podr conducir una corriente elctrica en la medida en que interiormente tenga
cargas elctricas libres de ser arrastradas por un campo elctrico aplicado. En los metales y
conductores en general estas cargas son los ELECTRONES de la BANDA de CONDUCCION, es decir,
electrones que a la temperatura ambiente tienen la energa suficiente para abandonar sus tomos
y vagar por el material de modo que estadsticamente existe siempre una nube de ellos lista a
ser arrastrada por un eventual campo elctrico aplicado.

La estructura atmica de los materiales, formada por un ncleo rodeado de electrones, determina
segn la ENERGIA de los electrones de su ltima capa (llamada de valencia), que estos se
clasifiquen en Conductores, Aisladores y Semiconductores. Adems y segn lo determina la fsica
moderna, la energa de los electrones se encuentra cuantificada en bandas, de modo que los
electrones que existen en cierto sector deben poseer energa para estar all, existiendo espacios
energticos prohibidos entre una banda y la siguiente. El ancho de esta banda prohibida define a
los materiales como conductores, aisladores y semiconductores.

Aisladores: En estos materiales, a temperatura ambiente los electrones de la ltima capa del
tomo se encuentran fuertemente ligados al tomo, de modo que no pueden soltarse de los
tomos y en la estructura no existen cargas que puedan considerarse libres para conducir
corriente. La energa necesaria para liberar electrones es muy grande (el ancho de la banda
prohibida) con niveles que van desde 6 eV hasta 15 Ev.

Conductores: En estos materiales no existe banda prohibida y la energa de las bandas de

conduccin y valencia se traslapan. Esto hace que los electrones de valencia pertenezcan tambin
a la banda de conduccin con lo que se dispone de cargas elctricas libres.

SemiConductores: En estos materiales la separacin de energa entre la banda de valencia y la de

conduccin (electrn libre) es moderada y puede estar entre 0.7 y 1.2 eV, lo que hace posible que
a temperatura ambiente existan electrones, aunque pocos, en la banda de conduccin. Son dos los
semiconductores naturales (intrnsecos) que se analizarn: Ge y Si. Ambos tienen valencia 4, es
decir poseen cuatro electrones para el enlace atmico el cual se realiza en la modalidad de
covalente, en el que dos tomos comparten sus 4 electrones de modo que cada uno de sus
electrones de valencia es compartido con uno de un tomo vecino.

A 0K todos los enlaces covalentes estn fuertemente amarrados y no existen electrones que
puedan soltarse, con lo cual se puede decir que es un aislador. Sin embargo, a temperatura
ambiente (300K), algunos electrones adquieren la energa necesaria para romper el enlace y
abandonar la banda de valencia, pasando a la banda de conduccin como electrn libre (figura 1).
Pero esto trae consigo un fenmeno que no se produce en el conductor. El hecho que un electrn
abandone el enlace deja tras de si un ion positivo de carga equivalente a la del electrn. A esta
carga positiva se la llama hueco y por una lgica elemental, en el material existen siempre la
misma cantidad de electrones que de huecos, ya que su generacin es simultnea: Par electrn
hueco. Es por lo tanto la temperatura la que produce esta generacin de pares electrn-hueco ,
dejando DOS tipos de cargas para la conduccin: Electrones libres y el hueco en el tomo.

Conduccin por huecos: Este fenmeno se produce debido a que por la cercana y similar energa
de los electrones de un enlace vecino, es relativamente fcil que un electrn abandone su enlace
para ocupar el lugar de un hueco
existente. Sin embargo, este electrn
deja un hueco tras de si en el enlace
anterior. Supongamos que un electrn
se mueve hacia el hueco que est a su
izquierda, dejando un hueco atrs. Si
se observa desde el punto de la
existencia del hueco, ste habr
avanzado hacia la derecha, por lo que
se podr considerar que es el hueco el
que se mueve, una carga positiva de
igual magnitud a la del electrn y que
coincide con el sentido de la corriente
convencional. Por lo tanto, aparece
conduccin de corriente por huecos,
independiente de la que pueda ocurrir debido a los electrones libres pero con el mismo sentido.
Ntese que este mecanismo NO SE DEBE a los electrones libres.

Habiendo establecido que en un semiconductor existen ambos tipos de cargas para conduccin de
corriente, es posible asumir que existir una movilidad de estas cargas cuando se aplique un
campo elctrico. Esta movilidad es diferente debido a que unos son electrones libres y los otros
son huecos que se trasladan, siendo esperable que los huecos sean ms lentos que los electrones
ya que en realidad se trata de iones en movimiento. La movilidad de los electrones ser (n) y la
de huecos ser (p).

Recombinacin de pares electrn hueco: La generacin del par electrn hueco debida a la
temperatura deja un electrn libre en la malla cristalina. Sin embargo, este electrn puede
encontrar un enlace incompleto y llenar ese hueco desapareciendo simultneamente un electrn
y un hueco. Esto se llama recombinacin y a ella est ligada un cierto tiempo de vida del par, tema
que va ms all de los alcances del presente curso. Es necesario destacar que la velocidad de
GENERACION de pares electrn hueco es igual a la velocidad de RECOMBINACION y ambas
aumentan con la temperatura.

Difusin: Siendo el material una estructura neutra y en equilibrio, si por alguna razn existiere una
diferencia de concentraciones de huecos y electrones, se producir la difusin o el traslado de
cargas hasta igualarla, ya que una diferencia de concentraciones significara que habra diferencias
de energa dentro del material. Este movimiento produce corriente por difusin y no es un
fenmeno elctrico sino estadstico existiendo una CONSTANTE de Difusin tanto para electrones
(Dn) como para huecos ( Dp). Asociada a la difusin existe una distancia dentro del material en la
cual se producen todas las recombinaciones, las que nominaremos Lp para los huecos y Ln para los
electrones. (No son iguales pues el tiempo de vida ni la velocidad lo son. Esto es un tema que va
ms all de los alcances de este curso)

En el semiconductor se cumple la Relacin de Einstein:

= = =
11600

Llamada la tensin equivalente de la temperatura

Conductividad de un semiconductor: La conductividad de un semiconductor puede determinarse

conociendo la concentracin de portadores de carga presentes en el material; la de electrones
libres ser n y la de huecos ser p. Sabemos que a una temperatura dada, n=p=ni. Una relacin
que permite calcular ni(T) , con T en grados Kelvin, en el Silicio es

() = 3,88 1016 1.5 6957/

Con esto, la Conductividad para esa concentracin ni es

= ( + )

Para el Silicio n=1300 cm2/V-seg , p=500 con lo

que a 27 C (300K) la RESISTIVIDAD del Silicio
puro es

203 KOhm-cm. Un clculo para 100C arroja 1.5

KOhm-cm, razn por la cual es utilizado como
termistor, es decir, una resistencia variable con la
temperatura.

Semiconductores DOPADOS: Al Germanio (o al

Silicio) se le puede agregar una pequea cantidad
de impurezas de un elemento que tenga 5
electrones de valencia. Con esto se produce la
situacin mostrada en la figura 2. Se aprecia que
el tomo de valencia 5 comparte 4 de sus
electrones en el enlace covalente con los tomos vecinos y deja libre un electrn transformndose
en un in positivo. El electrn que no se enlaza queda disponible para conducir ya que la energa
necesaria para liberar del tomo a este electrn es muy baja. Entre las impurezas utilizadas se
encuentran el antimonio, el fsforo y el Arsnico y como donan electrones reciben el nombre de
impurezas donadoras o tipo n. El nivel de 0.01 eV (0.05) se alcanza a temperatura ambiente por lo
que en realidad la impureza aporta electrones libres para la conduccin. Adems, al introducir
electrones libres aumenta el ndice de recombinacin de stos con los huecos, con el resultado
neto de que la concentracin de huecos disminuye respecto de la concentracin intrnseca. La
concentracin de material donador ser Nd.

Si la impureza es un elemento trivalente, es decir aporta 3 electrones en la banda de valencia, la

situacin producida es que el tomo de impureza slo se enlaza a tres tomos de Germanio o
Silicio, dejando un enlace roto o un hueco
disponible para conduccin, como se muestra en
la figura 3. Estas impurezas reciben el nombre de
aceptadoras pues aceptan electrones en la red
cristalina. La concentracin de material
aceptador ser Na. En este caso la concentracin
de huecos disminuye la cantidad de electrones
respecto de la concentracin intrnseca.

A una temperatura dada, la ley de accin de

masas establece que el producto de las
concentraciones de electrones y huecos es
constante e igual al cuadrado de la
concentracin intrnseca.

= 2

Adems por neutralidad elctrica, dentro del material las cargas positivas deben ser iguales a las
negativas. Con esto podemos anotar

+ = +

Si se considera un material tipo N, Na=0 y la concentracin de electrones es mucho mayor que la

de huecos:

= +

Como son los electrones de un material tipo N, usaremos el sub ndice n, nn=Nd. Entonces la
concentracin de huecos en este material ser
Pn=ni2/Nd

Se deduce que en un material tipo N existen MAYORITARIAMENTE los electrones en concentracin

nn=Nd y una MINORIA de huecos pn

De modo anlogo, en un material tipo P, los huecos son portadores MAYORITARIOS pp= Na y los
electrones sern minora con una concentracin np=ni2/Na

JUNTURA P-N

Aunque tecnolgicamente no es muy simple, supongamos que un trozo de material de Si es

dopado con impurezas Na en un lado y separado abruptamente dopamos con impurezas Nd el
otro lado, quedando una JUNTURA P-N, como se muestra en la figura 4 con sus respectivas
concentraciones.

Al momento de unir ambos lados ocurrirn los siguientes fenmenos:

1 Difusin de huecos (h) desde el lado P al lado N por el mecanismo de diferencias de

concentracin. La barrera ser atravesada entonces por una corriente de difusin de huecos que
van a recombinarse con electrones en el lado N. Pero es obvio que esta corriente deber
detenerse pues el lado P no podr quedar vaco de huecos. Simultneamente hay una corriente
de difusin electrones que van desde el lado N al lado P, la cual tiene el mismo sentido de la
anterior. Es decir, la corriente de difusin est formada por ambos tipos de cargas que circula a
travs de la juntura desde el lado P al lado N para la recombinacin, Despus de recorrer la
distancia Lp y Ln respectivamente, las cargas se recombinan. El abandono de cargas que van a
recombinarse forma IONES a ambos
lados de la juntura. En el lado P,
cuando un hueco abandona su lugar,
deja tras de s un tomo cargado
negativamente. De igual modo, en el
lado N, cuando un electrn abandona
su enlace, deja a un tomo con carga
positiva.

2 Como muestra la figura 5, los iones

establecen una barrera de potencial
a travs de la juntura, es decir existe
un campo elctrico que produce una
corriente por arrastre de cargas que se establece desde el lado N al lado P. Esta corriente de
arrastre est a formada por los portadores MINORITARIOS, np y pn que son movilizados por el
campo elctrico formado en la unin.
Con esto tenemos dos corrientes atravesando la juntura, la de difusin desde P a N y la de arrastre
desde N a P. Ya que no hay ninguna fuente de tensin conectada y que el material es
elctricamente neutro, estas corrientes SON IGUALES.

POLARIZACION INVERSA:

La polarizacin inversa tiene como efecto aumentar la cantidad de iones fijos de la juntura ya que
por el efecto de la batera los electrones y huecos se alejan de la juntura y se dirigen hacia los
extremos. Esto hace que existan electrones y huecos que abandonan sus tomos y aumente la
cantidad de iones a ambos lados de la barrera. Sin embargo, los portadores minoritarios de ambos
lados de la juntura siguen estando sometidos a la diferencia de potencial causada por estos iones,
lo que produce una corriente de arrastre que no es compensada por la difusin (no hay
recombinacin). Esta corriente es la Corriente Inversa de Saturacin. Se puede demostrar que la
corriente inversa de saturacin Is puede ser calculada con la siguiente expresin:

= 2 ( + )

Con
A= Area de la juntura
ni = concentracin intrnseca
q= carga del electrn
Nd=concentracin de material donador (nn)
Na=concentracin de material aceptador(pp)
Ln= longitud de difusin de los electrones
Lp= longitud de difusin de los huecos
Dp=Constante de difusin de los huecos
Dn=constante de difusin de los electrones

Al reemplazar ni2/Na por np y ni2/Nd por pn se observa que esta corriente es debida a los
portadores de carga minoritarios presentes en ambos lados de la juntura.

En principio esta corriente depende de la temperatura y de los dopados, por lo que a una
temperatura constante debera ser constante. Sin embargo, si la diferencia de potencial inverso
aplicado alcanza un cierto valor ocurre que los portadores minoritarios adquieren suficiente
energa como para colisionar a los iones y tomos vecinos rompiendo enlaces covalentes y
generando ms portadores minoritarios, los que a su vez harn lo mismo, producindose un
efecto de multiplicacin por avalancha en el cual la corriente inversa seguir aumentando sin que
exista un aumento en la tensin de la juntura. El valor de la corriente inversa estar limitado por el
circuito externo. Este fenmeno se conoce como efecto Ruptura por Avalancha y la tensin a la
que se produce es la Tensin Inversa de Ruptura. Otra posibilidad de aumento de la conduccin
inversa es que la misma tensin aplicada, aunque sea baja, forme un campo elctrico capaz de
romper los enlaces covalentes lo cual se logra con zonas fuertemente dopadas y de juntura
estrecha. En este caso se trata de tensiones bajas y el efecto recibe el nombre de Zener. Algunos
diodos se construyen de modo que su tensin Zener est entre 3 y 30 V, soportando corrientes de
algunos cientos de miliamperes o potencias hasta unos 5 W. Estos son llamados Diodos Zener y se
utilizan como referencia de tensin, debido a que una vez que se produce la avalancha, la tensin
permanece ms o menos constante ante cambios en la corriente inversa. Los dos efectos
descritos son similares y para el caso del diodo comn se debe evitar que la tensin supere la
ruptura pues la juntura se destruir

POLARIZACION DIRECTA

En este caso el lado p se conecta al positivo de una batera y el lado n al negativo. Con esto, la
batera entrega energa suficiente para que los portadores de carga atraviesen la juntura y se
recombinen en la zona correspondiente. Se produce una gran corriente de portadores
mayoritarios la cual se puede calcular segn la siguiente expresin:

= (exp ( ) 1)

Como ejemplo se calcula una tabla de valores de ID(VD) para un VT= 0,025. Se aprecia que para
una tensin directa menor que 0,5 V la corriente es muy baja, pero al acercarse a 0,7 crece
rpidamente:

Datos calculados para Is=1,2xe-14 A

V DIODO ID Amperes
0.4 1,0663E-07
0.5 5,822E-06
0.6 0,00031787
0.65 0,00234876
0.7 0,01735508
0.75 0,12823769
0.8 0,94755552
0.85 7,00154091
0.9 51,7347786

La juntura as obtenida recibe el nombre de

DIODO de unin y su curva de operacin Id(Vd)
se muestra en la figura 6.
Resistencia del DIODO:

En la curva del diodo se pueden definir dos tipos de resistencia. La primera es la ESTATICA que es
sencillamente el cociente entre la tensin y la corriente en un punto VD,ID

RD= VD/ID

Sin embargo, existe una resistencia llamada ac o dinmica, rd, la cual corresponde a la pendiente
de la curva del diodo en el entorno a un punto de operacin VD, ID. Para determinar esta
resistencia se recurre a una simplificacin de la expresin de la curva ID, eliminando el 1

VD dID dIS VT
VD
dID 1 VD
ID IS * e VT derivando * e lo que da IS * e VT
dVD dVD dVD VT

dID VT
Ahora si consideramos rd = 25mV/ID
dVD ID

Es decir, la resistencia dinmica de un diodo polarizado con una corriente directa ID resulta ser la
tensin VT dividida por esta corriente. Como ejemplo, si ID=25 mA, entonces rd=1 Ohm.

MODELOS DEL DIODO:

Para analizar el comportamiento de un diodo en un circuito es necesario recurrir a uno de los

modelos normalmente aceptados para describirlo:

Diodo IDEAL:

Es el modelo ms bsico que considera que el diodo es un

cortocircuito si est polarizado directo y es un circuito abierto
si est polarizado inverso. Su resistencia es rd=0 y no tiene
cada de tensin en la juntura (VD=0)

Generalmente este modelo se aplica al circuito y permite

identificar en grandes rasgos el papel de un diodo en el
circuito.

Una vez analizados los cortocircuitos o circuitos abiertos se

puede recurrir a un modelo ms elaborado, con el objeto de
determinar corrientes o tensiones.
Diodo SIMPLE:

Puede entenderse como un diodo IDEAL en serie con una fuente dc de 0.7V. Este modelo evita el
efecto tan drstico de cortocircuitar un diodo directo y muestra la tensin de encendido que
aparece entre Ay K de un diodo en conduccin., Su resistencia
rd=0, en el entendido que todas las resistencias del circuito
son mucho mayores que 10 ohm, valor tpico de rd.

Diodo con resistencia rd

En este caso, una vez determinado el valor de la resistencia dinmica, se utiliza el siguiente
modelo:

La importancia de este modelo es que una vez conocida la

corriente dc que circula por el diodo, puede ser
reemplazado por una resistencia directa de rd ohm y
continuar el anlisis del circuito. Esta modelacin es til
para el estudio del Transistor BJT en el Modelo de Ebers
Moll.

RECTIFICADORES:
El uso ms difundido de los diodos es en la conversin de corriente ac en dc. A partir de una
fuente de tensin ac se coloca en serie con una resistencia de carga RL un diodo. El efecto es que
el diodo est directo y conduciendo por un semiciclo, en tanto que en el siguiente queda inverso y
no conduce. Se obtiene as una corriente que circula en un sentido y aunque es pulsante posee un
valor medio, es decir tiene una
componente continua la que puede
ser utilizada por algunas
aplicaciones directamente. Sin
embargo, para la mayora de las
aplicaciones electrnicas, ser
necesario eliminar al mximo la
pulsacin acercndola ms al ideal
de una corriente continua esto es,
una funcin que no posee
componentes alternas.

La teora del rectificador se

comprende fcilmente al analizar el funcionamiento del RECTIFICADOR de MEDIA ONDA de la
figura 7.La tnsin aplicada es de la forma Vmax sen2ft donde f=50 Hz, para la mayora de las
aplicaciones.

La entrada es una sinusoide de valor mximo Vmax. . Durante los semiciclos positivos de la tensin
de entrada el diodo conduce y durante los ciclos negativos no lo hace, por lo que la tensin en la
carga debida a la corriente que pasa por RL es la indicada en la figura 8, en la que se aprecia
claramente una Tensin (y
corriente) de semiciclos
positivos con un valor
mximo y un valor medio.
Con esto, una aplicacin
como un motor dc o una
batera pueden funcionar
para girar o recibir carga,
respectivamente.

En la forma de onda de la figura 8 se pueden distinguir ciertos factores o cifras que se definen para
indicar cuan buena es la conversin.

Lo primero es el VALOR MEDIO Tensin DC (VDC):

 Vmax
VDC

El FACTOR de RIZADO se define como la razn de la corriente ALTERNA a la corriente CONTINUA
que existe en la onda de salida.

Vrms( salida )
r que para el caso que se est analizando queda convertido en
VDC

2
Ief I I
r 1 el cual evalundolo con Ief max y con Icc max resulta 1.21, valor que es
Icc 2
independiente de RL . Se aprecia que la corriente alterna es mayor que la continua lo que hace que
muchas aplicaciones electrnicas no puedan utilizar esta tensin, por lo que se recurre a agregar
un condensador en paralelo con la carga, de modo que almacene corriente durante la subida de la
tensin y entregue corriente cuando el diodo no conduce, descargndose sobre RL manteniendo
una tensin mayor y algo ms pareja que las pulsaciones de semiciclos.

Este circuito se llama Rectificador de Media Onda con filtro Capacitivo. El trmino filtro indica
que el condensador C est all para filtrar la
tensin de salida y permitir que sea slo la
componente DC la que pase a RL. Por ende es un
cortocircuito para las corrientes alternas y las pone
a tierra. Al menos esta es la idea.

Ahora la tensin de salida se muestra en la figura

10. La forma que realmente se ve en un
osciloscopio es la dibujada en rojo. Las otras lneas
estn para demostrar e indicar valores con los
cuales se harn clculos y estimaciones en este circuito.
En este circuito se cumplen las siguientes relaciones:

VR Icc
VDC V max V max
2 2* f *C

Donde VR es la tensin peak to peak del rizado de la onda triangular (aproximacin para la de
sinusoide de carga y la descarga exponencial)

Icc
VR
f *C

1
En este caso el valor del FACTOR DE RIZADO es r
2 * 3 * f * C * RL

RECTIFCADOR DE ONDA COMPLETA:

El circuito de la figura 11 permite rectificar ambos semi ciclos de la tensin de

alimentacin, producindose la forma de onda de la
figura 12, en la cual

2 * Vmax
VDC

Y el factor de rizado es

2
Ief
r 1 0.48
Icc
Con Filtro de Condensador: Para
disminuir el rizado se puede agregar un
condensador en paralelo con la carga RL
como se muestra en la figura 13.

En este caso la tensin continua tiene el

valor

VR Icc Icc
VDC V max V max con VR
2 4* f *C 2* f *C

1
Y el factor de rizado queda como r
4 * 3 * f * C * RL

Finalmente la tensin obtenida tiene la forma de la figura 14

FILTRO LC:

Existe un filtro llamado tambin de seccin en L el cual resulta muy aplicable cuando la frecuencia
de la red es alta.

El circuito es el siguiente:
En este circuito se cumple que

2 * V max 2
VDC y el factor de rizado es r
48 * * f 2 * L * C
2

Si L fuera muy pequea (en el lmite un cortocircuito) el filtro quedara como un filtro capacitivo
puro y en ese caso la corriente proveniente de los diodos se cortara al cargar el condensador y
volvera a circular por un instante lo suficiente para recuperar la carga en cada semiciclo. Para
evitar que la corriente deje de circular por los diodos es necesario que L tenga un valor mnimo
llamado Inductancia Crtica que est determinado por

RL
Lc
6* * f

VDC
No hay que olvidar que RL
IDC